TWI798287B - Mi元件的製造方法及mi元件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種MI元件的製造方法及MI元件：藉由將金屬膜的膜厚形成得大而確保流經電磁線圈的電流的電流路剖面積，從而可確保MI元件的性能。MI元件1的製造方法包括：絕緣步驟，於非晶線2的外周形成絕緣體層3；無電解鍍敷步驟，於絕緣體層3的外周面形成無電解鍍敷層4；電解鍍敷步驟，於無電解鍍敷層4的外周面形成電解鍍敷層5；抗蝕劑步驟，於電解鍍敷層5的外周面形成抗蝕劑層R；曝光步驟，藉由以雷射對抗蝕劑層R進行曝光，而於抗蝕劑層R的外周面形成螺旋狀的溝道部GR；以及蝕刻步驟，將抗蝕劑層R作為遮蓋材而進行蝕刻，去除溝道部GR中的無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5，從而由殘存的無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5形成線圈6。

Description

MI元件的製造方法及MI元件
本發明是有關於一種MI元件的製造方法及MI元件，詳細而言是有關於一種使製造MI元件時的設備構成簡化的技術。
先前，已知有一種磁阻抗(Magneto Impedance：MI)元件，其包括：包含非晶線(Amorphous wire)的感磁體；以及經由絕緣體而捲繞於感磁體的周圍的電磁線圈(例如，參照專利文獻1)。於所述專利文獻中記載如下技術：於絕緣體的外周面對包含銅的金屬材料進行真空蒸鍍而形成金屬膜，之後藉由選擇蝕刻來形成電磁線圈。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3781056號公報
如所述先前技術般，於形成金屬膜時使用真空蒸鍍的情況下，難以增加金屬膜的膜厚。於MI元件中金屬膜的膜厚小的情況下，無法充分確保流經電磁線圈的電流的電流路剖面積，有可能MI元件的性能變得不充分。
本發明是鑒於如以上般的情況而成者，本發明所欲解決的課題在於提供一種MI元件的製造方法及MI元件：藉由將金屬膜的膜厚形成得大而確保流經電磁線圈的電流的電流路剖面積，從而可確保性能。
本發明為了解決所述課題，提供以下構成的MI元件的製造方法及MI元件。
本發明的MI元件的製造方法包括：絕緣步驟，於非晶線的外周形成絕緣體層；無電解鍍敷步驟，於所述絕緣體層的外周面形成無電解鍍敷層；電解鍍敷步驟，於所述無電解鍍敷層的外周面形成電解鍍敷層；抗蝕劑步驟，於所述電解鍍敷層的外周面形成抗蝕劑層；曝光步驟，藉由以雷射對所述抗蝕劑層進行曝光，而於所述抗蝕劑層的外周面形成螺旋狀的溝道部；以及蝕刻步驟，將所述抗蝕劑層作為遮蓋(masking)材而進行蝕刻，去除所述溝道部中的所述無電解鍍敷層及所述電解鍍敷層，藉此由殘存的所述無電解鍍敷層及所述電解鍍敷層形成線圈。
根據該構成，藉由將金屬膜的膜厚形成得大而確保流經電磁線圈的電流的電流路剖面積，可確保MI元件的性能。
另外，所述MI元件的製造方法較佳為包括包覆步驟，所述包覆步驟是由樹脂層包覆所述蝕刻步驟中形成的所述線圈，並於所述線圈之間填充樹脂。
根據該構成，藉由樹脂進入至線圈之間而可使線圈難以 脫離。
另外，所述MI元件的製造方法較佳為於所述絕緣步驟中，使所述絕緣體層的厚度於圓周方向上均勻地形成。
根據該構成，可提高MI元件的感度。
另外，所述MI元件的製造方法較佳為：於所述絕緣步驟中，所述非晶線的兩端部自絕緣體層露出，於所述無電解鍍敷步驟中，所述無電解鍍敷層是以與所述非晶線的兩端部接觸的方式形成，於所述曝光步驟中，形成有所述溝道部、以及較所述溝道部的兩端部而於更外端側隔開並繞所述抗蝕劑層一周的一對環狀槽，於所述蝕刻步驟中，於所述一對環狀槽的更外端側殘存的所述無電解鍍敷層及所述電解鍍敷層形成為所述非晶線的電極，於所述一對環狀槽之間殘存的所述無電解鍍敷層及所述電解鍍敷層形成為所述線圈，所述線圈的兩端部形成為繞所述絕緣體層一周的環狀的線圈電極。
