JP2022068995A

JP2022068995A - コイル部品及びその製造方法

Info

Publication number: JP2022068995A
Application number: JP2020177881A
Authority: JP
Inventors: 信之奥澤; Nobuyuki Okuzawa; 一彦伊藤; Kazuhiko Ito; 宗裕高久; Munehiro Takaku; 順一郎占部; Junichiro Urabe
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2020-10-23
Filing date: 2020-10-23
Publication date: 2022-05-11
Anticipated expiration: 2040-10-23
Also published as: JP7487068B2; CN114496513A; US20220130595A1

Abstract

【課題】素体にヘリカル状のコイルパターンが埋め込まれた構造を有するコイル部品において自己共振周波数を高める。【解決手段】コイル部品１は、素体１０に埋め込まれたコイルパターンＣを備える。素体１０は、キャビティが形成された支持体１１と、キャビティを覆うよう支持体１１に積層された絶縁層１３とを含み、これにより素体１０の内部に空洞Ｓが形成される。コイルパターンＣは、キャビティの内壁１１ａに沿って設けられた第１区間３１～３４と、絶縁層１４上に設けられた第２区間４１～４５とを含み、第１区間３１～３４の端部及びこれらに対応する第２区間４１～４５の端部が互いに接続されている。これにより、コイルパターンＣの内径領域の大部分が空洞Ｓによって構成されることから、コイルパターンＣの隣接するターン間に生じる浮遊容量を大幅に低減することが可能となり、自己共振周波数が高められる。【選択図】図２

Description

本発明はコイル部品及びその製造方法に関し、特に、素体にヘリカル状のコイルパターンが埋め込まれた構造を有するコイル部品及びその製造方法に関する。

素体にヘリカル状のコイルパターンが埋め込まれた構造を有するコイル部品としては、特許文献１に記載されたコイル部品が知られている。

特開２００６－３２４４８９号公報

しかしながら、特許文献１に記載されたコイル部品においては、自己共振周波数（ＳＲＦ）を十分に高めることが困難であった。

したがって、本発明は、素体にヘリカル状のコイルパターンが埋め込まれた構造を有するコイル部品において、自己共振周波数を高めることを目的とする。

本発明によるコイル部品は、素体と、素体に埋め込まれ、複数ターンに亘ってヘリカル状に巻回されたコイルパターンと、素体の表面に設けられ、コイルパターンの一端及び他端にそれぞれ接続された第１及び第２の端子電極とを備え、素体は、キャビティが形成された支持体と、キャビティを覆うよう支持体に積層された第１の絶縁層とを含み、これにより素体の内部に空洞が形成され、コイルパターンは、キャビティの内壁に沿って設けられた複数の第１区間と、第１の絶縁層上に設けられた複数の第２区間とを含み、複数の第１区間の一端及びこれらに対応する複数の第２区間の一端が互いに接続され、複数の第１区間の他端及びこれらに対応する複数の第２区間の他端が互いに接続されていることを特徴とする。

本発明によれば、コイルパターンの内径領域の大部分が空洞によって構成されることから、コイルパターンの隣接するターン間に生じる浮遊容量を大幅に低減することが可能となる。これにより、自己共振周波数を高めることが可能となる。

本発明において、素体はキャビティの内壁を覆う第２の絶縁層をさらに含み、コイルパターンの第１の区間は、第２の絶縁層を介してキャビティの内壁に設けられていても構わない。これによれば、支持体の材料として導電性を有する材料を用いることが可能となる。この場合、支持体はシリコンからなるものであっても構わない。これによれば、支持体にキャビティを形成しやすくなる。

本発明において、第１の絶縁層は樹脂系絶縁材料からなるものであっても構わない。これによれば、第１の絶縁層が柔軟性を備えることから、外力が加わった場合であっても空洞を覆う部分が破損しにくくなる。この場合、第１の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料にはフィラーが添加されていても構わない。これによれば、第１の絶縁層の強度を高めることが可能となる。

本発明において、素体は複数の第２の区間を埋め込むよう第１の絶縁層を覆う樹脂系絶縁材料からなる第３の絶縁層をさらに含み、第１及び第２の端子電極は第３の絶縁層上に設けられており、第３の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料は、第１の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料よりも比誘電率が低くても構わない。これによれば、第１及び第２の端子電極とコイルパターンの間に生じる浮遊容量を低減することが可能となる。

