WO2013047637A1 - コイル配線素子およびコイル配線素子の製造方法 - Google Patents

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康人 千葉
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株式会社フジクラ
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    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor

Definitions

  • the present invention relates to a coil wiring element and a method for manufacturing the coil wiring element. More specifically, the present invention relates to a coil wiring element configured by laminating a conductor layer and an insulating layer on a substrate, and a method for manufacturing a coil wiring element using a thin film process.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2011-211749 for which it applied on September 28, 2011, and uses the content here.
  • a magnetic sensor element for detecting geomagnetism As a magnetic sensor element capable of detecting geomagnetism, a magnetic impedance element or a fluxgate element is known. These elements have a solenoid coil structure in which a coil that generates an electromotive force in response to a change in an external magnetic field is wound around a magnetic core. A thin film process (semiconductor process) is applied in order to reduce the size and thickness of a magnetic sensor element in response to the reduction in size and thickness of portable devices and the like.
  • the magnetic element of Patent Document 1 which is a conventional fluxgate type magnetic sensor element, has a first wiring layer having a plurality of linear conductor patterns on a substrate, and other ends except for both ends of the linear conductor pattern. It has a structure in which an insulating layer covering a part and a second wiring layer having a plurality of linear conductor patterns connected to both ends of the insulating layer are sequentially laminated.
  • the coil included in the magnetic sensor element is configured by connecting both ends of the linear pattern of the first wiring layer and both ends of the linear pattern of the second wiring layer. At this time, the first wiring layer is formed on the substrate, and there is no resin layer interposed between the substrate and the first wiring layer.
  • the coil wiring element used for the conventional magnetic sensor element has the following problems.
  • a first wiring layer is formed on a substrate.
  • a second wiring layer is formed via an insulating layer, and the first wiring layer and the second wiring layer are joined at both ends.
  • the surface of the first wiring layer is not clean or a metal oxide layer is formed, the first wiring layer and the second wiring layer cannot be firmly bonded.
  • the coil wiring element is thermally deformed or a drop impact is applied to the coil wiring element, the first wiring layer and the second wiring layer may be peeled off and the electrical connection may be impaired.
  • the joint where the first wiring layer and the second wiring layer are joined is a portion where stress is particularly likely to concentrate, which is a structural weak point.
  • the manufacturing method of the coil wiring element used for the conventional magnetic sensor element has the following problems. This will be described below with reference to FIGS. 11D to 11E.
  • the first wiring layer 103 is formed on the substrate 101, and then the insulating layer 104 covering the central region of the first wiring layer 103 is formed (FIG. 11D).
  • the second wiring layer 106 is formed on the insulating layer 104, and the end of the first wiring layer 103 and the end of the second wiring layer 106 are connected (FIG. 11F).
  • a method for forming the second wiring layer 106 a general photolithography technique is used.
  • a resist 112 that covers the first wiring layer 103 and the insulating layer 104 is formed.
  • the resist layer 112 is exposed using a photomask, and the pattern P ′ of the second wiring layer 106 is transferred to the resist layer 112 (FIG. 11E).
  • the resist layer 112 is developed to form a resist layer 112 in which the pattern P ′ is processed on the first wiring layer 103 and the insulating layer 104.
  • a metal layer having an inverted pattern obtained by inverting the pattern of the resist layer 112 is formed using the resist layer 112 processed by patterning. Then, the metal layer having this reverse pattern becomes the second wiring layer 106 (FIG. 11F).
  • the resist layer 112 provided on the insulating layer 104 and the resist layer 112 provided on the first wiring layer 103 are collectively exposed, and the insulating layer 104 and the first wiring layer are exposed. It is necessary to pattern the resist layer 112 provided on 103. However, since there is a height difference between the insulating layer 104 and the first wiring layer 103 (because there is a step indicated by an arrow D2 in FIG. 11E), the distance from the exposure light source to the insulating layer 104 when performing exposure. And the distance from the exposure light source to the first wiring layer 103, that is, the distance between the exposure light source and the exposed portion differs depending on the exposure position.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a coil wiring element with improved structural strength and a method for manufacturing a coil wiring element capable of miniaturizing the wiring interval.
  • the coil wiring element according to the first aspect of the present invention is formed on a substrate and includes a plurality of first wirings having a central portion and both ends, and each of the plurality of first wirings formed on the substrate.
  • a second resin portion supporting both end portions, a first resin portion covering each of the central portions of the plurality of first wirings, and a plurality of second portions formed on the first resin portion and having both end portions.
  • Two wirings, the plurality of first wirings and the plurality of second wirings, a joint supported by the second resin portion, the both ends of the plurality of first wirings, and the plurality of the plurality of first wirings The both ends of the second wiring are sequentially joined and provided with a coil wiring spirally wound around the first resin portion.
  • a second resin portion is provided between a joint portion where both end portions of the first wiring and both end portions of the second wiring are joined and the substrate. For this reason, even if stress is applied to the joint portion, the second resin portion serves as a cushion and suppresses the stress applied to the joint portion. As a result, the possibility that the first wiring and the second wiring constituting the joint are separated is reduced, and a highly reliable coil wiring element is obtained.
  • the second resin portion has a side surface, and the first wiring provided on the side surface and the side surface is directed toward the center of the coil wiring. It is preferable to incline with respect to one surface of the substrate. According to this configuration, the shape of both end portions of the first wiring can be tapered. When stress is transmitted from the substrate through the second resin portion at both ends of the taper shape, both ends of the first wiring are deformed and the stress can be easily absorbed. As a result, the risk of the first wiring and the second wiring breaking at the joint is reduced, and a highly reliable coil wiring element is obtained.
  • a magnetic body is contained in the first resin portion. According to this configuration, it is possible to realize a magnetic sensor element including the magnetic body in the coil wiring as a magnetic core.
  • a second resin portion is formed on one surface of the substrate (step A), and the both ends are formed on the second resin portion.
  • the first wiring supported by the first wiring is formed (step B), the first resin portion covering the central portion of the first wiring is formed (step C), and the first wiring is formed using a photolithography technique for patterning the resist.
  • the 2nd wiring connected with the both ends of said 1st wiring is formed (process D).
  • both end portions of the first wiring are supported by the second resin portion, both end portions of the first wiring and the upper surface of the first resin portion are compared to the conventional coil wiring element.
  • Step a step between the both end portions of the first wiring and the central portion of the second wiring
  • the resist pattern can be easily formed so as to straddle the step, and therefore the second wiring formed between the both end portions of the first wiring and the first resin portion.
  • the two wirings can be easily miniaturized.
  • the second resin portion is provided between the bonding portion where the both ends of the first wiring and the both ends of the second wiring are bonded, and the substrate. For this reason, even if stress is applied to the joint portion, the second resin portion serves as a cushion and suppresses the stress applied to the joint portion. As a result, the possibility that the first wiring and the second wiring constituting the joint are separated is reduced, and a highly reliable coil wiring element is obtained.
  • the method for manufacturing a coil wiring element of the second aspect of the present invention since both ends of the first wiring are supported by the second resin portion, both ends of the first wiring and the first wiring are more The difference in height from the upper surface of one resin part is reduced. Therefore, since the resist pattern can be easily formed so as to straddle the height difference, the second wiring formed between the both end portions of the first wiring and the upper surface of the first resin portion is easily miniaturized. be able to.
  • FIG. 3 is a perspective view illustrating the first resin portion 4 of the coil wiring element 10 according to the first embodiment of the present invention as seen through from above as if transparent.
  • FIG. 3 is a schematic view of a cross section indicated by XX in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a schematic view corresponding to a cross section taken along line XX in FIG. 2 in a conventional coil wiring element 100.
  • FIG. 5 is a schematic sectional view taken along line VV in FIG. 2.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along VI-VI in FIG. 2. It is an enlarged view of the section containing junction part W in coil wiring element 10 of a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a perspective view illustrating the first resin portion 4 of the coil wiring element 10 according to the first embodiment of the present invention as seen through from above as if transparent.
  • FIG. 3 is a schematic view of a cross section indicated by XX in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a schematic view corresponding to a
  • FIG. 6 is an enlarged view of a cross section including a joint portion of a conventional coil wiring element 100.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view taken along the line VII-VII in FIG. 2. It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the coil wiring element 10 of embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the coil wiring element 10 of embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the coil wiring element 10 of embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the coil wiring element 10 of embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the coil wiring element 10 of embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the coil wiring element 10 of embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the coil wiring element 10 of embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the coil wiring element 10 of embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing a coil wiring element 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • an element group constituted by the substrate 1, the second resin portion 2, and the first wiring 3 a first part 4 a (a part of the first resin portion 4) of the first resin portion 4, and It is divided into an element group constituted by the magnetic body (magnetic core) 5 and an element group constituted by the second part 4 b (the other part of the first resin part 4) and the second wiring 6 of the first resin part 4.
  • FIG. 2 is a perspective view illustrating the first resin portion 4 as seen from above as if it were transparent.
  • the coil wiring element 10 includes a plurality of first wirings 3 (lower wirings) formed on the substrate 1 and a second that is formed on the substrate 1 and supports both ends 3b of the plurality of first wirings 3.
  • the both end portions 3b of the plurality of first wires 3 and the both end portions 6b of the plurality of second wires 6 are arranged so that the both end portions 3b of each of the first wires 3 correspond to the both end portions 6b of each of the second wires 6.
  • the coil wiring element 10 includes a coil wiring spirally wound around the first resin portion 4.
