CN111448678A - Mi元件的制造方法及mi元件 - Google Patents

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Abstract

MI元件1的制造方法包括：绝缘步骤，在非晶线2的外周形成绝缘体层3；无电解镀敷步骤，在绝缘体层3的外周面形成无电解镀敷层4；电解镀敷步骤，在无电解镀敷层4的外周面形成电解镀敷层5；抗蚀剂步骤，在电解镀敷层5的外周面形成抗蚀剂层R；曝光步骤，以激光对抗蚀剂层R进行曝光，而在抗蚀剂层R的外周面形成螺旋状的沟道部GR；以及蚀刻步骤，将抗蚀剂层R作为遮盖材而进行蚀刻，去除沟道部GR中的无电解镀敷层4及电解镀敷层5，从而由残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成线圈6。

Description

MI元件的制造方法及MI元件
技术领域
本发明涉及一种MI元件的制造方法及MI元件，详细而言涉及一种使制造MI元件时的设备构成简化的技术。
背景技术
以往，已知有一种磁阻抗(Magneto Impedance，MI)元件，其包括：包含非晶线(Amorphous wire)的感磁体；以及经由绝缘体而卷绕于感磁体的周围的电磁线圈(例如，参照专利文献1)。在所述专利文献中记载如下技术：在绝缘体的外周面对包含铜的金属材料进行真空蒸镀而形成金属膜，之后通过选择蚀刻来形成电磁线圈。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3781056号公报
发明内容
如所述现有技术那样，在形成金属膜时使用真空蒸镀的情况下，难以增加金属膜的膜厚。在MI元件中金属膜的膜厚小的情况下，无法充分确保流经电磁线圈的电流的电流路剖面积，有可能MI元件的性能变得不充分。
本发明是鉴于如以上那样的情况而成，本发明所要解决的课题在于提供一种MI元件的制造方法及MI元件：通过将金属膜的膜厚形成得大而确保流经电磁线圈的电流的电流路剖面积，从而可确保性能。
本发明为了解决所述课题，提供以下构成的MI元件的制造方法及MI元件。
本发明的一例的MI元件的制造方法包括：绝缘步骤，在非晶线的外周形成绝缘体层；无电解镀敷步骤，在所述绝缘体层的外周面形成无电解镀敷层；电解镀敷步骤，在所述无电解镀敷层的外周面形成电解镀敷层；抗蚀剂步骤，在所述电解镀敷层的外周面形成抗蚀剂层；曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面形成螺旋状的沟道部；以及蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖(masking)材而进行蚀刻，去除所述沟道部中的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层，由此由残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成线圈。
另外，本发明的一例的MI元件为包括非晶线、形成于所述非晶线的外周的绝缘体层、以及以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面的线圈的MI元件，所述线圈是由无电解镀敷层、与形成于所述无电解镀敷层的外周面的电解镀敷层这两层来形成。
附图说明
图1是表示第一实施方式的MI元件的平面图。
图2是图1中的II-II线剖面图。
图3是图1中的III-III线剖面图。
图4是表示第一实施方式的MI元件的各制造步骤的图。
图5是表示第一实施方式的MI元件的表面部分的放大剖面图。
图6是表示第二实施方式的MI元件的平面图。
图7是图6中的VII-VII线剖面图。
图8是表示第二实施方式的MI元件的各制造步骤的图。
具体实施方式
＜MI元件1(第一实施方式)＞
首先，使用图1至图3来对本发明的第一实施方式的磁阻抗元件(以下，简单记载为“MI元件”)1的构成进行说明。MI元件1是利用根据对感磁体(本实施方式中为非晶线2)进行通电的电流的变化而在线圈6中产生感应电压的所谓MI现象而进行磁感应。