本発明において、第１及び第２の端子電極はコイルパターンの軸方向に配列されていても構わない。これによれば、第１及び第２の端子電極とコイルパターンの間の電位差が抑えられることから、浮遊容量がより低減される。

この場合、第１及び第２の端子電極は、軸方向に対して垂直な素体の表面に形成されることなく、軸方向に沿った素体の表面に形成されていても構わない。これによれば、磁束が第１及び第２の端子電極と干渉しにくいことから、渦電流の発生を抑制することが可能となる。

本発明によるコイル部品の製造方法は、支持体にキャビティを形成する第１の工程と、キャビティの内壁に沿ってコイルパターンの複数の第１区間を形成する第２の工程と、キャビティを第１の絶縁層で覆うことによって空洞を形成する第３の工程と、第１の絶縁層に開口部を形成することにより、複数の第１区間の一端及び他端を露出させる第４の工程と、第１の絶縁層上にコイルパターンの複数の第２区間を形成することにより、複数の第１区間の一端及びこれらに対応する複数の第２区間の一端を互いに接続し、複数の第１区間の他端及びこれらに対応する複数の第２区間の他端を互いに接続する第５の工程とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、内径領域の大部分が空洞であるコイルパターンを備えるコイル部品を容易に作製することが可能となる。

本発明によるコイル部品の製造方法は、第１の工程を行った後、第２の工程を行う前に、キャビティの内壁を覆う第２の絶縁層を形成する工程をさらに備えていても構わない。これによれば、支持体の材料として導電性を有する材料を用いることが可能となる。

本発明によるコイル部品の製造方法は、第１の絶縁層上に、複数の第２区間を埋め込むよう樹脂系絶縁材料からなる第３の絶縁層を形成する第６の工程と、第３の絶縁層上に、コイルパターンの一端及び他端にそれぞれ接続された第１及び第２の端子電極を形成する第７の工程とをさらに備え、第１の絶縁層は樹脂系絶縁材料からなり、第３の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料は、第１の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料よりも比誘電率が低くても構わない。これによれば、第１及び第２の端子電極とコイルパターンの間に生じる浮遊容量を低減することが可能となる。

本発明によれば、素体にヘリカル状のコイルパターンが埋め込まれた構造を有するコイル部品において、自己共振周波数を高めることが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態によるコイル部品１の構成を説明するための略透視斜視図であり、（ａ）は上面側から見た図、（ｂ）は実装面側から見た図である。図２（ａ）は図１（ｂ）に示すＡ－Ａ線に沿った略断面図であり、図２（ｂ）は図１（ｂ）に示すＢ－Ｂ線に沿った略断面図である。図３は、素体１０に埋め込まれたコイルパターンＣの構造を説明するための略斜視図である。図４は、コイルパターンＣをｚ方向から見た状態を示す略透視平面図である。図５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図６は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図７は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図８は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図９は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図１０は、本発明の第２の実施形態によるコイル部品２の構成を説明するための略断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態によるコイル部品１の構成を説明するための略透視斜視図であり、（ａ）は上面側から見た図、（ｂ）は実装面側から見た図である。また、図２（ａ）は図１（ｂ）に示すＡ－Ａ線に沿った略断面図であり、図２（ｂ）は図１（ｂ）に示すＢ－Ｂ線に沿った略断面図である。

第１の実施形態によるコイル部品１は、表面実装が可能なチップ型電子部品であり、図１及び図２に示すように、素体１０と、素体１０に埋め込まれたコイルパターンＣと、素体１０の表面に設けられた端子電極Ｅ１，Ｅ２を備えている。

素体１０は、支持体１１と絶縁層１２～１４からなる。支持体１１は、シリコンなど十分な機械的強度を有する材料からなり、そのｘｙ平面にはｚ方向を深さ方向とするキャビティが設けられている。支持体１１の表面は、キャビティの内壁１１ａと、キャビティを囲む外周面１１ｂを有している。キャビティの内壁１１ａは、ｘｙ平面を構成する底面と、底面と外周面１１ｂとの間に位置するテーパー面を有している。テーパー面は、ｘ方向位置又はｙ方向位置が変化するにつれて深さがリニアに変化する領域であり、このようなテーパー面を設けることにより、後述するコイルパターンＣの第１区間が形成しやすくなる。一方、外周面１１ｂはリング状であり、ｘｙ平面を構成する。

