JP2007333721A - 磁気センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体回路11は、半導体基板13と、この半導体基板13中に埋め込まれた複数のホール素子14a,14bから構成されている。ポリイミド層15は、半導体回路11上に設けられている。磁気収束板12は、ポリイミド層15上に設けられた第1の金属膜16aを介して、その上に設けられた第2の金属膜16b上で、かつホール素子14a,14bの上方に配置されるように設けられている。複数のホール素子の感磁面の中心位置が、磁気収束板の中心位置から半径距離の0.58〜0.92倍の領域内に位置するようにしたので、磁気収束板の直径変動や水平面内の位置ずれに対して、X軸・Y軸の感度とZ軸の感度のバラツキを低減させ、感度バランスを良好になる。
【選択図】図2
Description
図2は、本発明に係る磁気センサの一実施例を説明するための構成図で、図中符号11は半導体回路、12は磁気収束板、13は半導体基板、14a,14bはホール素子、15はポリイミド層(保護層)、16は下地金属層を示している。
2 磁気収束板
3 半導体基板
4a,4b ホール素子
5 保護層
6 接着層
11 半導体回路
12 磁気収束板
13 半導体基板
14a,14b ホール素子
15 ポリイミド層(保護層)
16 下地金属層
16a 第1の金属膜
16b 第2の金属膜
17 IC配線層
18 フォトレジスト
18a 空隙部
Claims (8)
- 複数のホール素子が設けられた半導体回路と、該半導体回路上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備えた磁気センサにおいて、
前記半導体回路上に、前記複数のホール素子の領域を覆うように設けられた中間層と、
該中間層上に設けられた円形状の磁気増幅機能を有する磁性体と
を備え、前記複数のホール素子の感磁面の中心位置が、前記磁性体の中心位置から半径距離の0.58〜0.92倍の領域内に位置していることを特徴とする磁気センサ。 - 前記中間層が、ポリイミド層と、該ポリイミド層上に設けられたTiW及びCuからなる下地金属層とからなることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記磁性体が、電解めっきにより形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気センサ。
- 複数のホール素子が設けられた半導体回路と、該半導体回路上に設けられた磁気増幅機能を有する円形状の磁性体とを備えた磁気センサの製造方法において、
半導体基板の表面に前記複数のホール素子を埋め込み形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記複数のホール素子の領域を覆うようにポリイミド層を形成する工程と、
該ポリイミド層上に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に、前記複数のホール素子上が空隙部となるようにレジストパターンニングによりレジストを形成する工程と、
前記下地金属層上の前記空隙部に前記磁気増幅機能を有する磁性体を形成する工程と
を有し、前記複数のホール素子の感磁面の各中心位置が、前記磁性体の中心位置から半径距離の0.58〜0.92倍の領域内に位置するように形成することを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記下地金属層が、TiWとCuからなることを特徴とする請求項4に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記下地金属層をスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項4又は5に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記レジストパターンニングをフォトリソグラフィーにより形成することを特徴とする請求項4,5又は6に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記磁性体を電解めっきにより形成することを特徴とする請求項4乃至7のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2075784A1 (en) | 2007-12-26 | 2009-07-01 | Sony Corporation | Display device, method for driving same, and electronic apparatus |
JP2014006127A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 多軸磁気センサ、および、その製造方法 |
KR101768254B1 (ko) * | 2013-06-12 | 2017-08-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 기반의 자기 센서 및 그 제조 방법 |
JP2017166927A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 磁気センサおよびその製造方法 |
JP2017166926A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 磁気センサおよびその製造方法 |
JP2018054477A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 |
JP2021071488A (ja) * | 2021-01-05 | 2021-05-06 | エイブリック株式会社 | 磁気センサ |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04113684A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高感度ホール素子 |
JP2000228003A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果センサ及び該センサの製造方法 |
JP2002071381A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-03-08 | Sentron Ag | 磁場方向検出センサ |
JP2003142752A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Asahi Kasei Corp | 磁気センサの製造方法 |
JP2003294818A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-15 | Asahi Kasei Corp | 磁気センサおよびその製造方法 |
JP2004061380A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 |
JP2004158668A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Asahi Kasei Corp | ハイブリッド磁気センサ及びその製造方法 |
JP2004257995A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 3次元磁気検出装置および半導体装置 |
JP2005534913A (ja) * | 2002-08-01 | 2005-11-17 | セントロン エージー | 磁場センサ−と磁場センサ−の操作方法 |
-
2006
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04113684A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高感度ホール素子 |
JP2000228003A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果センサ及び該センサの製造方法 |
JP2002071381A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-03-08 | Sentron Ag | 磁場方向検出センサ |
JP2003142752A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Asahi Kasei Corp | 磁気センサの製造方法 |
JP2003294818A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-15 | Asahi Kasei Corp | 磁気センサおよびその製造方法 |
JP2004061380A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 |
JP2005534913A (ja) * | 2002-08-01 | 2005-11-17 | セントロン エージー | 磁場センサ−と磁場センサ−の操作方法 |
JP2004158668A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Asahi Kasei Corp | ハイブリッド磁気センサ及びその製造方法 |
JP2004257995A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 3次元磁気検出装置および半導体装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2075784A1 (en) | 2007-12-26 | 2009-07-01 | Sony Corporation | Display device, method for driving same, and electronic apparatus |
JP2014006127A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 多軸磁気センサ、および、その製造方法 |
KR101768254B1 (ko) * | 2013-06-12 | 2017-08-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 기반의 자기 센서 및 그 제조 방법 |
JP2017166927A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 磁気センサおよびその製造方法 |
JP2017166926A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 磁気センサおよびその製造方法 |
CN107192969A (zh) * | 2016-03-15 | 2017-09-22 | 精工半导体有限公司 | 磁传感器及其制造方法 |
JP2018054477A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 |
JP2021071488A (ja) * | 2021-01-05 | 2021-05-06 | エイブリック株式会社 | 磁気センサ |
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