JP2012198038A - 磁性体部材とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】導体損に起因した消費電力を大幅に軽減でき、また温度変化に伴う電圧検出誤差を大幅に軽減でき、自在な形状に加工できる微細構造の磁性体部材を実現すること。
【解決手段】ワイヤ状に形成された導体部と、この導体部を内包するように形成された磁性体部とで構成された磁性体部材であり、フォトリソグラフィ微細加工技術を使用して製造することを特徴とするもの。
【選択図】 図1
【解決手段】ワイヤ状に形成された導体部と、この導体部を内包するように形成された磁性体部とで構成された磁性体部材であり、フォトリソグラフィ微細加工技術を使用して製造することを特徴とするもの。
【選択図】 図1
Description
本発明は、磁性体部材とその製造方法に関し、詳しくは、たとえば磁気センサとして用いられる磁性体部材の磁気検出感度の改善に関する。
磁気センサとして、非特許文献1にも記載されているように、アモルファス材料(ワイヤ)のMI(Magneto-Impedance:磁気インピーダンス)効果を用いたものが実用化されている。アモルファス材料は、一般の金属材料とは異なり結晶構造を持たないものであり、一様な内部構造で、理想的な軟磁気特性を有している。
アモルファスワイヤにパルス電流が印加されると、アモルファスワイヤのインピーダンスは、磁気インピーダンス効果に基づき、微小な外部磁界に対してきわめて大きな変化を示す。これは、アモルファスワイヤの表面には、磁区を構成する電子スピンが円周方向に配列されていることに基づく。
図4は、このようなアモルファスワイヤを用いた従来の磁気センサの一例を示す構成説明図である。図4において、アモルファスワイヤ1の両端には、パルス電流印加回路2が接続されている。アモルファスワイヤ1の外周には、長手方向に沿って検出コイル3が巻回されていて、検出コイル3の両端間には電圧検出回路4が接続されている。
アモルファスワイヤ1にパルス電流印加回路2からパルス電流が印加されると、パルス電流の作る磁界によって、アモルファスワイヤ1の表面に配列されている電子スピンが円周方向に変化する。そのときの磁界の変化を、電圧検出回路4により、検出コイル3に誘起される誘導電圧の大きさとして検出する。
一方、アモルファスワイヤ1に外部磁界が加わると、パルス電流の無い場合の電子スピンの状態が長手方向に向くように変化し、パルス電流印加回路2からパルス電流が印加されたときに検出コイル3に誘起される誘導電圧の大きさも変化する。
図5は、図4に示すアモルファスワイヤ1の内部における電子スピンの状態説明図である。
図5において、(A)は「外部磁界無し」、「パルス電流無し」の状態を示している。アモルファスワイヤ1の内部に形成されている多数の磁区の電子スピンは、長手方向に沿って互い違いに180度の向きになるように配列されている。
図5において、(A)は「外部磁界無し」、「パルス電流無し」の状態を示している。アモルファスワイヤ1の内部に形成されている多数の磁区の電子スピンは、長手方向に沿って互い違いに180度の向きになるように配列されている。
(B)は「外部磁界有り」、「パルス電流無し」の状態を示している。アモルファスワイヤ1の内部に形成されている多数の磁区の電子スピンは、長手方向に沿って外部磁界の向きに、外部磁界の大きさに依存した傾きで配列される。
(C)は「外部磁界無し」、「パルス電流有り」の状態を示している。アモルファスワイヤ1の内部に形成されている多数の磁区の電子スピンは、パルス電流の作る磁界によって全てが一定の円周方向を向くように変化する。
(D)は「外部磁界有り」、「パルス電流有り」の状態を示している。(C)の状態から外部磁界が加わることにより、パルス電流が加わったときに検出コイルに発生する誘導電圧の大きさが変化する。その差に基づき加わった外部磁界の大きさを検出できる。
本蔵 義信、外2名、「アモルファス材料のMI効果を利用した方位センサ ワンチップ電子コンパスICの概要と使い方」、トランジスタ技術、2003年12月号 p.138−142
しかし、図4の構成のアモルファスワイヤ1によれば、アモルファス磁性体の抵抗成分によるパルス電流の導体損で消費電力が大きくなり、また発熱によってアモルファスワイヤ1の温度を変化させることから、温度変化に伴って電圧検出感度も変化し、検出誤差を生じてしまうという問題がある。そのため、磁性体はなるべく電気伝導率の高いものを使用する必要がある。