絶縁層１２は、キャビティの内壁１１ａ及び外周面１１ｂを覆う薄膜であり、例えば酸化シリコンからなる。本発明において絶縁層１２を設けることは必須ではないが、支持体１１の材料としてシリコンなどの導電性材料を用いる場合、支持体１１とコイルパターンＣを絶縁するために絶縁層１２が必要となる。

絶縁層１３は、キャビティを覆うよう支持体１１の外周面１１ｂに貼り付けられた樹脂系絶縁材料からなる。絶縁層１３はキャビティの内壁１１ａとは接しておらず、これにより支持体１１と絶縁層１３によって、素体１０の内部に空洞Ｓが形成される。空洞Ｓは空気で満たされており、このため空洞Ｓの比誘電率εは約１である。空洞Ｓは、窒素ガスなどの不活性ガスで満たされていても構わない。これによれば、空洞Ｓに露出するコイルパターンＣの酸化を抑えることができる。また、絶縁層１４は、絶縁層１３の表面に積層される。ここで、絶縁層１３は、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料にシリカなどのフィラーが添加された樹脂系絶縁材料からなる。これに対し、絶縁層１４は、ビスマレイミドや液晶ポリマーなど、フィラーを含まない樹脂材料からなる。

このように、絶縁層１３は、強度が高く柔軟性を有する樹脂系絶縁材料によって構成されることから、支持体１１の外周面１１ｂに絶縁層１３を貼り付けることによって空洞Ｓを形成しても、外力による絶縁層１３の破損が生じにくい。一方、絶縁層１４を構成する樹脂系絶縁材料は、比誘電率の低い樹脂材料からなるとともに、シリカなどのフィラーが添加されていないことから、絶縁層１３を構成する樹脂系絶縁材料よりも比誘電率が低い。一例として、絶縁層１３を構成する樹脂系絶縁材料の１ＧＨｚにおける比誘電率εは約３．３であり、絶縁層１４を構成する樹脂系絶縁材料の１ＧＨｚにおける比誘電率εは約２．４である。

図３は、素体１０に埋め込まれたコイルパターンＣの構造を説明するための略斜視図である。また、図４は、コイルパターンＣをｚ方向から見た状態を示す略透視平面図である。

図２～図４に示すように、コイルパターンＣは、絶縁層１２を介して支持体１１上に配置された第１区間３１～３４と、絶縁層１３上に配置された第２区間４１～４５によって構成されている。そして、第１区間３１～３４の一端３１ａ～３４ａは、第２区間４１～４４の一端４１ａ～４４ａにそれぞれ接続され、第１区間３１～３４の他端３１ｂ～３４ｂは、第２区間４２～４５の他端４２ｂ～４５ｂにそれぞれ接続されている。図２に示すように、第１区間３１～３４のうちキャビティの内壁１１ａに形成された部分は空洞Ｓに露出し、第２区間４１～４５は絶縁層１４に埋め込まれている。ここで、空洞Ｓの比誘電率εは約１であることから、ｘ方向に隣接する第１区間３１～３４間における浮遊容量が大幅に低減される。さらに、第２区間４１～４５についても比誘電率の低い絶縁層１４に埋め込まれていることから、ｘ方向に隣接する第２区間４１～４５間における浮遊容量についても低減される。

かかる構成により、複数ターンに亘ってヘリカル状に巻回されたコイルパターンＣが構成される。コイルパターンＣのコイル軸はｘ方向である。第２区間４１の他端４１ｂはコイルパターンＣの一端を構成し、絶縁層１４を貫通して設けられたビア導体７１を介して端子電極Ｅ１に接続される。一方、第２区間４５の一端４５ａはコイルパターンＣの他端を構成し、絶縁層１４を貫通して設けられたビア導体７２を介して端子電極Ｅ２に接続される。端子電極Ｅ１，Ｅ２は、素体１０のｘｙ表面にのみ形成された底面端子である。つまり、端子電極Ｅ１，Ｅ２は素体１０のｙｚ表面を覆っておらず、これにより、ハンダを用いて回路基板に実装した場合、素体１０のｙｚ表面がハンダのフィレットで覆われることがない。これにより、実装密度を高めることができるとともに、コイルパターンＣによって生じる磁束が端子電極Ｅ１，Ｅ２やハンダと干渉しにくいことから、渦電流の発生を抑制することが可能となる。

