JPH01227482A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH01227482A JPH01227482A JP63054354A JP5435488A JPH01227482A JP H01227482 A JPH01227482 A JP H01227482A JP 63054354 A JP63054354 A JP 63054354A JP 5435488 A JP5435488 A JP 5435488A JP H01227482 A JPH01227482 A JP H01227482A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 28
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 abstract description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 boron Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
外部磁界の強さを測定する磁気抵抗素子の構成に関し、
小型、軽量化させると共にバイアス磁界を任意に設定で
きるようにすることを目的とし、□絶縁基板に、所望の
電流を流して適当なバイアス磁界を発生させるバイアス
磁界発生パターンと、該バイアス磁界および被測定の外
部磁界を磁電変換する磁気抵抗体パターンとを、絶縁層
を介して積層し形成して構成する、 前記絶縁基板がシリコン基板であり、前記バイアス磁界
発生パターンがシリコンに導電性を付与する不純物を拡
散させた拡散層で構成する、前記バイアス磁界発生パタ
ーンが、前記磁気抵抗体パターンの長さ方向に対し傾斜
する導電路に形成して構成する。
きるようにすることを目的とし、□絶縁基板に、所望の
電流を流して適当なバイアス磁界を発生させるバイアス
磁界発生パターンと、該バイアス磁界および被測定の外
部磁界を磁電変換する磁気抵抗体パターンとを、絶縁層
を介して積層し形成して構成する、 前記絶縁基板がシリコン基板であり、前記バイアス磁界
発生パターンがシリコンに導電性を付与する不純物を拡
散させた拡散層で構成する、前記バイアス磁界発生パタ
ーンが、前記磁気抵抗体パターンの長さ方向に対し傾斜
する導電路に形成して構成する。
本発明は、外部磁界の強さを測定する磁気抵抗素子の構
成、特に小型、軽量化すると共にバイアス磁界を任意に
設定できるようにした改良に関する。
成、特に小型、軽量化すると共にバイアス磁界を任意に
設定できるようにした改良に関する。
磁気測定用の磁気抵抗素子には、コイルによる誘導磁界
を検出するもの、半導体のホール効果を利用したもの、
半導体の磁気抵抗を利用したもの、強磁性金属の磁気抵
抗を利用したもの等がある。
を検出するもの、半導体のホール効果を利用したもの、
半導体の磁気抵抗を利用したもの、強磁性金属の磁気抵
抗を利用したもの等がある。
パーマロイ等からなる強磁性金属の磁気抵抗を利用した
磁気抵抗素子は、温度変化に対し他のものより安定であ
り、微小磁界の測定能力に優れるという特徴がある。
磁気抵抗素子は、温度変化に対し他のものより安定であ
り、微小磁界の測定能力に優れるという特徴がある。
導線に流れる電流によって発生する等の外部磁界を測定
する磁気検出器に用いられる強磁性Ｉ膜磁気抵抗素子に
おいて、印加される外部磁界の強さと該素子に測定電流
を流して得られる出力との関係を第６図に示す。
する磁気検出器に用いられる強磁性Ｉ膜磁気抵抗素子に
おいて、印加される外部磁界の強さと該素子に測定電流
を流して得られる出力との関係を第６図に示す。
横軸を外部磁界の強さ（Ｏｅ） 、縦軸を磁気抵抗体パ
ターンの抵抗変化（電圧変化；＋＋＋Ｖ）とした第６図
において、磁気抵抗素子の出力特性は、外部磁界が雲の
とき最大となり、該素子を所定方向に横切るまたはその
逆方向に横切る外部磁界、を印加したとき出力が低減す