根據該構成，可將線圈電極形成為繞絕緣體層一周的環狀，因此無論MI元件的姿勢如何均可安裝於基板。
另外，本發明的MI元件為包括非晶線、形成於所述非晶線的外周的絕緣體層、以及以螺旋狀形成於所述絕緣體層的外周面的線圈的MI元件，所述線圈是由無電解鍍敷層、與形成於所述無電解鍍敷層的外周面的電解鍍敷層這兩層來形成。
根據該構成，藉由將金屬膜的膜厚形成得大而確保流經電磁線圈的電流的電流路剖面積，可確保MI元件的性能。
另外，所述MI元件較佳為所述線圈由樹脂層包覆並於所述線圈之間填充有樹脂。
根據該構成，藉由樹脂進入至線圈之間而可使線圈難以脫離。
另外，所述MI元件較佳為所述絕緣體層的厚度於圓周方向上均勻地形成。
根據該構成，可提高MI元件的感度。
另外，所述MI元件較佳為所述非晶線的兩端部與由包覆所述絕緣體層的端部的無電解鍍敷層與形成於所述無電解鍍敷層的外周面的電解鍍敷層這兩層所形成的電極進行連接。
根據該構成，可由在環狀槽的更外端側殘存的無電解鍍敷層及電解鍍敷層來形成非晶線的電極，因此可將MI元件的製造製程簡化。
另外，所述MI元件較佳為所述線圈的兩端部形成為繞所述絕緣體層一周的環狀的線圈電極。
根據該構成，可將線圈電極形成為繞絕緣體層一周的環狀，因此無論MI元件的姿勢如何均可安裝於基板。
根據本發明的MI元件的製造方法及MI元件，藉由將金屬膜的膜厚形成得大而確保流經電磁線圈的電流的電流路剖面積，可確保MI元件的性能。
1:磁阻抗元件(MI元件)
2:非晶線
3:絕緣體層
4:無電解鍍敷層
5:電解鍍敷層
6:線圈
7:樹脂
8:電極
101:MI元件
106:線圈
106C:線圈部
106T:線圈電極
GP:槽部
GP1:槽部
GP2:環狀槽部
GR:溝道部
GR1:溝道部
GR2:環狀槽
R:抗蝕劑層
(a):絕緣步驟前的非晶線
(b):絕緣步驟後的狀態
(c):無電解鍍敷步驟後的狀態
(d):電解鍍敷步驟後的狀態
(e):抗蝕劑步驟後的狀態
(f):曝光步驟後的狀態
(g):蝕刻步驟後的狀態
(h):抗蝕劑去除步驟後的狀態
(i):包覆步驟後的狀態
圖1是表示第一實施形態的MI元件的平面圖。
圖2是圖1中的II-II線剖面圖。
圖3是圖1中的III-III線剖面圖。
圖4是表示第一實施形態的MI元件的各製造步驟的圖。
圖5是表示第一實施形態的MI元件的表面部分的放大剖面圖。
圖6是表示第二實施形態的MI元件的平面圖。
圖7是圖6中的VII-VII線剖面圖。
圖8是表示第二實施形態的MI元件的各製造步驟的圖。
<MI元件1(第一實施形態)>
首先，使用圖1至圖3來對本發明的第一實施形態的磁阻抗元件(以下，簡單記載為「MI元件」)1的構成進行說明。MI元件1是利用根據對感磁體(本實施形態中為非晶線2)進行通電的電流的變化而於線圈6中產生感應電壓的所謂MI現象而進行磁感應者。
所述MI現象是關於如下的感磁體而產生，所述感磁體包含相對於所供給的電流方向而在周圍方向上具有電子自旋排列的磁性材料。若使該感磁體的通電電流發生急遽變化，則周圍方向上的磁場發生急遽變化，由於所述磁場變化的作用，並根據周邊磁場而發生電子的自旋方向上的變化。而且，此時的感磁體的 內部磁化及阻抗等的變化發生的現象是MI現象。