また、アモルファス磁性体は加工性が悪く、微細構造の磁性体を自在な形状に加工することは困難である。
本発明は、これらの課題を解決するものであり、その目的は、導体損に起因した温度変化に伴う電圧検出誤差を大幅に軽減でき、自在な形状に加工できる微細構造の磁性体部材を実現することにある。
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
ワイヤ状に形成された導体部と、この導体部を内包するように形成された磁性体部とで構成されたことを特徴とする磁性体部材である。
ワイヤ状に形成された導体部と、この導体部を内包するように形成された磁性体部とで構成されたことを特徴とする磁性体部材である。
請求項2記載の発明は、請求項1に記載の磁性体部材において、
前記磁性体部は、高透磁性を有する磁性ナノ粒子を含む絶縁性物質であることを特徴とする。
前記磁性体部は、高透磁性を有する磁性ナノ粒子を含む絶縁性物質であることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、
第1の磁性体層を形成する工程と、
第1の磁性体層上にワイヤ状の導体層を形成する工程と、
このワイヤ状の導体層を覆うように第2の磁性体層を形成する工程、
を含むことを特徴とする磁性体部材の製造方法である。
第1の磁性体層を形成する工程と、
第1の磁性体層上にワイヤ状の導体層を形成する工程と、
このワイヤ状の導体層を覆うように第2の磁性体層を形成する工程、
を含むことを特徴とする磁性体部材の製造方法である。
請求項4記載の発明は、請求項3記載の磁性体部材の製造方法において、
前記磁性体層は、高透磁性を有する磁性ナノ粒子を含む絶縁性物質であることを特徴とする。
前記磁性体層は、高透磁性を有する磁性ナノ粒子を含む絶縁性物質であることを特徴とする。
これらにより、導体損に起因した消費電力の増加と温度変化に伴う電圧検出誤差を大幅に軽減でき、自在な形状に加工できる微細構造の磁性体部材を実現できる。
また、磁性体は電気伝導体である必要が無くなるため、従来では電気伝導率が低いもしくは絶縁体であるために使用できなかった磁性材料も使用可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に基づく磁性体部材の一実施例を用いた磁気センサの構成説明図であり、図4と共通する部分には同一符号を付けている。図1において、第1の磁性体層5の上にはワイヤ状に形成された導体部6が設けられるとともに、この導体部6を覆って内包するように第2の磁性体層7が設けられている。
これら磁性体層5、7としては、たとえば、Fe(鉄)やアモルファス磁性体などの磁性ナノ粒子(φ100nmサイズ)が感光性のポリイミドに混合されたものを用いる。また、導体部6としては、たとえばCu(銅)を用いる。
磁性体層5、7および導体部6は、公知の微細半導体製造工程を用いることにより、所望の形状の磁性体部材として一体化構成できる。
導体部6の両端には、パルス電流印加回路2が接続されている。そして、これら磁性体層5、7および導体部6で一体化構成される磁性体部材の外周には検出コイル3が巻き付けられ、検出コイル3の両端間には電圧検出回路4が接続されている。
このように構成において、導体部6にパルス電流印加回路2からパルス電流を流すと、パルス電流の作る磁界によって導体部6の周辺の磁性体層5、7表面の電子スピンが円周方向に変化する。電圧検出回路4は、その時の磁界の変化を、検出コイル3に発生する誘導電圧の大きさに基づいて検出する。
図1の構成によれば、パルス電流印加回路2から出力されるパルス電流は電気抵抗の小さい導体部6のみに流れ、導体部6の周辺の比較的大きな抵抗成分を有する磁性体層5、7に流れることはない。
これにより、従来のようなアモルファス磁性体の抵抗成分によるパルス電流の導体損が生じて発熱することはないので、パルス電流の印加によって磁性体部材の温度が変化することもなく、温度変化に伴う電圧検出感度の変化に起因する検出誤差の発生をほぼ解消できて、高精度で高感度の安定した磁気測定が行える。
そして、導体部6と磁性体層5、7とを分けていることにより、磁性体層5、7は電導性を有していなくてもよく、アモルファス磁性体の代わりに、高い透磁性を持った磁性ナノ粒子をたとえば感光性ポリイミドのような絶縁性物質と混ぜたものを使用できる。
中心導体となる導体部6と感光性ポリイミドによる磁性体層5、7の部分は、図2に示すようにフォトリソグラフ工程でパターンニングすることができるため、自由に形状を決められる。