る山形形状である。従って、かかる出力特性からは外部
磁界の印加方向が識別できないと共に、直線的でないこ
とによって測定精度が低い、。
ターンの抵抗変化（電圧変化；＋＋＋Ｖ）とした第６図
において、磁気抵抗素子の出力特性は、外部磁界が雲の
とき最大となり、該素子を所定方向に横切るまたはその
逆方向に横切る外部磁界、を印加したとき出力が低減す
る山形形状である。従って、かかる出力特性からは外部
磁界の印加方向が識別できないと共に、直線的でないこ
とによって測定精度が低い、。
そこで、適当なバイアス磁界Ｈｂを磁気抵抗素子に印加
すると、その出力特性は第７図に示すような斜線形状に
なり、外部磁界の印加方向が識別可能となり、直線性が
得られ測定精度が著しく向上されると共に、かかるバイ
アス磁界は、磁気抵抗素子の磁気抵抗体パターンの磁化
（初期磁化）を安定化させるため、該初期磁化方向にも
必要となる場合がある。
すると、その出力特性は第７図に示すような斜線形状に
なり、外部磁界の印加方向が識別可能となり、直線性が
得られ測定精度が著しく向上されると共に、かかるバイ
アス磁界は、磁気抵抗素子の磁気抵抗体パターンの磁化
（初期磁化）を安定化させるため、該初期磁化方向にも
必要となる場合がある。
従来、前記バイアス磁界は磁石によって付与させること
が一般的であり、そのため強さおよび方向が任意の磁界
を発生することが難しく、構成が大形になるという問題
点があった。
が一般的であり、そのため強さおよび方向が任意の磁界
を発生することが難しく、構成が大形になるという問題
点があった。
なお、磁気抵抗素子を搭載する基板にバイアス磁界発生
用の導体パターンを形成し、該導体パターンに流す電流
が発生する磁界を利用する方法もあるが、磁気抵抗素子
の形成基板と該導体パターンの形成基板とが別々である
ため、磁気抵抗素子の磁気検出パターンとバイアス磁界
発生用導体パターンとを接近させることが困難であり、
必要とする強さのバイアス磁界を発生させるのに大電流
を流すことが必要となり、さらに磁気抵抗素子と該導体
パターンとの位置合わせが煩わしく高精度にし難いとい
う問題点があった。
用の導体パターンを形成し、該導体パターンに流す電流
が発生する磁界を利用する方法もあるが、磁気抵抗素子
の形成基板と該導体パターンの形成基板とが別々である
ため、磁気抵抗素子の磁気検出パターンとバイアス磁界
発生用導体パターンとを接近させることが困難であり、
必要とする強さのバイアス磁界を発生させるのに大電流
を流すことが必要となり、さらに磁気抵抗素子と該導体
パターンとの位置合わせが煩わしく高精度にし難いとい
う問題点があった。
本発明は１．磁気抵抗素子の磁気検出パターンとバイア
ス磁界を発生させる導体パターンとを、同一基板に積層
させて形成し小型、軽量化すると共に、両者を近接せし
めると共に位置合わせを高精度化し、しかも任意のバイ
アス磁界が容易に得られるようにすることを目的とする
。
ス磁界を発生させる導体パターンとを、同一基板に積層
させて形成し小型、軽量化すると共に、両者を近接せし
めると共に位置合わせを高精度化し、しかも任意のバイ
アス磁界が容易に得られるようにすることを目的とする
。
第１図は本発明の基本構成になる磁気抵抗素子を示す図
である。
である。
第１図（イ）において、磁気抵抗素子１は絶縁基板２の
表面に、破線で示すような帯状のバイアス磁界発生パタ
ーン３−と、実線で示すような帯状の磁気抵抗体パター
ン５とを重ねて形成し、導体にてなる磁界発生パターン
３および強磁性体にてなる磁気抵抗、体パターン５の各
端部には、それらを外部接続する導、棒端子３ａと３ｂ
および５ａと５ｂが設けられてなる。そこで、磁界発生
パターン３に適当な電流■を流すことによって所望強さ
のバイアス磁界Ｈｂが、発生し、外部磁界Ｈの強さは、
磁気抵抗体パターン５に適当な直流電流を流したときそ
や抵抗変化で検出されることになる。
表面に、破線で示すような帯状のバイアス磁界発生パタ
ーン３−と、実線で示すような帯状の磁気抵抗体パター