如圖2及圖3所示般，本實施形態的MI元件1中使用直徑數十μm以下的CoFeSiB等外周形狀為圓形形狀的線條體即非晶線2作為感磁體。於非晶線2的外周以橫剖面中的外周形狀成為圓形形狀的方式形成有作為丙烯酸系樹脂的絕緣體層3。詳細而言，絕緣體層3的外周形狀以與非晶線2的外周形狀成為同心圓狀的圓形形狀的方式形成，即以絕緣體層3的厚度於圓周方向上均勻的方式形成。具體而言，將非晶線2浸漬於在溶液中以離子狀態分散有丙烯酸系樹脂材的電沈積塗料中，並於非晶線2與槽中的電沈積塗料之間施加電壓，藉此離子狀態的丙烯酸系樹脂電沈積於非晶線。根據該方法，可藉由所施加的電壓來控制絕緣層的厚度。對於以所述方式形成於非晶線2的表面的電沈積塗料，例如於100度以上的高溫下進行燒結，藉此形成絕緣體層3。
於絕緣體層3的外周面以螺旋狀形成有線圈6。線圈6是由無電解鍍敷層4、與形成於無電解鍍敷層4的外周面的電解鍍敷層5這兩層形成。如圖2所示般，線圈6除作為線圈端子的兩端部以外而由樹脂7的層包覆，並於線圈6之間填充有樹脂7。藉此，樹脂7進入線圈6之間而使線圈6難以自絕緣體層3脫離。
其次，使用圖4來對MI元件1的製造方法進行說明。於圖4中，(a)表示絕緣步驟前的非晶線2，(b)表示絕緣步驟後的狀態，(c)表示無電解鍍敷步驟後的狀態，(d)表示電解鍍敷步驟後的狀態，(e)表示抗蝕劑步驟後的狀態，(f)表示曝光步驟 後的狀態，(g)表示蝕刻步驟後的狀態，(h)表示抗蝕劑去除步驟後的狀態，(i)表示包覆步驟後的狀態。
於製造本實施形態的MI元件1時，如圖4中的(a)所示般，準備外周形狀為圓形形狀的線條體即非晶線2。而且，如圖4中的(b)所示般，於非晶線2的外周塗佈絕緣體而形成絕緣體層3(絕緣步驟)。此時，如圖3所示般，對於絕緣體層3的橫剖面中的外周形狀而言，以與非晶線2的外周形狀成為同心圓狀的圓形形狀的方式形成，即以絕緣體層3的厚度於圓周方向上均勻的方式形成。
其次，如圖4中的(c)所示般，藉由實施無電解鍍Cu而於絕緣體層3的外周面形成無電解鍍敷層4(無電解鍍敷步驟)。再者，於本步驟中，亦可採用無電解鍍Au。其次，如圖4中的(d)所示般，藉由實施電解鍍Cu而於無電解鍍敷層4的外周面形成電解鍍敷層5(電解鍍敷步驟)。再者，於本步驟中，亦可採用電解鍍Au。如此，於本實施形態中，使用無電解鍍敷及電解鍍敷而於絕緣體層3形成金屬膜。
其次，將形成有電解鍍敷層5的非晶線2浸漬於放入有光阻劑液的光阻劑槽中後，以規定速度(例如，1mm/sec的速度)進行提拉，藉此如圖4中的(e)所示般於電解鍍敷層5的外周面形成抗蝕劑層R(抗蝕劑步驟)。
其次，如圖4中的(f)所示般，以雷射對抗蝕劑層R進行曝光，並利用顯影液將經雷射曝光的部分加以溶解，藉此於 抗蝕劑層R的外周面形成螺旋狀的溝道部GR，使溝道部GR的電解鍍敷層5露出(曝光步驟)。
所述曝光步驟中的利用雷射的曝光是將形成有抗蝕劑層R的非晶線2的中心軸設為軸而使其旋轉，並於軸向發生位移來進行。於本實施形態中，採用將經雷射曝光的部分溶解於顯影液中而於抗蝕劑層R形成螺旋狀的溝道部GR的正型光阻劑。再者，於本步驟中，亦可使用將未經雷射曝光的部分溶解於顯影液中而於抗蝕劑層形成螺旋狀的溝道部的負型光阻劑。
其次，將於抗蝕劑層R形成有溝道部GR的非晶線2浸漬於酸性的電解研磨液中並進行電解研磨，藉此進行將殘留於電解鍍敷層5的外周的抗蝕劑層作為遮蓋材的蝕刻。藉此，如圖4中的(g)所示般，去除於抗蝕劑層R形成有溝道部GR的部分的無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5(蝕刻步驟)。
如圖4中的(g)所示般，於無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5中形成有溝道部GR的部分中形成螺旋狀的槽部GP。即，於本步驟中，殘存的無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5形成為線圈6。
其次，如圖4中的(h)所示般，使用剝離液等而去除抗蝕劑層R(抗蝕劑去除步驟)。而且，將非晶線2、絕緣體層3、及線圈6切斷為規定的長度後，如圖4中的(i)所示般，對於線圈6而言，除兩端部以外而由樹脂7的層包覆，並於線圈6之間填充樹脂7(包覆步驟)。