  • the joint portion W where the plurality of first wires 3 and the plurality of second wires 6 are joined is supported by the second resin portion 2. More specifically, as shown in FIG. 1, two second resin portions 2 are provided on the substrate 1 so as to be located on both sides of the substrate 1. In one second resin portion 2, the first end 3 b (both end portions 3 b, lower end portion) of the first wiring 3 and the first end 6 b (both end portions 6 b, upper end portion) of the second wiring 6 are It is joined. In the other second resin part 2, the second end 3 b (both end parts 3 b, lower end part) of the first wiring 3 and the second end 6 b (both end parts 6 b, upper end part) of the second wiring 6 are formed. It is joined.
  • both end portions 3b of the first wiring 3 and both end portions 6b of the second wiring 6 are joined. Bonding in which the first end 3b of the first wiring 3 and the first end 6b of the second wiring 6 are joined, and the second end 3b of the first wiring 3 and the second end 6b of the second wiring 6 are joined. As for the structure, it is referred to that both end portions 3b and both end portions 6b are joined. Moreover, in the following description, the 1st end or 2nd end which comprises both ends may be called an edge part.
  • both end portions 3 b of the first wiring 3 are extended on the second resin portion 2 and supported by the second resin portion 2.
  • the second resin portion 2 is interposed between the substrate 1 and both end portions 3b of the first wiring 3, and supports both end portions 3b from the substrate 1 side.
  • Both end portions 6 b of the second wiring 6 are extended on both end portions 3 b of the first wiring 3.
  • both end portions 3 b of the first wiring 3 and both end portions 6 b of the second wiring 6 are joined. Accordingly, the joint portion W where the both end portions 3 b of the first wiring 3 and the both end portions of the second wiring 6 are joined is supported by the second resin portion 2.
  • the coil wiring element 10 has two coil wirings C1 and C2. This configuration is easy to understand with reference to FIG.
  • the first coil wiring C ⁇ b> 1 is wound around the central region of the magnetic core 5. Both ends of the first coil wiring C1 are respectively connected to two electrode pads 11 provided on the upper surface of the first resin portion 4.
  • the second coil wiring C2 is wound around the magnetic core 5 so as to sandwich both sides of the first coil wiring C1.
  • the second coil wirings C2 located on both sides of the first coil wiring C1 are connected in series. Both ends of the second wiring C2 are connected to two electrode pads 7 provided on the upper surface of the first resin portion 4.
  • the first coil wiring C1 functions as a pickup coil
  • the second coil wiring C2 functions as an exciting coil
  • the coil wiring element 10 can function as a fluxgate magnetic sensor element.
  • the number of turns or the wiring pattern of the first coil wiring C1 and the second coil wiring C2 is appropriately adjusted by a known method such as photolithography when the coil wiring element 10 is manufactured.
  • both end portions 3b of the first wiring 3 and both end portions 6b of the second wiring 6 are sequentially joined on the second resin portion 2.
  • the first resin portion 4 is spirally wound. Since the basic structure of each coil wiring is the same, unless otherwise specified in this specification, each coil wiring is simply referred to as “coil wiring C” without distinction.
  • each of the plurality of first wirings 3 is substantially parallel on one surface of the substrate 1 (first surface, surface on which the second resin portion 2 is formed). They are the same length and equally spaced. Both end portions 3b of the plurality of first wirings 3 are formed on the side surface 2c of the second resin portion 2 provided on the substrate 1 so as to extend toward the upper surface 2d of the second resin portion 2, and further the second It rides on the upper surface 2d of the resin part 2 and is provided. On the upper surface 2d of the second resin portion 2, both end portions 3b of the first wiring 3 and both end portions 6b of the second wiring 6 provided so as to descend from above are joined. Thus, both end portions 3 b of the first wiring 3 and both end portions 6 b of the second wiring 6 are supported by the second resin portion 2.
  • the central part 3 a of the plurality of first wirings 3 is in contact with one surface of the substrate 1. Since the substrate 1 of this embodiment is a silicon substrate, an insulating film such as SiO 2 or SiN is formed on the surface thereof. In this specification, this insulating film is a part of the substrate 1.
  • each of the central parts 6 a of the plurality of second wirings 6 is arranged in parallel with the same length and at equal intervals. Both end portions 6 b of the plurality of second wirings 6 are disposed and joined on both end portions 3 b of the first wiring 3 disposed on the upper surface 2 d of the second resin portion 2.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a cross section indicated by XX in FIG.
  • the second resin portion 2 is disposed on one surface 1a of the substrate 1.
  • both end portions 3b of the first wiring 3 and both end portions 6b of the second wiring 6 are laminated in order, and both end portions 3b and both end portions 6b are joined.
  • a portion where both end portions 3b and both end portions 6b are joined is referred to as a joining portion W.
  • a second resin portion 2 is disposed between both end portions 3 b of the first wiring 3 and the substrate 1.
  • the second resin portion 2 supports a joint portion W in which both end portions of the first wiring 3 and both end portions 6b of the second wiring 6 are laminated and joined.
  • FIG. 4 is a schematic view corresponding to a cross section taken along the line XX of FIG. 2 in the conventional coil wiring element 100.
  • the both ends 103b of the first wiring 103 and the both ends 106b of the second wiring 106 are laminated in this order on one surface 101a of the substrate 101, and the both ends 103b and both ends 106b are joined. Both end portions 103 b of the first wiring 103 are in contact with one surface 101 a of the substrate 101.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view indicated by VV in FIG.
  • the central portion 3 a of the first wiring 3, the first resin portion 4, and the central portion 6 a of the second wiring 6 are arranged in order.
  • a magnetic core 5 is provided between the first wiring 3 and the second wiring 6, and the magnetic core 5 is disposed at the center of the coil wiring C. That is, the magnetic body (magnetic core 5) is contained in the first resin portion 4.
  • the coil wiring element 10 of this embodiment functions as a magnetic sensor element that detects a change in magnetic flux collected in the magnetic core 5.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along VI-VI in FIG.
  • Two side surfaces 2c of the second resin portion 2 facing each other are inclined with respect to one surface 1a of the substrate 1 so as to sandwich the central portion 3a of the plurality of first wirings 3. That is, the two side surfaces 2c have a tapered shape with respect to the one surface 1a.
  • the angle ⁇ between the side surface 2c and one surface 1a of the substrate 1 is about 60 degrees.
  • the bending angle of the first wiring 3 (first inclined wiring) provided on the side surface 2c (the angle of the first inclined wiring with respect to one surface 1a of the substrate 1) is the same as the angle ⁇ formed by the side surface 2c and the surface 1a. It is.
  • the height (thickness, distance from the surface 1a to the upper surface 2d) of the second resin portion 2 is not particularly limited, and the center of one surface 1a of the substrate 1 and the second wiring 6 is not limited.
  • the distance H to the portion 6a is preferably 1/10 to 9/10, more preferably 1/4 to 3/4, and still more preferably 1/3 to 2/3. If the height of the second resin portion 2 is within the above range, both end portions 3b of the first wiring 3 can be sufficiently separated from the substrate 1 via the second resin portion 2, and the stress applied to the joint portion W is increased. It can be further reduced.
  • the angle ⁇ formed by the side surface 2c and the surface 1a and the bending angle of the first wiring 3 provided on the side surface 2c are not particularly limited, and are preferably 10 to 80 degrees, for example, 20 More preferably, it is ⁇ 70 °, more preferably 30 ° -60 °. In the present embodiment, the angle ⁇ formed by the side surface 2c and the surface 1a is 60 degrees. When the angle ⁇ formed by the side surface 2c and the surface 1a is within the above range, the first wiring 3 is gently bent at the bent portion ⁇ of the first wiring 3 as compared with the case where the angle ⁇ is 90 degrees. For this reason, the structural strength of the bent portion ⁇ of the first wiring 3 and the joint portion W can be increased.
  • the bent portion ⁇ easily deforms following the deformation of the substrate, so that the first wiring 3 breaks at the bent portion ⁇ . Or disconnection due to delamination of the joint W.
  • FIG. 7 shows an enlarged cross section including the joint W.
  • the side surface 2c of the second resin portion 2 and the first wiring 3 (first inclined wiring) provided on the side surface 2c are directed toward the center of the coil wiring C. It inclines with respect to one surface 1a of the board
  • the first inclined wiring of the first wiring 3 provided on the side surface 2c of the second resin portion 2 and the side surface 2c is a straight line L (the straight line L of the substrate 1 is perpendicular to the central axis of the coil wiring C). It is inclined along the direction inclined to the vertical line of one surface 1a.
  • the angle formed by the side surface 2c of the second resin portion 2 and the first inclined wiring of the first wiring 3 provided on the side surface 2c with respect to the one surface 1a of the substrate 1 is ⁇ .
  • the wiring length in one turn of the coil wiring C is shorter than that of the conventional coil wiring. This will be described in more detail below.
  • the coil wiring C bends toward the center at the joint W, and the coil wiring C is the first wiring 3. It descends to the central part 3a. In the case of this route (the route indicated by the arrow in FIG.
  • the direction in which the wiring is inclined at the joint W is changed, so that the wiring route is a shortcut compared to the wiring structure in which the inclination direction is not changed. Therefore, the wiring length (path length) is shortened as a whole. Furthermore, as the number of turns of the coil wiring increases, the entire wiring length becomes much shorter than that of the conventional coil wiring. By reducing the wiring length, the amount of Joule heat generated by the current flowing through the coil wiring can be reduced.
  • FIG. 8 is an enlarged view of a cross section including a joint portion of the conventional coil wiring element 100.
  • the wiring (both ends 106b) descending from the central portion 106a of the second wiring 106 to the joint reaches the substrate 1, joins to both ends 103b of the first wiring 103, and coil wiring along the surface of the substrate 1 It is formed so as to be folded toward the center of the element 100.
  • the inclined wiring portion (end portion 106b) of the second wiring 106 extends in a direction away from the center of the coil wiring, so that it is a detour wiring route. Therefore, the wiring length (path length) becomes longer as a whole.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view indicated by VII-VII in FIG.