ン５とを重ねて形成し、導体にてなる磁界発生パターン
３および強磁性体にてなる磁気抵抗、体パターン５の各
端部には、それらを外部接続する導、棒端子３ａと３ｂ
および５ａと５ｂが設けられてなる。そこで、磁界発生
パターン３に適当な電流■を流すことによって所望強さ
のバイアス磁界Ｈｂが、発生し、外部磁界Ｈの強さは、
磁気抵抗体パターン５に適当な直流電流を流したときそ
や抵抗変化で検出されることになる。
このよう卒磁不、抵抗！、子１において、磁界発生パタ
ーン３と磁気抵抗体パターン５は、絶縁層を介して積層
されるが、その積層順序は例えば第１図（ＩＩ）のよう
に、絶縁基板２の表面にバイアス磁界発生パターン３を
形成し、その上に絶縁層４を形成し、その上に磁気抵抗
体パターン５を形成するまたは、第１図（ハ）に示すよ
うに絶縁基板２の表面に磁気抵抗体パターン５を形成し
、その上に絶縁層４を形成し、その上にバイアス磁界発
生パターン３を形成する。
ーン３と磁気抵抗体パターン５は、絶縁層を介して積層
されるが、その積層順序は例えば第１図（ＩＩ）のよう
に、絶縁基板２の表面にバイアス磁界発生パターン３を
形成し、その上に絶縁層４を形成し、その上に磁気抵抗
体パターン５を形成するまたは、第１図（ハ）に示すよ
うに絶縁基板２の表面に磁気抵抗体パターン５を形成し
、その上に絶縁層４を形成し、その上にバイアス磁界発
生パターン３を形成する。
なお、絶縁基板２をシリコンウェー八より切り出してな
るときは第１図（ニ）に示すように、シリコン基板２に
導電性を付与する不純物を拡散してバイアス磁界発生パ
ターン３を形成し、その上に磁気抵抗体パターン５を形
成して構成することができる。
るときは第１図（ニ）に示すように、シリコン基板２に
導電性を付与する不純物を拡散してバイアス磁界発生パ
ターン３を形成し、その上に磁気抵抗体パターン５を形
成して構成することができる。
さらに、バイアス磁界発生パターン３が、磁気抵抗体パ
ターン５の長さ方向に対し傾斜する４電路に形成し構成
する。
ターン５の長さ方向に対し傾斜する４電路に形成し構成
する。
本発明の上記手段は、磁気抵抗素子の磁気検出パターン
とバイアス磁界を発生させる導体パターンとを、同一基
板に積層させて形成することによって小型、軽量化する
と共に、成膜技術およびホトリソグラフインク技術によ
って形成される磁気検出パターンとバイアス磁界パター
ンとは、近接し配設され位置合わせが高精度化し、しか
も任意のバイアス磁界を容易に発生させることができる
。
とバイアス磁界を発生させる導体パターンとを、同一基
板に積層させて形成することによって小型、軽量化する
と共に、成膜技術およびホトリソグラフインク技術によ
って形成される磁気検出パターンとバイアス磁界パター
ンとは、近接し配設され位置合わせが高精度化し、しか
も任意のバイアス磁界を容易に発生させることができる
。
（実施例〕
以下に、図面を用いて本発明の実施例による磁気抵抗素
子を説明する。
子を説明する。
第２ｒｆ！Ｊは本発明の第１の実施例による磁気抵抗素
子の主要パターンの平面図、第３図は本発明の第２の実
施例による磁気抵抗素子の主要パターンの平面図、第４
図は本発明の第３の実施例による磁気抵抗素子の主要パ
ターンの平面図、第５図は本発明の第４の実施例による
磁気抵抗素子の主要パターンの平面図である。
子の主要パターンの平面図、第３図は本発明の第２の実
施例による磁気抵抗素子の主要パターンの平面図、第４
図は本発明の第３の実施例による磁気抵抗素子の主要パ
ターンの平面図、第５図は本発明の第４の実施例による
磁気抵抗素子の主要パターンの平面図である。
第２図において、磁気抵抗素子１１は絶縁基板１２の表
面に、金（Ａｕ）等にてなるバイアス磁界発生パターン
１３を形成し、次いでバイアス磁界発生パターン１３を
覆うように窒化シリコン（ＳｉＮ）や二酸化シリコン（
ＳｉＯ□）等にて絶縁Ｎ４に相当する絶縁層（図示せず
）を形成し、該絶縁−の上にパイ、アス磁界発生パター