所述MI现象是关于如下的感磁体而产生，所述感磁体包含相对于所供给的电流方向而在周围方向上具有电子自旋排列的磁性材料。若使所述感磁体的通电电流发生急剧变化，则周围方向上的磁场发生急剧变化，由于所述磁场变化的作用，并根据周边磁场而发生电子的自旋方向上的变化。而且，此时的感磁体的内部磁化及阻抗等的变化发生的现象是MI现象。
如图2及图3所示那样，本实施方式的MI元件1中使用直径数十μm以下的CoFeSiB等外周形状为圆形形状的线条体即非晶线2作为感磁体。在非晶线2的外周以横剖面中的外周形状成为圆形形状的方式形成有作为丙烯酸系树脂的绝缘体层3。详细而言，绝缘体层3的外周形状以与非晶线2的外周形状成为同心圆状的圆形形状的方式形成，即以绝缘体层3的厚度在圆周方向上均匀的方式形成。具体而言，将非晶线2浸渍于在溶液中以离子状态分散有丙烯酸系树脂材的电沉积涂料中，并在非晶线2与槽中的电沉积涂料之间施加电压，由此离子状态的丙烯酸系树脂电沉积于非晶线。根据所述方法，可通过所施加的电压来控制绝缘层的厚度。对于以所述方式形成于非晶线2的表面的电沉积涂料，例如在100度以上的高温下进行烧结，由此形成绝缘体层3。
在绝缘体层3的外周面以螺旋状形成有线圈6。线圈6是由无电解镀敷层4、与形成于无电解镀敷层4的外周面的电解镀敷层5这两层形成。如图2所示那样，线圈6除作为线圈端子的两端部以外而由树脂7的层包覆，并在线圈6之间填充有树脂7。由此，树脂7进入线圈6之间而使线圈6难以自绝缘体层3脱离。
其次，使用图4来对MI元件1的制造方法进行说明。在图4中，(a)表示绝缘步骤前的非晶线2，(b)表示绝缘步骤后的状态，(c)表示无电解镀敷步骤后的状态，(d)表示电解镀敷步骤后的状态，(e)表示抗蚀剂步骤后的状态，(f)表示曝光步骤后的状态，(g)表示蚀刻步骤后的状态，(h)表示抗蚀剂去除步骤后的状态，(i)表示包覆步骤后的状态。
在制造本实施方式的MI元件1时，如图4中的(a)所示那样，准备外周形状为圆形形状的线条体即非晶线2。而且，如图4中的(b)所示那样，在非晶线2的外周涂布绝缘体而形成绝缘体层3(绝缘步骤)。此时，如图3所示那样，对于绝缘体层3的横剖面中的外周形状而言，以与非晶线2的外周形状成为同心圆状的圆形形状的方式形成，即以绝缘体层3的厚度在圆周方向上均匀的方式形成。
其次，如图4中的(c)所示那样，通过实施无电解镀Cu而在绝缘体层3的外周面形成无电解镀敷层4(无电解镀敷步骤)。再者，在本步骤中，也可采用无电解镀Au。其次，如图4中的(d)所示那样，通过实施电解镀Cu而在无电解镀敷层4的外周面形成电解镀敷层5(电解镀敷步骤)。再者，在本步骤中，也可采用电解镀Au。如此，在本实施方式中，使用无电解镀敷及电解镀敷而在绝缘体层3形成金属膜。
其次，将形成有电解镀敷层5的非晶线2浸渍于放入有光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂槽中后，以规定速度(例如，1mm/sec的速度)进行提拉，由此如图4中的(e)所示那样在电解镀敷层5的外周面形成抗蚀剂层R(抗蚀剂步骤)。
其次，如图4中的(f)所示那样，以激光对抗蚀剂层R进行曝光，并利用显影液将经激光曝光的部分加以溶解，由此在抗蚀剂层R的外周面形成螺旋状的沟道部GR，使沟道部GR的电解镀敷层5露出(曝光步骤)。
所述曝光步骤中的利用激光的曝光是将形成有抗蚀剂层R的非晶线2的中心轴设为轴而使其旋转，并在轴向发生位移来进行。在本实施方式中，采用将经激光曝光的部分溶解于显影液中而在抗蚀剂层R形成螺旋状的沟道部GR的正型光致抗蚀剂。再者，在本步骤中，也可使用将未曝光于激光的部分溶解于显影液中而在抗蚀剂层形成螺旋状的沟道部的负型光致抗蚀剂。
其次，将在抗蚀剂层R形成有沟道部GR的非晶线2浸渍于酸性的电解研磨液中并进行电解研磨，由此进行将残留于电解镀敷层5的外周的抗蚀剂层作为遮盖材的蚀刻。由此，如图4中的(g)所示那样，去除在抗蚀剂层R形成有沟道部GR的部分的无电解镀敷层4及电解镀敷层5(蚀刻步骤)。