  • the magnetic core 5 is inherent in the first resin portion 4.
  • the first part 4 a of the first resin part 4 is sandwiched between two opposing second resin parts 2.
  • the electrode 11 and the electrode 7 connected to the coil wiring C are provided on the first resin portion 4, an opening for ensuring conduction to the electrodes 7 and 11. Need to form.
  • the protective resin layer can be formed of a resin such as polyimide, polybenzoxazole, or silicone.
  • the opening part A is formed in the circumference
  • the opening part A does not necessarily need to be formed.
  • the shape around the joint W of the first resin part 4 is not particularly limited as long as the first resin part 4 does not prevent the joint between the both ends 3b of the first wiring 3 and the both ends 6b of the second wiring 6. .
  • the material of the substrate 1 is not particularly limited, and for example, a semiconductor such as silicon, glass such as quartz glass, ceramics, plastic (resin), or the like is used. Further, it may be a hard printed board or a flexible printed board.
  • the thickness of the substrate 1 is not particularly limited.
  • the substrate 1 is preferably a nonmagnetic material.
  • the materials constituting the coil wiring C, the conductive layer 8, and the conductor 9 are not particularly limited, and metals used for general wiring such as copper (Cu) and gold (Au) are used. Moreover, the material which comprises the electrode pads 7 and 11 for coil wiring C is not restrict
  • the wiring width of the coil wiring C can be set to 1.0 ⁇ m to 5.0 ⁇ m, for example.
  • the number of turns of the coil wiring C is appropriately set according to the use of the coil wiring element. When the use of the coil wiring C is a magnetic sensor element, the sensor sensitivity is improved as the number of turns increases. Therefore, the number of turns is preferably increased. For example, the size of the coil wiring element, the line width of the coil wiring, or between the wirings By adjusting the distance, 30 to 200 turns can be obtained.
  • the wiring length of the coil wiring C can be set to 400 ⁇ m to 1600 ⁇ m, for example.
  • the distance H between the one surface 1a of the substrate 1 and the central portion 6a of the second wiring 6 is not particularly limited, and may be, for example, 5 ⁇ m to 25 ⁇ m. Further, the distance between the opposing second resin portions 2 (distance between the side surfaces 2c of the opposing second resin portions 2) is not particularly limited, and may be, for example, 100 ⁇ m to 300 ⁇ m.
  • the magnetic core 5 is included in the first resin portion 4 of the coil wiring element 10 is employed.
  • the shape of the magnetic body arranged in the coil wiring C is not particularly limited, and a magnetic core having a known shape is used.
  • the magnetic core 5 a structure in which uniaxial anisotropy is imparted to a thin film made of a soft magnetic material is preferably used.
  • the soft magnetic material for example, a zero magnetostrictive Co-based amorphous film represented by CoNbZr, CoTaZr, or the like, a NiFe alloy, or a CoFe alloy is preferable.
  • the thickness of the magnetic core 5 can be, for example, 0.5 ⁇ m to 2.0 ⁇ m.
  • Step A is a step of providing the second resin portion 2 on one surface 1 a of the substrate 1.
  • a glass substrate, a ceramic substrate, a resin rigid substrate, a flexible printed substrate, or the like can be applied to the substrate 1.
  • an insulating film of SiO 2 is formed on one surface 1a of the silicon substrate 1 by a CVD method or the like.
  • a silicon substrate on which an insulating film of SiO 2 has already been formed may be used.
  • a photosensitive resin such as polyimide is applied by spin coating or the like to form the second resin portion 2 patterned by photolithography (FIG. 10A).
  • the second resin part 2 is baked and thermally cured.
  • the side surface 2c can be inclined so as to adjust the angle ⁇ formed by the side surface 2c of the second resin portion 2 and the one surface 1a.
  • a method of adjusting the angle ⁇ there are known methods such as a method of adjusting the baking time, a method of adjusting an exposure amount or development time in photolithography, and a method of adjusting the thickness of the second resin portion 2. Used. Specific conditions are appropriately adjusted depending on the material of the second resin portion.
  • Step B The process B is specifically performed so that the central portion 3 a of the first wiring 3 is disposed on one surface 1 a of the substrate 1 and both end portions 3 b of the first wiring 3 are disposed on the second resin portion 2.
  • the plurality of first wirings 3 are provided so that the end 3b is formed on the upper surface 2d of the second resin portion 2 and the first inclined wiring is formed on the side surface 2c.
  • a barrier metal layer made of Ti, Cr, TiW or the like on the one surface 1a of the substrate 1 obtained in step A, the side surface 2c of the second resin portion 2, and the upper surface 2d of the second resin portion 2 by sputtering.
  • Cu is further formed by sputtering.
  • a resist pattern corresponding to the pattern of the first wiring 3 is formed by photolithography (not shown), and a wiring pattern is formed by wet etching (FIG. 10B).
  • the first wiring 3 may be formed by electrolytic plating using a sputtered film as a seed layer.
  • the thickness of the first wiring 3 is not particularly limited, but if the unevenness of the first wiring 3 appears in the installation location of the magnetic core 5 to be formed later, the function of the magnetic core 5 may be adversely affected. In order to avoid this, the thickness of the first wiring 3 may be set to 0.2 ⁇ m to 2 ⁇ m, for example.
  • Step C is a step of providing the first resin portion 4 on the first wiring 3.
  • a method of forming the first resin part 4 by dividing it into a first part 4a and a second part 4b will be exemplified.
  • a photosensitive resin is applied by a spin coat method or the like so as to fill the central portion 3a of the plurality of first wirings 3 and the space between the plurality of first wirings 3, and is thermally cured.
  • the first part 4a is formed (FIG. 10C).
  • both end portions 3b of the first wiring 3 are the first of the first resin portion 4 so that the thickness of the first portion 4a of the first resin portion 4 is the same as the thickness of the second resin portion 2.
  • the first part 4a is formed so as not to be covered by the part 4a. However, it is not always necessary to form the first part 4a so as to have such a thickness.
  • the thickness of the first part 4a may be set to such a thickness that the unevenness of the central part 3a of the first wiring 3 does not appear on the surface of the first part 4a of the first resin part 4. What is necessary is just to make it 2 times or more of thickness.
  • a soft magnetic film to be the magnetic core 5 is formed on the first part 4a by sputtering, and the magnetic core 5 is patterned to have a desired shape by photolithography and etching (FIG. 10D).
  • the soft magnetic film is formed by sputtering after the resist is formed, and the resist is removed.
  • a lift-off method for forming a desired pattern is used.
  • a NiFe alloy or a CoFe alloy can be formed as the magnetic core 5 having a desired shape by an electrolytic plating method using a resist frame.
  • the non-uniform uniaxial anisotropy imparted at the time of film formation is removed to provide uniform induction magnetic anisotropy or heat treatment in a rotating magnetic field or It is preferable to perform heat treatment in a static magnetic field.
  • a photosensitive resin is applied on the magnetic core 5, the first part 4 a of the first resin part 4, both end parts 3 b of the first wiring 3, and the upper surface 2 d of the second resin part 2 by a spin coating method or the like.
  • FIG. 10E the 2nd part 4b of the 1st resin part 4 is formed by patterning by a photolithographic technique and carrying out thermosetting (FIG. 10F).
  • the arrow in FIG. 10E represents exposure with ultraviolet rays or the like for exposing the photosensitive resin. In the exposure, only a desired region can be exposed by using a photomask.
  • the thickness of the second part 4b of the first resin part 4 is not particularly limited. By adjusting the thickness, the distance H between the central portion 6a of the second wiring 6 to be formed later on the first resin portion 4 and the one surface 1a of the substrate 1 can be adjusted.
  • the magnetic core 5 is formed in order to cause the coil wiring element 10 to function as a magnetic sensor element.
  • the coil wiring element 10 is used for other purposes, it is not necessary to form the magnetic core 5.
  • Step D is a step of forming the second wiring 6 connected to the both ends 3 b of the first wiring 3 on the first resin portion 4.
  • a resist layer 12 that covers the first wiring 3 and the first resin portion 4 is formed, and the resist layer 12 is patterned by a photolithography technique. Then, by using the patterned resist layer 12, the second wiring 6 having an inverted pattern obtained by inverting the pattern of the resist layer 12 can be formed.
  • a resist layer 12 is formed in a region where the second wiring 6 is to be formed, the resist layer 12 is exposed using a photomask, and then the exposed resist layer 12 is developed to form a pattern corresponding to the second wiring 6.
  • P is formed.
  • the top surface of the first resin portion 4 is exposed at the bottom of the pattern P, and both end portions 3b of the first wiring 3 are exposed.
  • the exposure for forming this pattern P it is necessary to expose the resist at the depths of both the upper surface of the first resin portion 4 and both end portions 3b of the first wiring 3.
  • the distance of the step between the upper surface of the first resin portion 4 and both end portions 3b of the first wiring 3 is D1.
  • step difference D1 in the said exposure is called exposure depth.
  • the step D1 is smaller than the conventional coil wiring, and the required exposure depth is relatively shallow. For this reason, the pattern P can be made finer than the conventional coil wiring.
  • the second wiring 6 is formed using the pattern P.
  • a barrier metal layer of Ti, Cr, TiW or the like is formed on both end portions 3b of the first wiring 3 exposed on the bottom surface of the pattern P and the upper surface of the first resin 4 by sputtering or the like.
  • the second wiring 6 having the pattern P can be formed by removing the resist layer 12.
  • both end portions 6b of the second wiring 6 are sequentially joined to both end portions 3b of the first wiring 3 to form a coil wiring C wound around the first resin portion 4 (FIG. 10H).