ン１３と対向する複数本（図は３本）の磁気抵抗体パタ
ーン１５を強磁性体にて形成してなる。ただし、磁界発
生パターン１３の端部には外部接続用の導体端子１３ａ
と１３ｂを設け、磁気抵抗体パターン１５には隣接する
磁気抵抗体パターン接続用導体端子１５ｃと、導体端子
１５ｃにより直列に接続された複数本の磁気抵抗体パタ
ーン１５を外部接続する導体端子１５ａと１５ｂが設け
られてなる。
面に、金（Ａｕ）等にてなるバイアス磁界発生パターン
１３を形成し、次いでバイアス磁界発生パターン１３を
覆うように窒化シリコン（ＳｉＮ）や二酸化シリコン（
ＳｉＯ□）等にて絶縁Ｎ４に相当する絶縁層（図示せず
）を形成し、該絶縁−の上にパイ、アス磁界発生パター
ン１３と対向する複数本（図は３本）の磁気抵抗体パタ
ーン１５を強磁性体にて形成してなる。ただし、磁界発
生パターン１３の端部には外部接続用の導体端子１３ａ
と１３ｂを設け、磁気抵抗体パターン１５には隣接する
磁気抵抗体パターン接続用導体端子１５ｃと、導体端子
１５ｃにより直列に接続された複数本の磁気抵抗体パタ
ーン１５を外部接続する導体端子１５ａと１５ｂが設け
られてなる。
このような磁気抵抗素子１１は、磁界発生パターン１３
に適当な電流夏を流すと所望のバイアス磁界Ｈｂが発生
し、図中の矢印方向に印加された外部磁界Ｈの強さは、
磁気抵抗体パターン１５に適当な直流電流を流したとき
、該直流電流の電圧変化で検出され、その電圧変化（抵
抗変化）特性は第７図のようになる。
に適当な電流夏を流すと所望のバイアス磁界Ｈｂが発生
し、図中の矢印方向に印加された外部磁界Ｈの強さは、
磁気抵抗体パターン１５に適当な直流電流を流したとき
、該直流電流の電圧変化で検出され、その電圧変化（抵
抗変化）特性は第７図のようになる。
第３図において、磁気抵抗素子２１は絶縁基板１２の表
面に磁界発生パターン１３を形成し、バイアス磁界発生
パターン１３を覆うようにｗＡ縁層（図示せず）を形成
し、該絶縁層の上にバイアス磁界発生パターン１３と対
向する複数本（図は３本）の磁気抵抗体パターン１５を
強磁性体にて形成してなる。
面に磁界発生パターン１３を形成し、バイアス磁界発生
パターン１３を覆うようにｗＡ縁層（図示せず）を形成
し、該絶縁層の上にバイアス磁界発生パターン１３と対
向する複数本（図は３本）の磁気抵抗体パターン１５を
強磁性体にて形成してなる。
そして、磁界発生パターン１３の端部には外部接続用の
導体端子１３ａと１３ｂを設け、磁気抵抗体パターン１
５には隣接す墨磁気抵抗体パターン接続用導体端子１５
ｃと、導体端子１５ｃにより直列に接続された複数本の
磁気抵抗体パターン１５を外部接続する導体端子１５ａ
と１５ｂが設けられてなるが、導体端子１５ｂは導体端
子１３ｂに積層させることで接続されている。
導体端子１３ａと１３ｂを設け、磁気抵抗体パターン１
５には隣接す墨磁気抵抗体パターン接続用導体端子１５
ｃと、導体端子１５ｃにより直列に接続された複数本の
磁気抵抗体パターン１５を外部接続する導体端子１５ａ
と１５ｂが設けられてなるが、導体端子１５ｂは導体端
子１３ｂに積層させることで接続されている。
このような磁気抵抗素子２１は、磁界発生パターン１３
に適当な直流電ｉ１を流すと所望のバイアス磁界Ｈｂが
発生し、図中の矢印′またはその反対方向に印加された
外部磁界Ｈの強さは、磁気抵抗素子１１と同様に検出さ
れることになるが、磁界発生パターン１３にバイアス磁
界発生電流を流す電源と、磁気抵抗体パターン１５に磁
界測定電流を流す電源とが共用できる利点がある。
に適当な直流電ｉ１を流すと所望のバイアス磁界Ｈｂが
発生し、図中の矢印′またはその反対方向に印加された
外部磁界Ｈの強さは、磁気抵抗素子１１と同様に検出さ
れることになるが、磁界発生パターン１３にバイアス磁
界発生電流を流す電源と、磁気抵抗体パターン１５に磁
界測定電流を流す電源とが共用できる利点がある。
第４図において、磁気抵抗素子３１は絶縁基板１２の表
面に、金（Ａｕ）等にてなるバイアス磁界発生パターン
