JP4903543B2

JP4903543B2 - 磁気センサ及びその製造方法

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Publication number: JP4903543B2
Application number: JP2006328280A
Authority: JP
Inventors: 曜山縣; 誠片岡
Original assignee: Asahi Kasei EMD Corp
Current assignee: Asahi Kasei EMD Corp
Priority date: 2006-05-18
Filing date: 2006-12-05
Publication date: 2012-03-28
Anticipated expiration: 2026-12-05
Also published as: JP2007333721A

Description

本発明は、磁気センサ及びその製造方法に関し、より詳細には、ホール素子と磁気増幅機能を有する磁性体とを備え、ホール素子の感磁面の中心位置を磁性体の端部から所定の距離だけ内側に配置された磁気センサ及びその製造方法に関する。

従来から、ホール素子と磁気増幅機能を有する磁性体（磁気収束板）とを組み合わせた磁気センサは知られている。図１は、従来の磁気センサを説明するための構成図である。半導体回路１は、半導体基板３とこの半導体基板３に設けられたホール素子４ａ，４ｂからなり、この半導体回路１上には保護層５と接着層６が順次設けられ、さらにその上に磁気収束板２が設けられている。

この種の磁気センサに用いられる磁気収束板を作製するためには、通常、磁性体テープが用いられている。つまり、半導体プロセスによって形成されたホール素子と集積回路上にエポキシ接着剤を塗布し、磁性体テープをこのエポキシ接着剤上に搭載して、３次元の方向を検出する磁気センサを実現していた。この磁気収束板は、厚い磁性体テープをウエットエッチングで加工して作製していた。この場合に、ホール素子の感磁面の中心位置を磁気収束板の円周縁付近に配置するように作製されていた。

なお、ホール素子と磁気増幅機能を有する磁性体（磁気収束板）とを組み合わせた磁気センサに関する特許文献としては、以下のものがある。例えば、特許文献１に記載のものは、磁場の方向を２次元で決定できるようにした磁場方向検出センサに関するもので、平らな形状を有する磁気収束板と、第１のホール効果素子及び第２のホール効果素子とを備え、これらのホール効果素子が磁気収束板の端部領域に配置してなるものである。

また、特許文献２に記載のものは、磁気増幅機能を有する磁気収束板を備え、その磁気収束板の端部より漏れる磁束を半導体ホール素子により検出する磁気センサに関するもので、半導体ホール素子を形成した後、電解鍍金により軟磁性薄膜を堆積して磁気収束板を形成するようにしたもので、スパッタリングにより第１の金属膜であるＴｉ薄膜を堆積させた後、第２の金属膜であるＮｉ−Ｆｅ合金薄膜を堆積させたもので、２層構造を有しており、第１の金属層であるＴｉ薄膜は、下地絶縁層とＮｉ−Ｆｅ合金薄膜の密着性を上げるためのものである。

特開２００２−７１３８１号公報特開２００３−１４２７５２号公報

しかしながら、図１に示した磁気センサにおいて、ホール素子の感磁面の中心位置を磁気収束板の円周縁付近に配置してあるので、磁気収束板の直径変動や水平面内の位置ずれに対して、Ｘ軸・Ｙ軸の感度のバラツキが大きくなり、Ｘ軸・Ｙ軸の感度とＺ軸の感度のバランスが悪くなるという問題があった。

なお、上述した特許文献１においては、ホール素子の感磁面の中心位置を磁気収束板の端部領域に配置してあるもので、特許文献２においては、ホール素子の感磁面の中心位置と磁気収束板の端部との関係については言及されていない。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、ホール素子と磁気増幅機能を有する磁性体とを組み合わせ、ホール素子の感磁面の中心位置を磁性体の端部から所定の距離だけ内側に配置されて、Ｘ軸・Ｙ軸の感度変動とＺ軸の感度変動を制御した２次元又は３次元磁気センサの提供、そしてＸ軸・Ｙ軸の感度とＺ軸の感度とのバランスを良好にした３次元磁気センサ及びこれらの製造方法を提供することにある。

本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、複数のホール素子が設けられた半導体回路と、該半導体回路上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備えた磁気センサにおいて、前記半導体回路上に、前記複数のホール素子の領域を覆うように設けられた中間層と、該中間層上に設けられた円形状の磁気増幅機能を有する磁性体とを備え、前記磁性体の中心位置から前記複数のホール素子の感磁面の中心位置までの距離と、前記磁性体の中心位置からの半径距離との比が８７：１１５〜８７：１２０であり、前記複数のホール素子の感磁面と前記磁性体の底面との距離が１０μｍ以上２０μｍ以下であり、前記磁性体の厚みが１５μｍ以上であることを特徴とする。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記中間層が、ポリイミド層と、該ポリイミド層上に設けられたＴｉＷ及びＣｕからなる下地金属層とからなることを特徴とする。