  • the sputtering method and the electrolytic plating method of Cu are used has been described here, other known metal film forming methods can be similarly applied.
  • the pattern P corresponding to the second wiring 6 is formed using the resist layer 12, and the second wiring 6 can be formed by a photolithography technique using the pattern P.
  • both end portions 3 b of the first wiring 3 are formed on the second resin portion 2, so that the first wiring 3 and the first resin portion 4 are not connected.
  • the height difference is relatively small.
  • a fine resist pattern can be easily formed on the first wiring 3 and the first resin portion 4 by using the photolithography technique. Therefore, the fine second wiring 6 can be easily formed between the first wiring 3 and the first resin portion 4.
  • a protective resin portion 13 that covers the second wiring 6 is formed as necessary (FIG. 10I).
  • a conventional coil wiring element 100 manufacturing method As a conventional coil wiring manufacturing method, a conventional coil wiring element 100 manufacturing method will be described below. First, an insulating film of SiO 2 is formed on one surface 101a of the silicon substrate 100 by a CVD method or the like (not shown). On top of that, a barrier metal layer such as Ti, Cr, TiW or the like is formed by sputtering, and Cu is further formed by sputtering. Subsequently, a resist pattern corresponding to the pattern of the first wiring layer 103 is formed by photolithography, and a wiring pattern is formed by wet etching (FIG. 11A).
  • a barrier metal layer such as Ti, Cr, TiW or the like
  • a photosensitive resin is applied by a spin coating method or the like so as to fill a space between the first wiring layer 103 and the first wiring layer 103, and is thermally cured to form the first portion 104a of the insulating layer 104.
  • a soft magnetic film to be the magnetic core 105 is formed by sputtering, and patterned into a desired shape by photolithography and etching or a lift-off method using a resist (FIG. 11B).
  • a photosensitive resin is applied on the magnetic core 105 and the first part 104a of the insulating layer 104 by a spin coating method or the like, and is thermally cured to form the second portion 104b of the insulating layer 104 ( FIG. 11C).
  • FIG. 11D Next, from one surface 101a side of the substrate 101, exposure is performed with ultraviolet light or the like using a photomask to expose at least a part of both end portions 103b of the plurality of first wiring layers 103 disposed on the one surface 101a.
  • FIG. 11C the arrow drawn in FIG. 11C represents irradiation light.
  • a resist layer 112 is formed in a region where the second wiring layer 106 is to be formed, the resist layer 112 is exposed using a photomask, and then developed to develop a pattern P ′ corresponding to the second wiring layer 106. Form.
  • the upper surface of the insulating layer 104 is exposed at the bottom of the pattern P ′, and both end portions 103 b of the first wiring layer 103 are exposed.
  • the pattern of the resist layer 112 becomes an inverted pattern of the second wiring layer 106.
  • the exposure for forming this pattern P ′ it is necessary to expose the resist at the depths of both the upper surface of the insulating layer 104 and both end portions 103 b of the first wiring layer 103.
  • the distance of the step between the upper surface of the insulating layer 104 and both end portions 103b of the first wiring layer 103 is D2.
  • step difference D2 in the said exposure is called exposure depth.
  • the step D2 is large, and the required exposure depth is relatively deep. For this reason, it is difficult to miniaturize the pattern P ′.
  • the second wiring layer 106 is formed using the pattern P ′.
  • the resist layer 112 is removed to form the second wiring layer 106 having the pattern P ′ and spirally wound around the insulating layer 104.
  • a coil wiring (solenoid coil) to be rotated is formed (FIG. 11F).
  • a protective resin layer 113 is provided as necessary (FIG. 11G).
  • both end portions 103b of the first wiring layer 103 are formed on the one surface 101a of the substrate 101, the exposure depth D2 is relatively deep. For this reason, when the resist layer 112 is used, it becomes difficult to finely process the second wiring layer 106 with high accuracy. If the first part 104a of the insulating layer 104 is thinned to reduce the exposure depth D2, the processing accuracy can be improved. However, the unevenness of the first wiring layer 103 appears on the upper surface of the first part 104a of the insulating layer 104. As a result, the function of the magnetic core 105 may be adversely affected.
