JPH06215908A - チップ型サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 電極間のはんだブリッジがなく、はんだ耐熱
性とはんだ付着性に優れ、電極のめっき処理による抵抗
値の変化がなく、熱的ストレスに起因した引張応力に対
する強度が高いチップ型サーミスタを容易にかつ安価に
製造する。 【構成】 ６面体からなるチップ状サーミスタ素体１１
の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけて一
対の端子電極１２，１２が設けられ、サーミスタ素体１
１の上面全体に上面絶縁層１４とが設けられる。下面の
一対の電極１２，１２間に下面絶縁層を設けることもで
きる。上面絶縁層１４の代わりにサーミスタ素体１１の
上面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけて一対
の端子電極を設けることもできる。上面絶縁層１４の代
わりにサーミスタ素体１１の上面の相対向する２つの端
縁に沿って間隔をあけて一対の端子電極を設け、電極間
に上面絶縁層を設けることもできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント回路基板等に
表面実装されるチップ型サーミスタ及びその製造方法に
関する。更に詳しくは電子機器の温度補償用サーミスタ
や表面温度測定用センサに適し、温度上昇に従って抵抗
値が減少するチップ型サーミスタ及びその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のチップ型サーミスタは、
サーミスタ素体の両端部に銀−パラジウムを主成分とす
る電極が焼付けられている。電極成分に銀の他にパラジ
ウムを含有する理由は、基板にチップ型サーミスタをは
んだ付けする際に、銀がはんだ中に溶出して消失するこ
とを防止し、電極のはんだ耐熱性を得るためである。

【０００３】しかし、パラジウムの含有量を増加すると
電極のはんだ付着性が低下して基板へのチップ型サーミ
スタの固着力が弱くなるため、パラジウムの含有量には
一定の限界があった。このため電極のはんだ付けが高温
で長時間行われる場合には、従来のチップ型サーミスタ
はなおはんだ耐熱性が不十分であった。はんだ耐熱性と
はんだ付着性を向上させるために、チップ型コンデンサ
と同様に、焼付け電極である下地電極の表面にめっき層
を設けることが考えられるが、サーミスタ素体はコンデ
ンサ素体と異なり導電性を有するため、このサーミスタ
素体を露出したままめっき処理した場合、素体表面にめ
っきが付着してサーミスタの抵抗値が所期の値と異な
り、しかもサーミスタ素体がめっき液で浸食されてサー
ミスタの信頼性が低下する等の不具合を生じる。

【０００４】この点を改善するため、本出願人は焼付け
電極層が接触する部分以外のサーミスタ素体の表面をガ
ラス層で被覆し、焼付け電極層の表面にめっき層を形成
したチップ型サーミスタを特許出願した（特開平３−２
５０６０３）。このチップ型サーミスタは、次の方法に
より製造される。先ずサーミスタ素体用のセラミック焼
結シートの両面にガラスペーストを印刷して焼成するこ
とにより絶縁性のガラス層を形成する。次いで両面がガ
ラス層で被覆された焼結シートを短冊状に切断した後、
両側の切断面に前述と同様にガラスペーストを印刷焼成
してガラス層を形成する。次に前記切断面と垂直な方向
にこの短冊状物を細かく切断してチップを作る。このチ
ップの切断面を包むようにチップの両端部に導電性ペー
ストを塗布し、焼成して焼付け電極層を形成する。更に
この焼付け電極層を下地電極としてこの表面にめっき層
を形成して焼付け電極層とめっき層からなる端子電極を
有するチップ型サーミスタを得る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記チップ型
サーミスタを含め、一般にチップ状サーミスタ素体の両
側面に端子電極を設ける構造のチップ型サーミスタは、
プリント回路基板に表面実装した後の熱的ストレスによ
る引張応力が加わったときにクラックを生じ易い。そし
てクラックが発生するとサーミスタとしての特性が変化
する。また上記製造方法では、ガラス層の被覆を２回に
分けて行う必要がある上、チップになった後に、その両
端部に導電性ペーストを塗布したり、めっき層を形成し
たりする必要がある。このため、チップにした後の取扱
いに多大の注意を払わなければならない。これらのこと
から製造工程が複雑化し、必然的に製造コストが高価に
なる問題点があった。

【０００６】本発明の目的は、電極間にはんだブリッジ
が発生せず、はんだ耐熱性及びはんだ付着性に優れ、電
極のめっき処理による抵抗値の変化がなく、信頼性の高
いチップ型サーミスタを提供することにある。本発明の
別の目的は、熱的ストレスに起因した引張応力に対する
強度が高いチップ型サーミスタを提供することにある。
本発明の別の目的は、表裏の方向性がなく、基板実装前
の作業を容易にするチップ型サーミスタを提供すること
にある。本発明の更に別の目的は、上記優れたチップ型
サーミスタを比較的容易にかつ安価に製造できるチップ
型サーミスタの製造方法を提供することにある。

【０００７】

【問題点を解決するための手段】図１〜図３に示すよう
に、本発明の第１のチップ型サーミスタ１０は、６面体
からなるチップ状サーミスタ素体１１と、このサーミス
タ素体１１の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔
をあけて設けられた一対の端子電極１２，１２と、この
サーミスタ素体１１の上面全体に設けられた上面絶縁層
１４とを備えたものである。図４〜図６に示すように、
本発明の第２のチップ型サーミスタ２０は、第１のチッ
プ型サーミスタ１０のサーミスタ素体１１の下面の一対
の端子電極１２，１２間に下面絶縁層１３を設けたもの
である。

【０００８】図７に示すように、本発明の第３のチップ
型サーミスタ３０は、第１のチップ型サーミスタ１０に
おいて、サーミスタ素体１１の上面絶縁層１４の代わり
に、サーミスタ素体１１の上面の相対向する２つの端縁
に沿って間隔をあけて一対の端子電極３２，３２を設け
たものである。図８に示すように、本発明の第４のチッ
プ型サーミスタ４０は、第２のチップ型サーミスタ２０
において、サーミスタ素体１１の上面絶縁層１４の代わ
りに、サーミスタ素体１１の上面の相対向する２つの端
縁に沿って間隔をあけて一対の端子電極４２，４２を設
け、これらの端子電極４２，４２間に上面絶縁層４４を
設けたものである。なお、図１、図４、図７及び図８に
示すように、端子電極１２，３２，４２は貴金属を含む
下地電極１６，３６，４６と、この下地電極１６，３
６，４６の表面に形成されたＮｉめっき層１７ａ，３７
ａ，４７ａと、このＮｉめっき層１７ａ，３７ａ，４７
ａの表面に形成されたＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１７
ｂ，３７ｂ，４７ｂとを備えることが好ましい。

