JPWO2017126397A1 - 磁気センサー - Google Patents
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Abstract
従来のTMRセンサー及びMIセンサーの両者を凌駕する高いSN比を実現する磁気センサーを構成する。磁気検出素子の内部構成を除く全体構成をMIセンサーとしつつ、磁気検出素子10が、トンネル磁気抵抗素子11,11同士の直列接続、若しくは、並列接続、又はその両方の接続を含んだ複数のトンネル磁気抵抗素子によるトンネル磁気抵抗素子アレイ12で構成される。トンネル磁気抵抗素子アレイの抵抗値を0.1から50Ωとする。1次コイル21と2次コイル22とで構成された信号増幅部20と磁気検出素子とが、同一の基板13上において互いが近接して構成される。
Description
本発明は、トンネル磁気抵抗素子を利用した磁気センサーに関する。
トンネル磁気抵抗効果(Tunnel Magneto Resistance Effect)とは、トンネル磁気抵抗素子(TMR素子)において磁場の印加でトンネル電流が流れて電気抵抗が変化する現象をいう。
トンネル磁気抵抗素子は、磁化の向きが固定された固定磁性層、外部からの磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する自由磁性層、及び、固定磁性層と自由磁性層との間に配置された絶縁層を有し、磁気トンネル接合(MTJ(Magnetic Tunnel Junction))を形成する。固定磁性層の磁化の向きと自由磁性層の磁化の向きとの角度差に従ってトンネル磁気抵抗効果により絶縁層の抵抗を変化させる。
トンネル磁気抵抗効果を利用した磁気センサー(TMRセンサー)は、例えば、特許文献1,2に記載される。TMRセンサーは、外部からの磁気に反応して数百パーセントの抵抗値変化を生じる特性があり、高感度且つダイナミックレンジの高い磁気センサーとして期待されている。
トンネル磁気抵抗素子は、磁化の向きが固定された固定磁性層、外部からの磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する自由磁性層、及び、固定磁性層と自由磁性層との間に配置された絶縁層を有し、磁気トンネル接合(MTJ(Magnetic Tunnel Junction))を形成する。固定磁性層の磁化の向きと自由磁性層の磁化の向きとの角度差に従ってトンネル磁気抵抗効果により絶縁層の抵抗を変化させる。
トンネル磁気抵抗効果を利用した磁気センサー(TMRセンサー)は、例えば、特許文献1,2に記載される。TMRセンサーは、外部からの磁気に反応して数百パーセントの抵抗値変化を生じる特性があり、高感度且つダイナミックレンジの高い磁気センサーとして期待されている。
一方、磁気インピーダンス(Magneto-Impedance;MI)効果とは、アモルファス合金ワイヤなどの高透磁率合金磁性体の表皮効果により、外部磁界によってインピーダンスが敏感に変化する現象をいう。
磁気インピーダンス効果を利用した磁気センサー(MIセンサー)は、例えば、特許文献3に記載される。MIセンサーは、外部からの磁気に対して数パーセント程度の抵抗値変化しか生じないものの、回路構成の性質上、非常にSN比の高い信号を出力できるため、こちらも高感度な磁気センサーとして期待されている。
磁気インピーダンス効果を利用した磁気センサー(MIセンサー)は、例えば、特許文献3に記載される。MIセンサーは、外部からの磁気に対して数パーセント程度の抵抗値変化しか生じないものの、回路構成の性質上、非常にSN比の高い信号を出力できるため、こちらも高感度な磁気センサーとして期待されている。
従来、TMRセンサーは、内部に数nm程度の厚さの絶縁層が必須であるため、抵抗値が必ず存在する。そのため、抵抗値が持つ熱ノイズに起因するノイズがSN比改善の大きな阻害因子となっている。
MIセンサーは、ノイズは非常に小さく抑えられる構成ではあるものの、外部からの磁場に対する信号変化量が数%程度であることがSN比改善の阻害因子となっている。
MIセンサーは、ノイズは非常に小さく抑えられる構成ではあるものの、外部からの磁場に対する信号変化量が数%程度であることがSN比改善の阻害因子となっている。
本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、従来のTMRセンサー及びMIセンサーの両者を凌駕する高いSN比を実現する磁気センサーを構成することを課題とする。
以上の課題を解決するための請求項1記載の発明は、磁気検出素子と、
1次コイルと2次コイルとで構成された信号増幅部と、
前記磁気検出素子と前記信号増幅部に高周波の正弦波電流を印加する発振回路と、
前記磁気検出素子に印加された外部磁場に応じて変化する前記磁気検出素子の前記高周波の正弦波電流の変化量を、前記信号増幅部を介して検出することで前記外部磁場の変化量を検出する検波回路と、を備え、