図４に示すように、端子電極Ｅ１は少なくとも第２区間４１と重なりを有しており、端子電極Ｅ２は少なくとも第２区間４５と重なりを有している。このため、端子電極Ｅ１と第２水平区間４１との間、並びに、端子電極Ｅ２と第２水平区間４５との間には浮遊容量が発生する。しかしながら、本実施形態においては、両者間に位置する絶縁層１４が比誘電率の低い樹脂系絶縁材料からなることから、端子電極Ｅ１，Ｅ２と第２区間４１，４５との間に生じる浮遊容量を低減することが可能となる。しかも、第２区間４１～４５は絶縁層１４に埋め込まれていることから、ｘ方向に隣接する第２区間４１～４５間における浮遊容量、つまり、コイルパターンＣの隣接するターン間において生じる浮遊容量を低減することが可能となる。これにより、浮遊容量に起因する自己共振周波数の低下を防止することが可能となる。

また、本実施形態においては、端子電極Ｅ１が第２区間４２の一部とも重なりを有し、端子電極Ｅ２が第２区間４４の一部とも重なりを有している。このため、端子電極Ｅ１と第２区間４２との間、並びに、端子電極Ｅ２と第２区間４４との間にも浮遊容量が発生する。ここで、第２区間４２は、第２区間４１よりも端子電極Ｅ１からの配線距離が離れていることから、電圧降下の影響により、端子電極Ｅ１と第２区間４２の単位面積当たりの浮遊容量は、端子電極Ｅ１と第２区間４１の単位面積当たりの浮遊容量よりも大きくなる。同様に、第２区間４４は、第２区間４５よりも端子電極Ｅ２からの配線距離が離れていることから、電圧降下の影響により、端子電極Ｅ２と第２区間４４の単位面積当たりの浮遊容量は、端子電極Ｅ２と第２区間４５の単位面積当たりの浮遊容量よりも大きくなる。このように、端子電極Ｅ１，Ｅ２のそれぞれが複数本の第２区間４１～４５と重なりを有している場合、絶縁層１４の材料として比誘電率の低い樹脂系絶縁材料を用いる効果はより大きくなる。

このように、本実施形態によるコイル部品１は、第１区間３１～３４のうちキャビティの内壁１１ａに形成された部分が空洞Ｓに露出していることから、ｘ方向に隣接する第１区間３１～３４間における浮遊容量を大幅に低減することが可能となる。また、第２区間４１～４５についても比誘電率の低い絶縁層１４に埋め込まれていることから、ｘ方向に隣接する第２区間４１～４５間における浮遊容量についても低減することが可能となる。これにより、コイルパターンＣの隣接するターン間において生じる浮遊容量を大幅に低減することができ、自己共振周波数を高めることが可能となる。

しかも、本実施形態においては、支持体１１がシリコンなどの強度の高い材料からなることから、素体１０の機械的強度を確保しつつ、浮遊容量に起因する自己共振周波数の低下を防止することが可能となる。

また、本実施形態においては、端子電極Ｅ１，Ｅ２がコイルパターンＣの軸方向（ｘ方向）に配列されていることから、端子電極Ｅ１が配線距離の離れた第２区間（例えば第２区間４４や４５）と重なることがなく、同様に、端子電極Ｅ２が配線距離の離れた第２区間（例えば第２区間４１や４２）と重なることがない。これにより、端子電極Ｅ１，Ｅ２及びこれらと重なる第２区間４１，４２，４４，４５の電位差が抑えられることから、端子電極Ｅ１，Ｅ２をｙ方向に配列した場合と比べて、浮遊容量をより低減することが可能となる。

次に、本実施形態によるコイル部品１の製造方法について説明する。

図５～図９は、本実施形態によるコイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図５～図９において、（ａ）は略斜視図、（ｂ）は略平面図、（ｃ）はｙｚ略断面図である。

まず、図５に示すように、シリコンなどからなる支持体１１を用意し、ＲＩＥ法などを用いてｚ方向を深さ方向とするキャビティを形成する。これにより、キャビティに対応する部分には内壁１１ａが形成され、キャビティの周囲にはリング状の外周面１１ｂが形成される。支持体１１の材料としてシリコンを用いれば、キャビティを高精度に形成することが可能である。また、内壁１１ａのテーパー面の角度については、ＲＩＥ条件によって調整可能である。