【０００９】また、本発明の第１のチップ型サーミスタ
１０の製造方法は、図９に示すサーミスタ素体用セラミ
ック焼結シート２１の片面全体に下地電極１６を形成し
（図１０及び図１１）、焼結シート２１の別の片面全体
に絶縁性ペーストを塗布した後、この焼結シート２１を
焼成して絶縁層１４を形成し（図１２）、下地電極１６
の表面にＮｉめっき層１７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめ
っき層１７ｂをこの順に形成し（図１及び図１２）、こ
の下地電極１６とめっき層１７からなる電極面をスリッ
ト状に研削して多数列の電極を焼結シート２１の片面に
形成し（図１３）、この焼結シート２１を２列の電極ず
つ各電極が端縁に位置するように短冊状に切断し（図１
４）、短冊状サーミスタ素体２２をその切断面と垂直な
方向でチップ状に切断してチップ型サーミスタ１０を得
る（図１５）方法である。

【００１０】また、本発明の第２のチップ型サーミスタ
２０の製造方法は、図９に示すサーミスタ素体用セラミ
ック焼結シート２１の片面に多数列の下地電極１６を形
成し（図１６及び図１７）、下地電極１６を露出しかつ
これらの下地電極間を埋めるように焼結シート２１の片
面に絶縁性ペーストを塗布し、焼結シート２１の別の片
面全体に絶縁性ペーストを塗布した後、この焼結シート
２１を焼成して絶縁層１３，１４を形成し（図１８）、
露出した下地電極１６の表面にＮｉめっき層１７ａ及び
Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１７ｂをこの順に形成して
下地電極１６とめっき層１７からなる多数列の電極を焼
結シート上に形成し（図４及び図１９）、この焼結シー
ト２１を２列の電極ずつ各電極が端縁に位置するように
短冊状に切断し（図２０）、短冊状サーミスタ素体２２
をその切断面と垂直な方向でチップ状に切断してチップ
型サーミスタ２０を得る（図２１）方法である。

【００１１】また、本発明の第３のチップ型サーミスタ
３０の製造方法は、図９に示すサーミスタ素体用セラミ
ック焼結シート２１の両面に下地電極１６及び３６を形
成し（図３１）、これらの下地電極１６，３６の表面に
Ｎｉめっき層１７ａ，３７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめ
っき層１７ｂ，３７ｂをこの順にそれぞれ形成して下地
電極１６，３６とめっき層１７，３７からなる電極を焼
結シートの両面に形成し（図７及び図３２）、以下、図
示しないが、図１３及び図１４と同じ方法で焼結シート
の両面に形成した下地電極１６，３６とめっき層１７，
３７からなる電極面をそれぞれスリット状に研削して多
数列の電極を焼結シート２１の両面に相対向するように
形成し、この焼結シートを２列の電極ずつ各電極が端縁
に位置するように短冊状に切断し、短冊状サーミスタ素
体をその切断面と垂直な方向でチップ状に切断してチッ
プ型サーミスタ３０を得る方法である。

【００１２】更に、本発明の第４のチップ型サーミスタ
４０の製造方法は、図９に示すサーミスタ素体用セラミ
ック焼結シート２１の両面に互いに相対向するように多
数列の下地電極１６及び４６を形成し（図３３）、これ
らの下地電極１６，４６を露出しかつこれらの下地電極
間を埋めるように焼結シート２１の両面に絶縁性ペース
トを塗布した後、この焼結シート２１を焼成して絶縁層
１３，４４を形成し（図３４）、以下、図示しないが、
図１９と同じ方法で露出した下地電極１６，４６の表面
にＮｉめっき層１７ａ，４７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂ
めっき層１７ｂ，４７ｂをこの順にそれぞれ形成して下
地電極１６，４６とめっき層１７，４７からなる多数列
の電極を焼結シートの両面に形成し、この焼結シートを
２列の電極ずつ各電極が端縁に位置するように短冊状に
切断し、短冊状サーミスタ素体をその切断面と垂直な方
向でチップ状に切断してチップ型サーミスタ４０を得る
方法である。

【００１３】以下、本発明を詳述する。 (A) 第１のチップ型サーミスタ１０の製造について： (1) セラミック焼結シートの作製 図９に示すように、サーミスタ素体用セラミック焼結シ
ート２１を用意する。この焼結シート２１は次の方法に
より作られる。先ずＭｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａ
ｌ等の金属の酸化物粉末を１種又は２種以上混合する。
２種以上混合するときは、所定の金属原子比になるよう
に各金属酸化物を秤量する。この混合物を仮焼し粉砕
し、有機結合材を加え混合して直方体に成形した後、焼
成してセラミック焼結ブロック（図示せず）を作製す
る。次いでこのブロックをバンドソーを用いてウエハ状
に切断し、図９に示す焼結シート２１を得る。なお、金
属酸化物の混合物を仮焼し粉砕した後、有機結合材と溶
剤を加え混練してスラリーを調製し、このスラリーをド
クターブレード法等により成膜乾燥してグリーンシート
を成形し、これを焼成し焼結シート２１を得てもよい。

【００１４】(2) 下地電極の形成 次に、図１０に示すように、焼結シート２１の片面全体
に貴金属粉末と無機結合材を含む導電性ペーストを塗布
して焼成する。図１１は図１０のＦ部拡大図である。こ
の塗布は導電性ペーストを均一に印刷する印刷法による
ことが好ましい。貴金属粉末を例示すれば、Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、又はこれらを混合した粉末
が挙げられる。この焼成により下地電極１６が焼結シー
ト２１の片面全体に形成される。なお、導電性ペースト
を印刷法により塗布し、これを焼成して焼付け電極層の
下地電極を形成する以外に、焼結シート２１の片面に溶
射法により下地電極を形成することもできる。