  • the magnetic core 105 is off the center of the coil wiring and is too close to the second wiring layer 106 (upper wiring), which may cause a problem in the function of the magnetic sensor element. There is. Therefore, when the coil wiring element 100 is a magnetic sensor element including the magnetic core 105, it is practically impossible to make the exposure depth D2 equal to the exposure depth D1 by reducing the thickness of the insulating layer 104. It is.
  • the present invention can be widely used for magnetic sensor elements.
  • Second Coil wiring H: distance between the substrate and the central portion of the second wiring
  • W bonding portion
  • ⁇ bending portion
  • 7 electrode for magnetic core
  • 10 ... coil wiring element
  • 11 electrode for coil wiring
  • 12 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Resist layer, 13 ... Protective resin part, 101 ... Substrate, 103 ... First wiring layer, 103a ... Central part of the first wiring layer, 103b ... End part of the first wiring layer, 104 ... Insulating layer, 06 ... second wiring layer, the central portion of 106a ... second wiring layer, the end portion of the 106b ... second wiring layer, 112 ... resist layer, 113 ... protective resin layer

Abstract

　本発明のコイル配線素子は、基板（１）上に形成され、中央部（３ａ）及び両端部（３ｂ）を有する複数の第一配線（３）と、前記基板（１）上に形成され、前記複数の第一配線（３）の、各々の前記両端部（３ｂ）を支持する第二樹脂部（２）と、前記複数の第一配線（３）の、各々の前記中央部（３ａ）を覆う第一樹脂部（４）と、前記第一樹脂部（４）の上に形成され、両端部（６ｂ）を有する複数の第二配線（６）と、前記複数の第一配線（３）と前記複数の第二配線（６）とを接合し、前記第二樹脂部（２）によって支持されている接合部（Ｗ）と、前記複数の第一配線（３）の前記両端部（３ａ）と前記複数の第二配線（６）の前記両端部（６ａ）とが順次接合され、前記第一樹脂部（４）に螺旋状に巻き回されたコイル配線と備える。

Description

コイル配線素子およびコイル配線素子の製造方法
　本発明は、コイル配線素子およびコイル配線素子の製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、基板に導体層及び絶縁層が積層されて構成されたコイル配線素子、薄膜プロセスを用いたコイル配線素子の製造方法に関する。
　本願は、２０１１年９月２８日に出願された特願２０１１－２１１７４９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　近年、ポータブルナビゲーションデバイスのみならず、携帯電話又はゲームコントローラ等にも三軸の磁気センサを組み合わせた三軸電子方位計が搭載され始めている。特にナビゲーションシステムとしてのアプリケーションにおいては、位置情報だけでなく方角の情報が必要であるため、地磁気を検出するための磁気センサ素子が用いられている。
　地磁気を検出可能な磁気センサ素子としては、磁気インピーダンス素子又はフラックスゲート素子などが知られている。これらの素子は、外部磁界の変化に応じて起電力を発生するコイルが磁気コアの周囲に巻き回されたソレノイドコイル構造を有する。携帯機器等の小型化・薄型化に対応して磁気センサ素子を小型化・薄型化するために、薄膜プロセス（半導体プロセス）が適用されている。
　従来のフラックスゲート型磁気センサ素子である特許文献１の磁気素子は、基板上に、複数の線状の導体パターンを有する第一配線層、その線状の導体パターンにおける両端部を残して他の部位を覆う絶縁層、絶縁層の両端部に接続された複数の線状の導体パターンを有する第二配線層、を順に積層した構造を有する。この磁気センサ素子が備えるコイルは、第一配線層の線状パターンにおける両端部と第二配線層の線状パターンにおける両端部とが接続されて構成されている。このとき、第一配線層は基板上に形成されており、基板と第一配線層との間に介在する樹脂層は存在しない。
特開平７－１９１１１８号公報
　従来の磁気センサ素子に用いられるコイル配線素子には、次のような問題があった。
　従来のコイル配線素子の形成過程では、先ず、基板上に第一配線層を形成する。その後に絶縁層を介して第二配線層を形成するとともに、第一配線層と第二配線層とを各々の両端部において接合する。その時、第一配線層の表面が清浄でなかったり金属酸化物層が形成されていたりすると、第一配線層と第二配線層とを強固に接合することができない。このため、コイル配線素子が熱変形したり、コイル配線素子に落下衝撃が加わったりすると、第一配線層と第二配線層とが剥離し、電気的接続が損なわれる可能性があった。従来の磁気センサ素子において、第一配線層と第二配線層とが接合する接合部は、特に応力集中し易い箇所であり、構造的な弱点であった。
　また、従来の磁気センサ素子に用いられるコイル配線素子の製造方法には、次のような問題があった。以下に、図１１Ｄ～図１１Ｅを参照して説明する。
　従来のコイル配線素子の製造方法は、先ず、基板１０１上に第一配線層１０３を形成し、そして、第一配線層１０３の中央領域を覆う絶縁層１０４を形成する（図１１Ｄ）。次に、第二配線層１０６を絶縁層１０４上に形成するとともに、第一配線層１０３の端部と第二配線層１０６の端部とを接続させる（図１１Ｆ）。第二配線層１０６を形成する手法としては、一般的なフォトリソグラフィ技術が用いられる。具体的には、まず、第一配線層１０３および絶縁層１０４を被覆するレジスト１１２を形成する。次に、フォトマスクを使用してレジスト層１１２を露光し、レジスト層１１２に第二配線層１０６のパターンＰ’を転写する（図１１Ｅ）。次に、レジスト層１１２を現像処理し、第一配線層１０３および絶縁層１０４上に、パターンＰ’が加工されたレジスト層１１２を形成する。次に、パターニングによって加工されたレジスト層１１２を利用して、レジスト層１１２のパターンが反転された反転パターンを有する金属層を形成する。すると、この反転パターンを有する金属層が、第二配線層１０６となる（図１１Ｆ）。
　前述したレジスト層１１２を露光するときには、絶縁層１０４上に設けられたレジスト層１１２と第一配線層１０３上に設けられたレジスト層１１２を一括で露光し、絶縁層１０４上及び第一配線層１０３上に設けられたレジスト層１１２をパターニングする必要がある。しかしながら、絶縁層１０４と第一配線層１０３との間には高低差があるため（図１１Ｅの矢印Ｄ２で示した段差があるため）、露光する際には露光光源から絶縁層１０４までの距離と露光光源から第一配線層１０３までの距離とが異なり、即ち、露光される位置によって露光光源と露光される部位との距離が異なる。特に、焦点深度（露光深度）の浅い露光装置を用いた場合であれば、絶縁層１０４上の位置と第一配線層１０３上の位置との両方に焦点を結ぶことが困難となる。このため、絶縁層１０４上に形成するレジストパターンと、第一配線層１０３上に形成するレジストパターンとにおいて加工精度が異なる。したがって、微細な第二配線層１０６を精度良く形成することが困難であり、その結果、高密度に巻き回されたコイル配線を形成することが困難であった。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、構造的強度を高めたコイル配線素子の提供、及び配線間隔の微細化が可能なコイル配線素子の製造方法の提供を課題とする。
　本発明の第一態様のコイル配線素子は、基板上に形成され、中央部及び両端部を有する複数の第一配線と、前記基板上に形成され、前記複数の第一配線の、各々の前記両端部を支持する第二樹脂部と、前記複数の第一配線の、各々の前記中央部を覆う第一樹脂部と、前記第一樹脂部の上に形成され、両端部を有する複数の第二配線と、前記複数の第一配線と前記複数の第二配線とを接合し、前記第二樹脂部によって支持されている接合部と、前記複数の第一配線の前記両端部と前記複数の第二配線の前記両端部とが順次接合され、前記第一樹脂部に螺旋状に巻き回されたコイル配線と備える。
　このコイル配線素子には、第一配線の両端部と第二配線の両端部とが接合した接合部と、基板との間に第二樹脂部が設けられている。このため、接合部に応力が加わったとしても、第二樹脂部がクッションの役割を果たし、接合部に加わる応力を抑制する。この結果、接合部を構成する第一配線と第二配線とが剥離する恐れが低減され、信頼性の高いコイル配線素子となる。
　本発明の第一態様のコイル配線素子においては、前記第二樹脂部は、側面を有し、前記側面及び前記側面上に設けられた前記第一配線は、前記コイル配線の中心へ向けて前記基板の一方の面に対して傾斜していることが好ましい。
　この構成によれば、第一配線の両端部の形状をテーパー形状にできる。テーパー形状の両端部において、第二樹脂部を介して基板から応力が伝えられた際、第一配線の両端部が変形してその応力を吸収し易くできる。この結果、第一配線と第二配線とが接合部において破断する恐れが低減され、信頼性の高いコイル配線素子となる。
　本発明の第一態様のコイル配線素子においては、前記第一樹脂部に磁性体が内在されていることが好ましい。
　この構成によれば、コイル配線内の磁性体を磁気コアとして備えた磁気センサ素子を実現することできる。
　本発明の第二態様のコイル配線素子の製造方法は、基板の一方の面上に第二樹脂部を形成し（工程Ａ）、前記基板上に形成され、その両端部が前記第二樹脂部に支持された第一配線を形成し（工程Ｂ）、前記第一配線の中央部を覆う第一樹脂部を形成し（工程Ｃ）、レジストをパターニングするフォトリソグラフィ技術を用いて、前記第一樹脂部上に、前記第一配線の両端部と接続する第二配線を形成する（工程Ｄ）。
　本発明の第二態様のコイル配線素子の製造方法を用いることにより、上述した本発明の第一態様のコイル配線素子を製造することができる。
