CN112400116A - 磁阻抗传感器及磁阻抗传感器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
磁阻抗传感器1A包括：非晶线2；绝缘体层3，形成于非晶线2的外周面；以及X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z，以螺旋状形成于绝缘体层3的外周面，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z由导电层形成，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z配置于相互正交的方向上。
Description
技术领域
本发明涉及一种磁阻抗传感器及磁阻抗传感器的制造方法，详细而言，涉及一种以简单的结构制造磁阻抗传感器的技术。
背景技术
以往，已知有一种磁阻抗(Magneto Impedance，MI)传感器，其包括：包含非晶线(Amorphous wire)的磁性导体；以及经由绝缘体而卷绕于磁性导体的周围的电磁线圈(例如，参照专利文献1)。在所述专利文献中记载如下MI传感器：在绝缘体的外周面对包含铜的金属材料进行真空蒸镀而形成金属膜，之后通过选择蚀刻来形成电磁线圈。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3781056号公报
发明内容
MI传感器是通常为了以三维(或二维)感测对象物的静态特性或动态特性，而通过如所述现有技术那样将三个(或两个)MI元件相互正交地配置于X、Y、Z方向上来构成。各个MI元件的中心轴使用非晶系的磁性导体，以缠绕所述磁性导体的周围的方式形成线圈(拾取线圈)。而且，在磁性导体流动脉冲电流，利用线圈检测其反应。
在所述结构中，由于MI元件自身小，因此组合多个MI元件而安装在基板的作业变得复杂。另外，为了在中心所包括的磁性导体的两端流动脉冲电流，需要将连接在各个两端的配线各别取出到外部。即，例如，在三维的MI传感器中，需要从三个MI元件中的各个磁性导体取出共计六条配线。
另外，在使用半导体工艺的MI元件的情况下，需要将线圈的上部与下部分开形成，因此无法自由地增加匝数。此外，无法使线圈的剖面为圆形，磁性导体与线圈之间的距离不会一定，因此产生了电损耗。
进而，在通过将漆包线等线材缠绕于空芯的圆筒形材料而形成线圈的MI元件的情况下，可比较自由地设定线圈的匝数。但是，在线圈形成后必须插通磁性导体作为芯线，结果产生了芯线与线圈之间的空间，因此产生了电损耗。此种电损耗成为MI元件中的探测精度的偏差的因素，并且成为MI元件的个体差异的原因。
此外，需要从不同的电路向X、Y、Z各方向的磁性导体施加高频脉冲，或将磁性导体彼此在外部加以连接而施加脉冲。但是，在前者中，难以使向各方向的高频脉冲严格地相同，另外，在后者中，输出容易因连接部分的电阻而变动，因此，成为在MI传感器中产生X、Y、Z方向的个体差异的原因。
本发明是鉴于如以上那样的状况而成，本发明所要解决的问题在于提供一种MI传感器及MI传感器的制造方法，其可简化安装作业，通过在磁性导体与线圈之间不空开空间而使距离一定，可降低电损耗，可抑制各个MI传感器的个体差异及MI传感器在X、Y、Z方向的个体差异的产生。
为了解决所述问题，本发明提供一种以下构成的MI传感器及MI传感器的制造方法。
本发明的一例的MI传感器包括：线状的磁性导体；绝缘体层，形成于所述磁性导体的外周面；以及第一线圈、第二线圈、及第三线圈，以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面，且所述MI传感器中，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈由导电层形成，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈配置于相互正交的方向上。