前記磁気検出素子が、トンネル磁気抵抗素子同士の直列接続、若しくは、並列接続、又はその両方の接続を含んだ複数のトンネル磁気抵抗素子によるトンネル磁気抵抗素子アレイで構成されている磁気センサーである。
1次コイルと2次コイルとで構成された信号増幅部と、
前記磁気検出素子と前記信号増幅部に高周波の正弦波電流を印加する発振回路と、
前記磁気検出素子に印加された外部磁場に応じて変化する前記磁気検出素子の前記高周波の正弦波電流の変化量を、前記信号増幅部を介して検出することで前記外部磁場の変化量を検出する検波回路と、を備え、
前記磁気検出素子が、トンネル磁気抵抗素子同士の直列接続、若しくは、並列接続、又はその両方の接続を含んだ複数のトンネル磁気抵抗素子によるトンネル磁気抵抗素子アレイで構成されている磁気センサーである。
請求項2記載の発明は、前記磁気検出素子と前記信号増幅部とが、同一の基板上において互いが近接して構成されている請求項1に記載の磁気センサーである。
請求項3記載の発明は、前記磁気検出素子の抵抗値が0.1から50Ωである請求項1又は請求項2に記載の磁気センサーである。
本発明の磁気センサーによれば、磁気検出素子の内部構成を除く全体構成をMIセンサーとすることでMIセンサーの顕著に高いSN比を継承しつつ、従来のMIセンサーにおける信号変化量の低さを、顕著な高感度特性を有するトンネル磁気抵抗素子アレイによって補完し、従来のTMRセンサー及びMIセンサーの両者を凌駕する高いSN比を実現することができる。
以下に本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。
〔基本構成〕
本実施形態の磁気センサーは、磁気検出素子10の内部構成を除いた全体構成は基本的に図1Aに示すように従来のMIセンサーと同じで、磁気検出素子10と、信号増幅部20(1次コイル21と2次コイル22とで構成)と、発振回路30と、検波回路40とを備えて構成される。
従来のMIセンサーの場合、磁気検出素子と1次コイルとが一体となったものが磁気インピーダンス素子であり、本発明では、磁気インピーダンス素子の置き換えにトンネル磁気抵抗素子アレイ12(1次コイル21を含む)を利用して、高いSN比を確保する。
図1Aにおいて、パルスジェネレーター50が出力するパルス電圧が、RとCによる微分回路により整形され、C−MOSインバーターを介して電流に変換され、パルス幅τ及びパルス間隔Tのパルス列電流Ip(図1B)として磁気検出素子10へ通電される。信号増幅部20のコイルに誘導されるパルス電圧VcはアナログスイッチSによる同期整流回路により直流的な出力電圧Edcに変換される。
本実施形態の磁気センサーは、磁気検出素子10の内部構成を除いた全体構成は基本的に図1Aに示すように従来のMIセンサーと同じで、磁気検出素子10と、信号増幅部20(1次コイル21と2次コイル22とで構成)と、発振回路30と、検波回路40とを備えて構成される。
従来のMIセンサーの場合、磁気検出素子と1次コイルとが一体となったものが磁気インピーダンス素子であり、本発明では、磁気インピーダンス素子の置き換えにトンネル磁気抵抗素子アレイ12(1次コイル21を含む)を利用して、高いSN比を確保する。
図1Aにおいて、パルスジェネレーター50が出力するパルス電圧が、RとCによる微分回路により整形され、C−MOSインバーターを介して電流に変換され、パルス幅τ及びパルス間隔Tのパルス列電流Ip(図1B)として磁気検出素子10へ通電される。信号増幅部20のコイルに誘導されるパルス電圧VcはアナログスイッチSによる同期整流回路により直流的な出力電圧Edcに変換される。
磁気インピーダンス素子をトンネル磁気抵抗素子と置き換えるためには、抵抗値が0.1から50Ωの範囲まで小さくする必要がある。好ましくは10Ω以下、より好ましくは1Ω以下まで小さくする。これには基板13上において、例えば図2に示すようにトンネル磁気抵抗素子11同士の直列接続、若しくは、並列接続、又はその両方の接続を含んだ複数のトンネル磁気抵抗素子11,11、・・・によるトンネル磁気抵抗素子アレイ12で磁気検出素子10を構成する。
トンネル磁気抵抗素子(以下「TMR素子」)11の並列数が多いほど、TMR素子アレイ12の抵抗値は小さくなる。TMR素子11内の自由磁性層が外部磁場に対して反応し、外部磁場の強度変化は結果としてトンネル抵抗の変化率となって検出することができる。
また、基板13上において、TMR素子11,11間の配線を含めた導線により1次コイル21を構成する。1次コイル21にトンネル抵抗の変化率に応じた外部磁場検出信号電流が通電する。
トンネル磁気抵抗素子(以下「TMR素子」)11の並列数が多いほど、TMR素子アレイ12の抵抗値は小さくなる。TMR素子11内の自由磁性層が外部磁場に対して反応し、外部磁場の強度変化は結果としてトンネル抵抗の変化率となって検出することができる。