図2は、本発明に基づく磁性体部材の製造方法の一実施例を示す工程図である。
まず、工程(a)において、第1の磁性体層5として、Fe(鉄)やアモルファス磁性体などの磁性ナノ粒子(φ100nmサイズ)を感光性のポリイミドに混ぜ合わせて、Si(シリコン)基板8の上にスピンコートする。
まず、工程(a)において、第1の磁性体層5として、Fe(鉄)やアモルファス磁性体などの磁性ナノ粒子(φ100nmサイズ)を感光性のポリイミドに混ぜ合わせて、Si(シリコン)基板8の上にスピンコートする。
工程(b)において、第1の磁性体層5の上にレジスト9を塗布し、このレジスト9をフォトリソ工程で導体部6の所定の形状にパターンニングする。
工程(c)において、所定の形状にパターンニングされたレジスト9の上に、中心導体となる導体部6としてたとえばCu(銅)をスパッタする。
工程(d)において、中心導体となる導体部6以外の部分を、レジスト9とともにリフトオフにより除去する。
工程(e)において、第1の磁性体層5と導体部6の上に、第1の磁性体層5と同様に磁性ナノ粒子と感光性のポリイミドが混ぜ合わされたものを、第2の磁性体層7として塗布する。
工程(f)において、第2の磁性体層7の上に形成しようとしている磁性体部材の形状のマスク10を設け、第1の磁性体層5と第2の磁性体層7を構成している感光性ポリイミドを紫外線により露光フォトリソグラフィ工程で露光する。
工程(g)において、第1の磁性体層5と第2の磁性体層7を構成している感光性ポリイミドのキュア(イミド化)を行い、紫外線で露光した部分を現像して除去する。
これにより、図1に示すように、長手方向にワイヤ状に形成された導体部6と、この導体部6を内包するように形成された第1の磁性体層5と第2の磁性体層7よりなる磁性体部とで構成された所定の形状の磁性体部材が得られる。
なお、図1の検出コイル3も、図3に示すように、フォトリソ微細加工技術で形成することができ、MI効果を応用した微小構造の磁気センサを生産性良く量産できる。
図3は、本発明に基づく磁性体部材の一実施例を用いた磁気センサの製造方法の具体例を示す工程図である。
まず、工程(a)において、Si(シリコン)基板11の上にSiO2などの絶縁膜12を形成し、その上に検出コイル3の下側電極パターンとなるTi/Pt/Au/Tiなどの金属層3aをスパッタする。
工程(b)において、フォトリソグラフとイオンミリング加工などを用いて金属層3aを所定のパターンに加工し、検出コイル3の複数の下側電極パターン3aを形成する。
工程(c)において、検出コイル3の下側電極パターン3aと磁性体層5を絶縁するたとえばポリイミドなどの絶縁層13をスピンコートする。
工程(d)において、絶縁層13上に、前述した図2の工程図に示した製造方法に基づいて、磁性体層5、7および導体部6よりなる図1に示すような所定の形状の磁性体部材を作成する。
工程(e)において、絶縁層13および磁性体部材を覆うように、たとえばポリイミドなどの絶縁層14を塗布し、必要に応じて研磨などの平坦化処理を行って平坦化する。
工程(f)において、絶縁層14および13にオゾンやプラズマによるアッシング(Ashing:灰化)加工を行い、検出コイル3のそれぞれの下側電極パターン3aに連通するように複数のスルーホール14aを開ける。
工程(g)において、スルーホール14a内部にたとえば金メッキを行って充填し、一端が下側電極パターン3aに接続されて他端がスルーホール14aの開口部に露出し、検出コイル3の下側電極パターン3aと次の工程に示す上側電極パターン3cとを電気的にも機械的にも連結する連結柱3bを形成する。
工程(h)において、スルーホール14aが形成され検出コイル3の連結柱3bが充填形成された絶縁層14の上に、検出コイル3の上側電極パターンとなるTi/Pt/Au/Tiなどの金属層3cをスパッタする。
工程(i)において、フォトリソグラフとRIE加工により金属層3cを所定のパターンに加工して、検出コイル3の複数の上側電極パターン3cを形成する。
これにより、図1と同様に構成されるMI効果を応用した微小構造の磁気センサが得られる。
なお、検出コイルは、多重に巻き付けた多層コイルとすることで、検出感度を高めることもできる。
このように構成される磁性体部材は、導体部と周辺の磁性体が分離されて、導体部を内包するように導体部の外周が磁性体で覆われているので、導体部は磁性体である必要はなく、導体部を抵抗値の低い金属にすることで導体損のきわめて少ない低消費電力の磁気センサが実現できる。
