JP4984962B2 - 磁気式角度センサ - Google Patents
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ω=tan−1(A・sinω/A・cosω)・・・(1)
但し、ω0は外部磁界Hの角度の真の値、ωは外部磁界Hの角度の測定値
16:第1磁気抵抗素子( 磁気抵抗素子)
18:第2磁気抵抗素子( 磁気抵抗素子)
24:第1抵抗素子( 磁気抵抗素子)
Claims (6)
- 軟磁性材料からなり且つ所定の間隙を介して配置された一対の薄膜ヨークと、該一対の薄膜ヨーク間の間隙において該一対の薄膜ヨークを電気的に接続するように形成されたGMR膜とから成る一対の磁気抵抗素子が、該磁気抵抗素子の長手方向に前記一対の薄膜ヨークの磁化容易方向が90°よりも0.2乃至2°以内の範囲だけ小さい角度Aとなるように基板上に所定間隔を隔てて相互に交差するように配置され、該一対の磁気抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて外部磁界の方向を検出することを特徴とする磁気式角度センサ。
- 前記外部磁界は地磁気であることを特徴とする請求項1の磁気式角度センサ。
- 前記一対の磁気抵抗素子は、他の一対の抵抗素子と直列に接続されることにより一対のハーフブリッジをそれぞれ構成し、
該一対のハーフブリッジは、前記外部磁界の方向の変化に応じて位相の異なる信号をそれぞれ出力するものであることを特徴とする請求項1または2の磁気式角度センサ。 - 前記他の一対の抵抗素子は、前記一対の磁気抵抗素子よりも低いゲインを有する他は該一対の磁気抵抗素子と同様に一対の薄膜ヨークとGMR膜で構成された磁気抵抗素子であることを特徴とする請求項3の磁気式角度センサ。
- 前記他の一対の抵抗素子は、該一対の抵抗素子の一対の薄膜ヨークの磁化容易方向が前記一対の磁気抵抗素子の磁化容易方向と平行となるように配置されていることを特徴とする請求項4の磁気式角度センサ。
- 前記一対の磁気抵抗素子は、相互に同じゲインを有し、互いに直列に接続されることにより1つのハーフブリッジを構成するものである請求項1または2に記載の磁気式角度センサ。
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