　このコイル配線素子の製造方法によれば、第一配線の両端部は第二樹脂部によって支持されているため、従来のコイル配線素子よりも第一配線の両端部と第一樹脂部の上面との段差（第一配線の両端部と第二配線の中央部との段差）が低減される。したがって、第二配線をフォトリソグラフィによって形成する際に、この段差を跨ぐようにレジストパターンを容易に形成できるので、第一配線の両端部と第一樹脂部との間に亘って形成される第二配線を、容易に微細化することができる。
　本発明の第一態様のコイル配線素子によれば、第一配線の両端部と第二配線の両端部とが接合した接合部と、基板との間に第二樹脂部が設けられている。このため、接合部に応力が加わったとしても第二樹脂部がクッションの役割を果たし、接合部に加わる応力を抑制する。この結果、接合部を構成する第一配線と第二配線とが剥離する恐れが低減され、信頼性の高いコイル配線素子となる。
　本発明の第二態様のコイル配線素子の製造方法によれば、第一配線の両端部は第二樹脂部によって支持されているため、従来のコイル配線素子よりも第一配線の両端部と第一樹脂部の上面との間の高低差が軽減される。したがって、この高低差を跨ぐようにレジストパターンを容易に形成できるので、第一配線の両端部と第一樹脂部の上面との間に亘って形成される第二配線を、容易に微細化することができる。
本発明の第一実施形態のコイル配線素子１０を示す分解斜視図である。 本発明の第一実施形態のコイル配線素子１０の第一樹脂部４が透明であるかのように上方から透視して図示した透視図である。 図２のＸ－Ｘで示す断面の模式図である。 従来のコイル配線素子１００における、図２のＸ－Ｘの断面に対応する模式図である。 図２のＶ－Ｖで示す模式的な断面図である。 図２のＶＩ－ＶＩで示す模式的な断面図である。 本発明の第一実施形態のコイル配線素子１０における接合部Ｗを含む断面の拡大図である。 従来のコイル配線素子１００の接合部を含む断面の拡大図である。 図２のＶＩＩ－ＶＩＩで示す模式的な断面図である。 本発明の実施形態のコイル配線素子１０の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態のコイル配線素子１０の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態のコイル配線素子１０の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態のコイル配線素子１０の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態のコイル配線素子１０の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態のコイル配線素子１０の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態のコイル配線素子１０の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態のコイル配線素子１０の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態のコイル配線素子１０の製造方法を示す断面図である。 従来のコイル配線素子１００の製造方法を示す断面図である。 従来のコイル配線素子１００の製造方法を示す断面図である。 従来のコイル配線素子１００の製造方法を示す断面図である。 従来のコイル配線素子１００の製造方法を示す断面図である。 従来のコイル配線素子１００の製造方法を示す断面図である。 従来のコイル配線素子１００の製造方法を示す断面図である。 従来のコイル配線素子１００の製造方法を示す断面図である。
　以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
　＜コイル配線素子＞
　図１は、本発明の第一実施形態のコイル配線素子１０を示す分解斜視図である。この分解斜視図においては、基板１、第二樹脂部２、および第一配線３によって構成された要素グループと、第一樹脂部４の第一部４ａ（第一樹脂部４の一部）および磁性体（磁気コア）５によって構成された要素グループと、第一樹脂部４の第二部４ｂ（第一樹脂部４の他部）および第二配線６によって構成された要素グループとに分けて、これらのグループが互いに分離したかのように示されている。図２は、第一樹脂部４が透明であるかのように上方から透視して図示した透視図である。
　コイル配線素子１０は、基板１上に形成された複数の第一配線３（下側配線）と、基板１上に形成され、複数の第一配線３の、各々の両端３ｂを支持する第二樹脂部２と、複数の第一配線３の、各々の配線の中央部３ａを覆う第一樹脂部４と、第一樹脂部４の上に形成された複数の第二配線６（上側配線）とを有する。第一配線３の各々の両端部３ｂと第二配線６の各々の両端部６ｂとが対応するように複数の第一配線３の両端部３ｂと複数の第二配線６の両端部６ｂとは順次接合されており、これによってコイル配線素子１０は、第一樹脂部４に螺旋状に巻き回されたコイル配線を備える。複数の第一配線３と複数の第二配線６とが接合される接合部Ｗは、第二樹脂部２によって支持されている。
　より具体的には、図１に示すように、基板１の両側に位置するように２つの第二樹脂部２が基板１上に設けられている。一方の第二樹脂部２において、第一配線３の第一端３ｂ（両端部３ｂ、下側端部）と、第二配線６の第一端６ｂ（両端部６ｂ、上側端部）とが接合されている。他方の第二樹脂部２において、第一配線３の第二端３ｂ（両端部３ｂ、下側端部）と、第二配線６の第二端６ｂ（両端部６ｂ、上側端部）とが接合されている。
　以下の説明では、第一配線３の両端部３ｂと第二配線６の両端部６ｂとが接合された接合構造について述べている。第一配線３の第一端３ｂと第二配線６の第一端６ｂとが接合され、第一配線３の第二端３ｂと第二配線６の第二端６ｂとが接合されている接合構造について、両端部３ｂと両端部６ｂとが接合されていると称している。また、以下の説明では、両端部を構成する第一端又は第二端を、端部と称する場合もある。
　図１に示すように、第一配線３の両端部３ｂは、第二樹脂部２の上に延設されており、第二樹脂部２によって支持されている。第二樹脂部２は、基板１と第一配線３の両端部３ｂとの間に介在し、両端部３ｂを基板１側から支えている。第二配線６の両端部６ｂは、第一配線３の両端部３ｂの上に延設されている。また、第二樹脂部２上において、第一配線３の両端部３ｂと第二配線６の両端部６ｂとが接合されている。これにより、第一配線３の両端部３ｂと第二配線６の両端部とが接合された接合部Ｗは、第二樹脂部２によって支持されている。複数の第一配線３の両端部３ｂと複数の第二配線６の両端部６ｂとが順次接合されることにより、第一配線３及び第二配線６が順次連結し、第一樹脂部４に螺旋状に巻き回されたコイル配線Ｃ１，Ｃ２が形成されている。
　本実施形態では、コイル配線素子１０は２つのコイル配線Ｃ１，Ｃ２を有する。この構成は図２を参照すると理解し易い。第一のコイル配線Ｃ１は、磁気コア５の中央領域に巻き回されている。第一のコイル配線Ｃ１の両端は、第一樹脂部４の上面に備えられた２つの電極パッド１１にそれぞれ接続されている。第二のコイル配線Ｃ２は、第一のコイル配線Ｃ１の両側を挟むように、磁気コア５に巻き回されている。そして、第一のコイル配線Ｃ１の両側に位置する第二コイル配線Ｃ２同士は、直列に接続されている。第二配線Ｃ２の両端は、第一樹脂部４の上面に備えられた２つの電極パッド７に接続されている。
　この構成であると、第一のコイル配線Ｃ１がピックアップコイルとして機能し、第二のコイル配線Ｃ２が励磁コイルとして機能することによって、コイル配線素子１０をフラックスゲート磁気センサ素子として機能させることができる。なお、第一のコイル配線Ｃ１および第二のコイル配線Ｃ２の巻き数又は配線パターンは、コイル配線素子１０の製造時においてフォトリソグラフィ等の周知の方法によって適宜調整される。
　第一のコイル配線Ｃ１および第二のコイル配線Ｃ２は、何れも、第一配線３の両端部３ｂと第二配線６の両端部６ｂとが、第二樹脂部２の上で順次接合して、第一樹脂部４に螺旋状に巻き回されている。各コイル配線の基本構造は同じであるので、本明細書では特に言及しない限り、各コイル配線を区別せずに単に「コイル配線Ｃ」と呼ぶ。
　以下に、本実施形態のコイル配線Ｃの構成をさらに詳細に説明する。図１に及び図２に示すように、基板１の一方の面（第一面、第二樹脂部２が形成されている面）上において、複数の第一配線３の各々は、略平行に同じ長さで等間隔に配されている。複数の第一配線３の両端部３ｂは、第二樹脂部２の上面２ｄに向けて延びるように、基板１上に設けられた第二樹脂部２の側面２ｃ上に形成され、さらに第二樹脂部２の上面２ｄに乗り上げて設けられている。第二樹脂部２の上面２ｄにおいて、第一配線３の両端部３ｂと、上方から降りるように設けられている第二配線６の両端部６ｂとが接合されている。これにより、第一配線３の両端部３ｂと第二配線６の両端部６ｂとは、第二樹脂部２によって支持されている。
　第二樹脂部２は、複数の第一配線３の中央部３ａの下には配されていないので、複数の第一配線３の中央部３ａは基板１の一方の面上に接している。なお、本実施形態の基板１はシリコン基板であるため、その表面にはＳｉＯ２又はＳｉＮ等の絶縁膜が形成されている。本明細書においては、この絶縁膜は基板１の一部である。
　第一樹脂部４の第二部４ｂ上において、複数の第二配線６の中央部６ａの各々は、略平行に同じ長さで等間隔に配されている。複数の第二配線６の両端部６ｂは、第二樹脂部２の上面２ｄに配置された第一配線３の両端部３ｂの上に配置されて接合されている。
　図３は、図２のＸ－Ｘで示す断面の模式図である。基板１の一方の面１ａ上に第二樹脂部２が配されている。第二樹脂部２上において、第一配線３の両端部３ｂ、第二配線６の両端部６ｂ、が順に積層され、両端部３ｂと両端部６ｂとが接合されている。コイル配線Ｃのうち、両端部３ｂと両端部６ｂとが接合された部分を接合部Ｗと呼ぶ。第一配線３の両端部３ｂと基板１との間には、第二樹脂部２が配されている。第二樹脂部２は、第一配線３の両端部と第二配線６の両端部６ｂが積層され接合した接合部Ｗを支持している。
　図４は、従来のコイル配線素子１００における、図２のＸ－Ｘの断面に対応する模式図である。基板１０１の一方の面１０１ａ上に第一配線１０３の両端部１０３ｂ、第二配線１０６の両端部１０６ｂの順に積層され、両端部１０３ｂと両端部１０６ｂとが接合されている。第一配線１０３の両端部１０３ｂは、基板１０１の一方の面１０１ａに接している。
　図５は、図２のＶ－Ｖで示す模式的な断面図である。基板１の一方の面１ａ上に、第一配線３の中央部３ａ、第一樹脂部４、第二配線６の中央部６ａ、が順に配されている。また、第一配線３と第二配線６との間において、磁気コア５が備えられ、コイル配線Ｃの中心部に磁気コア５が配置されている。つまり、第一樹脂部４に磁性体（磁気コア５）が内在されている。このため、本実施形態のコイル配線素子１０は、磁気コア５に集磁した磁束の変化を検知する磁気センサ素子として機能する。
　図６は、図２のＶＩ－ＶＩで示す模式的な断面図である。第二樹脂部２の互いに対向する二つの側面２ｃは、複数の第一配線３の中央部３ａを挟むように、基板１の一方の面１ａに対して傾斜している。即ち、二つの側面２ｃは、一方の面１ａに対するテーパー形状を有している。側面２ｃが基板１の一方の面１ａとなす角θは約６０度である。側面２ｃ上に設けられた第一配線３（第一傾斜配線）の折れ角（基板１の一方の面１ａに対する第一傾斜配線の角度）は、側面２ｃと面１ａとがなす角θと同じである。