如图4中的(g)所示那样，在无电解镀敷层4及电解镀敷层5中形成有沟道部GR的部分中形成螺旋状的槽部GP。即，在本步骤中，残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成为线圈6。
其次，如图4中的(h)所示那样，使用剥离液等而去除抗蚀剂层R(抗蚀剂去除步骤)。而且，将非晶线2、绝缘体层3、及线圈6切断为规定的长度后，如图4中的(i)所示那样，对于线圈6而言，除两端部以外而由树脂7的层包覆，并在线圈6之间填充树脂7(包覆步骤)。
如所述那样，在本实施方式的MI元件1的制造方法中，于在绝缘体层3的外周面形成金属膜时，未使用真空蒸镀而使用无电解镀敷及电解镀敷。根据镀敷，容易将金属膜的膜厚形成得大，因此可充分地确保流经电磁线圈的电流的电流路剖面积。即，根据本实施方式的MI元件的制造方法，通过确保电磁线圈的电流路剖面积，可确保MI元件的性能。
另外，在形成金属膜时使用真空蒸镀的情况下，需要将收纳目标物(在感磁体的周围设置绝缘体的对象物)的腔室设为真空状态，因此设备构成成为大规模，制造成本增加。但是，如本实施方式那样，在金属膜的形成时使用无电解镀敷及电解镀敷的情况下，不需要真空腔室等，且可简化设备构成，因此可抑制MI元件1的制造成本。
另外，在本实施方式的MI元件1中，线圈6是由树脂7的层包覆，并在线圈6之间填充有树脂7。由此，树脂7进入线圈6之间而使线圈6难以自绝缘体层3脱离。具体而言，在蚀刻步骤中，自外侧向内侧依次进行蚀刻，因此蚀刻液相对于电解镀敷层5的外侧部分(线圈6的径向外侧的部分)的接触时间变长。因此，如图5所示那样，电解镀敷层5的外侧部分较外侧部分而言更多地受到蚀刻而变细。另一方面，无电解镀敷层4较电解镀敷层5而言密度更稀疏，因此如图5所示那样大量受到蚀刻而向内侧凹陷。其结果，在包覆步骤中，线圈6由树脂7包覆时，树脂7以朝无电解镀敷层4侧绕入的方式进行填充，所述部分成为钩挂的形状。由此，可获得更牢固的锚定效果。
另外，本实施方式的MI元件1的制造方法中，在绝缘步骤中，将绝缘体层3的横剖面中的外周形状形成为圆形形状，由此使绝缘体层3的厚度在圆周方向上均匀地形成。由此，可将非晶线2与形成于绝缘体层3的外周面的线圈6的距离设为固定，因此可提高MI元件1的感度。
更详细而言，在专利文献1中记载的技术中，相对于非晶线的横剖面为圆形形状者而绝缘体层的横剖面成为四边形状。因此，视圆周方向的位置而线与线圈的距离变大，其结果，传感器的感度变低。
另一方面，在本实施方式的MI元件1中，在横剖面为圆形形状的非晶线2的表面形成有圆形形状的绝缘体层3，由此绝缘体层3的厚度在圆周方向上均匀地形成。因此，可将非晶线2与线圈6的距离设为固定而不取决于圆周方向的位置，其结果，可提高MI传感器1的感度。
再者，将非晶线2与线圈6的距离设为固定而不取决于圆周方向的位置，因此无需将非晶线2与绝缘体层3的外周形状限定为圆形形状。例如，也可在剖面为矩形形状的非晶线的表面，以厚度在圆周方向上均匀的方式同样地形成矩形形状(详细而言，角部被倒角为圆形形状的矩形形状)的绝缘体层。所述情况下，也可将非晶线与线圈的距离设为固定而不取决于圆周方向的位置，其结果，可提高MI传感器1的感度。
＜MI元件101(第二实施方式)＞
其次，使用图6及图7来对本发明的第二实施方式的MI元件101的构成进行说明。在本实施方式中，对与所述第一实施方式的MI元件1共通的构成省略详细的说明，并以不同的构成为中心进行说明。
如图7所示那样，对于本实施方式的MI元件101，也与第一实施方式的MI元件1同样地，在非晶线2的外周形成绝缘体层3。而且，在绝缘体层3的外周面以螺旋状形成有线圈106。线圈106是由无电解镀敷层4、与形成于无电解镀敷层4的外周面的电解镀敷层5这两层形成。本实施方式的MI元件101中，线圈106的两端部形成为在圆周方向绕绝缘体层3一周的环状的线圈电极106T/线圈电极106T，线圈电极106T/线圈电极106T之间的螺旋部分形成为线圈部106C。如图7所示那样，线圈106的线圈部106C由树脂7的层包覆，并在线圈部106C之间填充有树脂7。