如所述般，於本實施形態的MI元件1的製造方法中， 於在絕緣體層3的外周面形成金屬膜時，未使用真空蒸鍍而使用無電解鍍敷及電解鍍敷。根據鍍敷，容易將金屬膜的膜厚形成得大，因此可充分地確保流經電磁線圈的電流的電流路剖面積。即，根據本實施形態的MI元件的製造方法，藉由確保電磁線圈的電流路剖面積，可確保MI元件的性能。
另外，於形成金屬膜時使用真空蒸鍍的情況下，需要將收納目標物(於感磁體的周圍設置絕緣體者)的腔室設為真空狀態，因此設備構成成為大規模，製造成本增加。但是，如本實施形態般，於金屬膜的形成時使用無電解鍍敷及電解鍍敷的情況下，不需要真空腔室等，且可簡化設備構成，因此可抑制MI元件1的製造成本。
另外，於本實施形態的MI元件1中，線圈6是由樹脂7的層包覆，並於線圈6之間填充有樹脂7。藉此，樹脂7進入線圈6之間而使線圈6難以自絕緣體層3脫離。具體而言，於蝕刻步驟中，自外側向內側依次進行蝕刻，因此蝕刻液相對於電解鍍敷層5的外側部分(線圈6的徑向外側的部分)的接觸時間變長。因此，如圖5所示般，電解鍍敷層5的外側部分較內側部分而言更多地受到蝕刻而變細。另一方面，無電解鍍敷層4較電解鍍敷層5而言密度更稀疏，因此如圖5所示般大量受到蝕刻而向內側凹陷。其結果，於包覆步驟中，線圈6由樹脂7包覆時，樹脂7以朝無電解鍍敷層4側繞入的方式進行填充，該部分成為鉤掛的形狀。藉此，可獲得更牢固的錨定效果。
另外，本實施形態的MI元件1的製造方法中，於絕緣步驟中，將絕緣體層3的橫剖面中的外周形狀形成為圓形形狀，藉此使絕緣體層3的厚度於圓周方向上均勻地形成。藉此，可將非晶線2與形成於絕緣體層3的外周面的線圈6的距離設為固定，因此可提高MI元件1的感度。
更詳細而言，於專利文獻1中記載的技術中，相對於非晶線的橫剖面為圓形形狀者而絕緣體層的橫剖面成為四邊形狀。因此，視圓周方向的位置而線與線圈的距離變大，其結果，感測器的感度變低。
另一方面，於本實施形態的MI元件1中，於橫剖面為圓形形狀的非晶線2的表面形成有圓形形狀的絕緣體層3，藉此絕緣體層3的厚度於圓周方向上均勻地形成。因此，可將非晶線2與線圈6的距離設為固定而不取決於圓周方向的位置，其結果，可提高MI元件1的感度。
再者，將非晶線2與線圈6的距離設為固定而不取決於圓周方向的位置，因此無需將非晶線2與絕緣體層3的外周形狀限定為圓形形狀。例如，亦可於剖面為矩形形狀的非晶線的表面，以厚度於圓周方向上均勻的方式同樣地形成矩形形狀(詳細而言，角部被倒角為圓形形狀的矩形形狀)的絕緣體層。該情況下，亦可將非晶線與線圈的距離設為固定而不取決於圓周方向的位置，其結果，可提高MI元件1的感度。
<MI元件101(第二實施形態)>
其次，使用圖6及圖7來對本發明的第二實施形態的MI元件101的構成進行說明。於本實施形態中，對與所述第一實施形態的MI元件1共通的構成省略詳細的說明，並以不同的構成為中心進行說明。
如圖7所示般，對於本實施形態的MI元件101，亦與第一實施形態的MI元件1同樣地，於非晶線2的外周形成絕緣體層3。而且，於絕緣體層3的外周面以螺旋狀形成有線圈106。線圈106是由無電解鍍敷層4、與形成於無電解鍍敷層4的外周面的電解鍍敷層5這兩層形成。本實施形態的MI元件101中，線圈106的兩端部形成為於圓周方向繞絕緣體層3一周的環狀的線圈電極106T/線圈電極106T，線圈電極106T/線圈電極106T之間的螺旋部分形成為線圈部106C。如圖6所示般，線圈106的線圈部106C由樹脂7的層包覆，並於線圈部106C之間填充有樹脂7。
另外，非晶線2的兩端部與由包覆絕緣體層3的端部的無電解鍍敷層4與形成於無電解鍍敷層4的外周面的電解鍍敷層5這兩層所形成的電極8/電極8進行連接。