另外，本发明的一例的MI传感器的制造方法包括：绝缘步骤，在线状的磁性导体的外周面形成绝缘体层；导电层形成步骤，在所述绝缘体层的外周面形成导电层；抗蚀剂步骤，在所述导电层的外周面形成抗蚀剂层；曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面分别形成螺旋状的第一沟道部、第二沟道部、及第三沟道部，在所述抗蚀剂层的外周面的所述第一沟道部与所述第二沟道部之间形成绕所述抗蚀剂层一周的第一间隙，在所述抗蚀剂层的外周面的所述第二沟道部与所述第三沟道部之间形成绕所述抗蚀剂层一周的第二间隙；蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖材而进行蚀刻，去除所述第一沟道部、所述第二沟道部、所述第三沟道部、所述第一间隙、及所述第二间隙中的所述导电层，由此，由残存于所述第一沟道部的周围的所述导电层形成第一线圈，由残存于所述第二沟道部的周围的所述导电层形成第二线圈，由残存于所述第三沟道部的周围的所述导电层形成第三线圈；以及折弯步骤，通过将所述磁性导体及所述绝缘体层在所述第一线圈与所述第二线圈之间、及所述第二线圈与所述第三线圈之间折弯，而将所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈配置于相互正交的方向上。
附图说明
图1是表示第一实施方式的MI传感器的立体图。
图2是表示制造途中的MI传感器的正面图。
图3是图2中的III-III线局部剖面图。
图4是表示第一实施方式的MI传感器的各制造步骤的图。
图5是表示第二实施方式的MI传感器的立体图。
具体实施方式
＜MI传感器1A(第一实施方式)＞
首先，使用图1至图3对本发明第一实施方式的磁阻抗传感器(以下，简单记载为“MI传感器”)1A的结构进行说明。MI传感器1A利用根据对线状的磁性导体(在本实施方式中为非晶线2)进行通电的电流的变化而在线圈6(X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z)中产生感应电压的所谓MI现象而进行磁感测。
所述MI现象是关于如下的磁性导体而产生，所述磁性导体包含相对于所供给的电流方向而在周围方向上具有电子自旋排列的磁性材料。若使所述磁性导体的通电电流发生急剧变化，则周围方向上的磁场发生急剧变化，由于所述磁场变化的作用，并根据周边磁场而产生电子的自旋方向上的变化。而且，此时的磁性导体的内部磁化及阻抗等的变化产生的现象是MI现象。
如图1及图3所示那样，本实施方式的MI传感器1A中使用直径几十μm以下的CoFeSiB等外周形状为圆形形状的线条体即非晶线2作为线状的磁性导体。在本实施方式中，通过利用感磁性能优异的非晶线2作为磁性导体，而增加线圈6的每一匝的输出电压来减少绕组数，并且使MI传感器1A的轴向上的长度形成得短。在非晶线2的外周以横截面的外周形状成为圆形形状的方式形成有作为丙烯酸系树脂的绝缘体层3。再者，作为适用于MI传感器1A的磁性导体，也可采用在线状体被覆磁各向异性薄膜的磁性导体、或者作为Ni-Fe合金的坡莫合金(Permalloy)等，来代替在本实施方式中采用的非晶线2。
详细而言，绝缘体层3的外周形状以与非晶线2的外周形状成为同心圆状的圆形形状的方式形成，即以绝缘体层3的厚度在圆周方向上均匀的方式形成。更具体而言，将非晶线2浸渍于在溶液中以离子状态分散有丙烯酸系树脂材的电沉积涂料中，并在非晶线2与槽中的电沉积涂料之间施加电压，由此离子状态的丙烯酸系树脂电沉积于非晶线。根据所述方法，可通过所施加的电压来控制绝缘层的厚度。对于以所述方式形成于非晶线2的表面的电沉积涂料，例如在100度以上的高温下进行烧结，由此形成绝缘体层3。在本实施方式中，由非晶线2与绝缘体层3构成芯线S。
在绝缘体层3的外周面分别以螺旋状形成有作为第一线圈的X轴线圈6X、作为第二线圈的Y轴线圈6Y、及作为第三线圈的Z轴线圈6Z。如图1所示那样，各线圈6X～6Z由导电层形成。具体而言，线圈6X～6Z的导电层由无电解镀敷层4及形成于无电解镀敷层4的外周面的电解镀敷层5此两层形成(参照图3)。再者，本实施方式中的线圈6X～6Z的导电层的结构为一例，且也可将导电层设为其他结构。例如，也可使用溅射等方法形成线圈6X～6Z的导电层。