３３を形成し、次いでバイアス磁界発生パターン３３を
覆うように窒化シリコン（ＳｉＮ）や二酸化シリコン（
Ｓｉｇｈ）等にて絶縁層４に相当する絶縁層（図示せず
）を形成し、該絶縁層の上にバイアス磁界発生パターン
３３と対向する磁気抵抗体パターン１５を強磁性体にて
形成してなる。
面に、金（Ａｕ）等にてなるバイアス磁界発生パターン
３３を形成し、次いでバイアス磁界発生パターン３３を
覆うように窒化シリコン（ＳｉＮ）や二酸化シリコン（
Ｓｉｇｈ）等にて絶縁層４に相当する絶縁層（図示せず
）を形成し、該絶縁層の上にバイアス磁界発生パターン
３３と対向する磁気抵抗体パターン１５を強磁性体にて
形成してなる。
磁界発生パターン３３は複数個（図は９個）の窓３３ｄ
を形成し磁気抵抗体パターン３５に対し適当な傾斜角度
の複数本（図は１０本）の導電路３３ｃを具え、かつ、
端部には外部接続用の導体端子３３ａと３３ｂを設けて
なり、磁気抵抗体パターン１５の端部に外部接続する導
体端子１５ａとｔｓｂが設けられてなる。
を形成し磁気抵抗体パターン３５に対し適当な傾斜角度
の複数本（図は１０本）の導電路３３ｃを具え、かつ、
端部には外部接続用の導体端子３３ａと３３ｂを設けて
なり、磁気抵抗体パターン１５の端部に外部接続する導
体端子１５ａとｔｓｂが設けられてなる。
このような磁気抵抗素子３１は、磁界発生バター 。
ン３３に適当な電流を印加し導電路３３ｃに電流■を流
すと、初期磁界Ｈｉが矢印方向である磁気抵抗体パター
ン１５に対して傾斜するバイアス磁界Ｈｂが発生し、図
中の矢印方向に印加された外部磁界Ｈの強さは、磁気抵
抗体パターン１５に適当な直流電流を流したとき、磁気
抵抗素子１１と同様に該直流電流の電圧変化で検出され
ることになるが、かかるバイアス磁界Ｈｂは、初期磁界
Ｈｉおよび外部磁界Ｈの双方に対し安定化させるという
利点がある。
すと、初期磁界Ｈｉが矢印方向である磁気抵抗体パター
ン１５に対して傾斜するバイアス磁界Ｈｂが発生し、図
中の矢印方向に印加された外部磁界Ｈの強さは、磁気抵
抗体パターン１５に適当な直流電流を流したとき、磁気
抵抗素子１１と同様に該直流電流の電圧変化で検出され
ることになるが、かかるバイアス磁界Ｈｂは、初期磁界
Ｈｉおよび外部磁界Ｈの双方に対し安定化させるという
利点がある。
第５図において、磁気抵抗素子４１は絶縁基板１２の表
面に、金（Ａｕ）等にてなるバイアス磁界発生パターン
４３を形成し、次いでバイアス磁界発生パターン４３を
覆うように窒化シリコン（Ｓ ｉ Ｎ）や二酸化シリコ
ン（Ｓｉｆｔ）等にて絶縁１！ａに相当する絶縁層（図
示せず）を形成し、該絶縁層の上に形成しバイアス磁界
発生パターン４３と対向する複数本（図は６本）の磁気
抵抗体パターン１５は、３本ずつ並行する２列に形成し
てなる。
面に、金（Ａｕ）等にてなるバイアス磁界発生パターン
４３を形成し、次いでバイアス磁界発生パターン４３を
覆うように窒化シリコン（Ｓ ｉ Ｎ）や二酸化シリコ
ン（Ｓｉｆｔ）等にて絶縁１！ａに相当する絶縁層（図
示せず）を形成し、該絶縁層の上に形成しバイアス磁界
発生パターン４３と対向する複数本（図は６本）の磁気
抵抗体パターン１５は、３本ずつ並行する２列に形成し
てなる。
磁界発生パターン４３は、一対の磁界発生パターン３３
を向かい合わせに接続したパターン形状であり、一対の
外部接続用導体端子４３ａと４３ｂを端部に形成してな
る。
を向かい合わせに接続したパターン形状であり、一対の
外部接続用導体端子４３ａと４３ｂを端部に形成してな
る。
複数本（６本）の磁気抵抗体パターン１５は、それらを
直列に接続する導体端子１５ｃと、直列に接続された端
部に接続された外部接続用導体端子１５ａ、１５ｂと、
直列に接続された中央に接続された出力導体端子１５ｄ
を形成してなる。
直列に接続する導体端子１５ｃと、直列に接続された端
部に接続された外部接続用導体端子１５ａ、１５ｂと、
直列に接続された中央に接続された出力導体端子１５ｄ
を形成してなる。
このような磁気抵抗素子４１は、磁界発生パターン４３