　本発明の第一実施形態において、第二樹脂部２の高さ（厚さ、面１ａから上面２ｄまでの距離）は特に制限されず、基板１の一方の面１ａと第二配線６の中央部６ａとの距離Ｈの１／１０～９／１０が好ましく、１／４～３／４がより好ましく、１／３～２／３がさらに好ましい。
　第二樹脂部２の高さが上記範囲であると、第一配線３の両端部３ｂを、第二樹脂部２を介して基板１から充分に離すことができ、接合部Ｗへ加わる応力をより一層低減できる。
　本発明の第一実施形態において、側面２ｃと面１ａとがなす角θ及び側面２ｃ上に設けられた第一配線３の折れ角は特に制限されず、例えば、１０～８０度が好ましく、２０～７０度がより好ましく、３０～６０度がさらに好ましい。本実施形態では、側面２ｃと面１ａとがなす角θは６０度である。
　側面２ｃと面１ａとがなす角θが上記範囲であると、９０度である場合と比べて、第一配線３の屈曲部αにおいて第一配線３は緩やかに屈曲する。このため、第一配線３の屈曲部αおよび接合部Ｗの構造強度を高められる。つまり、基板１が変形して第一配線３の屈曲部αに応力が加わった場合でも、屈曲部αが基板の変形に追随して変形し易いので、第一配線３が屈曲部αにおいて破断したり、接合部Ｗが層間剥離して断線したりすることを防止できる。
　図７に、接合部Ｗを含む断面を拡大して示す。本発明の第一実施形態にかかるコイル配線素子１０では、第二樹脂部２の側面２ｃおよび側面２ｃ上に設けられた第一配線３（第一傾斜配線）が、コイル配線Ｃの中心へ向けて延在するように基板１の一方の面１ａに対して傾斜している。言い換えると、第二樹脂部２の側面２ｃおよび側面２ｃ上に設けられた第一配線３の第一傾斜配線が、コイル配線Ｃの中心軸に直交する直線Ｌ（該直線Ｌは、基板１の一方の面１ａの垂線である。）に傾斜する方向に沿って傾斜している。ここで、第二樹脂部２の側面２ｃおよび該側面２ｃ上に設けられた第一配線３の第一傾斜配線が、基板１の一方の面１ａに対してなす角はθである。この結果、コイル配線素子１０では、コイル配線Ｃの一巻きにおける配線長が、従来のコイル配線と比べて短くなっている。以下に、より詳しく説明する。
　本発明の第一実施形態にかかるコイル配線Ｃでは、第二配線６の中央部６ａから第一樹脂部４の傾斜面に沿って接合部Ｗへ降りてくる配線（第二傾斜配線、端部６ｂ）が、基板１に達する前に、第二樹脂部２の上面２ｄにおいて第一配線３の端部３ｂに接合している。この結果、第一配線３及び第二配線６によって構成されたコイル配線Ｃの経路においては、接合部Ｗにてコイル配線Ｃがその中心に向けて屈曲し、コイル配線Ｃは第一配線３の中央部３ａへ降りている。この経路（図７の矢印で示した経路）であると、接合部Ｗで配線が傾斜する方向が変更されているため、傾斜方向が変更されていない配線構造と比較して、配線経路が近道となるので、配線長（経路長）が全体として短くなる。更に、コイル配線の巻き数が多くなるほど、従来のコイル配線と比べて全体の配線長が格段に短くなる。配線長が短くなることによって、コイル配線を流れる電流によるジュール熱の発生量を低減できる。
　従来のコイル配線素子１００の接合部を含む断面を拡大して図８に示す。第二配線１０６の中央部１０６ａから接合部へ降りてくる配線（両端部１０６ｂ）は、基板１に達して、第一配線１０３の両端部１０３ｂに接合し、基板１の表面に沿ってコイル配線素子１００の中心に向けて折り返すように形成されている。この経路（図８の矢印で示した経路）であると、第二配線１０６の傾斜している配線部分（端部１０６ｂ）が、コイル配線の中心から離れる方向に延びているため遠回りの配線経路となるので、配線長（経路長）が全体として長くなる。
　図９は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩで示す模式的な断面図である。磁気コア５は第一樹脂部４に内在している。第一樹脂部４の第一部４ａは、対向する２つの第二樹脂部２に挟まれている。
　本実施形態においては、コイル配線Ｃ（ソレノイドコイル）に接続された電極１１および電極７が第一樹脂部４の上に設けられているので、これら電極７，１１への導通を確保する開口部を形成する必要がある。なお、第一樹脂部４および第二配線６の上の所望の箇所に、任意に保護樹脂部（不図示）を形成してもよい。コイル配線Ｃの上側配線となる第二配線６を保護することによって、外部からコイル配線Ｃへ悪影響を与えることを防止できる。保護樹脂層は、例えば、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、シリコーンなどの樹脂によって形成できる。なお、図１に示すように、第一樹脂部４には、接合部Ｗの周囲に開口部Ａが形成されているが、必ずしも開口部Ａが形成されている必要は無い。第一樹脂部４の接合部Ｗ周辺の形状は、第一樹脂部４が、第一配線３の両端部３ｂと第二配線６の両端部６ｂとの接合を妨げる形状でなければ特に制限されない。
　本発明において基板１の材料は特に制限されず、例えば、シリコン等の半導体、石英ガラス等のガラス、セラミックス、プラスチック（樹脂）等が用いられる。また、硬質なプリント基板、あるいはフレキシブルプリント基板であってもよい。当該基板１の厚さは特に制限されない。コイル配線素子１０を磁気センサ素子として用いる場合、基板１は非磁性体であることが好ましい。
　コイル配線Ｃ、導電層８、導体９を構成する材料は特に制限されず、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などの一般的な配線に用いられる金属が用いられる。また、コイル配線Ｃ用の電極パッド７，１１を構成する材料は特に制限されず、アルミニウム、ゲルマニウム等の一般的な材料が適用できる。
　コイル配線Ｃの配線幅としては、例えば、１．０μｍ～５．０μｍとすることができる。
　コイル配線Ｃの巻き数は、コイル配線素子の用途に応じて適宜設定される。コイル配線Ｃの用途が磁気センサ素子である場合、巻き数が多いほどセンサ感度が向上するので、巻き数が多いほど好ましく、例えば、コイル配線素子のサイズ、コイル配線の線幅、又は配線間の距離を調整することで３０～２００巻きとすることができる。また、コイル配線Ｃの配線長としては、例えば、４００μｍ～１６００μｍとすることができる。
　基板１の一方の面１ａと第二配線６の中央部６ａとの距離Ｈは特に制限されず、例えば、５μｍ～２５μｍとすることができる。また、対向する第二樹脂部２間の距離（向かい合う第二樹脂部２の側面２ｃ間の距離）は特に制限されず、例えば、１００μｍ～３００μｍとすることができる。
　本実施形態において、コイル配線素子１０の第一樹脂部４に、磁気コア５が内在された構成が採用されている。本発明の実施形態にかかるコイル配線素素子を磁気センサ素子として用いる場合、コイル配線Ｃ内に配置する磁性体の形状は特に制限されず、公知の形状の磁気コアが用いられる。
　磁気コア５としては、軟磁性体からなる薄膜に、一軸異方性を付与した構造が好ましく用いられる。軟磁性体としては、例えば、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒ等に代表される零磁歪のＣｏ系アモルファス膜、ＮｉＦｅ合金、又はＣｏＦｅ合金などが好ましい。
　磁気コア５の厚さとしては、例えば、０．５μｍ～２．０μｍとすることができる。
　＜コイル配線素子の製造方法＞
　本発明のコイル配線素子の製造方法を、前述のコイル配線素子１０を例として説明する。
［工程Ａ］
　工程Ａは、基板１の一方の面１ａ上に、第二樹脂部２を設ける工程である。基板１にはガラス基板、セラミックス基板、樹脂製のリジッド基板、フレキシブルプリント基板などを適用することができる。
　まず、シリコン基板１の一方の面１ａにＳｉＯ２の絶縁膜をＣＶＤ法等によって形成する。あるいは、既にＳｉＯ２の絶縁膜が形成されたシリコン基板を用いてもよい。その上に、スピンコート法等によりポリイミド等の感光性樹脂を塗布して、フォトリソグラフィによりパターニングされた第二樹脂部２を形成する（図１０Ａ）。次に、第二樹脂部２をベーキングし、熱硬化させる。第二樹脂部２の側面２ｃと一方の面１ａとがなす角θを調整するように、側面２ｃを傾斜させることができる。この角θを調整する方法としては、前記ベーキングの時間を調整する方法、フォトリソグラフィにおける露光量又は現像時間を調整する方法、第二樹脂部２の厚さを調整する方法などの公知の方法が用いられる。具体的な条件は、第二樹脂部の材料によって適宜調整される。
［工程Ｂ］
　工程Ｂは、第一配線３の中央部３ａが基板１の一方の面１ａ上に配され、該第一配線３の両端部３ｂが第二樹脂部２上に配されるように、具体的に、第二樹脂部２の上面２ｄ上に端部３ｂが形成され、側面２ｃ上に第一傾斜配線が形成されるように、複数の第一配線３を設ける工程である。
　工程Ａで得られた基板１の一方の面１ａ上、第二樹脂部２の側面２ｃ上、並びに第二樹脂部２の上面２ｄ上に、スパッタ法によりＴｉ、Ｃｒ、ＴｉＷ等のバリアメタル層を成膜し、さらにＣｕをスパッタにより成膜する。つづいて、フォトリソグラフィにより、第一配線３のパターンに対応するレジストパターンを形成し（不図示）、ウェットエッチングにより配線パターンを形成する（図１０Ｂ）。配線パターンを形成する別の方法として、スパッタ膜をシード層として用い、電解めっき法により第一配線３を形成してもよい。
　第一配線３の厚さは特に制限されないが、後で形成する磁気コア５の設置箇所に第一配線３の凹凸が現れてしまうと、磁気コア５の機能に悪影響を与える恐れがある。これを避けるためには、第一配線３の厚さを、例えば、０．２μｍ～２μｍとすればよい。
［工程Ｃ］
　工程Ｃは、第一配線３の上に、第一樹脂部４を設ける工程である。ここでは、第一樹脂部４を第一部４ａと第二部４ｂとに分けて形成する方法を例示する。
　複数の第一配線３の中央部３ａ上及び複数の第一配線３の間を充填するように、スピンコート法等により感光性樹脂を塗布し、熱硬化させることによって、第一樹脂部４の第一部４ａを形成する（図１０Ｃ）。
　本実施形態では、第一樹脂部４の第一部４ａの厚さが第二樹脂部２の厚さと同じになるように、第一配線３の両端部３ｂが第一樹脂部４の第一部４ａによって覆われないように第一部４ａを形成している。ただし、必ずしもこのような厚さを有するように第一部４ａを形成する必要はない。第一部４ａの厚さは、第一配線３の中央部３ａの凹凸が第一樹脂部４の第一部４ａの表面に現れない程度の厚さとすればよく、例えば、第一配線３の厚さの２倍以上の厚さにすればよい。
　つぎに、磁気コア５となる軟磁性体膜をスパッタ法により第一部４ａ上に成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチングによって所望の形状を有するように磁気コア５をパターニングする（図１０Ｄ）。
　軟磁性膜を構成する材料が、Ｃｏ系アモルファス膜、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金等のエッチングが比較的難しい金属である場合、レジストを形成した後に軟磁性膜をスパッタで形成し、前記レジストを除去することによって所望のパターンを形成するリフトオフ法が用いられる。また、レジストフレームを用いた電解めっき法により、ＮｉＦｅ合金又はＣｏＦｅ合金を所望の形状を有する磁気コア５として成膜することができる。
