JPH04127401A - チップ型サーミスタおよびその製造方法 - Google Patents
チップ型サーミスタおよびその製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
発明はプリント回路基板に実装され、その抵抗値を精密
に調整されたチップ型サーミスタを製造する方法に関す
る。
ミスタの製造方法において、 焼結したサーミスタ素体に印刷方法によって抵抗値調整
用電極を形成した後チップ形状に切り出すことにより、 その抵抗値を精密に調整できるようにするものである。
7図の断面図に示すように焼結したサーミスタ素体1の
表面に保護用のガラス層5を被覆し、この直方体の両端
に端子電極4を形成するものである。
るための構造として、その端子電極をサーミスタ素体1
の端面以外の表面にあ広く張り出す構造のサーミスタが
提案されている(実開昭63−61102号公報)。
をサーミスタ素体1の上下面を挟持するように延長して
サーミスタの抵抗値を低くするものである。
タの抵抗値を精密に調整することは難しい問題があった
。すなわち、チップ型サーミスタは端子電極を直方体の
端面以外の上下面あるいは上下面およびサイド面にも広
く張り出す必要があるたtlその端子電極の形成方法は
電極ペースト中へ直方体サーミスタ素体を浸漬する方法
あるいはそれに類似する方法に頼っている。
イド面に張り出させる端子電極の長さを精度よく制御す
ることは困難である。また、これに起因して製造したサ
ーミスタの抵抗値の分布は大きいため歩留りよくサーミ
スタを製造することは困難であった。
極を印刷法で形成することにより、精密に抵抗値調整が
可能なチップ型サーミスタを製造することができる方法
を提供することを目的とする。
てこのチップ型サーミスタ素体の両端面に端子電極を形
成するチップ型サーミスタの製造方法において、 ウェハ状サーミスタ素体の両面に銀ペーストまたは銀パ
ラジウムペーストを帯状に印刷して抵抗値調整用電極を
形成し、この抵抗値調整用電極の幅方向の中心線にそっ
て上記サーミスタ素体を切断することにより、チップ形
状の両端面にこの抵抗値調整用電極がくるように上記サ
ーミスタ素体を切断し、切り出されたチップ状サーミス
タ素体の両端面にこの抵抗値調整用電極と電気的に接続
して端子電極を形成することを特徴とする。
抗値調整用電極は他面の抵抗値調整用電極の中間に位置
するように印刷し、この抵抗値調整用電極がチップの片
端面に交互に現れるようにサーミスタ素体のそれぞれの
面の抵抗値調整用電極の幅方向の中心を切断することが
できる。
極を形成した後、サーミスタ素体表面保護用の絶縁コー
トを施すことができる。
その切り出した側面にサーミスタ素体表面保護用の絶縁
コートを施すことができる。
サーミスタ素体の端面以外の表面に形成した抵抗値調整
用電極は、電極ペースト中にサーミスタ素体を浸漬する
ことにより、あるいはそれに類する方法により形成した
電極に比較して、その寸法精度は非常に高い。したがっ
て、高精度の抵抗値調整用電極を形成できるため、この
抵抗値調整用電極間の間隔も高寸法精度で形成すること
ができる。また、サーミスタ焼結体に電極を形成するた
め、焼成収縮による寸法精度のばらつきは回避される。
は、両端子電極あるいはそれに接続した抵抗値調整用電
極の間隔により主に決定される。
極の間隔を形成することができれば高精度で抵抗値の調
整が可能であり、また抵抗値の分布の小さいサーミスタ
素子を得ることができ、高歩留りの製品の製造が可能で
ある。
除く4表面あるいは2表面に抵抗値調整用電極を形成し
た後、サーミスタ素体の端面を除く4面に耐熱性のガラ
ス層による保護コートを施して端子電極を形成すればサ
ーミスタ素体の表面の保護となり、抵抗値分布が広くな
る原因が除去されるため、高歩留りの製造が可能である
。
示し、この工程により製造される抵抗値調整用電極を形
成したチップ型サーミスタの外観斜視図を第1図に、そ
の断面図を第2図に示す。
タ素体の表面に被覆したチップ型サーミスタの断面図を
第3図に示す。さらに第3実施例の製造工程を説明する
図を第6図に示し、この第3実施例の製造工程で製造さ
れるチップ型サーミスタの断面図を第4図に示す。
した例を挙げて説明する。
調整用電極を形成したチップ型サーミスタを作製した。
5mmのウェハ状の焼結されたサーミスタ素体1を用い
て、このウェハの両側表面に、長さd=45.0 m
m、幅e=0.6mm、幅方向間隔f=1.4mmのス
リット状のパターンで銀ペーストを印刷した。このとき
、サーミスタ素体10両面の電極がサーミスタ焼結体を
挟んで等しい位置になるように印刷した。
μmの電極2を形成した。
うに切断面を選び厚さ0.10mIIlのダイヤモンド
ブレードを用いて、幅h=1.20mmの短冊状に切り
出した。
ペーストを印刷した。このとき、先に形成した電極2と
位置がずれないように印刷した。
10±5μmの電極3を形成した。
方向で、このサーミスタ素体1を電極2.3の中心がダ
イヤモンドブレードの中心と一致するように、長さm
= 1.90 mmのチップ状に切断した。
パラジウムペーストをチップ浸漬法により塗布した。こ
のとき、切断面を除く面へのペーストのまわり込みは0
.05mm〜0.10Mとなるようにして、電極2およ
び3より端子電極4がはみ出さないように塗布する。
成した。この段階におけるサーミスタ素子の寸法は長さ
n=約2.Omm、幅l=約1.3肚、厚さm=約0.