に適当な電流を印加し各導電路３３ｃに電流■を流すと
、左側の３本の磁気抵抗惨パターン１５に対し左上向き
に傾斜するバイアス磁界１（ｂが発生し、右側の３本の
磁気抵抗体パターン１５に対し左下向きに傾斜するバイ
アス磁界Ｈｂが発生し、図中の矢印方向に印加された外
部磁界Ｈの強さは、磁気抵抗素子３１と同様に検出され
ることになるが、磁気抵抗素子３１より高精度であると
いう利点がある。
に適当な電流を印加し各導電路３３ｃに電流■を流すと
、左側の３本の磁気抵抗惨パターン１５に対し左上向き
に傾斜するバイアス磁界１（ｂが発生し、右側の３本の
磁気抵抗体パターン１５に対し左下向きに傾斜するバイ
アス磁界Ｈｂが発生し、図中の矢印方向に印加された外
部磁界Ｈの強さは、磁気抵抗素子３１と同様に検出され
ることになるが、磁気抵抗素子３１より高精度であると
いう利点がある。
なお、前記実施例において各磁気抵抗素子のバイアス磁
界発生パターンは、素子出力を安定化させるため、磁気
抵抗体パターンの幅と同等ないし同等以上に広くするこ
とが望ましい。
界発生パターンは、素子出力を安定化させるため、磁気
抵抗体パターンの幅と同等ないし同等以上に広くするこ
とが望ましい。
また、前記実施例において各磁気抵抗素子は、バイアス
磁界発生パターンを形成した上に絶縁層を形成し、そ、
の絶縁層の上に磁気抵抗体パターンを形成してなるが、
バイアス磁界発生パターンと磁気抵抗体パターンとを入
れ替えた構成、即ち絶縁突板に磁気抵抗体パターンを形
成し、次いで絶縁層を被着し、しかるのち該絶縁層の上
にバイアス磁界発生パターンを形成し、本発明の磁気抵
抗素子が得られる。
磁界発生パターンを形成した上に絶縁層を形成し、そ、
の絶縁層の上に磁気抵抗体パターンを形成してなるが、
バイアス磁界発生パターンと磁気抵抗体パターンとを入
れ替えた構成、即ち絶縁突板に磁気抵抗体パターンを形
成し、次いで絶縁層を被着し、しかるのち該絶縁層の上
にバイアス磁界発生パターンを形成し、本発明の磁気抵
抗素子が得られる。
さらに、使用する絶縁基堺がシリコン基板であるとき、
シリコンに予電性を付与する不純物、例えばボロンを該
シリコイ基板に拡散せしめてバイアス磁界発生パターン
を形成し、その上に絶縁層を被着またはシリコン基板の
表面を酸化させた酸化絶縁層を形成すしめ、速いで磁気
抵抗体パターンを形成し、本発明の磁気抵抗素子が得ら
れるようになる。
シリコンに予電性を付与する不純物、例えばボロンを該
シリコイ基板に拡散せしめてバイアス磁界発生パターン
を形成し、その上に絶縁層を被着またはシリコン基板の
表面を酸化させた酸化絶縁層を形成すしめ、速いで磁気
抵抗体パターンを形成し、本発明の磁気抵抗素子が得ら
れるようになる。
以上説明したように本発明によれば、磁気抵抗素子の磁
気検出パターンとバイアス磁界を発生させる導体パター
ンとを、同一基板に積層させて形成することによって小
型、軽量化すると共に、磁気検出パターンとバイアス磁
界パターンとは、近接に配設され位置合わせの高精度化
を実現し、しかも任意のバイアス磁界が容易に発生させ
ることを可能ならしめた効果がある。
気検出パターンとバイアス磁界を発生させる導体パター
ンとを、同一基板に積層させて形成することによって小
型、軽量化すると共に、磁気検出パターンとバイアス磁
界パターンとは、近接に配設され位置合わせの高精度化
を実現し、しかも任意のバイアス磁界が容易に発生させ
ることを可能ならしめた効果がある。
第１図は本発明による磁気抵抗素子の基本構成図、
第２図は本発明の第１の実施例による磁気抵抗素子、
第３図は本発明の第２の実施例による磁気抵抗素子、
第４図は本発明の第３の実施例による磁気抵抗素子、
第５図は本発明の第４の実施例による磁気抵抗素子、
第６図はバイアス磁界を印加しない磁気抵抗素子の出力
特性図、 第７図はバイアス磁界を印加した磁気抵抗素子の出力特
性図、 図中において、 、 １．１１．２１．３１．４１は磁気抵抗素子、２．１２
は絶縁−板、 ３．１３．３３はバイアス磁界発生パターン、４は絶縁