其次，使用圖8來對MI元件101的製造方法進行說明。於圖8中，(a)表示絕緣步驟前的非晶線2，(b)表示絕緣步驟後的狀態，(c)表示無電解鍍敷步驟後的狀態，(d)表示電解鍍敷步驟後的狀態，(e)表示抗蝕劑步驟後的狀態，(f)表示曝光步驟後的狀態，(g)表示蝕刻步驟後的狀態，(h)表示抗蝕劑去除步驟後的狀態，(i)表示包覆步驟後的狀態。
於製造本實施形態的MI元件101時，如圖8中的(a)所示般，準備切斷為規定長度(數mm)的非晶線2。而且，如圖8中的(b)所示般，於非晶線2的外周以圓柱形狀塗佈矽橡膠等絕緣體而形成絕緣體層3(絕緣步驟)。此時，非晶線2的兩端部於絕緣體層3的兩端部露出。
其次，如圖8中的(c)所示般，藉由實施無電解鍍Cu(或無電解鍍Au)而於絕緣體層3的外周面形成無電解鍍敷層4(無電解鍍敷步驟)。此時，無電解鍍敷層4是以與非晶線2的兩端部接觸的方式形成。其次，如圖8中的(d)所示般，藉由實施電解鍍Cu(或電解鍍Au)而於無電解鍍敷層4的外周面形成電解鍍敷層5(電解鍍敷步驟)。
其次，將形成有電解鍍敷層5的非晶線2浸漬於放入有光阻劑液的光阻劑槽中後，以規定速度(例如，1mm/sec的速度)進行提拉，藉此如圖8中的(e)所示般於電解鍍敷層5的外周面形成抗蝕劑層R(抗蝕劑步驟)。
其次，如圖8中的(f)所示般，以雷射對抗蝕劑層R進行曝光，並利用顯影液將經雷射曝光的部分加以溶解，藉此於抗蝕劑層R的外周面形成螺旋狀的溝道部GR1、與較溝道部GR1的兩端部而於更外端側隔開並繞抗蝕劑層R一周的環狀槽GR2，使溝道部GR1及環狀槽GR2的電解鍍敷層5露出(曝光步驟)。所述曝光步驟中的利用雷射的曝光是將形成有抗蝕劑層R的非晶線2的中心軸設為軸而使其旋轉，並於軸向發生位移來進行多次。
其次，於蝕刻步驟中，將於抗蝕劑層R形成有溝道部GR1及環狀槽GR2的非晶線2浸漬於酸性的電解研磨液中並進行電解研磨，藉此進行將殘留於電解鍍敷層5的外周的抗蝕劑層作為遮蓋材的蝕刻。藉此，如圖8中的(g)所示般，去除於抗蝕劑層R形成有溝道部GR1及環狀槽GR2的部分的無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5(蝕刻步驟)。
如圖8中的(g)所示般，於無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5中形成有溝道部GR1的部分中形成螺旋狀的槽部GP1。另外，於形成有環狀槽GR2的部分形成環狀槽部GP2。藉由該環狀槽部GP2，無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5被分割為形成線圈106的中央部、與形成電極8/電極8的兩端部。即，於本步驟中，於環狀槽部GP2的更外端側殘存的無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5形成為非晶線2的電極8/電極8，於環狀槽部GP2之間殘存的無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5形成為線圈106。
於本實施形態中，溝道部GR1與環狀槽GR2是隔開而形成，因此槽部GP1與環狀槽部GP2是隔開而形成。藉此，線圈106的兩端部形成為繞絕緣體層3一周的環狀的線圈電極106T/線圈電極106T，線圈電極106T/線圈電極106T之間的螺旋部分形成為線圈部106C。
其次，如圖8中的(h)所示般，使用剝離液等而去除抗蝕劑層R(抗蝕劑去除步驟)。而且，如圖8中的(i)所示般，由樹脂7的層包覆線圈106，並於線圈106之間填充樹脂7(包覆 步驟)。