また、基板13上において、TMR素子11,11間の配線を含めた導線により1次コイル21を構成する。1次コイル21にトンネル抵抗の変化率に応じた外部磁場検出信号電流が通電する。
〔2次コイルの様々な形態〕
2次コイルの形態、設け方については、以下に複数の形態を開示する。
(形態1)
各TMR素子11の自由磁性層での磁化の向きが外部磁場の影響を受けて変化することで外部磁場を検出する。従来のMIセンサーと同様に磁気検出素子と1次コイル21を含んだ構成となる。そのため、図3に示すようにTMR素子アレイ12及び1次コイル21を包囲するように2次コイル22を基板13に巻き付けることで、TMR素子アレイ12に流れる電流量は、1次コイル21と2次コイル22との磁気的な結合を介して、2次コイル22に流れるパルス電圧Vcへと変換される。
この時、2次コイル22の巻き数と巻きピッチに応じて、昇圧コイルの要領で1次コイル21に流れる電流の何倍も大きな電流が2次コイル22側に流れるため、1次コイル21と2次コイル22とにより信号増幅部20が構成されている。
2次コイルの形態、設け方については、以下に複数の形態を開示する。
(形態1)
各TMR素子11の自由磁性層での磁化の向きが外部磁場の影響を受けて変化することで外部磁場を検出する。従来のMIセンサーと同様に磁気検出素子と1次コイル21を含んだ構成となる。そのため、図3に示すようにTMR素子アレイ12及び1次コイル21を包囲するように2次コイル22を基板13に巻き付けることで、TMR素子アレイ12に流れる電流量は、1次コイル21と2次コイル22との磁気的な結合を介して、2次コイル22に流れるパルス電圧Vcへと変換される。
この時、2次コイル22の巻き数と巻きピッチに応じて、昇圧コイルの要領で1次コイル21に流れる電流の何倍も大きな電流が2次コイル22側に流れるため、1次コイル21と2次コイル22とにより信号増幅部20が構成されている。
(形態2)
1次コイル21と2次コイル22との間隔が小さいほど、磁気的な結合効率が向上するため、図4に示すように同一基板13上に2次コイル22の導線を設けても良い。この場合、1次コイル21を含むTMR素子アレイ12の配線と2次コイル22の導線とが干渉しないように基板表面上配線、層間配線及び上下層接続配線(ビア)を利用して立体的な配線構造を構築する。
1次コイル21と2次コイル22との間隔が小さいほど、磁気的な結合効率が向上するため、図4に示すように同一基板13上に2次コイル22の導線を設けても良い。この場合、1次コイル21を含むTMR素子アレイ12の配線と2次コイル22の導線とが干渉しないように基板表面上配線、層間配線及び上下層接続配線(ビア)を利用して立体的な配線構造を構築する。
(形態3)
TMR素子アレイ12に流れる電流から発生する磁場を介して2次コイル22に流れる電流へ変換する構成でも構わない。この場合、アンペールの法則に従い、TMR素子アレイ12の配線に沿った位置でコイルを隣接させる構成が磁気的な結合として効率が良いため、図5に示すように基板13上でTMR素子アレイ12を挟み込む構成で2次コイル22が配置される。
また、TMR素子アレイ12に隣接させる2次コイル22は巻き数が多いほど誘導起電 力が大きくなるため、多重巻きで配置することが望ましい。
TMR素子アレイ12に流れる電流から発生する磁場を介して2次コイル22に流れる電流へ変換する構成でも構わない。この場合、アンペールの法則に従い、TMR素子アレイ12の配線に沿った位置でコイルを隣接させる構成が磁気的な結合として効率が良いため、図5に示すように基板13上でTMR素子アレイ12を挟み込む構成で2次コイル22が配置される。
また、TMR素子アレイ12に隣接させる2次コイル22は巻き数が多いほど誘導起電 力が大きくなるため、多重巻きで配置することが望ましい。
(形態4)
2次コイル22を立体的に多重巻きするのではなく、図6に示すように基板13の面方向に沿ってうず巻き状に展開された形態で設けることで多重巻きと似た高い起電力を得ることができる。
2次コイル22を立体的に多重巻きするのではなく、図6に示すように基板13の面方向に沿ってうず巻き状に展開された形態で設けることで多重巻きと似た高い起電力を得ることができる。
(形態5)
2次コイル22を多重巻きではなく、図7に示すように基板13の面方向に沿って多数のコイルを配置した構成でも同様の効果が得られる。この場合も、TMR素子アレイ12に可能な限り隣接させて多数の小さい径のコイルを配置するほど、誘導起電力を大きくすることができる。
2次コイル22を多重巻きではなく、図7に示すように基板13の面方向に沿って多数のコイルを配置した構成でも同様の効果が得られる。この場合も、TMR素子アレイ12に可能な限り隣接させて多数の小さい径のコイルを配置するほど、誘導起電力を大きくすることができる。
(形態6)