X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z如图1所示那样，芯线S在X轴线圈6X与Y轴线圈6Y之间、及Y轴线圈6Y与Z轴线圈6Z之间折弯，由此在X轴方向、Y轴方向、及Z轴方向上朝向轴心地配置。即，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z配置于相互正交的方向上。即，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、以及Z轴线圈6Z配置于相互正交的方向上。再者，也可在X轴线圈6X与Y轴线圈6Y之间、及Y轴线圈6Y与Z轴线圈6Z之间部分地切掉芯线S并再次将芯线S连接的状态下，将X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z配置于相互正交的方向上。
如图1所示那样，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z各自的两端部形成为绕绝缘体层3一周的环状的线圈电极6T。在各个线圈电极6T连接有用于测量在各线圈6X～6Z产生的感应电压的配线7X～7Z。
图2是表示将芯线S折弯之前的状态的MI传感器(以下，记载为“直线状传感器”)1的正面图。在直线状传感器1中，形成有第一线圈6A、第二线圈6B、及第三线圈6C。在第一线圈6A形成有螺旋状的第一槽部GP1，同样地，在第二线圈6B形成有第二槽部GP2，在第三线圈6C形成有第三槽部GP3。
在第一线圈6A与第二线圈6B之间形成有仅芯线S的第一间隙部GQ1，在第二线圈6B与第三线圈6C之间形成有仅芯线S的第二间隙部GQ2。另外，在第一线圈6A的外端侧形成有仅芯线S的第一端子GT1，在第三线圈6C的外端侧形成有仅芯线S的第二端子GT2。在如此构成的直线状传感器1中，芯线S在第一间隙部GQ1及第二间隙部GQ2处正交地弯曲。由此，构成其中第一线圈6A、第二线圈6B、及第三线圈6C分别作为X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z而相互正交的MI传感器1A。
接着，使用图4来对MI传感器1A的制造方法(制造直线状传感器1之前的步骤)进行说明。在图4中，(a)表示绝缘步骤前的非晶线2，(b)表示绝缘步骤后的状态，(c)表示无电解镀敷步骤后的状态，(d)表示电解镀敷步骤后的状态，(e)表示抗蚀剂步骤后的状态，(f)表示曝光步骤后的状态，(g)表示蚀刻步骤后的状态，(h)表示抗蚀剂去除步骤后的状态。再者，直线状传感器1在长度方向上反复形成同样的结构，因此在图4中仅图示了一端部(第一线圈6A的周边)侧，关于另一端部侧省略了图示。
在制造本实施方式的MI传感器1时，如图4中的(a)所示那样，准备外周形状为圆形形状的线条体即非晶线2。而且，如图4中的(b)所示那样，在非晶线2的外周涂布绝缘体而形成绝缘体层3(绝缘步骤)。此时，如图3所示那样，对于绝缘体层3的横剖面中的外周形状，以与非晶线2的外周形状成为同心圆状的圆形形状的方式形成，即以绝缘体层3的厚度在圆周方向上均匀的方式形成。
接着，在绝缘体层3的外周面形成由无电解镀敷层4及电解镀敷层5构成的导电层(导电层形成步骤)。具体而言，如图4中的(c)所示那样，通过实施无电解镀Cu而在绝缘体层3的外周面形成无电解镀敷层4(无电解镀敷步骤)。再者，在本步骤中，也可采用无电解镀Au。而且，如图4中的(d)所示那样，通过实施电解镀Cu而在无电解镀敷层4的外周面形成电解镀敷层5(电解镀敷步骤)。再者，在本步骤中，也可采用电解镀Au。如此，在本实施方式中，使用无电解镀敷及电解镀敷而在绝缘体层3形成金属膜。
接着，将形成有电解镀敷层5的非晶线2浸渍于放入有光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂槽中后，以规定速度(例如，1mm/sec的速度)进行提拉，由此如图4中的(e)所示那样在电解镀敷层5的外周面形成抗蚀剂层R(抗蚀剂步骤)。
