JP6302613B1 - ナノコイル型gsrセンサ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、コイルの出力電圧はワイヤに流すパルス電流の周波数(f)にも依存するが、渦電流の問題や大電力を制御する回路などの技術問題があり、パルス電流の高周波化は困難であった。この問題についてはGSR効果の発見によって解消したが、マイクロコイルからナノコイルへと微細化した場合には、さらにMHzからGHzへの増加に伴う電磁的誘導電圧の問題が大きくなり、一層の改善対策が必要となる。
次に、コイルの微細化を図るために、特許文献2には直径30μmのワイヤを平面基板上に液状樹脂で付着させて幅(コイル幅)15μm、コイル内径/ワイヤ直径=1.4が記載されている。
この凹凸コイル方式により、ワイヤ(ガラス被覆)は直径10μmで、線幅2μm、コイルピッチ5μm、コイルアスペクト比(コイルの厚み/コイルピッチの比をいう。)2.6のマイクロコイルを実現している。なお、コイル内径/ワイヤ直径は1.9と推定される。
コイル出力電圧はコイルピッチを小さくしてコイル巻き数を増やしてもそれに比例した出力電圧を取り出すことができない。この対策としてパルス対応型バッファー回路が開発され、マイクロコイルからなるMI素子とパルス対応型バッファー回路とを組み合わせることで、MIセンサの感度が大幅に改善された(特許文献4)。
磁性ワイヤは、直径10μm、異方性磁界5Gを有し、かつ円周方向にスピン配列をもち、ガラス被覆しており長さ0.2mmである。コイルは、磁性ワイヤの周りに凹凸方式によってコイル巻き数48回、コイルピッチ5μm、コイル線幅3μm、コイル線厚さ0.5μm、コイル内径15μm、コイル長さ160μである。また、コイル抵抗は220Ω、単位長さ当たり1.4KΩ、コイル内径/ワイヤ直径は1.5、コイル内径/コイルピッチで定義されるコイルアスペクト比は3.0である。
フォトリソグラフィが持つ、微細なコイルを高生産性と自由度の高い微細加工方法を活かしてマイクロレベルからさらに微細なナノレベルの線幅を有するナノコイルをつくる新加工方法が求められている。
このことによる電子回路への影響の解明が求められている。
磁性ワイヤと磁性ワイヤに巻き付けたナノコイルとからなる素子を電極配線基板上に形成する場合において、ナノコイルは凹形状のナノコイル下部と平面状のナノコイル上部に分割して、あるいは凹形状のナノコイル下部と凸形状のナノコイル上部に分割して、それぞれを形成し、両者を接合することで出来上がる。凹凸形状のナノコイルは、感光性フォトレジスト層を持つフィルムマスクを凹凸面に沿って張り付けることにより微細加工が可能となる。
工程(1)で、溝加工した基板の溝内(底面および側面をいう。)および基板の上面に導電性金属を蒸着させて金属蒸着膜を形成する。
工程(2)で、フィルムをフィルムマスク基板材とし、その上面に感光性フォトレジスト層からなるフィルムマスク母材を形成する。次いで、このフィルムマスク母材とフォトマスクの平面どうしを密着させた状態で微細パターンを光の回折現象を回避した状態で露光してフィルムマスクを形成する。パターン転写には出射波長の短い光を利用するほどより微細なパターンが転写できる。
工程(3)で、感光性フォトレジスト層と溝を有する基板とが相対し、しかもフィルムマスクが溝に沿って密着するように基板に貼り付ける。貼り付ける方法としては、フィルムマスクの静電作用で溝内に張り付けたり、フィルムマスクと基板との隙間である溝内の空気を真空引きするなどして取り除くことにより負圧を加えて張り付けたりする。
工程(4)で、フィルムマスク基板材を取り除き露光された感光性フォトレジスト層のみを基板に残す。なお、工程(4)でフィルムマスク基板材を取り除いているが、工程(3)の貼り付け前に取り除いてもよい。
工程(5)で、基板溝内に密着している感光性フォトレジスト層を現像し基板上に取り残された感光性フォトレジスト層を固化し3次元マスクを形成する。
工程(6)で、金属蒸着膜をエッチングし、その後感光性フォトレジスト層を剥離して、ナノコイル下部を形成する。