また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記磁性体が、電解めっきにより形成されていることを特徴とする。

また、請求項４に記載の発明は、複数のホール素子が設けられた半導体回路と、該半導体回路上に設けられた磁気増幅機能を有する円形状の磁性体とを備えた磁気センサの製造方法において、半導体基板の表面に前記複数のホール素子を埋め込み形成する工程と、前記半導体基板上に、前記複数のホール素子の領域を覆うようにポリイミド層を形成する工程と、該ポリイミド層上に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上に、前記複数のホール素子上が空隙部となるようにレジストパターンニングによりレジストを形成する工程と、前記下地金属層上の前記空隙部に前記磁気増幅機能を有する磁性体を形成する工程とを有し、前記磁性体の中心位置から前記複数のホール素子の感磁面の各中心位置までの距離と、前記磁性体の中心位置からの半径距離との比が８７：１１５〜８７：１２０であり、前記複数のホール素子の感磁面と前記磁性体の底面との距離が１０μｍ以上２０μｍ以下であり、前記磁性体の厚みが１５μｍ以上であることを特徴とする。

また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記下地金属層が、ＴｉＷとＣｕからなることを特徴とする。

また、請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載の発明において、前記下地金属層をスパッタリング法により形成することを特徴とする。

また、請求項７に記載の発明は、請求項４，５又は６に記載の発明において、前記レジストパターンニングをフォトリソグラフィーにより形成することを特徴とする。

また、請求項８に記載の発明は、請求項４乃至７のいずれかに記載の発明において、前記磁性体を電解めっきにより形成することを特徴とする。

本発明によれば、半前記半導体回路上に、複数のホール素子の領域を覆うように設けられた中間層と、この中間層上に設けられた円形状の磁気増幅機能を有する磁性体とを備え、磁性体の中心位置から複数のホール素子の感磁面の中心位置までの距離と、磁性体の中心位置からの半径距離との比が８７：１１５〜８７：１２０であり、複数のホール素子の感磁面と磁性体の底面との距離が１０μｍ以上２０μｍ以下であり、磁性体の厚みが１５μｍ以上であるので、磁気収束板の直径変動や水平面内の位置ずれに対して、Ｘ軸・Ｙ軸の感度のバラツキが小さくなり、Ｘ軸・Ｙ軸の感度とＺ軸の感度とのバランスを良好にした磁気センサを実現できるという効果を奏する。

以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図２は、本発明に係る磁気センサの一実施例を説明するための構成図で、図中符号１１は半導体回路、１２は磁気収束板、１３は半導体基板、１４ａ，１４ｂはホール素子、１５はポリイミド層（保護層）、１６は下地金属層を示している。

本発明の磁気センサは、ホール素子１４ａ，１４ｂが形成された半導体回路１１と磁気収束板１２とを組み合わせたものである。半導体回路１１は、半導体基板１３と、この半導体基板１３の表面と略平行になるように互いに所定の距離を隔てて半導体基板１３の表面に埋め込まれた複数のホール素子１４ａ，１４ｂとから構成されている。

また、集積回路を保護するポリイミド層１５は、ホール素子１４ａ，１４ｂの上方に配置されるように半導体回路１１上に設けられ、このポリイミド層１５上には、ＴｉＷとＣｕからなる下地金属層１６が設けられ、ポリイミド層１５と下地金属層１６とで中間層を構成している。さらに、この下地金属層１６上には、磁気増幅機能を有する磁気収束板１２が設けられ、この磁気収束板１２はＮｉＦｅからなっており、円形又は多角形が好ましい。

本発明における複数のホール素子１４ａ，１４ｂの感磁面の中心位置と磁気収束板１２の端部間の距離Ａは、複数のホール素子１４ａ，１４ｂの感磁面の中心位置が磁気収束板１２の中心位置から半径距離の約６０〜約９０％の領域内に位置するような距離である。あるいは、磁性体（円盤状の磁気収束板の幾何学的な）中心から半径距離の約０．６〜約０．９倍の領域内に位置するような距離である。例えば、磁気収束板の半径が１１５μｍの場合には、１１５×０．６〜１１５×０．９＝６９〜１０３．５μｍの領域内にホール素子の感磁面の中心位置が配置されるようにする。つまり、磁気収束板の端部から１１．５〜４６μｍ内側の領域内に感磁面の中心位置を配置する。