【００１５】(3) 絶縁層の形成 図１２に示すように、焼結シート２１の下地電極１６が
設けられない片面全体に絶縁性ペーストが塗布される。
この塗布も印刷法によることが好ましい。絶縁性ペース
トはガラスペースト又は樹脂ペーストである。ガラスペ
ーストに含まれるガラス成分又は樹脂ペーストに含まれ
る樹脂は耐めっき性があることが必要である。ガラス成
分は結晶質であっても非結晶質であってもよい。また樹
脂としてはエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂が例示さ
れる。この絶縁性ペーストを塗布した後、焼結シート２
１を熱処理して、１０〜２０μｍ程度の厚さのガラス層
又は樹脂層からなる絶縁層１４が形成される。この絶縁
層１４がガラス層の場合には、ガラス層１４はその熱膨
張係数がサーミスタ素体用焼結シート２１の熱膨張係数
の４０％以上１００％以下であることが好ましい。熱膨
張係数がこの範囲内にあると、ガラス層がない場合に比
較してサーミスタ１０の抗折強度が増加する。

【００１６】抗折強度とは、間隔を設けて配置された２
つの台にチップ型サーミスタの両端を置き、チップ型サ
ーミスタの中央部に応力を加えたときの破壊強度をい
う。これは、チップ型サーミスタをプリント回路基板に
表面実装したときのはんだ等による熱や実装後の熱サイ
クルによって生じる応力歪み（熱的ストレス）にどれだ
け耐えることができるかの目安となる。本発明のガラス
層を有するサーミスタ１０の抗折強度が増加するのは、
サーミスタ素体表面のガラス層に圧縮応力が残留するた
めと考えられる。即ち、製造時に熱膨張していたサーミ
スタ素体１１とガラス層１４が冷えると、熱膨張係数の
大きなサーミスタ素体の方が縮み方が大きく、ガラス層
が圧縮された状態となる。この状態のサーミスタ１０に
折曲げ力を加えると、折曲げの内側には圧縮応力が生
じ、外側には引張応力が生じる。サーミスタ素体とガラ
ス層は、ともに圧縮応力に強く引張応力に弱い特徴があ
る。このため、予めガラス層により圧縮応力を与えてお
くと、ガラス層がない場合に比べて、折曲げ力を加えた
ときにその曲げの外側の引張応力に対してクラックが生
じにくくなる。樹脂層はサーミスタの抗折強度を高める
作用はないが、ガラス層と比べて低い熱処理温度で硬化
して形成できる利点がある。

【００１７】(4) めっき層の形成 図１及び図１２に示すように、下地電極１６の表面にめ
っき層１７を設けて、下地電極１６及びめっき層１７に
より電極を作ることが好ましい。めっき層１７はＮｉめ
っき層１７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１７ｂを
この順に形成する。これらのめっき層は電解めっきによ
り形成される。めっき浴はＮｉ，Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂと
もそれぞれ公知のものを使用する。めっき層を二重構造
にするのは、Ｎｉめっき層１７ａによりはんだ耐熱性を
向上させはんだによる下地電極１６の電極食われを防止
するためであり、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１７ｂに
より端子電極１２のはんだ付着性を向上するためであ
る。

【００１８】(5) 多数列の電極の形成 図１２及び図１３に示すように、ダイヤモンドブレード
付き切断機のようなダイシングソーを用いて符号Ｂ部分
の下地電極１６及びめっき層１７からなる電極面をスリ
ット状に研削して多数列の電極を焼結シート２１の片面
に形成する。この研削により多数列の電極の間には凹条
１５が形成される。この凹条１５が最終製品のチップ型
サーミスタ１０の端子電極間のギャップとなる。

【００１９】(6) 短冊状サーミスタ素体の形成 図１３及び図１４に示すように、矢印Ｍの箇所で凹条１
５を形成した焼結シート２１を２列の電極ずつ各電極が
端縁に位置するように上記ダイシングソーで短冊状に切
断し、短冊状サーミスタ素体２２を得る。

【００２０】(7) チップ型サーミスタの作製 図１４及び図１５に示すように、上記ダイシングソーを
用いて矢印Ｎの箇所で短冊状サーミスタ素体２２の切断
面と垂直な方向でチップ状に切断してチップ型サーミス
タ１０を得る。図１５で得られたチップ型サーミスタ１
０を裏返せば、図１及び図３のチップ型サーミスタとな
る。

【００２１】(B) 第２のチップ型サーミスタ２０の製造
について： (1) セラミック焼結シートの作製と下地電極の形成 第１のチップ型サーミスタ１０のセラミック焼結シート
と同じ製法でセラミック焼結シート２１を作製する。次
に、図１６に示すように、焼結シート２１の片面に貴金
属粉末と無機結合材を含む導電性ペーストを縞状に塗布
して焼成する。図１７は図１６のＦ部拡大図である。こ
の塗布は所定の縞状パターンを焼結シート２１に重ね合
せて導電性ペーストを印刷する印刷法によることが好ま
しい。導電性ペーストは第１のチップ型サーミスタ１０
のそれと同じである。この焼成により、多数列の下地電
極１６が形成される。ここで、焼結シート２１の一方の
端縁に多数列の下地電極１６すべてに接続するめっき用
電極層１６ａ（図１６）を形成しておくことが好まし
い。なお、導電性ペーストを印刷法により塗布し、これ
を焼成して焼付け電極層の下地電極を形成する以外に、
焼結シート２１の片面に所定の縞状パターンを重ね合せ
て溶射法により下地電極を形成することもできる。

【００２２】(2) 絶縁層の形成 図１８に示すように、焼結シート２１の両面にそれぞれ
同一の絶縁性ペーストを塗布する。この絶縁性ペースト
は第１のチップ型サーミスタ１０の絶縁性ペーストと同
じであって、ガラスペースト又は樹脂ペーストである。
下地電極１６が設けられた片面では、下地電極１６を露
出しかつこれらの電極間を埋めるように絶縁性ペースト
がやはり縞状に塗布される。めっき用電極層１６ａがあ
る場合には、この電極層１６ａも露出される。下地電極
１６が設けられない片面では絶縁性ペーストがシート全
体に塗布される。シート両面への絶縁性ペーストの塗布
は印刷法によることが好ましい。。この絶縁性ペースト
を塗布した後、焼結シート２１を熱処理して、１０〜２
０μｍ程度の厚さのガラス層又は樹脂層からなる絶縁層
１３，１４が形成される。絶縁層１３，１４がガラス層
の場合、ガラス層の熱膨張係数は第１のチップ型サーミ
スタ１０のガラス層と同じ理由でサーミスタ素体用焼結
シート２１の熱膨張係数の４０％以上１００％以下であ
ることが好ましい。