接着，如图4中的(f)所示那样，以激光对抗蚀剂层R进行曝光，并利用显影液将经激光曝光的部分加以溶解，由此在抗蚀剂层R的外周面形成螺旋状的第一沟道部GA1、第二沟道部GA2(及未图示的第三沟道部GA3)。进而，在抗蚀剂层R的外周面的第一沟道部GA1与第二沟道部GA2之间形成绕抗蚀剂层R一周的第一间隙GB1(及在第二沟道部GA2与第三沟道部GA3之间形成绕抗蚀剂层R一周的未图示的第二间隙GB2)。进而，在抗蚀剂层R的外周面的比第一沟道部GA1更靠外端侧形成绕抗蚀剂层R一周的第一端部GC1(及在比第三沟道部GA3更靠外端侧形成绕抗蚀剂层R一周的未图示的第二端部GC2)。由此，第一沟道部GA1、第二沟道部GA2、第三沟道部GA3、第一间隙GB1、第二间隙GB2、第一端部GC1、及第二端部GC2的电解镀敷层5露出(曝光步骤)。
所述曝光步骤中的利用激光的曝光是将形成有抗蚀剂层R的非晶线2的中心轴设为轴而使其旋转，并在轴向上发生位移来进行。在本实施方式中，采用通过将经激光曝光的部分溶解于显影液而在抗蚀剂层R形成各种槽(第一沟道部GA1、第二沟道部GA2、第三沟道部GA3、第一间隙GB1、第二间隙GB2、第一端部GC1、及第二端部GC2)的正型光致抗蚀剂。再者，在本步骤中，也可使用将未曝光于激光的部分溶解于显影液而在抗蚀剂层形成各种槽的负型光致抗蚀剂。
在本实施方式中，如图4中的(f)所示那样，将第一端部GC1、第一沟道部GA1、第一间隙GB1、及第二沟道部GA2相互隔开地形成。同样地，将第二沟道部GA2、第二间隙GB2、第三沟道部GA3、及第二端部GC2相互隔开地形成。
接着，将在抗蚀剂层R形成有各种槽的非晶线2浸渍于酸性的电解研磨液中并进行电解研磨，由此进行将残存于电解镀敷层5的外周的抗蚀剂层作为掩模材的蚀刻。由此，如图4中的(g)所示那样，去除在抗蚀剂层R形成有各种槽的部分的无电解镀敷层4及电解镀敷层5(蚀刻步骤)。
如图4中的(g)所示那样，在无电解镀敷层4及电解镀敷层5中的形成有第一沟道部GA1的部分形成有螺旋状的第一槽部GP1。同样地，在形成有第二沟道部GA2的部分形成螺旋状的第二槽部GP2，在形成有第三沟道部GA3的部分形成螺旋状的第三槽部GP3。即，在本步骤中，由残存于第一沟道部GA1的周围的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成第一线圈6A。同样地，由残存于第二沟道部GA2及第三沟道部GA3的周围的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成第二线圈6B及第三线圈6C。
另外，在形成有第一间隙GB1及第二间隙GB2的部分形成有第一间隙部GQ1及第二间隙部GQ2。另外，在形成有第一端部GC1及第二端部GC2的部分形成有第一端子GT1及第二端子GT2。
在本实施方式中，如上所述那样，将第一沟道部GA1与第一端部GC1及第一间隙GB1隔开地形成。由此，在蚀刻步骤中，在第一线圈6A的两端部残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成为绕绝缘体层3一周的环状的线圈电极6T。同样地，通过将第二沟道部GA2与第一间隙GB1及第二间隙GB2隔开地形成，而在第二线圈6B的两端部形成线圈电极6T。同样地，通过将第三沟道部GA3与第二间隙GB2及第二端部GC2隔开地形成，而在第三线圈6C的两端部形成线圈电极6T。
接着，如图4中的(h)所示那样，使用剥离液等去除在第一线圈6A～第三线圈6C的表面残存的抗蚀剂层R(抗蚀剂去除步骤)。
然后，通过将直线状传感器1在第一间隙部GQ1及第二间隙部GQ2正交地折弯，而形成X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z相互正交的MI传感器1A(折弯步骤)。
如上所述那样，在本实施方式的MI传感器1A的制造方法中，可制造一体地包括X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z的MI传感器1A。由此，在安装MI传感器1A时，不需要组合多个MI元件，因此可简化安装作业。
另外，根据本实施方式的MI传感器1A，在对非晶线2进行通电时，只要在第一端子GT1及第二端子GT2分别连接配线并使脉冲电流流动即可。即，可将用于对非晶线2进行通电的配线设为两条，因此与现有技术中在三个MI元件中分别进行配线的结构相比，可容易地安装。