根據本實施形態的MI元件101的製造方法，設為如下構成:由在環狀槽部GP2的更外端側殘存的無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5形成非晶線2的電極8/電極8(非晶線2的兩端部與由無電解鍍敷層4及電解鍍敷層5這兩層所形成的電極8進行連接)。因此，無需另外形成電極，可將MI元件101的製造製程簡化。
根據本實施形態的MI元件101的製造方法，可將線圈電極106T/線圈電極106T形成為繞絕緣體層3一周的環狀。因此，無論MI元件101的姿勢如何均可使線圈電極106T/線圈電極106T與基板相向，因此可安裝於基板。
1‧‧‧磁阻抗元件(MI元件)
2‧‧‧非晶線
3‧‧‧絕緣體層
4‧‧‧無電解鍍敷層
5‧‧‧電解鍍敷層
6‧‧‧線圈
7‧‧‧樹脂

Claims (9)

  1. 一種MI元件的製造方法，其包括：絕緣步驟，於非晶線的外周形成絕緣體層；無電解鍍敷步驟，於所述絕緣體層的外周面形成無電解鍍敷層；電解鍍敷步驟，於所述無電解鍍敷層的外周面形成電解鍍敷層；抗蝕劑步驟，於所述電解鍍敷層的外周面形成抗蝕劑層；曝光步驟，藉由以雷射對所述抗蝕劑層進行曝光，而於所述抗蝕劑層的外周面形成螺旋狀的溝道部；以及蝕刻步驟，將所述抗蝕劑層作為遮蓋材而進行蝕刻，去除所述溝道部中的所述無電解鍍敷層及所述電解鍍敷層，藉此由殘存的所述無電解鍍敷層及所述電解鍍敷層形成線圈。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的MI元件的製造方法，其包括包覆步驟，所述包覆步驟是由樹脂層包覆所述蝕刻步驟中形成的所述線圈，並於所述線圈之間填充樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的MI元件的製造方法，其中於所述絕緣步驟中，使所述絕緣體層的厚度於圓周方向上均勻地形成。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的MI元件的製造方法，其中於所述絕緣步驟中，所述非晶線的兩端部自絕緣體層露出， 於所述無電解鍍敷步驟中，所述無電解鍍敷層是以與所述非晶線的兩端部接觸的方式形成，於所述曝光步驟中，形成有所述溝道部、以及較所述溝道部的兩端部而於更外端側隔開並繞所述抗蝕劑層一周的一對環狀槽，於所述蝕刻步驟中，於所述一對環狀槽的更外端側殘存的所述無電解鍍敷層及所述電解鍍敷層形成為所述非晶線的電極，於所述一對環狀槽之間殘存的所述無電解鍍敷層及所述電解鍍敷層形成為所述線圈，所述線圈的兩端部形成為繞所述絕緣體層一周的環狀的線圈電極。
  5. 一種MI元件，包括：非晶線；絕緣體層，形成於所述非晶線的外周；以及線圈，以螺旋狀形成於所述絕緣體層的外周面，且所述MI元件中，所述線圈是由第一層、與形成於所述第一層的外周面的第二層這兩層來形成。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的MI元件，其中所述線圈由樹脂層包覆並於所述線圈之間填充有樹脂。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的MI元件，其中所述絕緣體層的厚度於圓周方向上均勻地形成。
  8. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的MI元件，其中 所述非晶線的兩端部與由包覆所述絕緣體層的端部的第一層與形成於所述第一層的外周面的第二層這兩層所形成的電極進行連接。
  9. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的MI元件，其中所述線圈的兩端部形成為繞所述絕緣體層一周的環狀的線圈電極。
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