7mmであり、その外観を模式的に示すと第1図に示す
ようなものとなり、その断面は第2図に示すようなもの
となる(これを試料番号1とする。)。
ターンの輻eを1.0關(番号2)、1.4闘(番号3
) 、1.8 mm (番号4)に変化させて全部で4
種類のサーミスタを作製した。なお、このとき、幅方向
間隔fはe+f=2.0mmになるように作製した。
2.3を形成しないサーミスタ素子を比較例として作製
した。
5mmのウェハ状サーミスタ焼結体1を輻h=1.20
mm、長さn =1.90肛、厚さm=0.65mmの
チップ状に切断した。そのチップの幅方向と厚さ方向を
含む両端に銀パラジウムペーストを浸漬法により塗布し
た。
.4肛(比較例1)、約0.6闘(比較例2)になるよ
うに作製した。
を作製した。
のサーミスタの25℃における抵抗値R25,25℃と
50℃との間におけるB定数825−!ioを測定した
。この結果を第1表に示す。
数B 25− S Oが同程度であるかにもかかわらず
抵抗値R2Sはさまざまな値を示している。このように
、抵抗値調整用電極2.3を形成し、その形状を選択す
ることにより、一つの組成のサーミスタ焼結体を用いて
同一外形寸法のさまざまな抵抗値をもったサーミスタを
得ることが可能となった。
B定数を持つサーミスタを容易に得ることが可能となっ
た。また、比較例1.2のサーミスタのR2Sの標準偏
差/平均値の値は、8.39%、15、97%であるが
、これに比較して番号1〜4のサーミスタの同項目の値
はいずれも小さい。この値が小さいことはその分布が小
さいことを意味するので、本実施例により製造されたサ
ーミスタはその抵抗値の分布が比較例1.2により製造
されたサーミスタより小さいことを意味する。
形成された電極の形状のばらつきからくると考えられる
ため、本発明による効果が大きい。
整用電極と端子電極を一体で形成する方法では、抵抗値
調整用電極の形状ばらつきを抑えることが非常に困難で
あるのに対して、実施例1のように抵抗値調整用電極を
先に形成する方法によれば、その形成はスクリーン印刷
法などの印刷法によりその形状をきわめて精密に形成で
きるため、その抵抗値調整用電極の形状のばらつきを小
さく抑えることが可能である。
りで製造することが可能である。
に帯状の電極2を形成した。次にこのサーミスタ素体の
両面の全面に5in2. B、0.、 Banを主成分
とするガラスペーストを印刷し、焼付炉にて850℃で
焼き付け、厚さr=30±10μmのガラス層5を形成
した。
を選び、厚さ0.10mmのダイヤモンドブレードを用
い、幅S=1.20mmの短冊状に切り出した。
t=30±10μmのガラス層を形成し、4面をガラス
層で被覆した短冊状サーミスタ素体を作製した。
でこのサーミスタ素体を電極2の中心がダイヤモンドブ
レードの中心と一致するように長さu=1.90mmの
チップ状に切断した。
布した。このとき、切断面を除く面へのペーストのまわ
り込みについては、特に留意しなかった。これを焼付炉
にて800℃で焼き付けて端子電極4を形成した(試料
番号5)。
る抵抗値R2Sおよび25℃と50℃との間におけるB
定数325−5oを測定した。
00個の平均値である。
標準偏差/平均値の値は、実施例1により製造したサー
ミスタの同項目の値と同程度である。すなわち、抵抗値
調整用電極を直方体の端面を除く4面すべてに形成しな
くとも端面以外の面にガラス層を形成することにより、
抵抗値の分布が小さく、高精度の抵抗値をもつサーミス
タを高歩留りで製造することが可能である。
5mmのウェハ状サーミスタ素体1を用い、このウェハ
の片面表面に第6図の工程に示すように長さd=45.