另外，在本实施方式的MI传感器1A的制造方法中，在绝缘步骤中，将绝缘体层3的横剖面中的外周形状形成为圆形形状，由此使绝缘体层3的厚度在圆周方向上均匀地形成。由此，可在非晶线2与形成于绝缘体层3的外周面的线圈6之间不空开空间而使距离一定。具体而言，可用导磁率或介电常数已知的物质即绝缘体层3，同心状地填埋非晶线2与线圈6之间。因此，可降低线圈6中的电损耗，因此可提高MI传感器1A的灵敏度。
更详细而言，在本实施方式的MI传感器1A中，在横剖面为圆形形状的非晶线2的表面形成有圆形形状的绝缘体层3，由此绝缘体层3的厚度在圆周方向上均匀地形成。因此，可将非晶线2与线圈6的距离设为一定而不取决于圆周方向上的位置。其结果，可降低MI传感器1A的探测精度的偏差，因此可抑制MI传感器1A的个体差异。另外，在本实施方式的MI传感器1A的制造方法中，即使通过可在同一工艺中一次制造多个MI传感器1A，也可抑制MI传感器1A的个体差异。
进而，在本实施方式的MI传感器1A中，对于向配置于X、Y、Z各方向上的线圈6的芯线赋予的脉冲，可无需在外部加以连接地进行一元化。即，可对各方向的传感器(线圈6)赋予同一刺激脉冲而无需严格地进行管理。由此，可抑制MI传感器1A在X、Y、Z方向上的个体差异的产生。再者，由于X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z分别正交，因此不产生相互电感。
如上所述那样，根据本实施方式的MI传感器1A的制造方法，可制造以下的MI传感器1A，其可简化安装作业，通过在非晶线2与线圈6之间不空开空间地使距离，可降低电损耗，可抑制个体差异及X、Y、Z方向上的个体差异的产生。
另外，在本实施方式的MI传感器1A中，在X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z的两端部形成有绕绝缘体层3一周的环状的线圈电极6T。由此，无论各线圈6X～6Z的姿势如何，均可在线圈电极6T连接配线7X～7Z，因此可更简单地进行安装作业。
＜MI传感器1B(第二实施方式)＞
接着，使用图5来对本发明的第二实施方式的MI传感器1B的结构进行说明。在本实施方式中，对与所述第一实施方式的MI传感器1A共通的结构省略详细的说明，并以不同的结构为中心进行说明。
如图5所示那样，本实施方式的MI传感器1B是通过经过由作为固定部的树脂模制P来固定在折弯步骤中所配置的作为第一线圈的X轴线圈6X、作为第二线圈的Y轴线圈6Y、及作为第三线圈的Z轴线圈6Z(固定步骤)而制造。详细而言，树脂模制P形成为正六面体，各面形成为与X轴、Y轴、及Z轴正交的形状。换言之，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z分别收容在由树脂模制P形成的正六面体的内部区域(用来填充树脂模制P的区域)内，固定并配置于与形成树脂模制P的表面的各面正交的方向上。
根据本实施方式，可将X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z的相对位置固定化，因此仅通过确定树脂模制P的位置便可确定X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z的位置。即，MI传感器1B与所述实施方式的MI传感器1A相比，可进一步简化安装作业。
再者，作为在MI传感器1B中由固定部来固定X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z的方法，可采用利用夹具的固定方法、或将密封剂填充至各线圈的周围而进行固定的方法等其他方法，来代替在本实施方式中采用的利用树脂模制P的方法。
即，本发明的一例的MI传感器包括：线状的磁性导体；绝缘体层，形成于所述磁性导体的外周面；以及第一线圈、第二线圈、及第三线圈，以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面，且所述MI传感器中，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈由导电层形成，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈配置于相互正交的方向上。