　磁気コア５となる軟磁性膜を成膜した後に、成膜時に付与された不均一な一軸異方性を除去して、均一な誘導磁気異方性を付与するための、回転磁場熱中処理又は静磁場中熱処理を行うことが好ましい。
　続いて、磁気コア５、第一樹脂部４の第一部４ａ、第一配線３の両端部３ｂ、及び第二樹脂部２の上面２ｄの上に、感光性樹脂をスピンコート法等により塗布する（図１０Ｅ）。その後、フォトリソグラフィ技術によってパターニングし、および熱硬化させることによって、第一樹脂部４の第二部４ｂを形成する（図１０Ｆ）。図１０Ｅにおける矢印は、感光性樹脂を感光させるための紫外線等による露光を表す。該露光において、フォトマスクを用いることにより、所望の領域のみを感光させることができる。
　第一樹脂部４の第二部４ｂの厚さは特に制限されない。この厚さを調整することによって、第一樹脂部４上に後で形成する第二配線６の中央部６ａと基板１の一方の面１ａとの距離Ｈを調整できる。
　本実施形態では、コイル配線素子１０を磁気センサ素子として機能させるために磁気コア５を形成しているが、コイル配線素子１０を他の用途に用いる場合は、磁気コア５を形成する必要はない。この場合、第一樹脂部４を第一部４ａと第二部４ｂとに分けて形成する必要は無いので、第一配線３の形成後、第一樹脂部４を所望の厚さで形成すればよい。
［工程Ｄ］
　工程Ｄは、第一樹脂部４の上に、第一配線３の両端部３ｂと接続する第二配線６を形成する工程である。工程Ｄでは、第一配線３と第一樹脂部４とを覆うレジスト層１２を形成し、そのレジスト層１２をフォトリソグラフィ技術によりパターニングする。そして、パターニングされたレジスト層１２を利用して、レジスト層１２のパターンが反転された反転パターンを有する第二配線６を形成することができる。
　第二配線６を形成するためのフォトリソグラフィ技術について、図１０Ｇを参照して、さらに詳述する。まず、第二配線６を形成する領域にレジスト層１２を形成し、フォトマスクを用いて該レジスト層１２を露光した後、露光されたレジスト層１２を現像して第二配線６に対応するパターンＰを形成する。パターンＰの底部には第一樹脂部４の上面が露出し、さらに第一配線３の両端部３ｂが露出されている。レジスト層１２内に第二配線６に対応するパターンＰを形成すると、レジスト層１２のパターンは第二配線６の反転パターンとなる。
　このパターンＰを形成するための露光は、第一樹脂部４の上面と第一配線３の両端部３ｂとの両方の深さにおいてレジストを感光させる必要がある。第一樹脂部４の上面と第一配線３の両端部３ｂの段差の距離はＤ１である。ここで、前記露光における段差Ｄ１を露光深度と呼ぶ。本発明の製造方法においては、第二樹脂部２が形成されているので、段差Ｄ１が従来のコイル配線よりも小さくなっており、要求される露光深度が比較的浅い。このため、パターンＰを従来のコイル配線よりも微細化することが可能となる。
　次に、パターンＰを用いて第二配線６を形成する。例えば、スパッタ法等によりパターンＰの底面に露出した第一配線３の両端部３ｂおよび第一樹脂４の上面に、Ｔｉ，Ｃｒ，ＴｉＷ等のバリアメタル層を形成する。続いて、Ｃｕの電解めっき法等によりＣｕを成膜した後、レジスト層１２を除去することによって、パターンＰを有する第二配線６を形成できる。この際、第二配線６の両端部６ｂは第一配線３の両端部３ｂに順次接合されて、第一樹脂部４に巻き回されたコイル配線Ｃが形成される（図１０Ｈ）。なお、ここではスパッタ法およびＣｕの電解めっき法を用いた場合を説明したが、公知の他の金属製膜法も、同様に適用できる。
　このように、レジスト層１２を用いて第二配線６に対応するパターンＰを形成し、そのパターンＰを利用したフォトリソグラフィ技術によって第二配線６を形成することができる。
　本発明の実施形態にかかるコイル配線素子の製造方法では、第二樹脂部２上に第一配線３の両端部３ｂが形成されているので、第一配線３と第一樹脂部４との間の高低差が比較的小さくなっている。このため、第一配線３上と第一樹脂部４上に、フォトリソグラフィ技術を用いて微細なレジストパターンを容易に形成することができる。したがって、第一配線３と第一樹脂部４との間に亘って、微細な第二配線６を容易に形成することができる。
　最後に、第二配線６を形成した後、必要に応じて第二配線６を覆う保護樹脂部１３を形成する（図１０Ｉ）。
　＜従来のコイル配線の製造方法＞
　従来のコイル配線の製造方法として、従来のコイル配線素子１００の製造方法を以下に説明する。
　まず、シリコン基板１００の一方の面１０１ａにＳｉＯ２の絶縁膜をＣＶＤ法等によって形成する（不図示）。その上に、スパッタ法によりＴｉ、Ｃｒ、ＴｉＷ等のバリアメタル層を成膜し、さらにＣｕをスパッタにより成膜する。つづいて、フォトリソグラフィにより、第一配線層１０３のパターンに対応するレジストパターンを形成し、ウェットエッチングにより配線パターンを形成する（図１１Ａ）。
　次に、第一配線層１０３及び第一配線層１０３の間を充填するように、スピンコート法等により感光性樹脂を塗布し、熱硬化させることによって、絶縁層１０４の第一部１０４ａを形成する。さらに、磁気コア１０５となる軟磁性体膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチング又はレジストを用いたリフトオフ法によって所望の形状にパターニングする（図１１Ｂ）。
　続いて、磁気コア１０５および絶縁層１０４の第一部１０４ａの上に、感光性樹脂をスピンコート法等により塗布して、熱硬化させることによって、絶縁層１０４の第二部１０４ｂを形成する（図１１Ｃ）。
　次に、基板１０１の一方の面１０１ａ側から、フォトマスクを用いて紫外線等で露光して、一方の面１０１ａ上に配された複数の第一配線層１０３の両端部１０３ｂの少なくとも一部分を露出させる（図１１Ｄ）。なお、図１１Ｃに描いた矢印は照射光を表す。
　続いて、第二配線層１０６を形成する領域にレジスト層１１２を形成し、フォトマスクを用いて該レジスト層１１２を露光した後、これを現像して第二配線層１０６に対応するパターンＰ’を形成する。パターンＰ’の底部には絶縁層１０４の上面が露出し、さらに第一配線層１０３の両端部１０３ｂが露出されている。レジスト層１１２内に第二配線層１０６のパターンＰ’を形成すると、レジスト層１１２のパターンは第二配線層１０６の反転パターンとなる。
　このパターンＰ’を形成するための露光は、絶縁層１０４の上面と第一配線層１０３の両端部１０３ｂとの両方の深さにおいてレジストを感光させる必要がある。絶縁層１０４の上面と第一配線層１０３の両端部１０３ｂの段差の距離はＤ２である。ここで、前記露光における段差Ｄ２を露光深度と呼ぶ。従来の製造方法においては、段差Ｄ２が大きくなっており、要求される露光深度が比較的深い。このため、パターンＰ’を微細化することが困難である。
　次に、パターンＰ’を用いて第二配線層１０６を形成する。例えば、スパッタ法及びＣｕの電解めっき法等によりＣｕを成膜した後、レジスト層１１２を除去することによって、パターンＰ’を有する第二配線層１０６を形成し、絶縁層１０４に螺旋状に巻き回されるコイル配線（ソレノイドコイル）を形成する（図１１Ｆ）。最後に、必要に応じて保護樹脂層１１３を設ける（図１１Ｇ）。
　ここに示した従来の製造方法では、第一配線層１０３の両端部１０３ｂが基板１０１の一方の面１０１ａ上に形成されているので、露光深度Ｄ２が比較的深くなっている。このため、レジスト層１１２を用いる場合、第二配線層１０６を精度良く微細加工することが困難となる。露光深度Ｄ２を浅くするために、絶縁層１０４の第一部１０４ａを薄くすれば、加工精度を向上させられるが、第一配線層１０３の凹凸が絶縁層１０４の第一部１０４ａの上面に現れてしまい、磁気コア１０５の機能に悪影響を与える恐れがある。また、絶縁層１０４の第二部１０４ｂを薄くすると、磁気コア１０５がコイル配線の中心から外れて第二配線層１０６（上側配線）に近づき過ぎるので、磁気センサ素子の機能に問題が生じる可能性がある。したがって、コイル配線素子１００が磁気コア１０５を備えた磁気センサ素子である場合、絶縁層１０４の厚さを薄くすることによって、露光深度Ｄ２を前述の露光深度Ｄ１に等しくすることは事実上不可能である。
　本発明は、磁気センサ素子に広く利用可能である。
　１…基板、１ａ…基板の一方の面、２…第二樹脂部、２ｃ…第二樹脂部の側面、２ｄ…第二樹脂部の上面、３…第一配線、３ａ…第一配線の中央部、３ｂ…第一配線の端部、４…第一樹脂部、４ａ…第一樹脂部の一部（第一部）、４ｂ…第一樹脂部の他部（第二部）、５…磁気コア、６…第二配線、６ａ…第二配線の中央部、６ｂ…第二配線の端部、Ａ…開口部、Ｃ…コイル配線、Ｃ１…第一のコイル配線、Ｃ２…第二のコイル配線、Ｈ…基板と第二配線の中央部との距離、Ｗ…接合部、α…屈曲部、７…磁気コア用の電極、１０…コイル配線素子、１１…コイル配線用の電極、１２…レジスト層、１３…保護樹脂部、１０１…基板、１０３…第一配線層、１０３ａ…第一配線層の中央部、１０３ｂ…第一配線層の端部、１０４…絶縁層、１０６…第二配線層、１０６ａ…第二配線層の中央部、１０６ｂ…第二配線層の端部、１１２…レジスト層、１１３…保護樹脂層

Claims (4)

  1. 　コイル配線素子であって、
    　基板上に形成され、中央部及び両端部を有する複数の第一配線と、
    　前記基板上に形成され、前記複数の第一配線の、各々の前記両端部を支持する第二樹脂部と、
    　前記複数の第一配線の、各々の前記中央部を覆う第一樹脂部と、
    　前記第一樹脂部の上に形成され、両端部を有する複数の第二配線と、
    　前記複数の第一配線と前記複数の第二配線とを接合し、前記第二樹脂部によって支持されている接合部と、
    　前記複数の第一配線の前記両端部と前記複数の第二配線の前記両端部とが順次接合され、前記第一樹脂部に螺旋状に巻き回されたコイル配線と
    　備えることを特徴とするコイル配線素子。
  2. 　請求項１に記載のコイル配線素子であって、
    　前記第二樹脂部は、側面を有し、
    　前記側面及び前記側面上に設けられた前記第一配線は、前記コイル配線の中心へ向けて前記基板の一方の面に対して傾斜している
    　ことを特徴とするコイル配線素子。
  3. 　請求項１又は請求項２に記載のコイル配線素子であって、
    　前記第一樹脂部に磁性体が内在されている
    　ことを特徴とするコイル配線素子。
  4. 　コイル配線素子の製造方法であって、
    　基板の一方の面上に第二樹脂部を形成し、
    　前記基板上に形成され、その両端部が前記第二樹脂部に支持された第一配線を形成し、
    　前記第一配線の中央部を覆う第一樹脂部を形成し、
    　レジストをパターニングするフォトリソグラフィ技術を用いて、前記第一樹脂部上に、前記第一配線の両端部と接続する第二配線を形成する
    　ことを特徴とするコイル配線素子の製造方法。
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