0mm、幅e=0.6mm、幅方向間隔f=3.4mm
のスリット状のパターンで銀ペーストを印刷した。さら
にもう一方の表面に同じパターンで幅方向に他面とは2
.0mmずらして銀ペーストを印刷した。
±5即の電極2を形成した。
面に5in2. B20.、 Banを主成分とするガ
ラスペーストを印刷し、焼付炉にて850℃で焼き付け
、犀さr=30±10μlのガラス層5を形成した。
を選び、厚さ0.10mmのダイヤモンドブレードを用
い、幅i=1.20mmの短冊状に切り出した。
ラス形成方法により厚さj=30±10aunのガラス
層を形成し、4面をガラス層で被覆した短皿状のサーミ
スタ素体を作製した。
向で、電極2の中心がダイヤモンドブレードの中心と一
致するようにサーミスタ素体を長さに=1.90mmの
チップ状に切断した。
炉にて800℃で焼き付け、端子電極4を形成した。こ
の段階におけるサーミスタ素子の寸法は長さp=約2.
0証、幅m=約1.3扉、厚さn=約0.75市であっ
た。
極4の表面に厚さ2〜3μlのニッケル層と厚さ4〜5
μmの半田層を積層した(以上試料番号6)。
ンのスリットの幅dを1.0m+n(番号7)、1.4
mm(番号8) 、1.8 mm (番号9)、2.2
mm(番号10) 、2.6 m+n (番号11)
、3.0 mm (番号12)、3.4an(番号13
)に変化させて全部で9種類のサーミスタを作製した。
るように作製した。
製した。
ミスタの25℃における抵抗値R25および25℃と5
0℃との間におけるB定数B 2 S −S Oを測定
した。
0個の平均値である。
選択することにより、一つの組成のサーミスタ素体を用
いて、同一外形寸法のほぼ同程度のB定数を有する様々
な抵抗値をもったサーミスタを得ることができた。
値、高B定数を持つサーミスタを容易にしかも精度よく
得ることができる。
ができ、しかも高い歩留りの抵抗値調整用電極を持つチ
ップ型サーミスタを容易に製造することができる。
タの外観斜視図。 第2図は第1実施例のチップ型サーミスタの模式断面図
。 第3図は第2実施例のチップ型サーミスタの模式断面図
。 第4図は第3実施例のチップ型サーミスタの模式断面図
。 第5図は第1実施例の製造工程を説明する図。 第6図は第3実施例の製造工程を説明する図。 第7図はチップ型サーミスタの模式断面図。 第8図は端子電極で抵抗値調整を行うチップ型サーミス
タの模式断面図。 1・・・サーミスタ素体、 2. 3・・・電極、 4・・・端子 電極、 5・・・ガラス層。
Claims (4)
- 1.焼結したサーミスタ素体をチップ状に切出してこの
チップ型サーミスタ素体の両端面に端子電極を形成する チップ型サーミスタの製造方法において、 ウェハ状サーミスタ素体の両面に銀ペーストまたは銀パ
ラジウムペーストを帯状に印刷して抵抗値調整用電極を
形成し、 この抵抗値調整用電極の幅方向の中心線にそって上記サ
ーミスタ素体を切断することにより、チップ形状の両端
面にこの抵抗値調整用電極がくるように上記サーミスタ
素体を切断し、 切り出されたチップ状サーミスタ素体の両端面にこの抵
抗値調整用電極と電気的に接続して端子電極を形成する ことを特徴とするチップ型サーミスタの製造方法。 - 2.ウェハ状サーミスタ素体の一片面に印刷される抵抗
値調整用電極は他面の抵抗値調整用電極の中間に位置す
るように印刷し、 この抵抗値調整用電極がチップの片端面に交互に現れる
ようにサーミスタ素体のそれぞれの面の抵抗値調整用電
極の幅方向の中心を切断する請求項1記載のチップ型サ
ーミスタの製造方法。 - 3.ウェハ状サーミスタ素体の両面に抵抗値調整用電極
を形成した後、サーミスタ素体表面保護用の絶縁コート
を施す 請求項1または2記載のチップ型サーミスタの製造方法
。 - 4.ウェハ状サーミスタ素体を短冊状に切り出した後そ
の切り出した側面にサーミスタ素体表面保護用の絶縁コ
ートを施す 請求項1ないし3のいずれかに記載のチップ型サーミス
タの製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH06231906A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-19 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ |
EP0660094A1 (en) * | 1993-12-21 | 1995-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor element |
WO1997027598A1 (fr) * | 1996-01-24 | 1997-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pieces electroniques et leur procede de fabrication |
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JPH10106809A (ja) * | 1996-10-02 | 1998-04-24 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
JPH10144504A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
US6100110A (en) * | 1996-10-09 | 2000-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Methods of making thermistor chips |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2334320A patent/JP2847102B2/ja not_active Expired - Lifetime
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US6400253B1 (en) | 1996-01-24 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacture therefor |
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JP2847102B2 (ja) | 1999-01-13 |
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