根据所述结构，可简化安装作业，通过在磁性导体与线圈之间不空开空间而使距离一定，可降低电损耗，可抑制各个MI传感器的个体差异及MI传感器在X、Y、Z方向的个体差异的产生。
另外，所述MI传感器优选为所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈由固定部固定。
根据所述结构，可进一步简化安装作业。
另外，所述MI传感器优选为所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈的两端部形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。
根据所述结构，可进一步简化安装作业。
另外，本发明的一例的MI传感器的制造方法包括：绝缘步骤，在线状的磁性导体的外周面形成绝缘体层；导电层形成步骤，在所述绝缘体层的外周面形成导电层；抗蚀剂步骤，在所述导电层的外周面形成抗蚀剂层；曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面分别形成螺旋状的第一沟道部、第二沟道部、及第三沟道部，在所述抗蚀剂层的外周面的所述第一沟道部与所述第二沟道部之间形成绕所述抗蚀剂层一周的第一间隙，在所述抗蚀剂层的外周面的所述第二沟道部与所述第三沟道部之间形成绕所述抗蚀剂层一周的第二间隙；蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖材而进行蚀刻，去除所述第一沟道部、所述第二沟道部、所述第三沟道部、所述第一间隙、及所述第二间隙中的所述导电层，由此，由残存于所述第一沟道部的周围的所述导电层形成第一线圈，由残存于所述第二沟道部的周围的所述导电层形成第二线圈，由残存于所述第三沟道部的周围的所述导电层形成第三线圈；以及折弯步骤，通过将所述磁性导体及所述绝缘体层在所述第一线圈与所述第二线圈之间、及所述第二线圈与所述第三线圈之间折弯，而将所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈配置于相互正交的方向上。
根据所述结构，可制造以下的MI传感器，其可简化安装作业，通过在磁性导体与线圈之间不空开空间而使距离一定，可降低电损耗，可抑制各个MI传感器的个体差异及MI传感器在X、Y、Z方向的个体差异的产生。
另外，所述MI传感器的制造方法优选为包括固定步骤，所述固定步骤中由固定部来固定在所述折弯步骤中所配置的所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈。
根据所述结构，可制造能够进一步简化安装作业的MI传感器。
另外，所述MI传感器的制造方法优选为在所述曝光步骤中，在所述抗蚀剂层的外周面的比所述第一沟道部更靠外端侧形成绕所述抗蚀剂层一周的第一端部，在所述抗蚀剂层的外周面的比所述第三沟道部更靠外端侧形成绕所述抗蚀剂层一周的第二端部，将所述第一端部、所述第一沟道部、所述第一间隙、所述第二沟道部、所述第二间隙、所述第三沟道部、及所述第二端部相互隔开地形成，在所述蚀刻步骤中，在所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈各自的两端部残存的所述导电层形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。
根据所述结构，可制造能够进一步简化安装作业的MI传感器。
根据本发明的一例的MI传感器的制造方法及MI传感器，可简化安装作业，通过在磁性导体与线圈之间不空开空间而使距离一定，可降低电损耗，可抑制各个MI传感器的个体差异及MI传感器在X、Y、Z方向上的个体差异的产生。
本申请以在2018年6月27日提出申请的日本专利申请特愿2018-121668为基础，且其内容包含在本申请中。再者，在具体实施方式一项中提及的具体的实施方式或实施例只不过是明确本发明的技术内容，本发明不应仅限定于此种具体例而狭义地解释。
符号的说明
1：直线状传感器
1A：磁阻抗传感器(MI传感器)
1B：MI传感器