另外，非晶线2的两端部与由包覆绝缘体层3的端部的无电解镀敷层4与形成于无电解镀敷层4的外周面的电解镀敷层5这两层所形成的电极8/电极8进行连接。
其次，使用图8来对MI元件101的制造方法进行说明。在图8中，(a)表示绝缘步骤前的非晶线2，(b)表示绝缘步骤后的状态，(c)表示无电解镀敷步骤后的状态，(d)表示电解镀敷步骤后的状态，(e)表示抗蚀剂步骤后的状态，(f)表示曝光步骤后的状态，(g)表示蚀刻步骤后的状态，(h)表示抗蚀剂去除步骤后的状态，(i)表示包覆步骤后的状态。
在制造本实施方式的MI元件1时，如图8中的(a)所示那样，准备切断为规定长度(数mm)的非晶线2。而且，如图8中的(b)所示那样，在非晶线2的外周以圆柱形状涂布硅橡胶等绝缘体而形成绝缘体层3(绝缘步骤)。此时，非晶线2的两端部在绝缘体层3的两端部露出。
其次，如图8中的(c)所示那样，通过实施无电解镀Cu(或无电解镀Au)而在绝缘体层3的外周面形成无电解镀敷层4(无电解镀敷步骤)。此时，无电解镀敷层4是以与非晶线2的两端部接触的方式形成。其次，如图8中的(d)所示那样，通过实施电解镀Cu(或电解镀Au)而在无电解镀敷层4的外周面形成电解镀敷层5(电解镀敷步骤)。
其次，将形成有电解镀敷层5的非晶线2浸渍于放入有光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂槽中后，以规定速度(例如，1mm/sec的速度)进行提拉，由此如图8中的(e)所示那样在电解镀敷层5的外周面形成抗蚀剂层R(抗蚀剂步骤)。
其次，如图8中的(f)所示那样，以激光对抗蚀剂层R进行曝光，并利用显影液将经激光曝光的部分加以溶解，由此在抗蚀剂层R的外周面形成螺旋状的沟道部GR1、与较沟道部GR1的两端部而在更外端侧隔开并绕抗蚀剂层R一周的环状槽GR2，使沟道部GR1及环状槽GR2的电解镀敷层5露出(曝光步骤)。所述曝光步骤中的利用激光的曝光是将形成有抗蚀剂层R的非晶线2的中心轴设为轴而使其旋转，并在轴向发生位移来进行多次。
其次，在蚀刻步骤中，将在抗蚀剂层R形成有沟道部GR1及环状槽GR2的非晶线2浸渍于酸性的电解研磨液中并进行电解研磨，由此进行将残留于电解镀敷层5的外周的抗蚀剂层作为遮盖材的蚀刻。由此，如图8中的(g)所示那样，去除在抗蚀剂层R形成有沟道部GR1及环状槽GR2的部分的无电解镀敷层4及电解镀敷层5(蚀刻步骤)。
如图8中的(g)所示那样，在无电解镀敷层4及电解镀敷层5中形成有沟道部GR1的部分中形成螺旋状的槽部GP1。另外，在形成有环状槽GR2的部分形成环状槽部GP2。通过所述环状槽部GP2，无电解镀敷层4及电解镀敷层5被分割为形成线圈106的中央部、与形成电极8/电极8的两端部。即，在本步骤中，在环状槽部GP2的更外端侧残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成为非晶线2的电极8/电极8，在环状槽部GP2之间残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成为线圈106。
在本实施方式中，沟道部GR1与环状槽GR2是隔开而形成，因此槽部GP1与环状槽部GP2是隔开而形成。由此，线圈106的两端部形成为绕绝缘体层3一周的环状的线圈电极106T/线圈电极106T，线圈电极106T/线圈电极106T之间的螺旋部分形成为线圈部106C。
其次，如图8中的(h)所示那样，使用剥离液等而去除抗蚀剂层R(抗蚀剂去除步骤)。而且，如图8中的(i)所示那样，由树脂7的层包覆线圈106，并在线圈106之间填充树脂7(包覆步骤)。
根据本实施方式的MI元件101的制造方法，设为如下构成：由在环状槽部GPL的更外端侧残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成非晶线2的电极8/电极8(非晶线2的两端部与由无电解镀敷层4及电解镀敷层5这两层所形成的电极8进行连接)。因此，无需另外形成电极，可将MI元件1的制造工艺简化。