以上述べたフィルムマスク法により凹凸面上にコイルピッチ2μm未満のコイル配線を基板上に行うことができる。
もちろん、寄生容量については、回路が動作し発生誘導電圧が実用的に許容されるレベルにおいては、右巻きコイルまたは左巻きコイルの単一方向コイルをGSR素子のナノコイルとして採用することも可能である。
本発明の実施形態のナノコイル型GSRセンサ素子の製造方法は、
電極配線基板上に、感磁体である磁性ワイヤと通電用の磁性ワイヤ端子およびその周りに巻き付けたナノコイルとその端部にあるナノコイル端子とそれらの端子と外部の集積回路と連結するための電極を有し、前記ナノコイルは、前記磁性ワイヤを固定する前記電極配線基板の溝の面に取り付けられたナノコイル下部と前記溝内に絶縁性樹脂で接着固定された前記磁性ワイヤの上部に取り付けられたナノコイル上部および前記ナノコイル下部と前記ナノコイル上部とを結合するナノコイル接合部からなるナノコイル型GSRセンサ素子の製造方法において、
前記ナノコイルは、前記溝における配線パターン形成にあたり光の回折現象の影響を回避して前記ナノコイル下部を形成する工程と、
前記磁性ワイヤがガラス被覆されていない場合には前記ナノコイル下部を前記絶縁性樹脂で薄く覆って前記ナノコイル下部の上に前記磁性ワイヤを配置し、前記磁性ワイヤがガラス被覆されている場合には前記ナノコイル下部の上に前記磁性ワイヤを配置する工程と、
前記ナノコイル下部の上に前記磁性ワイヤを配置して、前記磁性ワイヤの上部は前記絶縁性樹脂で薄く覆われ、もしくは薄く覆われた状態で前記磁性ワイヤを前記絶縁性樹脂により前記溝に固定する工程と、
前記磁性ワイヤの上部に平面状の前記ナノコイル上部を形成する工程および前記磁性ワイヤ端子と前記電極、前記ナノコイル端子と前記電極とをそれぞれ接合する工程とからなり、
前記ナノコイル下部を形成する工程は、
(1) 前記溝を有する前記電極配線基板に導電性金属を蒸着して金属蒸着膜を作製する工程と、
(2)フィルムマスク基板材の上に感光性フォトレジスト層を上面に貼り付けたフィルムマスク母材を作製し、前記ナノコイル下部の配線図面を焼き付けた平坦なフォトマスクを作製し、次いで前記フォトマスクを前記フィルムマスク母材の前記感光性フォトレジスト層に平面密着させた後、露光して前記配線図面を焼き付けてフィルムマスクを作製する工程と、
(3) 前記フィルムマスクの前記感光性フォトレジスト側を、前記金属蒸着膜で覆われている前記溝の面に密着して貼り付けた後、前記フィルムマスクを現像し、その後固化して前記配線図面を転写した3次元マスクを形成する工程と、
(4) 前記金属蒸着膜は前記3次元マスクによる被覆部を除いて露出部をエッチングし、その後、前記3次元マスクの固化した前記感光性フォトレジストを剥離して前記ナノコイル下部を形成する工程と、
からなることを特徴とする。
溝の形状は、溝断面が正方形や長方形からなる矩形状、溝底面に対して溝上部が開放している逆台形状、V形状からなる。また溝底面は丸みを帯びていてもよい。
ナノコイルのコイルピッチは0.2μm〜2μm未満で、コイル線幅は0.1〜1μm未満で、コイル線厚みは0.1〜0.5μm未満で、コイル内径とコイルピッチの比で定義されるアスペクト比が10以上で、かつ、コイル抵抗が単位長さ当たり5kΩ/mm以上である。
さらに、コイルピッチの微細化によるコイル断面積の微小化と相まってコイル巻き数の増加という相乗効果としてコイル抵抗(R)が大幅に増加する。コイル抵抗の増加に伴い、電流(i)が微小化してゼロに近づいてコイル電圧の電圧降下はゼロに近づく。同時に回路内の発熱(i2)もゼロとなるため電子回路を構成するバッフアー回路におけるエネルギーロスゼロとなり電子回路が安定化する。バッファー回路の入力インピーダンスが大きくなることでその動作がより高速で安定することを確認した。
この配線接合により、磁性ワイヤと電極との電気的接続を安定化させて磁性ワイヤ通電を確実にすることができる。
初めに、ナノコイル型GSRセンサ素子(以下、素子という。)の製造方法により製造される素子から説明する。素子の平面図を図1に、素子10のA−A’断面図を図2に、素子10のナノコイルの配線図(素子101)を図3に示し、その素子10の製造方法を図4〜9に示して説明する。