【００２３】(3) めっき層の形成 図４及び図１９に示すように、露出した下地電極１６の
表面にめっき層１７を設けて、下地電極１６及びめっき
層１７により多数列の電極を作ることが好ましい。めっ
き層１７はＮｉめっき層１７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂ
めっき層１７ｂをこの順に形成する。これらのめっき層
は第１のチップ型サーミスタ１０のめっき層と同様に形
成される。

【００２４】(4) 短冊状サーミスタ素体の形成 図１９及び図２０に示すように、矢印Ｍの箇所でめっき
層１７を形成した焼結シート２１を２列の電極ずつ各電
極が端縁に位置するようにダイヤモンドブレード付き切
断機のようなダイシングソーで短冊状に切断し、短冊状
サーミスタ素体２２を得る。

【００２５】(5) チップ型サーミスタの作製 図２０及び図２１に示すように、上記ダイシングソーを
用いて矢印Ｎの箇所で短冊状サーミスタ素体２２の切断
面と垂直な方向でチップ状に切断してチップ型サーミス
タ２０を得る。図２１で得られたチップ型サーミスタ２
０を裏返せば、図４及び図６のチップ型サーミスタとな
る。

【００２６】(6) その他の構造の第２のチップ型サーミ
スタの作製 図２２に示すように、焼結シート２１の片面に下地電極
２６を多数歯状に形成する。この電極層２６は１つの単
位が電極部２６ａと接続部２６ｂからなる。上述しため
っき層を形成した後に、図２３の破線Ｒに示すように焼
結シート２１を切断すると、図２５〜図２７に示すチッ
プ型サーミスタ２８が得られる。このサーミスタ２８は
電極層２６の露出部分がサーミスタ２０と比べて少な
く、イオン移動の影響を受けにくくなる。また図２４の
破線Ｓに示すように焼結シート２１を切断すると、図２
８〜図３０に示すチップ型サーミスタ２９が得られる。
このサーミスタ２９は電極層２６の露出部分がないた
め、イオン移動の影響をほとんど受けない。ただし、図
２４の接続部２６ｂが連なる符号Ｔに示す部分は破棄さ
れる。図２５〜図３０において、図５及び図６と同一符
号は同一構成部位を示す。

【００２７】(C) 第３のチップ型サーミスタ３０の製造
について： (1) セラミック焼結シートの作製と下地電極の形成 第１のチップ型サーミスタ１０のセラミック焼結シート
と同じ製法でセラミック焼結シート２１を作製する。次
に、図３１に示すように、焼結シート２１の両面に第１
のチップ型サーミスタ１０の導電性ペーストと同じ導電
性ペーストを同様に塗布して焼成する。この焼成により
焼結シート２１の両面に下地電極１６及び３６が形成さ
れる。

【００２８】(2) めっき層の形成 図７及び図３２に示すように、下地電極１６及び３６の
各表面にめっき層１７及び３７を設けて、下地電極１６
及びめっき層１７と下地電極３６及びめっき層３７によ
り電極を作ることが好ましい。めっき層１７，３７はＮ
ｉめっき層１７ａ，３７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっ
き層１７ｂ，３７ｂをこの順に形成する。これらのめっ
き層は第１のチップ型サーミスタ１０のめっき層と同様
に形成される。

【００２９】(3) 多数列の電極、短冊状サーミスタ素体
及びチップ型サーミスタの形成 図３２の符号Ｂ部分の下地電極１６及びめっき層１７と
下地電極３６及びめっき層３７を第１のチップ型サーミ
スタ１０の電極形成と同様にスリット状に研削して多数
列の電極を焼結シート２１の両面に相対向するように形
成する。この研削により図示しないが多数列の電極の間
には図１３と同じ方法で両面に凹条が形成される。この
凹条が最終製品のチップ型サーミスタ３０の端子電極間
のギャップとなる。図１３及び図１４と同じ方法で凹条
を形成した焼結シート２１を２列の電極ずつ各電極が端
縁に位置するように短冊状に切断し、短冊状サーミスタ
素体を得る。この短冊状サーミスタ素体の切断面と垂直
な方向でチップ状に切断して図７に示すチップ型サーミ
スタ３０を得る。このサーミスタ３０は表裏同形であ
る。

【００３０】(D) 第４のチップ型サーミスタ４０の製造
について： (1) セラミック焼結シートの作製と下地電極の形成 第１のチップ型サーミスタ１０のセラミック焼結シート
と同じ製法でセラミック焼結シート２１を作製する。次
に、図３３に示すように、焼結シート２１の両面に第１
のチップ型サーミスタ１０の導電性ペーストと同じ導電
性ペーストを縞状に塗布する。この縞は焼結シート２１
の両面で互いに相対向するように塗布され、その後焼成
される。この焼成により焼結シート２１の両面に互いに
相対向した下地電極１６及び４６が形成される。

【００３１】(2) 絶縁層の形成 図３４に示すように、焼結シート２１の両面にそれぞれ
同一の絶縁性ペーストを第２のチップ型サーミスタ２０
の場合と同様に塗布する。この絶縁性ペーストは第１の
チップ型サーミスタ１０の絶縁性ペーストと同じであっ
て、ガラスペースト又は樹脂ペーストである。下地電極
１６が設けられた片面では、下地電極１６を露出しかつ
これらの電極間を埋めるように、また下地電極４６が設
けられた片面では、下地電極４６を露出しかつこれらの
電極間を埋めるように絶縁性ペーストがそれぞれ縞状に
塗布される。図１６に示しためっき用電極層１６ａと同
様のめっき用電極層（図示せず）がシート両面にある場
合には、これらのめっき用電極層も露出される。絶縁性
ペーストを塗布した後、焼結シート２１を熱処理して、
１０〜２０μｍ程度の厚さのガラス層又は樹脂層からな
る絶縁層１３，４４が形成される。絶縁層１３，４４が
ガラス層の場合、ガラス層の熱膨張係数は第１のチップ
型サーミスタ１０のガラス層と同じ理由でサーミスタ素
体用焼結シート２１の熱膨張係数の４０％以上１００％
以下であることが好ましい。