また、磁性体は導体に限らなくてもよいので、磁性体として導電率を気にする必要はなく、高い透磁性を持った磁性ナノ粒子を絶縁性物質と混ぜたものなどのような透磁率の高い材料を使用できる。
特に、磁性ナノ粒子と混ぜる絶縁性物質として感光性ポリイミドを使用することでフォトリソグラフィ微細加工技術が採用でき、検出コイルも含めて全体が1mm以下に凝縮された超小型化の磁界センサを作成できる。
さらに、フォトリソグラフィ微細加工技術を使用することにより、回路の形状を自在に作成できることから、3D立体磁性回路も作成できる。
以上説明したように、本発明によれば、導体損に起因した温度変化に伴う電圧検出誤差を大幅に軽減でき、自在な形状に加工できる微細構造の磁性体部材を実現でき、方位センサなどの各種の磁気センサとして好適である。
2 パルス電流印加回路
3 検出コイル
3a 下側電極パターン
3b 連結柱
3c 上側電極パターン
4 電圧検出回路
5 第1の磁性体層
6 導体部
7 第2の磁性体層
8、11 Si(シリコン)基板
9 レジスト
10 マスク
12、13、14 絶縁膜
14a スルーホール
3 検出コイル
3a 下側電極パターン
3b 連結柱
3c 上側電極パターン
4 電圧検出回路
5 第1の磁性体層
6 導体部
7 第2の磁性体層
8、11 Si(シリコン)基板
9 レジスト
10 マスク
12、13、14 絶縁膜
14a スルーホール
Claims (4)
- ワイヤ状に形成された導体部と、この導体部を内包するように形成された磁性体部とで構成されたことを特徴とする磁性体部材。
- 前記磁性体部は、高透磁性を有する磁性ナノ粒子を含む絶縁性物質であることを特徴とする請求項1に記載の磁性体部材。
- 第1の磁性体層を形成する工程と、
第1の磁性体層上にワイヤ状の導体層を形成する工程と、
このワイヤ状の導体層を覆うように第2の磁性体層を形成する工程、
を含むことを特徴とする磁性体部材の製造方法。 - 前記磁性体層は、高透磁性を有する磁性ナノ粒子を含む絶縁性物質であることを特徴とする請求項3記載の磁性体部材の製造方法。
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JP2011060686A JP2012198038A (ja) | 2011-03-18 | 2011-03-18 | 磁性体部材とその製造方法 |
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
WO2014136975A1 (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 国立大学法人名古屋大学 | 磁気計測装置 |
JP2016057190A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 愛知製鋼株式会社 | 磁界測定装置 |
JP2018169361A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 国立大学法人名古屋大学 | 磁気計測装置 |
-
2011
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JP2014173980A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nagoya Univ | 磁気計測装置 |
EP2975423A4 (en) * | 2013-03-08 | 2017-02-22 | National University Corporation Nagoya University | Magnetism measurement device |
US10012705B2 (en) | 2013-03-08 | 2018-07-03 | National University Corporation Nagoya University | Magnetism measurement device |
JP2016057190A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 愛知製鋼株式会社 | 磁界測定装置 |
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