層、 ５．１５は磁気抵抗体パターン、 ３３ｃは導電路、 Ｈは外部磁界、 Ｈｂはバイアス磁界、 ■はバイアス磁界発生電流、 を示す。 （イ） 茎３ 回
特性図、 第７図はバイアス磁界を印加した磁気抵抗素子の出力特
性図、 図中において、 、 １．１１．２１．３１．４１は磁気抵抗素子、２．１２
は絶縁−板、 ３．１３．３３はバイアス磁界発生パターン、４は絶縁
層、 ５．１５は磁気抵抗体パターン、 ３３ｃは導電路、 Ｈは外部磁界、 Ｈｂはバイアス磁界、 ■はバイアス磁界発生電流、 を示す。 （イ） 茎３ 回
Claims (3)
- （１）絶縁基板（２、１２）に、所望の電流（Ｉ）を流
して適当なバイアス磁界（Ｈｂ）を発生させるバイアス
磁界発生パターン（３、１３、３３）と、該バイアス磁
界および被測定の外部磁界（Ｈ）を磁電変換する磁気抵
抗体パターン（５）とを、絶縁層（４）を介して積層し
形成してなることを特徴とする磁気抵抗素子。 - （２）前記絶縁基板（１２）がシリコン基板であり、前
記バイアス磁界発生パターン（１３、３３）がシリコン
に導電性を付与する不純物を拡散させた拡散層であるこ
とを特徴とする、前記請求項１記載の磁気抵抗素子。 - （３）前記バイアス磁界発生パターン（３）が、前記磁
気抵抗体パターン（５）の長さ方向に対し傾斜する導電
路（３３ｃ）であることを特徴とする、前記請求項１ま
たは２記載の磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054354A JPH01227482A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054354A JPH01227482A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227482A true JPH01227482A (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=12968298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054354A Pending JPH01227482A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01227482A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014089088A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
| JP2016133430A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 三菱電機株式会社 | 電流検出装置および磁界検出装置 |
| WO2022107765A1 (ja) * | 2020-11-23 | 2022-05-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054354A patent/JPH01227482A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014089088A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
| JP2016133430A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 三菱電機株式会社 | 電流検出装置および磁界検出装置 |
| WO2022107765A1 (ja) * | 2020-11-23 | 2022-05-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
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