【００３２】(2) めっき層の形成 図１９で示した第２のチップ型サーミスタ２０の電極形
成と同様に、下地電極１６及び４６の各表面にめっき層
１７及び４７を設けて、下地電極１６及びめっき層１７
と下地電極４６及びめっき層４７により多数列の電極を
作ることが好ましい。図８に示すように、めっき層１
７，４７はＮｉめっき層１７ａ，４７ａ及びＳｎ又はＳ
ｎ／Ｐｂめっき層１７ｂ，４７ｂをこの順に形成する。
これらのめっき層は第２のチップ型サーミスタ２０のめ
っき層と同様に形成される。

【００３３】(3) 短冊状サーミスタ素体及びチップ型サ
ーミスタの形成 図１９及び図２０で示した第２のチップ型サーミスタ２
０の電極形成と同様にめっき層１７及び４７を形成した
焼結シート２１を２列の電極ずつ各電極が端縁に位置す
るように短冊状に切断し、短冊状サーミスタ素体を得
る。この短冊状サーミスタ素体の切断面と垂直な方向で
チップ状に切断して図８に示すチップ型サーミスタ４０
を得る。このサーミスタ４０も表裏同形である。

【００３４】(E) 絶縁性被膜付きチップ型サーミスタの
作製 図３６及び図３７に示すように、第１のチップ型サーミ
スタ１０及び第２のチップ型サーミスタ２０に関して、
それぞれ一対の端子電極１２，１２を有するサーミスタ
素体１１の下面を除く他の５面に絶縁性被膜５０を形成
してもよい。この被膜５０の形成は、図３５に示すよう
に一対の端子電極１２，１２を有するサーミスタ素体１
１の下面を樹脂シート又はフィルム５０ａに張り付けて
マスキングした後、樹脂を化学蒸着することにより行わ
れる。図３５において符号Ｐは化学蒸着時の吹き付け線
を示す。この化学蒸着に適する樹脂としては、ポリパラ
キシリレン樹脂（商品名：パリレン樹脂、ユニオンカー
バイト社製）が挙げられる。なお、化学蒸着の代わりに
熱硬化性樹脂を塗布乾燥した後、熱処理してもよい。

【００３５】

【作用】図３又は図６に示すように、はんだ２３により
プリント回路基板２４にチップ型サーミスタ１０又は２
０を表面実装する。このとき、Ｎｉめっき層１７ａによ
りはんだ耐熱性が向上し、はんだによる下地電極１６の
電極食われが防止され、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１
７ｂにより端子電極１２のはんだ付着性が向上する。こ
れらのめっき層１７は貴金属の下地電極１６の表面を被
覆するため、貴金属のイオン移動（ion migration）が
発生しにくい。チップ型サーミスタ２８，２９，３０又
は４０でも同様である。また、チップ型サーミスタ２
０，２８，２９又は４０の場合、サーミスタ素体１１下
面の一対の下地電極１６，１６、２６，２６又は４６，
４６間に絶縁層１３又は４４が設けられるため、第一に
めっき層形成時にはサーミスタ素体が露出しないことか
ら素体表面にめっきが付着せず、しかもサーミスタ素体
がめっき液で浸食されず、サーミスタの抵抗値が所期の
値に対して変動しない。第二に基板へのはんだ付け時に
は電極間にはんだブリッジを生じない。チップ型サーミ
スタ１０，２０，２８，２９又は４０において、絶縁層
１３，１４又は４４がガラス層の場合にはサーミスタの
抗折強度が向上し、熱的ストレスに対して耐久性の高い
ものとなる。

【００３６】

【発明の効果】以上述べたように、従来の製造方法で
は、工程数が多く複雑であったものが、本発明の製造方
法によれば、少ない工程で比較的容易にチップ型サーミ
スタを製造できるため、量産に適し、製造コストが安価
になる。特に、下地電極及びめっき層を形成した後でサ
ーミスタ素体を精密に切断することにより、素子の寸
法、電極面積等を厳格に制御できるので、チップになっ
た後の特別な加工を要さず、しかも抵抗値の精度が高い
チップ型サーミスタが得られる。また、下地電極の表面
にめっき層を形成することにより、はんだ耐熱性とはん
だ付着性に優れ、信頼性の高いサーミスタが得られる。

【００３７】特に、本発明の第２及び第４のチップ型サ
ーミスタのように、プリント回路基板に対向するサーミ
スタ素体の一対の端子電極が接触する部分を除いた下面
を絶縁層で被覆すれば、はんだブリッジが発生しなくな
り、イオン移動が生じにくくなる。第１、第２及び第４
のチップ型サーミスタの絶縁層をガラス層で形成すれ
ば、基板実装後の熱的ストレスに起因した引張応力に対
する強度が高い。また、本発明の第３及び第４のチップ
型サーミスタのように、表裏同形にすれば、基板実装前
の作業を容易にし、サーミスタの組付けコストを低減で
きる。更に、第１及び第２のチップ型サーミスタに関し
て端子電極を有するサーミスタ素体の下面を除く他の５
面に絶縁性被膜を形成すれば、より一層イオン移動が生
じにくくなるとともに、サーミスタに不測の外力が加わ
っても素体が欠けず、また導電性物質が絶縁層を設けて
いないサーミスタ素体の側面に付着しても特性が変化し
ない利点もある。

【００３８】

【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発
明を実施例に基づいて説明する。以下に述べる実施例は
本発明の技術的範囲を限定するものではない。 ＜実施例１＞次の方法により図１〜図３に示す第１のチ
ップ型サーミスタを作製した。先ず市販のマンガン化合
物、ニッケル化合物、コバルト化合物を出発原料とし、
これらをＭｎＯ₂：ＮｉＯ：ＣｏＯに換算して金属原子
比３：１：２の割合でそれぞれ秤量した。秤量物をボー
ルミルで１６時間均一に混合した後に脱水乾燥した。次
いでこの混合物を９００℃で２時間仮焼し、この仮焼物
を再びボールミルで粉砕して脱水乾燥した。粉砕物に有
機結合材を加え、均一に混合した後、混合物を直方体に
圧縮成形した。この圧縮成形物を大気圧下、１２００℃
で４時間焼成し、たて約３５ｍｍ、よこ約５０ｍｍ、厚
さ約１０ｍｍのセラミック焼結ブロック（図示せず）を
作製した。次にこのブロックをバンドソーでウエハ状に
切断し、図９に示すたて約３５ｍｍ、よこ約５０ｍｍ、
厚さ約０．５ｍｍの焼結シート２１を得た。