次に素子10とパルス対応型バッファー回路付の電子回路(図10)とを組み合わせたナノコイル型GSRセンサについて説明する。
素子10は、電極配線基板(以下、基板という。)20の上に感磁体である絶縁素材(ガラス)で被覆された磁性ワイヤ30とその周りに巻き付けたナノコイル40、かつ2つの磁性ワイヤ端子31と2つの磁性ワイヤ電極32および2つのナノコイル端子41と2つのナノコイル電極42からなる4つの端子と4つの電極とを有している。
ナノコイル40は、ナノコイル下部401とナノコイル上部402および両者を結合するナノコイル接合部403からなる。ナノコイル下部401は磁性ワイヤ30を固定する基板20の溝21の面に取り付けられ、ナノコイル上部402は溝21内に液状の絶縁性樹脂35で接着固定された磁性ワイヤ30の上部に取り付けられ、コイル接合部403は基板20の平坦面上でナノコイル上部402と同一平面上にある。
先ず、溝21からなる立体パターンのナノコイル下部401とナノコイル接合部403を形成する。その工程について図4〜図9により説明する。
工程(1)で、基板20の長手方向に延在する溝21の底面、側面および基板20の上面に導電性金属を蒸着して厚み0.15μmの金属蒸着膜400を作製する(図4)。
工程(2)で、厚み2μmのフィルムマスク基板材502とその上に厚み0.4μmの感光性フォトレジスト層501を形成してなるフィルムマスク母材50を作製する。フィルムマスク基板材502は水溶性のポリビニルアルコール膜である。この感光性フォトレジスト層501にフォトマスク62を載せ、紫外光60によってナノコイル下部に相当する微細パターンの露光を行なう(図5)。
工程(3)で、感光性フォトレジスト層501が基板20の金属薄膜400に接するようにフィルムマスク50を載せる(図6)。次に、基板20の溝21の内部に静電作用でフィルムマスク50を入り込ませて密着させる(図7)。ポリビニルアルコールを水に浸けることにより溶解して取り除き、感光性フォトレジスト層501を現像し、固化して3次元マスク503を作製する(図8)。
工程(4)では、金属蒸着膜400をエッチングし、固化した感光性レジスト層の3次元マスク503を剥離してナノコイル下部401とナノコイル接合部403を形成する(図9)。
ナノコイル40の端部にはナノコイル端子41を金属蒸着で形成する。ナノコイル端子41とナノコイル電極42との接合部は金属蒸着で接合される。
絶縁性樹脂35によって基板20に固定されているガラス被覆した磁性ワイヤ30の端部の上部にある絶縁性樹脂35を除去し、次にガラスをCF4ガスによるスパッタリングで除去する。こうして露出した磁性ワイヤ30の金属端部の表面に金属蒸着して磁性ワイヤ端子32とし、磁性ワイヤ端子31と磁性ワイヤ電極32との接合部も金属蒸着で形成して結合する。
基板201の基板溝221に沿って磁性ワイヤ301および磁性ワイヤ301の2本設置し、磁性ワイヤ301に一対の左巻きナノコイル405Lと右巻きナノコイル405Rおよび磁性ワイヤ302に一対の左巻きナノコイル406Lと右巻きナノコイル406Rを設置する。
以上3つの要因による誘導電圧は全て消失する。
電子回路70の構成を図10に示す。パルス発信器71、素子101、パルス対応型バッファー回路74、サンプルホールド回路75、AD変換回路およびデジタル信号処理回路からなっている。
パルス発信器71から2GHzの換算周波数をもつパルス電流を素子に通電し、その時に発生するナノコイル電圧をパルス対応型バッファー回路74で検知する。このナノコイル抵抗は非常に大きいが、ナノコイルの寄生容量が極限的に抑制されるため、ナノコイルには極微小電流が流れるだけで、その電圧降下はナノコイル出力電圧の3.8%と非常に小さく電子回路は安定している。
総合的視点でみれば、MIセンサ(商品AMI306)からマイクロコイルのGSRセンサへ160倍の性能指数の改善が行われ、さらに本発明のナノコイル付GSRセンサにより10倍の改善が行われたことになる。すなわち、MIセンサからナノコイル型GSRセンサへの改善効果は1600倍となる。