実際には、半導体基板に設けられたホール素子の位置に対してその上に磁気収束板が最終的に形成されることになるので、複数のホール素子間距離の中心から、ホール素子の感磁面の中心位置を水平方向に８７μｍの距離を離して、そこから２８μｍ離れた位置に磁気収束板の端部を配置するようにするためには、半径が１１５μｍの磁気収束板を形成することになる。

例えば、磁気収束板の半径が１３５μmの場合には、１３５×０．６〜１３５×０．９＝８１〜１２１μmの領域内にホール素子の感磁面の中心位置が配置されるようにする。つまり、磁気収束板の端部から１４〜５７μm内側の領域内に感磁面の中心位置を配置する。

実際には、半導体基板に設けられたホール素子の位置に対してその上に磁気収束板が最終的に形成されることになるので、複数のホール素子間距離の中心から、ホール素子の感磁面の中心位置を水平方向に８７μmの距離を離して、そこから４８μm離れた位置に磁気収束板の端部を配置するようにするためには、半径が１３５μmの磁気収束板を形成することになる。

なお、図２には示されていないが、実際には半導体回路１１と保護層１５の間には、（ＳｉＯ_２やＳｉＮなどの絶縁層と交互に）ＩＣ配線層が設けられている。ＩＣ配線最上層から保護するパッシべーション膜は１５に含まれる。後述する図９（ａ）以降の製造方法を説明する図においては、ＩＣ配線層等が図示してある。

図３は、本発明の磁気センサにおけるホール素子の周辺の磁束分布を示す図である。図中実線で示した曲線は、水平−垂直磁気変換特性を示している。半導体基板１３の端部でそれぞれピーク値を示し、中心に向かってなだらかな傾斜を有している。この特性図から分かるように、半導体基板の内側になだらかな傾斜が存在し、その傾斜部分にホール素子を配置することにより、磁気収束板の直径変動や水平面内の位置ずれに対して、Ｘ軸・Ｙ軸の感度のバラツキが小さくなり、Ｘ軸・Ｙ軸の感度とＺ軸の感度とのバランスを良好にすることができる。

図４は、ホール素子（感磁面の中心位置）から磁気収束板の縁が離れていったときの感度変動傾向を示す図である。磁気収束板の半径（サイズ）が増えていき、ホール素子と磁気収束板の縁との距離が離れていくにつれて感度は低下していくものの、感度変化が小さくなっていくのが分かる。以下では、積分要素法に基づく3次元静磁場解析の結果を示す。比透磁率、ホール素子の水平面内位置を固定して計算してある。縦軸は入力磁界強度に対する磁気増幅度を示している。磁場プロファイル中の直線的な領域になるほど磁気増幅度の変化は一様であることが分かる。

図５は、磁気収束板の直径に対するＸ軸・Ｙ軸の磁気感度の関係を示す図で、水平方向の磁気感度を示している。ホール素子の水平面内位置を固定した状態で、磁気収束板の厚みと半径Ｒと、ホール素子の上面と磁気収束板の底面間距離をパラメーターとして計算したものである。

ホール素子の水平面内位置から磁気収束板の縁位置が遠くに離れるにつれて（半径Ｒが増えていくにつれて）、Ｘ軸とＹ軸の感度が小さくなっていき、磁気収束板の厚みが１５μｍでは、およそ直径２Ｒが２７０μｍ強で、水平方向の磁気的な増幅度が１となることが分かる。磁気収束板の厚みもバリエーションをいくつか考えると、例えば、磁気収束板の厚み４〜５〜μｍも考慮するならば、磁気収束板の直径は２８０μｍ程度が妥当である（半径Ｒでは１４０μｍ相当であり、ホール素子の感磁面の中心位置８７μｍから磁気収束板の端部まで５３μｍの距離だけ離れており、比では８７／１４０＝０．６２となる）。

仮に、２Ｒ＝２００μｍならば、比は８７／１００＝０．８７となる。磁気収束板の出来上がり寸法の公差も加味すると、上限は０．９位は必要となる。

図６は、磁気収束板の直径に対するＺ軸の磁気感度の関係を示す図で、垂直方向の磁気感度を示している。ホール素子の水平面内位置を固定した状態で、磁気収束板の厚みと半径Ｒと、ホール素子の上面と磁気収束板の底面間距離をパラメーターとして計算したものである。