【００３９】次に、図１０及び図１１に示すように、焼
結シート２１の片面全体に貴金属粉末と無機結合材を含
む導電性ペーストを印刷法により塗布した。導電性ペー
ストは市販の銀ペーストであって、 Ａｇ粉末とガラス
微粒子と有機ビヒクルとからなる。導電性ペーストを塗
布したサーミスタ素体を大気圧下、乾燥した後、３０℃
／分の速度で、８２０℃まで昇温しそこで１０分間保持
し、３０℃／分の速度で室温まで降温してＡｇからなる
焼付け電極層の下地電極１６を得た。

【００４０】図１２に示すように、焼結シート２１の下
地電極１６が設けられない片面全体に結晶化ガラスを含
むペーストを印刷法により塗布した。塗布後、焼結シー
ト２１を焼成して、厚さ約１５μｍのガラス層１４を形
成した。このガラス層１４の熱膨張係数は６８×１０^-7
／℃であって、焼結シート２１の熱膨張係数８５×１０
^-7／℃より小さい。ガラス層１４を設けた後、電解めっ
き法により下地電極１６の表面に厚さ１〜２μｍのＮｉ
めっき層１７ａを形成し、続いてその上に、同様に厚さ
３〜６μｍのＳｎめっき層１７ｂを形成した（図１及び
図３）。

【００４１】図１２〜図１４に示すように、上記切断機
を用いて符号Ｂ部分の下地電極１６及びめっき層１７か
らなる電極面をスリット状に研削して多数列の電極を焼
結シート２１の片面に形成した。次いで図１３〜図１５
に示すように、矢印Ｍの箇所で凹条１５を形成した焼結
シート２１を２列の電極ずつ各電極が端縁に位置するよ
うに上記切断機で短冊状に切断し、短冊状サーミスタ素
体２２を得た後、同一の切断機を用いて矢印Ｎの箇所で
短冊状サーミスタ素体２２の切断面と垂直な方向でチッ
プ状に切断して、図１５に示す幅Ｗ＝約０．５ｍｍ、長
さＬ＝約１．０ｍｍ、厚さＴ＝約０．５ｍｍのチップ型
サーミスタ１０を得た。このチップ型サーミスタ１０は
裏返して、図３に示すようにその端子電極１２，１２が
はんだ２３によりプリント回路基板２４に取付けられ
る。

【００４２】＜比較例１＞Ｎｉめっき層とＳｎめっき層
を設けずに、Ａｇ８０％とＰｄ２０％を含む導電性ペー
ストを８５０℃で焼付けて銀−パラジウムからなる焼付
け電極層のみで端子電極を構成した。それ以外は上記実
施例１と同様に、ガラス層１４を有するチップ型サーミ
スタを作製した。

【００４３】＜比較試験と結果＞ ・はんだ付着性 実施例１のサーミスタと比較例１のサーミスタを３００
個ずつ用意し、２３０℃の温度で溶融させたＡｇ入りの
共晶はんだ（Ｈ６０−Ａ）浴中にピンセットで試料を挟
んで４秒間浸漬し、端子電極のはんだ付着面積を光学顕
微鏡で調べた。その結果を表１に示す。 ・はんだ耐熱性 実施例１のサーミスタと比較例１のサーミスタを３００
個ずつ用意し、３５０℃の温度で溶融させたＡｇ入りの
共晶はんだ（Ｈ６０−Ａ）浴中にピンセットで試料を挟
んで３０秒間浸漬し、端子電極の消失状態を光学顕微鏡
で調べた。その結果を表１に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】表１から明らかなように比較例１と比べて
実施例１のサーミスタははんだ付着性及びはんだ耐熱性
に優れていた。

【００４６】＜実施例２＞次の方法により図４〜図６に
示す第２のチップ型サーミスタを作製した。先ず実施例
１と同様にして図９に示すたて約３５ｍｍ、よこ約５０
ｍｍ、厚さ約０．５ｍｍの焼結シート２１を得た。次
に、図１６及び図１７に示すように、焼結シート２１の
片面に実施例１と同じ導電性ペーストを印刷法により縞
状に塗布した。塗布後、実施例１と同じ条件でＡｇから
なる多数列の焼付け電極の下地電極１６を形成した。電
極１６の幅はすべて同一であり、電極間は等間隔であっ
た。１つの電極の幅は約０．７ｍｍであり、電極と電極
の間隔は約０．４ｍｍであった。焼結シート２１の一方
の端縁に多数列の下地電極１６すべてに接続するめっき
用電極層１６ａを形成した。

【００４７】図１８に示すように、焼結シート２１の両
面にそれぞれ同一の結晶化ガラスを含むペーストを印刷
法により塗布した。下地電極１６間を埋めてガラスペー
ストを塗布するときには下地電極１６の互いに対向する
端縁を覆うように塗布した。塗布後、焼結シート２１を
焼成して、厚さ約１５μｍのガラス層１３，１４を形成
した。これらのガラス層１３，１４の熱膨張係数は実施
例１と同じ６８×１０^-7／℃であって、焼結シート２１
の熱膨張係数８５×１０^-7／℃より小さい。めっき用電
極層１６ａにめっき用電極を接続して、電解めっき法に
より下地電極１６の表面に厚さ１〜２μｍのＮｉめっき
層１７ａを形成し、続いてその上に、同様に厚さ３〜６
μｍのＳｎめっき層１７ｂを形成した（図４及び図
６）。

【００４８】図１９〜図２１に示すように、矢印Ｍの箇
所でめっき層１７を形成した焼結シート２１を２列の電
極ずつ各電極が端縁に位置するようにダイヤモンドブレ
ード付き切断機で短冊状に切断し、短冊状サーミスタ素
体２２を得た後、同一の切断機を用いて矢印Ｎの箇所で
短冊状サーミスタ素体２２の切断面と垂直な方向でチッ
プ状に切断して、図２１に示す幅Ｗ＝約０．５ｍｍ、長
さＬ＝約１．０ｍｍ、厚さＴ＝約０．５ｍｍのチップ型
サーミスタ２０を得た。このチップ型サーミスタ２０は
裏返して、図６に示すようにその端子電極１２，１２が
はんだ２３によりプリント回路基板２４に取付けられ
る。

【００４９】＜比較例２＞Ｎｉめっき層とＳｎめっき層
を設けずに、Ａｇ８０％とＰｄ２０％を含む導電性ペー
ストを８５０℃で焼付けて銀−パラジウムからなる焼付
け電極層のみで端子電極を構成した。それ以外は上記実
施例２と同様に、下面ガラス層１３及び上面ガラス層１
４を有するチップ型サーミスタを作製した。

