JP7480506B2 - Mi素子の製造方法、及び、mi素子 - Google Patents
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Description
まず、図1から図3を用いて、本発明の第一実施形態に係る磁気インピーダンス素子(以下、単に「MI素子」と記載する)1の構成について説明する。MI素子1は、感磁体(本実施形態においてはアモルファスワイヤ2)に通電する電流の変化に応じてコイル6に誘起電圧が生じる、いわゆるMI現象を利用して磁気センシングを行うものである。
次に、図6及び図7を用いて、本発明の第二実施形態に係るMI素子101の構成について説明する。本実施形態においては、前記第一実施形態に係るMI素子1と共通する構成については詳細な説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
2 アモルファスワイヤ 3 絶縁体層
4 無電解めっき層 5 電解めっき層
6 コイル 7 樹脂
8 電極
101 磁気インピーダンス素子(MI素子)
106 コイル 106C コイル部
106T コイル電極
R レジスト層 GP 溝部
GP1 溝部 GP2 環状溝部
GR 溝条部 GR1 溝条部
GR2 環状溝
Claims (11)
- アモルファスワイヤの外周に絶縁体層を形成する、絶縁工程と、
前記絶縁体層の外周面に無電解めっき層を形成する、無電解めっき工程と、
前記無電解めっき層の外周面に電解めっき層を形成する、電解めっき工程と、
前記電解めっき層の外周面にレジスト層を形成する、レジスト工程と、
前記レジスト層をレーザーで露光することにより、前記レジスト層の外周面に螺旋状の溝条部を形成する、露光工程と、
前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行い、前記溝条部における前記無電解めっき層及び前記電解めっき層を除去することにより、残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層でコイルを形成する、エッチング工程と、を備える、MI素子の製造方法。 - 前記エッチング工程で形成した前記コイルを樹脂層で被覆し、前記コイルの間に樹脂を充填する、被覆工程を備える、請求項1に記載のMI素子の製造方法。
- 前記絶縁工程において、前記絶縁体層の厚さを周方向で均一に形成する、請求項1又は請求項2に記載のMI素子の製造方法。
- 前記絶縁工程において、前記アモルファスワイヤの両端部は絶縁体層から露出され、
前記無電解めっき工程において、前記無電解めっき層は前記アモルファスワイヤの両端部と接触するように形成され、
前記露光工程において、前記溝条部と、前記溝条部の両端部よりも外端側に離間して前記レジスト層を一周する一対の環状溝と、が形成され、
前記エッチング工程において、前記一対の環状溝より外端側で残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層が前記アモルファスワイヤの電極として形成され、前記一対の環状溝の間で残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層が前記コイルとして形成され、前記コイルの両端部が前記絶縁体層を一周する環状のコイル電極として形成される、請求項1から請求項3の何れか1項に記載のMI素子の製造方法。 - アモルファスワイヤと、
前記アモルファスワイヤの外周に形成される絶縁体層と、
前記絶縁体層の外周面に螺旋状に形成されるコイルと、を備えるMI素子であって、
前記コイルは、無電解めっき層と、前記無電解めっき層の外周面に形成される電解めっき層と、の二層で形成され、
前記無電解めっき層は、前記電解めっき層の最も内周側の部分よりも幅が細くなるように形成され、
前記電解めっき層は、前記最も内周側の部分から外周側にかけて幅が徐々に細くなるように形成され、
前記コイルが樹脂層で被覆され、前記コイルの間において前記無電解めっき層及び前記電解めっき層の周囲に樹脂が充填される、MI素子。 - 前記絶縁体層の厚さが周方向で均一に形成される、請求項5に記載のMI素子。
- 前記アモルファスワイヤの両端部は、前記絶縁体層の端部を被覆する無電解めっき層と、前記無電解めっき層の外周面に形成される電解めっき層と、の二層で形成された電極と接続される、請求項5又は請求項6に記載のMI素子。
- アモルファスワイヤと、
前記アモルファスワイヤの外周に形成される絶縁体層と、
前記絶縁体層の外周面に螺旋状に形成されるコイルと、を備えるMI素子であって、
前記コイルは、第1層と、前記第1層の外周面に形成される第2層と、の二層で形成され、
前記第1層は、前記第2層の最も内周側の部分よりも幅が細くなるように形成され、
前記第2層は、前記最も内周側の部分から外周側にかけて幅が徐々に細くなるように形成され、
前記コイルが樹脂層で被覆され、前記コイルの間において前記第1層及び前記第2層の周囲に樹脂が充填される、MI素子。 - 前記絶縁体層の厚さが周方向で均一に形成される、請求項8に記載のMI素子。
- 前記アモルファスワイヤの両端部は、前記絶縁体層の端部を被覆する第1層と、前記第1層の外周面に形成される第2層と、の二層で形成された電極と接続される、請求項8又は請求項9に記載のMI素子。
- 前記コイルの両端部が前記絶縁体層を一周する環状のコイル電極として形成される、請求項5から請求項10の何れか1項に記載のMI素子。
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