TMR素子アレイ12に隣接させる2次コイル22の形状は円形に限らず、図8に示すように矩形であっても構わない。この場合、矩形状の各コイルで電流が打ち消し合う構成にならないように、開口幅(W1、W2)が異なるコイルを繰り返す形状で配置する。
TMR素子アレイ12に隣接させる2次コイル22の形状は円形に限らず、図8に示すように矩形であっても構わない。この場合、矩形状の各コイルで電流が打ち消し合う構成にならないように、開口幅(W1、W2)が異なるコイルを繰り返す形状で配置する。
(形態7)
基板13に構成されるデバイスの小型化が重要でなければ、基板13上から1次コイルを排除して、1次コイル21と2次コイル22は汎用品のトリガーコイル(図9A)やステップアップコイル(図9B)を利用して構成しても構わない。コイルの巻き数比の選択肢が広がるため、用途や仕様に合わせた高い変換効率を達成することが容易である。
また、TMR素子アレイ12の周辺に余裕ができる為、TMR素子11を高密度に多数配置して空間分解能を高める構成や、TMR素子アレイ12の近傍にコンセントレーターを配置して、TMR素子アレイ12に加わる磁場強度を増強させて、さらに高い信号出力を得ることができる。
基板13に構成されるデバイスの小型化が重要でなければ、基板13上から1次コイルを排除して、1次コイル21と2次コイル22は汎用品のトリガーコイル(図9A)やステップアップコイル(図9B)を利用して構成しても構わない。コイルの巻き数比の選択肢が広がるため、用途や仕様に合わせた高い変換効率を達成することが容易である。
また、TMR素子アレイ12の周辺に余裕ができる為、TMR素子11を高密度に多数配置して空間分解能を高める構成や、TMR素子アレイ12の近傍にコンセントレーターを配置して、TMR素子アレイ12に加わる磁場強度を増強させて、さらに高い信号出力を得ることができる。
本発明は、トンネル磁気抵抗素子を利用した磁気センサーに利用することができる。
10 磁気検出素子
11 トンネル磁気抵抗素子
12 トンネル磁気抵抗素子アレイ
13 基板
20 信号増幅部
21 1次コイル
22 2次コイル
30 発振回路
40 検波回路
50 パルスジェネレーター
11 トンネル磁気抵抗素子
12 トンネル磁気抵抗素子アレイ
13 基板
20 信号増幅部
21 1次コイル
22 2次コイル
30 発振回路
40 検波回路
50 パルスジェネレーター
Claims (3)
- 磁気検出素子と、
1次コイルと2次コイルとで構成された信号増幅部と、
前記磁気検出素子と前記信号増幅部に高周波の正弦波電流を印加する発振回路と、
前記磁気検出素子に印加された外部磁場に応じて変化する前記磁気検出素子の前記高周波の正弦波電流の変化量を、前記信号増幅部を介して検出することで前記外部磁場の変化量を検出する検波回路と、を備え、
前記磁気検出素子が、トンネル磁気抵抗素子同士の直列接続、若しくは、並列接続、又はその両方の接続を含んだ複数のトンネル磁気抵抗素子によるトンネル磁気抵抗素子アレイで構成されている磁気センサー。 - 前記磁気検出素子と前記信号増幅部とが、同一の基板上において互いが近接して構成されている請求項1に記載の磁気センサー。
- 前記磁気検出素子の抵抗値が0.1から50Ωである請求項1又は請求項2に記載の磁気センサー。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016010352 | 2016-01-22 | ||
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017126397A1 true JPWO2017126397A1 (ja) | 2018-11-15 |
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JP2001281313A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-10-10 | Hitachi Metals Ltd | 磁界センサー、それを用いた磁気式エンコーダー、及び磁気ヘッド |
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JP2010266247A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Nagoya Univ | 磁気センサ及び磁界測定装置 |
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-
2017
- 2017-01-12 WO PCT/JP2017/000733 patent/WO2017126397A1/ja active Application Filing
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