【００５０】＜比較試験と結果＞実施例１及び比較例１
と同様にして、実施例２及び比較例２のはんだ付着性及
びはんだ耐熱性を調べた。その結果、表１と同じデータ
が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１のチップ型サーミスタの外観斜視
図。

【図２】その底面図。

【図３】図２のＡ−Ａ線断面図。

【図４】本発明の第２のチップ型サーミスタの外観斜視
図。

【図５】その底面図。

【図６】図５のＡ’−Ａ’線断面図。

【図７】本発明の第３のチップ型サーミスタの外観斜視
図。

【図８】本発明の第４のチップ型サーミスタの外観斜視
図。

【図９】本発明のチップ型サーミスタのサーミスタ素体
となるセラミック焼結シートの外観斜視図。

【図１０】第１のチップ型サーミスタ用にその焼結シー
トの片面全体に下地電極が形成された斜視図。

【図１１】図１０のＦ部拡大斜視図。

【図１２】図１１の焼結シートの一方の面の下地電極の
表面にめっき層及び他方の面全体に絶縁層がそれぞれ形
成された斜視図。

【図１３】図１２のＢ部分の電極面が研削された斜視
図。

【図１４】図１３の焼結シートを短冊状に切断した斜視
図。

【図１５】図１４の短冊状サーミスタ素体をチップ状に
切断した斜視図。

【図１６】第２のチップ型サーミスタ用にその焼結シー
トの片面に多数列の下地電極が形成された斜視図。

【図１７】図１６のＦ部拡大斜視図。

【図１８】図１７の焼結シートの一方の面の下地電極間
及び他方の面全体に絶縁層が形成された斜視図。

【図１９】図１８の露出した下地電極の表面にめっき層
が形成された斜視図。

【図２０】図１９の焼結シートを短冊状に切断した斜視
図。

【図２１】図２０の短冊状サーミスタ素体をチップ状に
切断した斜視図。

【図２２】本発明の別の第２のチップ型サーミスタの下
地電極を示す図１７に対応する斜視図。

【図２３】図２２の下地電極を有する焼結シートの切断
状況を示す要部平面図。

【図２４】図２２の下地電極を有する焼結シートの別の
切断状況を示す要部平面図。

【図２５】図２３に示す方法で切断して作製されたチッ
プ型サーミスタの底面図。

【図２６】図２５のＢ−Ｂ線断面図。

【図２７】図２５のＣ−Ｃ線断面図。

【図２８】図２４に示す方法で切断して作製されたチッ
プ型サーミスタの底面図。

【図２９】図２８のＤ−Ｄ線断面図。

【図３０】図２８のＥ−Ｅ線断面図。

【図３１】第３のチップ型サーミスタ用にその焼結シー
トの両面全体に下地電極が形成された斜視図。

【図３２】図３１の焼結シートの両面の下地電極の表面
にめっき層が形成された斜視図。

【図３３】第４のチップ型サーミスタ用にその焼結シー
トの両面に多数列の下地電極が形成された斜視図。

【図３４】図３３の焼結シートの両面の下地電極間に絶
縁層が形成された斜視図。

【図３５】第１又は第２のチップ型サーミスタ用サーミ
スタ素体の端子電極形成面以外の５面に絶縁性被膜を形
成する状況を示す図。

【図３６】その絶縁性被膜が形成された第１のチップ型
サーミスタの図３に対応する断面図。

【図３７】その絶縁性被膜が形成された第２のチップ型
サーミスタの図６に対応する断面図。

【符号の説明】

１０，２０，２８，２９，３０，４０ チップ型サーミ
スタ １１ サーミスタ素体 １２，３２，４２ 端子電極 １３ 下面絶縁層 １４，４４ 上面絶縁層 １６，２６，３６，４６ 下地電極 １７，３７，４７ めっき層 １７ａ，３７ａ，４７ａ Ｎｉめっき層 １７ｂ，３７ｂ，４７ｂ Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層 ２１ セラミック焼結シート ２２ 短冊状サーミスタ素体 ５０ 絶縁性被膜