そのため、電子コンパス、磁気ジャイロ等の微小な地磁気を測定して3次元方位計およびリアルタイム3次元方位計への応用、生体磁気を測定した医療用センサ、マイクロサイズ化して生体内部での応用、高速測定能力を活用した磁気マッピング応用、さらには測定範囲を拡大した産業用磁気センサなど、幅広い用途で、その使用が期待される。
20:電極配線基板、30:磁性ワイヤ、31:磁性ワイヤ端子、32:磁性ワイヤ電極、40:ナノコイル、41:ナノコイル端子、42:ナノコイル電極
20:基板、21:基板溝、30:磁性ワイヤ、35:絶縁性樹脂、401:ナノコイル下部、402:ナノコイル上部、403:ナノコイル接続部
201:基板、211:左側の磁性ワイヤ用の基板溝、222:右側の磁性ワイヤ用の基板溝
301:左側の磁性ワイヤ、302:右側の磁性ワイヤ、321:磁性ワイヤ入力電極、322:磁性ワイヤグランド電極、311+:左側磁性ワイヤの磁性ワイヤプラス端子、311−:左側磁性ワイヤの磁性ワイヤマイナス端子、312+:右側磁性ワイヤの磁性ワイヤプラス端子、312−:右側磁性ワイヤの磁性ワイヤマイナス端子、313:左側磁性ワイヤの磁性ワイヤマイナス端子と右側磁性ワイヤのプラス端子との接続部、
405L:左巻きナノコイル、405R:右巻きナノコイル、406L:左巻きナノコイル、406R:右巻きナノコイル、411〜418:ナノコイル端子
Claims (1)
- 電極配線基板上に、感磁体である磁性ワイヤと通電用の磁性ワイヤ端子およびその周りに巻き付けたナノコイルとその端部にあるナノコイル端子とそれらの端子と外部の集積回路と連結するための電極を有し、前記ナノコイルは、前記磁性ワイヤを固定する前記電極配線基板の溝の面に取り付けられたナノコイル下部と前記溝内に絶縁性樹脂で接着固定された前記磁性ワイヤの上部に取り付けられたナノコイル上部および前記ナノコイル下部と前記ナノコイル上部とを結合するナノコイル接合部からなるナノコイル型GSRセンサ素子の製造方法において、
前記ナノコイルは、前記溝における配線パターン形成にあたり光の回折現象の影響を回避して前記ナノコイル下部を形成する工程と、
前記磁性ワイヤがガラス被覆されていない場合には前記ナノコイル下部を前記絶縁性樹脂で薄く覆って前記ナノコイル下部の上に前記磁性ワイヤを配置し、前記磁性ワイヤがガラス被覆されている場合には前記ナノコイル下部の上に前記磁性ワイヤを配置する工程と、
前記ナノコイル下部の上に前記磁性ワイヤを配置して、前記磁性ワイヤの上部は前記絶縁性樹脂で薄く覆われ、もしくは薄く覆われた状態で前記磁性ワイヤを前記絶縁性樹脂により前記溝に固定する工程と、
前記磁性ワイヤの上部に平面状の前記ナノコイル上部を形成する工程および前記磁性ワイヤ端子と前記電極、前記ナノコイル端子と前記電極とをそれぞれ接合する工程とからなり、
前記ナノコイル下部を形成する工程は、
(1)前記溝を有する前記電極配線基板に導電性金属を蒸着して金属蒸着膜を作製する工程と、
(2)フィルムマスク基板材の上に感光性フォトレジスト層を形成したフィルムマスク母材を作製し、前記ナノコイル下部の配線図面を焼き付けた平坦なフォトマスクを作製し、次いで前記フォトマスクを前記フィルムマスク母材の前記感光性フォトレジスト層に平面密着させた後、露光して前記配線図面を焼き付けてフィルムマスクを作製する工程と、
(3)前記フィルムマスクの前記感光性フォトレジスト側を、前記金属蒸着膜で覆われている前記溝の面に密着して貼り付けた後、前記フィルムマスクを現像して、その後固化して前記配線図面を転写した3次元マスクを形成する工程と、
(4)前記金属蒸着膜は前記3次元マスク部分による被覆部を除いて露出部をエッチングし、その後、前記3次元マスクの固化した前記感光性フォトレジストを剥離して前記ナノコイル下部を形成する工程と、
からなることを特徴とするナノコイル型GSRセンサ素子の製造方法。
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