2：非晶线(磁性导体)
3：绝缘体层
4：无电解镀敷层
5：电解镀敷层
6：线圈
6A：第一线圈
6B：第二线圈
6C：第三线圈
6T：线圈电极
6X：X轴线圈
6Y：Y轴线圈
6Z：Z轴线圈
7X：配线
7Y：配线
7Z：配线
R：抗蚀剂层
P：树脂模制(固定部)
GA1：第一沟道部
GA2：第二沟道部
GA3：第三沟道部
GB1：第一间隙
GB2：第二间隙
GC1：第一端部
GC2：第二端部
GP1：第一槽部
GP2：第二槽部
GP3：第三槽部
GQ1：第一间隙部
GQ2：第二间隙部
GT1：第一端子
GT2：第二端子
Claims (6)
1.一种磁阻抗传感器，包括：
线状的磁性导体；
绝缘体层，形成于所述磁性导体的外周面；以及
第一线圈、第二线圈、及第三线圈，以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面，且所述磁阻抗传感器中，
所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈由导电层形成，
所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈配置于相互正交的方向上。
2.根据权利要求1所述的磁阻抗传感器，其中，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈由固定部固定。
3.根据权利要求1或2所述的磁阻抗传感器，其中，所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈的两端部形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。
4.一种磁阻抗传感器的制造方法，包括：
绝缘步骤，在线状的磁性导体的外周面形成绝缘体层；
导电层形成步骤，在所述绝缘体层的外周面形成导电层；
抗蚀剂步骤，在所述导电层的外周面形成抗蚀剂层；
曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面分别形成螺旋状的第一沟道部、第二沟道部、及第三沟道部，在所述抗蚀剂层的外周面的所述第一沟道部与所述第二沟道部之间形成绕所述抗蚀剂层一周的第一间隙，在所述抗蚀剂层的外周面的所述第二沟道部与所述第三沟道部之间形成绕所述抗蚀剂层一周的第二间隙；
蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖材而进行蚀刻，去除所述第一沟道部、所述第二沟道部、所述第三沟道部、所述第一间隙、及所述第二间隙中的所述导电层，由此，由残存于所述第一沟道部的周围的所述导电层形成第一线圈，由残存于所述第二沟道部的周围的所述导电层形成第二线圈，由残存于所述第三沟道部的周围的所述导电层形成第三线圈；以及
折弯步骤，通过将所述磁性导体及所述绝缘体层在所述第一线圈与所述第二线圈之间、及所述第二线圈与所述第三线圈之间折弯，而将所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈配置于相互正交的方向上。
5.根据权利要求4所述的磁阻抗传感器的制造方法，包括固定步骤，所述固定步骤中由固定部来固定在所述折弯步骤中所配置的所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈。
6.根据权利要求4或5所述的磁阻抗传感器的制造方法，其中，在所述曝光步骤中，在所述抗蚀剂层的外周面的比所述第一沟道部更靠外端侧形成绕所述抗蚀剂层一周的第一端部，在所述抗蚀剂层的外周面的比所述第三沟道部更靠外端侧形成绕所述抗蚀剂层一周的第二端部，将所述第一端部、所述第一沟道部、所述第一间隙、所述第二沟道部、所述第二间隙、所述第三沟道部、及所述第二端部相互隔开地形成，
在所述蚀刻步骤中，在所述第一线圈、所述第二线圈、及所述第三线圈各自的两端部残存的所述导电层形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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