次に、内壁１１ａ及び外周面１１ｂに酸化シリコンなどからなる絶縁層１２を形成した後、絶縁層１２の表面にコイルパターンＣの第１区間３１～３４を形成する。第１区間３１～３４の大部分はキャビティの内壁１１ａを覆う位置に形成されるが、その両端は外周面１１ｂを覆う位置に形成される。第１区間３１～３４の形成方法としては、絶縁層１２の全面に薄い給電膜を形成した後、スプレー法などを用いて感光性レジストを塗布し、露光現像することによって感光性レジストに開口部を形成し、電解メッキによって開口部に第１区間３１～３４を成長させることによって行うことができる。これにより、キャビティをｙ方向に横断する連続的な第１区間３１～３４が形成される。ここで、キャビティはテーパー面を有していることから、第１区間３１～３４に断線や膜厚ばらつきなどが生じにくい。

次に、図７に示すように、絶縁層１２を介して支持体１１の外周面１１ｂ上にフィルム状の絶縁層１３を貼り付ける。これによりキャビティが閉塞され、空洞Ｓが形成される。かかる工程は、窒素ガスなどの不活性ガス中で行っても構わない。これによれば、空洞Ｓを窒素ガスなどの不活性ガスで満たすことが可能となる。また、第１区間３１～３４のうち、外周面１１ｂ上に形成された端部３１ａ～３４ａ，３１ｂ～３４ｂは、絶縁層１３に埋め込まれる。次に、絶縁層１３に対して露光現像を行うことにより、絶縁層１３に開口部５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂを形成する。このうち、開口部５１ａ～５４ａはそれぞれ第１区間３１～３４の一端３１ａ～３４ａを露出させる位置に設けられ、開口部５１ｂ～５４ｂはそれぞれ第１区間３１～３４の他端３１ｂ～３４ｂを露出させる位置に設けられる。ここで、絶縁層１３は、比較的強度の高い樹脂材料にフィラーが添加された樹脂系絶縁材料からなることから、高い加工性を確保することが可能である。

次に、図８に示すように、絶縁層１３の表面に第２区間４１～４５を形成する。第２区間４１～４５の形成方法としては、全面に薄い給電膜を形成した後、感光性フィルムを貼り付け、露光現像することによって感光性フィルムに開口部を形成し、電解メッキによって開口部に第２区間４１～４５を成長させることによって行うことができる。この時、第２区間４１～４４の一端４１ａ～４４ａは、開口部５１ａ～５４ａと重なる位置に設けられ、第２区間４２～４５の他端４２ｂ～４５ｂは、開口部５１ｂ～５４ｂと重なる位置に設けられる。これにより、第１区間３１～３４の一端３１ａ～３４ａは、それぞれ第２区間４１～４４の一端４１ａ～４４ａに接続され、第１区間３１～３４の他端３１ｂ～３４ｂは、それぞれ第２区間４２～４５の他端４２ｂ～４５ｂに接続される。

次に、図９に示すように、第２区間４１～４５が埋め込まれるよう、全面に絶縁層１４を形成する。これにより、ｘ方向に隣接する第２区間４１～４５は、比誘電率の低い樹脂系絶縁材料によって絶縁されることになる。次に、絶縁層１４に開口部７１ａ，７２ａを形成することによって、第２区間４１の他端４１ｂと第２区間４５の一端４５ａを露出させる。そして、開口部７１ａ，７２ａと重なる位置にそれぞれ端子電極Ｅ１，Ｅ２を形成すれば、本実施形態によるコイル部品１が完成する。

このように、本実施形態によるコイル部品１の製造方法においては、支持体１１にキャビティを形成し、キャビティの内壁１１ａに第１区間３１～３４を形成した後、キャビティを閉塞するように絶縁層１３を貼り付けていることから、素体１０の内部に空洞Ｓを形成することが可能となる。これにより、浮遊容量の少ないコイルパターンＣを素体１０に埋め込むことが可能となる。

＜第２の実施形態＞
図１０は、本発明の第２の実施形態によるコイル部品２の構成を説明するための略断面図である。

図１０に示すように、第２の実施形態によるコイル部品２は、絶縁層１４が絶縁層１３と同じ樹脂系絶縁材料によって構成されている点において、第１の実施形態によるコイル部品１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態によるコイル部品１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態によるコイル部品２が例示するように、本発明において、第２区間４１～４４が比誘電率の低い樹脂系絶縁材料によって覆われている点は必須ではない。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