ホール素子の水平面内位置から磁気収束板の縁位置が遠くに離れるにつれて（半径Ｒが増えていくにつれて）、Ｚ軸の感度が小さくなっていき、磁気収束板の厚みが１５μｍでは、およそ直径２Ｒが３００μｍ強で、水平方向の磁気的な増幅度が１となることが分かる。磁気収束板の厚みもバリエーションをいくつか考えると、例えば、磁気収束板の厚み３０μｍも考慮するならば、磁気収束板の直径は３００μｍ以上が妥当である（半径Ｒでは１５０μｍ相当であり、ホール素子の感磁面の中心位置８７μｍから磁気収束板の端部まで６３μｍの距離だけ離れており、比では８７／１５０＝０．５８となる）。

図７は、磁気収束板の直径に対するＸ軸・Ｙ軸の磁気感度／Ｚ軸の磁気感度の比の関係を示す図で、水平方向の磁気感度と垂直方向の磁気感度の比を示している。ホール素子の水平面内位置を固定した状態で、磁気収束板の厚みと半径Ｒと、ホール素子の上面と磁気収束板の底面間距離をパラメーターとして計算したものである。

ホール素子の水平面内位置から磁気収束板の縁位置が遠くに離れるにつれて（半径Ｒが増えていくにつれて）、Ｘ軸とＹ軸の感度が小さくなっていき、およそ直径２Ｒが２６０μｍ強で、水平方向の磁気的な増幅度と垂直方向の磁気的な増幅度との比が１となることが分かる。磁気収束板の厚みもバリエーションをいくつか考えると、例えば、磁気収束板の厚み４〜５〜μｍも考慮するならば、磁気収束板の直径は２８０μｍ程度が妥当である（半径Ｒでは１４０μｍ相当であり、ホール素子の感磁面の中心位置８７μｍから磁気収束板の端部まで５３μｍの距離だけ離れており、比では８７／１４０＝０．６２となる）。磁気収束板の出来上がり寸法の公差も加味すると、下限は少なくとも０．６位は必要である。

仮に、ホール素子が（Ｘ，Ｙ）＝（８７，２０）μｍの位置にある場合は、正確には、各感磁面中心の幾何学的な中心からホール素子の感磁面中心迄の距離は、８９．２７μｍとなる。従って、８７から８９．２７に変更し、プロセスによる磁気収束板の変動幅を仮に２．５μｍとし、半径を１００〜１５０μｍとした場合は、比は以下の表１のようになる。従って、このケースでは、最小０．５８＜〜＜最大０．９２の範囲であれば良い。

図８は、磁気収束板の半径に対する感度変化量の関係を示す図で、磁気収束板のサイズの変動及び垂直方向の離間距離変動に関する磁気感度変動を示している。相対的な感度変化に置き換えて、磁気収束板のサイズ変化に対してプロットしたものである。ホール素子の水平面内位置を固定した状態で、磁気収束板の水平平面内の位置・垂直方向の位置と厚みと半径Ｒの中心とホール素子上面―磁気収束板底面間距離を決めて、中心半径での感度を基準１として、半径を増減させたときの磁気増幅度の変化をプロットしたものである。基準とした半径を中心として表示した。ホール素子の水平面内位置から磁気収束板の縁位置が遠くに離れるにつれて（半径Ｒが増えていくにつれて）、感度変化が一様になっていくことが分かる。

図９は、印加磁界と平行な方向に磁気収束板の位置がシフトした量に対する感度変化量の関係を示す図で、水平面内の磁気収束板の位置ずれに関する磁気感度変動を示している。感度変化を相対的な変化に置き換えて、磁気収束板の位置のシフト量に対してプロットしたものである。ホール素子の水平面内位置を固定した状態で、磁気収束板の厚みと半径Ｒと、ホール素子の上面と磁気収束板の底面間距離を固定して、（複数のホール素子の各感磁面中心からなる幾何学的な中心と円形状磁気収束板の半径中心が一致した条件の下で）目標半径をセンタとした時の感度を基準に感度変化を表している。ホール素子との水平面内の位置関係において、磁気収束板の縁位置が遠くに離れるにつれて（半径Ｒが増えていくにつれて）、感度変化が小さくなっていくことが分かる。

