JPS5846693B2 - オンドセンサ - Google Patents
オンドセンサInfo
- Publication number
- JPS5846693B2 JPS5846693B2 JP14166175A JP14166175A JPS5846693B2 JP S5846693 B2 JPS5846693 B2 JP S5846693B2 JP 14166175 A JP14166175 A JP 14166175A JP 14166175 A JP14166175 A JP 14166175A JP S5846693 B2 JPS5846693 B2 JP S5846693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- present
- temperature sensor
- sensor
- ondo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Measuring Volume Flow (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は温度センサに関し、特に複合酸化物等からなり
感熱抵抗体であるサーミスタを用いた温度センサを対象
とする。
感熱抵抗体であるサーミスタを用いた温度センサを対象
とする。
サーミスタで温度を検出するには一般にホイートストン
ブリッジを用いる。
ブリッジを用いる。
サーミスタを温度センサとして使用するにあたって、そ
の精度、互換性は電気的特性、安定性と並んで重要な問
題である。
の精度、互換性は電気的特性、安定性と並んで重要な問
題である。
これはサーミスタの温度のある定点（例えば２５℃、０
℃）における電気抵抗Ｒａサーミスタ定数Ｂ（△Ｅ／に
： Ｋ・・ボルツマン定数、△Ｅ活性化エネルギー）は
材料、製造条件、構造によって変り、特に選んだもので
ない限り、上記電気抵抗Ｒａは±３０％、Ｂは±１．５
〜３０％ばらついてしまうからである。
℃）における電気抵抗Ｒａサーミスタ定数Ｂ（△Ｅ／に
： Ｋ・・ボルツマン定数、△Ｅ活性化エネルギー）は
材料、製造条件、構造によって変り、特に選んだもので
ない限り、上記電気抵抗Ｒａは±３０％、Ｂは±１．５
〜３０％ばらついてしまうからである。
したがって、従来サーミスタを温度センサとして用いる
場合、精度、互換性を高めるためには、特に選はれたサ
ーミスタを用いるものであった。
場合、精度、互換性を高めるためには、特に選はれたサ
ーミスタを用いるものであった。
このため、コスト高は免れなかった。
本発明は上記問題を解決するためになされたものであり
、その目的とするところは、低コストで高精度の温度セ
ンサを得ることにある。
、その目的とするところは、低コストで高精度の温度セ
ンサを得ることにある。
本発明の他の目的は、サーミスタの互換性を問題としな
い温度センサを得ることである。
い温度センサを得ることである。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、一
つの基板上に被着形成されたサーミスタ体膜および抵抗
体膜とによってブリッジ回路を構成してなることを特徴
とする。
つの基板上に被着形成されたサーミスタ体膜および抵抗
体膜とによってブリッジ回路を構成してなることを特徴
とする。
以下、実施例にそって図面を参煕し、本発明を具体的に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る温度センサの製造工程の一例を示
す平面図である。
す平面図である。
（ａ） セラミックシート基板１上に電極部２ａ〜２
ｄを有する導体層２を印刷形成し、乾燥焼結させる。
ｄを有する導体層２を印刷形成し、乾燥焼結させる。
（ｂ） 上記導体層２の所定の部分にサーミスタ層３
を印刷形成する。
を印刷形成する。
このとき、サーミスタ層３はその両端が導体層２に接す
るように形成しなければならないことは言うまでもない
。
るように形成しなければならないことは言うまでもない
。
しかる後乾燥させて焼結する。
（Ｃ） 次に導体層２の適宜の個所をトリミングする
ことによって厚膜抵抗４〜６を形成する。
ことによって厚膜抵抗４〜６を形成する。
４は次の第２図の回路における抵抗Ｒ２，５はＲ３＋６
はＲ１として使用するものである。
はＲ１として使用するものである。
このとき、６ （Ｒ１）と５（Ｒ３）は抵抗値がほぼ等
しくなるようにトリミングしておき、４（Ｒ２）は他の
抵抗及びサーミスタ抵抗との関係でバランスするように
比率トリミングをしなければならない。