根据本实施方式的MI元件101的制造方法，可将线圈电极106T/线圈电极106T形成为绕绝缘体层3一周的环状。因此，无论MI元件106的姿势如何均可使线圈电极106T/线圈电极106T与基板相向，因此可安装于基板。
如所述那样，本发明的一例的MI元件的制造方法包括：绝缘步骤，在非晶线的外周形成绝缘体层；无电解镀敷步骤，在所述绝缘体层的外周面形成无电解镀敷层；电解镀敷步骤，在所述无电解镀敷层的外周面形成电解镀敷层；抗蚀剂步骤，在所述电解镀敷层的外周面形成抗蚀剂层；曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面形成螺旋状的沟道部；以及蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖(masking)材而进行蚀刻，去除所述沟道部中的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层，由此由残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成线圈。
根据所述构成，通过将金属膜的膜厚形成得大而确保流经电磁线圈的电流的电流路剖面积，可确保MI元件的性能。
另外，所述MI元件的制造方法优选为包括包覆步骤，所述包覆步骤是由树脂层包覆所述蚀刻步骤中形成的所述线圈，并在所述线圈之间填充树脂。
根据所述构成，通过树脂进入至线圈之间而可使线圈难以脱离。
另外，所述MI元件的制造方法优选为在所述绝缘步骤中，使所述绝缘体层的厚度在圆周方向上均匀地形成。
根据所述构成，可提高MI元件的感度。
另外，所述MI元件的制造方法优选为：在所述绝缘步骤中，所述非晶线的两端部自绝缘体层露出，在所述无电解镀敷步骤中，所述无电解镀敷层是以与所述非晶线的两端部接触的方式形成，在所述曝光步骤中，形成有所述沟道部、以及较所述沟道部的两端部而在更外端侧隔开并绕所述抗蚀剂层一周的一对环状槽，在所述蚀刻步骤中，在所述一对环状槽的更外端侧残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成为所述非晶线的电极，在所述一对环状槽之间残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成为所述线圈，所述线圈的两端部形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。
根据所述构成，可将线圈电极形成为绕绝缘体层一周的环状，因此无论MI元件的姿势如何均可安装于基板。
另外，本发明的一例的MI元件为包括非晶线、形成于所述非晶线的外周的绝缘体层、以及以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面的线圈的MI元件，所述线圈是由无电解镀敷层、与形成于所述无电解镀敷层的外周面的电解镀敷层这两层来形成。
根据所述构成，通过将金属膜的膜厚形成得大而确保流经电磁线圈的电流的电流路剖面积，可确保MI元件的性能。
另外，所述MI元件优选为所述线圈由树脂层包覆并在所述线圈之间填充有树脂。
根据所述构成，通过树脂进入至线圈之间而可使线圈难以脱离。
另外，所述MI元件优选为所述绝缘体层的厚度在圆周方向上均匀地形成。
根据所述构成，可提高MI元件的感度。
另外，所述MI元件优选为所述非晶线的两端部与由包覆所述绝缘体层的端部的无电解镀敷层与形成于所述无电解镀敷层的外周面的电解镀敷层这两层所形成的电极进行连接。
根据所述构成，可由在环状槽的更外端侧残存的无电解镀敷层及电解镀敷层来形成非晶线的电极，因此可将MI元件的制造制程简化。
另外，所述MI元件优选为所述线圈的两端部形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。
根据所述构成，可将线圈电极形成为绕绝缘体层一周的环状，因此无论MI元件的姿势如何均可安装于基板。
根据本发明的MI元件的制造方法及MI元件，通过将金属膜的膜厚形成得大而确保流经电磁线圈的电流的电流路剖面积，可确保MI元件的性能。