図３、図４〜７、表１、図８〜９を基にして、実用的な範囲を挙げる。例えば、磁気収束板半径Ｒ＝〜９６〜１００〜１３０〜１５０〜［μｍ］、ホール素子―磁気収束板底面間垂直離間距離＝〜９〜１０〜１１〜１２〜２０〜［μｍ］、磁気収束板厚みＴ＝〜４〜１０〜１６〜３０〜［μｍ］位が実際的な範囲である。

その時の各ホール素子の感磁面中心位置と磁気収束板端部間の距離Ａを磁気収束板半径に対する比で表すと、例えば、半径の０．５８〜０．９２の領域内に各ホール素子の感磁面中心があるのが、感度バラツキの低減、或いは、Ｘ軸・Ｙ軸の感度とＺ軸の感度比のバランシングを図る上で望ましい。多少の条件の違いも考慮すると、半径の〜０．５５〜０．９５〜なる領域が目安となる。

図１０（ａ）〜（ｃ）及び図１１（ｄ）〜（ｆ）は、本発明に係る磁気センサの製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。

まず、図１０（ａ）に示すように、ＳｉやＧａＡｓからなる半導体基板１３中に、この半導体基板１３の表面と同一の平面になるように互いに所定の距離を隔てて複数のホール素子１４ａ，１４ｂを埋め込み形成し、次に、半導体基板１３上に、ＳｉＯ_２やＳｉＮなどの絶縁層を介しながらＩＣ配線層１７を形成して、半導体回路１１を形成する（磁気センサチップの作製）。さらにその上に、通常のIC形成時に行われるパッシベーション保護膜やポリイミド膜をパターニングすることにより、半導体回路１１上にポリイミドからなる保護層１５を５μｍの厚さで形成する（ポリイミドパターニング）。

次に、図１０（ｂ）に示すように、保護層１５上に、Ｔｉ、Ｗ又はＴｉＷ合金からなる膜厚０．０１〜１μｍの第１の金属膜１６ａをスパッタリング法又は真空蒸着法により形成する（第１下地層形成）。

次に、図１０（ｃ）に示すように、第１の金属膜１６ａ上に、Ｃｕからなる膜厚０．１〜２μｍの第２の金属膜１６ｂをスパッタリング法又は真空蒸着法により形成する（第２下地層形成）。この第１下地層及び第２下地層は、ＵＢＭ層（ＵｎｄｅｒＢｕｍｐＭｅｔａｌ）にあたる。保護層１５と下地金属層１６ａ，１６ｂの合計の厚みは約６μｍである。

次に、図１１（ｄ）に示すように、第２の金属膜１６ｂ上に、ホール素子１４ａ，１４ｂ上が空隙部１８ａとなるように、フォトリソグラフィーによるレジストパターンニングによりフォトレジスト１８を形成する（レジストパターン形成）。ここにおいて、空隙部１８ａは、複数のホール素子１４ａ，１４ｂの感磁面の中心位置が、空隙部１８ａの中心位置から半径距離の０．５８〜０．９２倍の領域内に位置するように形成する。

次に、図１１（ｅ）に示すように、第２の金属膜１６ｂ上の空隙部１８ａに、膜厚５〜３０μｍの磁気増幅機能を有する磁気収束板１２を電解めっきで形成する（磁性体メッキ処理）。これにより、複数のホール素子１４ａ，１４ｂの感磁面の中心位置が、磁気収束板１２の中心位置から半径距離の０．５８〜０．９２倍の領域内に位置することになる。

この磁気収束板１２は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を電解メッキにより作製したもので、パーマロイやスーパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）からなることが好ましく、それにＣｏを添加したものは、磁気ヒステリシスが減少するのでより好ましい。さらには、パーメンジュール（Ｆｅ−Ｃｏ系合金）又はセンダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金）からなることが好ましい。

次に、図１１（ｆ）に示すように、フォトレジスト１８を除去する（レジストパターン除去）。その結果、磁気収束板１２が第２の金属膜１６ｂ上に残ることになる。

次に、図示しないが、ＮｉＦｅをマスクとしてＣｕエッチングする。この場合、ＮｉＦｅはエッチングされずにＣｕのみ選択エッチングされる（Ｃｕエッチング）。また、ＮｉＦｅをマスクとしてＴｉエッチングする。この場合、ＮｉＦｅはエッチングされずにＴｉのみ選択エッチングされる（Ｔｉエッチング）。ＰＡＤ上のＡｌなどは選択的にエッチングされない。