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ６面体からなるチップ状サーミスタ素体
   (11)と、 前記サーミスタ素体(11)の下面の相対向する２つの端縁
   に沿って間隔をあけて設けられた一対の端子電極(12,1
   2)と、 前記サーミスタ素体(11)の上面全体に設けられた上面絶
   縁層(14)とを備えたチップ型サーミスタ。
2. 【請求項２】 サーミスタ素体(11)の下面の一対の端子
   電極(12,12)間に下面絶縁層(13)が設けられた請求項１
   記載のチップ型サーミスタ。
3. 【請求項３】 ６面体からなるチップ状サーミスタ素体
   (11)と、 前記サーミスタ素体(11)の下面の相対向する２つの端縁
   に沿って間隔をあけて設けられた一対の端子電極(12,1
   2)と、 前記サーミスタ素体(11)の上面の相対向する２つの端縁
   に沿って間隔をあけて設けられた別の一対の端子電極(3
   2,32)とを備えたチップ型サーミスタ。
4. 【請求項４】 サーミスタ素体(11)の下面の一対の端子
   電極(12,12)間に下面絶縁層(13)が設けられ、前記サー
   ミスタ素体(11)の上面の別の一対の端子電極(42,42)間
   に上面絶縁層(44)が設けられた請求項３記載のチップ型
   サーミスタ。
5. 【請求項５】 端子電極(12,32,42)が貴金属を含む下地
   電極(16,36,46)と、この下地電極(16,36,46)の表面に形
   成されたＮｉめっき層(17a,37a,47a)と、このＮｉめっ
   き層(17a,37a,47a)の表面に形成されたＳｎ又はＳｎ／
   Ｐｂめっき層(17b,37b,47b)とを備えた請求項１ないし
   ４いずれか記載のチップ型サーミスタ。
6. 【請求項６】 Ｎｉめっき層(17a)及びＳｎ又はＳｎ／
   Ｐｂめっき層(17b)の表面積が下地電極(16)の表面積よ
   り小さく形成され、下面絶縁層(13)が前記Ｎｉめっき層
   (17a)及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b)を除くサー
   ミスタ素体(11)の下面全体に設けられた請求項２記載の
   チップ型サーミスタ。
7. 【請求項７】 Ｎｉめっき層(17a,47a)及びＳｎ又はＳ
   ｎ／Ｐｂめっき層(17b,47b)の表面積が下地電極(16,46)
   の表面積より小さく形成され、下面絶縁層(13)が前記Ｎ
   ｉめっき層(17a)及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b)
   を除くサーミスタ素体(11)の下面全体に設けられ、上面
   絶縁層(44)が前記Ｎｉめっき層(47a)及びＳｎ又はＳｎ
   ／Ｐｂめっき層(47b)を除くサーミスタ素体(11)の上面
   全体に設けられた請求項４記載のチップ型サーミスタ。
8. 【請求項８】 上面絶縁層(14,44)又は下面絶縁層(13)
   はガラス層である請求項１、２又は４いずれか記載のチ
   ップ型サーミスタ。
9. 【請求項９】 上面絶縁層(14,44)又は下面絶縁層(13)
   は合成樹脂層である請求項１、２又は４いずれか記載の
   チップ型サーミスタ。
10. 【請求項１０】 ガラス層はその熱膨張係数がサーミス
    タ素体(11)の熱膨張係数の４０％以上１００％以下であ
    る請求項８記載のチップ型サーミスタ。
11. 【請求項１１】 サーミスタ素体(11)の下面を除く他の
    ５面に絶縁性皮膜(50)が設けられた請求項１又は２記載
    のチップ型サーミスタ。
12. 【請求項１２】 (a) サーミスタ素体用セラミック焼結
    シート(21)の片面全体に下地電極(16)を形成する工程
    と、 (b) 前記焼結シート(21)の別の片面全体に絶縁性ペース
    トを塗布する工程と、 (c) 前記(b)工程の焼結シート(21)を焼成して絶縁層(1
    4)を形成する工程と、 (d) 前記下地電極(16)の表面にＮｉめっき層(17a)及び
    Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b)をこの順に形成する
    工程と、 (e) 前記下地電極(16)とめっき層(17)からなる電極面を
    スリット状に研削して多数列の電極を前記焼結シート(2
    1)の片面に形成する工程と、 (f) 前記多数列の電極を形成した焼結シート(21)を２列
    の電極ずつ各電極が端縁に位置するように短冊状に切断
    する工程と、 (g) 前記短冊状サーミスタ素体(22)をその切断面と垂直
    な方向でチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体(1
    1)の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけて
    一対の端子電極(12,12)を有するチップ型サーミスタ(1
    0)を得る工程とを含むチップ型サーミスタの製造方法。
13. 【請求項１３】 (h) サーミスタ素体用セラミック焼結
    シート(21)の片面に多数列の下地電極(16)を形成する工
    程と、 (i) 前記下地電極(16)を露出しかつ前記下地電極(16,1
    6)間を埋めるように前記焼結シート(21)の片面に絶縁性
    ペーストを塗布する工程と、 (j) 前記(i)工程の焼結シート(21)の別の片面全体に前
    記絶縁性ペーストを塗布する工程と、 (k) 前記(j)工程の焼結シート(21)を焼成して絶縁層(1
    3,14)を形成する工程と、 (l) 前記露出した下地電極(16)の表面にＮｉめっき層(1
    7a)及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b)をこの順に形
    成して前記下地電極(16)とめっき層(17)からなる多数列
    の電極を前記焼結シート(21)上に形成する工程と、 (m) 前記多数列の電極を形成した焼結シート(21)を２列
    の電極ずつ各電極が端縁に位置するように短冊状に切断
    する工程と、 (n) 前記短冊状サーミスタ素体(22)をその切断面と垂直
    な方向でチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体(1
    1)の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけて
    一対の端子電極(12,12)を有するチップ型サーミスタ(2
    0)を得る工程とを含むチップ型サーミスタの製造方法。
14. 【請求項１４】 (o) 前記(a)工程で下地電極(16)を形
    成した焼結シート(21)の別の片面全体に別の下地電極(3
    6)を形成する工程と、 (p) 前記下地電極(16,36)の表面にＮｉめっき層(17a,37
    a)及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b,37b)をこの順
    にそれぞれ形成する工程と、 (q) 前記焼結シートの両面に形成した下地電極(16,36)
    とめっき層(17,37)からなる電極面をそれぞれスリット
    状に研削して多数列の電極を前記焼結シート(21)の両面
    に相対向するように形成する工程と、 (r) 前記多数列の電極を形成した焼結シート(21)を２列
    の電極ずつ各電極が端縁に位置するように短冊状に切断
    する工程と、 (s) 前記短冊状サーミスタ素体をその切断面と垂直な方
    向でチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体(11)の
    上面及び下面のそれぞれ相対向する２つの端縁に沿って
    間隔をあけて２組の一対の端子電極(12,12,32,32)を有
    するチップ型サーミスタ(30)を得る工程とを含むチップ
    型サーミスタの製造方法。
15. 【請求項１５】 (t) 前記(h)工程で多数列の下地電極
    (16)を形成した焼結シート(21)の別の片面に前記下地電
    極(16)に相対向するように多数列の下地電極(46)を形成
    する工程と、 (u) 前記下地電極(16,46)を露出しかつ前記下地電極(1
    6,16,46,46)間を埋めるように前記焼結シート(21)の両
    面に絶縁性ペーストを塗布する工程と、 (v) 前記焼結シート(21)を焼成して絶縁層(13,44)を形
    成する工程と、 (w) 前記露出した下地電極(16,46)の表面にＮｉめっき
    層(17a,47a)及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b,47b)
    をこの順にそれぞれ形成して前記下地電極(16,46)とめ
    っき層(17,47)からなる多数列の電極を前記焼結シート
    (21)の両面に形成する工程と、 (x) 前記多数列の電極を形成した焼結シート(21)を２列
    の電極ずつ各電極が端縁に位置するように短冊状に切断
    する工程と、 (y) 前記短冊状サーミスタ素体をその切断面と垂直な方
    向でチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体(11)の
    上面及び下面のそれぞれ相対向する２つの端縁に沿って
    間隔をあけて２組の一対の端子電極(12,12,42,42)を有
    するチップ型サーミスタ(40)を得る工程とを含むチップ
    型サーミスタの製造方法。
16. 【請求項１６】 前記(g)工程又は(n)工程の後に、 (z) サーミスタ素体(11)の下面を除く他の５面に絶縁性
    皮膜(50)を形成する工程を含む請求項１２又は１３記載
    のチップ型サーミスタの製造方法。