本申请以在2017年12月8日提出申请的日本专利申请特愿2017-236346为基础，且所述日本专利申请特愿的内容包含于本申请中。再者，具体实施方式一项中所呈现的具体的实施方式或实施例只不过使本发明的技术内容变得明确，本发明不应仅由此种具体例限定而狭义地解释。
符号的说明
1：磁阻抗元件(MI元件)
2：非晶线
3：绝缘体层
4：无电解镀敷层
5：电解镀敷层
6：线圈
7：树脂
8：电极
101：磁阻抗元件(MI元件)
106：线圈
106C：线圈部
106T：线圈电极
R：抗蚀剂层
GP：槽部
GP1：槽部
GP2：环状槽部
GR：沟道部
GR1：沟道部
GR2：环状槽

Claims (9)

1.一种磁阻抗元件的制造方法，包括：
绝缘步骤，在非晶线的外周形成绝缘体层；
无电解镀敷步骤，在所述绝缘体层的外周面形成无电解镀敷层；
电解镀敷步骤，在所述无电解镀敷层的外周面形成电解镀敷层；
抗蚀剂步骤，在所述电解镀敷层的外周面形成抗蚀剂层；
曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面形成螺旋状的沟道部；以及
蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖材而进行蚀刻，去除所述沟道部中的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层，由此由残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成线圈。
2.根据权利要求1所述的磁阻抗元件的制造方法，包括包覆步骤，所述包覆步骤是由树脂层包覆所述蚀刻步骤中形成的所述线圈，并在所述线圈之间填充树脂。
3.根据权利要求1或2所述的磁阻抗元件的制造方法，其中在所述绝缘步骤中，使所述绝缘体层的厚度在圆周方向上均匀地形成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁阻抗元件的制造方法，其中
在所述绝缘步骤中，所述非晶线的两端部自绝缘体层露出，
在所述无电解镀敷步骤中，所述无电解镀敷层是以与所述非晶线的两端部接触的方式形成，
在所述曝光步骤中，形成有所述沟道部、以及较所述沟道部的两端部而在更外端侧隔开并绕所述抗蚀剂层一周的一对环状槽，
在所述蚀刻步骤中，在所述一对环状槽的更外端侧残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成为所述非晶线的电极，在所述一对环状槽之间残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成为所述线圈，所述线圈的两端部形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。
5.一种磁阻抗元件，包括：
非晶线；
绝缘体层，形成于所述非晶线的外周；以及
线圈，以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面，且所述磁阻抗元件中，
所述线圈是由无电解镀敷层、与形成于所述无电解镀敷层的外周面的电解镀敷层这两层来形成。
6.根据权利要求5所述的磁阻抗元件，其中所述线圈由树脂层包覆并在所述线圈之间填充有树脂。
7.根据权利要求5或6所述的磁阻抗元件，其中所述绝缘体层的厚度在圆周方向上均匀地形成。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的磁阻抗元件，其中所述非晶线的两端部与由包覆所述绝缘体层的端部的无电解镀敷层与形成于所述无电解镀敷层的外周面的电解镀敷层这两层所形成的电极进行连接。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的磁阻抗元件，其中所述线圈的两端部形成为绕所述绝缘体层一周的环状的线圈电极。
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