最後に、複数の磁気センサチップをダイシングにより単体のチップに分離する（ダイシング）。

このように、磁性体の中心位置から複数のホール素子１４ａ，１４ｂの感磁面の中心位置までの距離と、磁性体の中心位置からの半径距離との比が８７：１１５〜８７：１２０であり、複数のホール素子の感磁面と磁性体の底面との距離が１０μｍ以上２０μｍ以下であり、磁性体の厚みが１５μｍ以上であるので、磁気収束板の直径変動や水平面内の位置ずれに対して、Ｘ軸・Ｙ軸の感度のバラツキが小さくなり、（各軸の感度バラツキも含めて）Ｘ軸・Ｙ軸の感度とＺ軸の感度とのバランスを良好にした磁気センサを実現できる。

従来の磁気センサを説明するための構成図である。本発明に係る磁気センサの一実施例を説明するための構成図である。本発明の磁気センサにおけるホール素子の周辺の磁束分布を示す図である。ホール素子（感磁面の中心位置）から磁気収束板の縁が離れていったときの感度変動傾向を示す図である。磁気収束板の直径に対するＸ軸・Ｙ軸の磁気感度の関係を示す図である。磁気収束板の直径に対するＺ軸の磁気感度の関係を示す図である。磁気収束板の直径に対するＸ軸・Ｙ軸の磁気感度／Ｚ軸の磁気感度の比の関係を示す図である。磁気収束板の半径に対する感度変化量の関係を示す図である。印加磁界と平行な方向に磁気収束板の位置がシフトした量に対する感度変化量の関係を示す図である。本発明に係る磁気センサの製造方法の一実施例を説明するための工程断面図（その１）である。本発明に係る磁気センサの製造方法の一実施例を説明するための工程断面図（その２）である。

符号の説明

１半導体回路
２磁気収束板
３半導体基板
４ａ，４ｂホール素子
５保護層
６接着層
１１半導体回路
１２磁気収束板
１３半導体基板
１４ａ，１４ｂホール素子
１５ポリイミド層（保護層）
１６下地金属層
１６ａ第１の金属膜
１６ｂ第２の金属膜
１７ＩＣ配線層
１８フォトレジスト
１８ａ空隙部

Claims

複数のホール素子が設けられた半導体回路と、該半導体回路上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備えた磁気センサにおいて、
前記半導体回路上に、前記複数のホール素子の領域を覆うように設けられた中間層と、
該中間層上に設けられた円形状の磁気増幅機能を有する磁性体と
を備え、前記磁性体の中心位置から前記複数のホール素子の感磁面の中心位置までの距離と、前記磁性体の中心位置からの半径距離との比が８７：１１５〜８７：１２０であり、
前記複数のホール素子の感磁面と前記磁性体の底面との距離が１０μｍ以上２０μｍ以下であり、
前記磁性体の厚みが１５μｍ以上であることを特徴とする磁気センサ。
前記中間層が、ポリイミド層と、該ポリイミド層上に設けられたＴｉＷ及びＣｕからなる下地金属層とからなることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
前記磁性体が、電解めっきにより形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
複数のホール素子が設けられた半導体回路と、該半導体回路上に設けられた磁気増幅機能を有する円形状の磁性体とを備えた磁気センサの製造方法において、
半導体基板の表面に前記複数のホール素子を埋め込み形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記複数のホール素子の領域を覆うようにポリイミド層を形成する工程と、
該ポリイミド層上に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に、前記複数のホール素子上が空隙部となるようにレジストパターンニングによりレジストを形成する工程と、
前記下地金属層上の前記空隙部に前記磁気増幅機能を有する磁性体を形成する工程と
を有し、前記磁性体の中心位置から前記複数のホール素子の感磁面の各中心位置までの距離と、前記磁性体の中心位置からの半径距離との比が８７：１１５〜８７：１２０であり、
前記複数のホール素子の感磁面と前記磁性体の底面との距離が１０μｍ以上２０μｍ以下であり、
前記磁性体の厚みが１５μｍ以上であることを特徴とする磁気センサの製造方法。
前記下地金属層が、ＴｉＷとＣｕからなることを特徴とする請求項４に記載の磁気センサの製造方法。
前記下地金属層をスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項４又は５に記載の磁気センサの製造方法。
前記レジストパターンニングをフォトリソグラフィーにより形成することを特徴とする請求項４，５又は６に記載の磁気センサの製造方法。
前記磁性体を電解めっきにより形成することを特徴とする請求項４乃至７のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。