１，２コイル部品
１０素体
１１支持体
１１ａキャビティの内壁
１１ｂ外周面
１２～１４絶縁層
３１～３４第１区間
３１ａ～３４ａ第１区間の一端
３１ｂ～３４ｂ第１区間の他端
４１～４５第２区間
４１ａ～４４ａ第２区間の一端
４２ｂ～４５ｂ第２区間の他端
５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂ開口部
７１，７２ビア導体
７１ａ，７２ａ開口部
Ｃコイルパターン
Ｅ１，Ｅ２端子電極
Ｓ空洞

Claims

素体と、
前記素体に埋め込まれ、複数ターンに亘ってヘリカル状に巻回されたコイルパターンと、
前記素体の表面に設けられ、前記コイルパターンの一端及び他端にそれぞれ接続された第１及び第２の端子電極と、を備え、
前記素体は、キャビティが形成された支持体と、前記キャビティを覆うよう前記支持体に積層された第１の絶縁層とを含み、これにより前記素体の内部に空洞が形成され、
前記コイルパターンは、前記キャビティの内壁に沿って設けられた複数の第１区間と、前記第１の絶縁層上に設けられた複数の第２区間とを含み、
前記複数の第１区間の一端及びこれらに対応する前記複数の第２区間の一端が互いに接続され、
前記複数の第１区間の他端及びこれらに対応する前記複数の第２区間の他端が互いに接続されていることを特徴とするコイル部品。
前記素体は、前記キャビティの内壁を覆う第２の絶縁層をさらに含み、
前記コイルパターンの前記第１の区間は、前記第２の絶縁層を介して前記キャビティの内壁に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
前記支持体は、シリコンからなることを特徴とする請求項２に記載のコイル部品。
前記第１の絶縁層は、樹脂系絶縁材料からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコイル部品。
前記第１の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料にはフィラーが添加されていることを特徴とする請求項４に記載のコイル部品。
前記素体は、前記複数の第２の区間を埋め込むよう前記第１の絶縁層を覆う、樹脂系絶縁材料からなる第３の絶縁層をさらに含み、
前記第１及び第２の端子電極は、前記第３の絶縁層上に設けられており、
前記第３の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料は、前記第１の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料よりも比誘電率が低いことを特徴とする請求項４又は５に記載のコイル部品。
前記第１及び第２の端子電極は、前記コイルパターンの軸方向に配列されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のコイル部品。
前記第１及び第２の端子電極は、前記軸方向に対して垂直な前記素体の表面に形成されることなく、前記軸方向に沿った前記素体の表面に形成されていることを特徴とする請求項７に記載のコイル部品。
支持体にキャビティを形成する第１の工程と、
前記キャビティの内壁に沿ってコイルパターンの複数の第１区間を形成する第２の工程と、
前記キャビティを第１の絶縁層で覆うことによって空洞を形成する第３の工程と、
前記第１の絶縁層に開口部を形成することにより、前記複数の第１区間の一端及び他端を露出させる第４の工程と、
前記第１の絶縁層上に前記コイルパターンの複数の第２区間を形成することにより、前記複数の第１区間の一端及びこれらに対応する前記複数の第２区間の一端を互いに接続し、前記複数の第１区間の他端及びこれらに対応する前記複数の第２区間の他端を互いに接続する第５の工程と、を備えることを特徴とするコイル部品の製造方法。
前記第１の工程を行った後、前記第２の工程を行う前に、前記キャビティの内壁を覆う第２の絶縁層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のコイル部品の製造方法。
前記第１の絶縁層上に、前記複数の第２区間を埋め込むよう樹脂系絶縁材料からなる第３の絶縁層を形成する第６の工程と、
前記第３の絶縁層上に、前記コイルパターンの一端及び他端にそれぞれ接続された第１及び第２の端子電極を形成する第７の工程と、をさらに備え、
前記第１の絶縁層は、樹脂系絶縁材料からなり、
前記第３の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料は、前記第１の絶縁層を構成する樹脂系絶縁材料よりも比誘電率が低いことを特徴とする請求項９又は１０に記載のコイル部品の製造方法。