しくなるようにトリミングしておき、４（Ｒ２）は他の
抵抗及びサーミスタ抵抗との関係でバランスするように
比率トリミングをしなければならない。
次に上記構成のサーミスタ部３及び抵抗体部４〜６上全
面にガラス板を印刷形成し、乾燥させて焼結させる。
面にガラス板を印刷形成し、乾燥させて焼結させる。
しかる後第２図のような回路構成となるようにそれぞれ
接続を行う。
接続を行う。
すなわち、第２図はサーミスタの回路図であり、電極２
ａ 、２ｂ間に電源Ｅを、２ｃ、２ｄを増幅器Ａに入力
することとし、この増幅器Ａから出力ｏｕｔを取り出す
。
ａ 、２ｂ間に電源Ｅを、２ｃ、２ｄを増幅器Ａに入力
することとし、この増幅器Ａから出力ｏｕｔを取り出す
。
同図におけるＲＴＨがサーミスタを示す。
以上構成の本発明によれば以下に示す理由によりその目
的が達成できる。
的が達成できる。
厚膜形サーミスタＲＴＨに前述したようなバラツキがあ
っても、厚膜抵抗Ｒ１〜Ｒ３のトリミング調整によりブ
リッジのバランスを探ることができ、また、サーミスタ
ＲＴＨが破損したときは、同様に調整された他のＩＣ化
（集積回路化）されたブリッジに取替えることができる
から、互換性については何ら問題が生じない。
っても、厚膜抵抗Ｒ１〜Ｒ３のトリミング調整によりブ
リッジのバランスを探ることができ、また、サーミスタ
ＲＴＨが破損したときは、同様に調整された他のＩＣ化
（集積回路化）されたブリッジに取替えることができる
から、互換性については何ら問題が生じない。
さらに、増幅器Ａと共にＩＣ化できるから大幅なコスト
低下が図れる。
低下が図れる。
本発明は、上記実施例に限定されず、種々の変形を用い
ることができる。
ることができる。
例えば、上記実施例で示した構造のものに限られず、第
３図に示すような２点の温度調節を１コのサーミスタで
制御するブリッジ回路も同様にして構成することができ
る。
３図に示すような２点の温度調節を１コのサーミスタで
制御するブリッジ回路も同様にして構成することができ
る。
同図におけるＡ１ 、 Ａ２は増幅器である。
また、製造工程は上記実施例に限定されず、いかなる方
法を用いてもよい。
法を用いてもよい。
さらに、上記厚膜サーミスタＲＴＨにおける電極を櫛形
の櫛歯の連結部をトリミング部分とし、この櫛歯ｌこ接
触する膜状サーミスタを有する構造のものを用いるなら
ば、サーミスタ自体のバラツキも押えることができ、精
度が向上する。
の櫛歯の連結部をトリミング部分とし、この櫛歯ｌこ接
触する膜状サーミスタを有する構造のものを用いるなら
ば、サーミスタ自体のバラツキも押えることができ、精
度が向上する。
本発明はサーミスタと抵抗を用いたブリッジ回路による
温度センサ一般に広く利用できる。
温度センサ一般に広く利用できる。
第１図ａ”’−ｃは本発明に係る温度センサの製造工程
を示す平面図、第２図はその回路図、第３図は他の一例
を示す回路図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・導体、２ａ〜２ｄ
・・・・・・電極、３・・・・・・サーミスタ、４〜６
・・・・・・厚膜抵抗、ＲＴＨ・・・・・・サーミスタ
、Ｒ□〜Ｒ５・・・・・・抵抗、Ａ、Ａ１．Ａ２・・・
・・・アンプ、Ｅ・・・・・・電源。
を示す平面図、第２図はその回路図、第３図は他の一例
を示す回路図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・導体、２ａ〜２ｄ
・・・・・・電極、３・・・・・・サーミスタ、４〜６
・・・・・・厚膜抵抗、ＲＴＨ・・・・・・サーミスタ
、Ｒ□〜Ｒ５・・・・・・抵抗、Ａ、Ａ１．Ａ２・・・
・・・アンプ、Ｅ・・・・・・電源。
Claims (1)
- １ 一つの基板上に被着形成されたサーミスタ体膜およ
び抵抗体膜とによってブリッジ回路を構成してなること
を特徴とする温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14166175A JPS5846693B2 (ja) | 1975-11-28 | 1975-11-28 | オンドセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14166175A JPS5846693B2 (ja) | 1975-11-28 | 1975-11-28 | オンドセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5266476A JPS5266476A (en) | 1977-06-01 |
| JPS5846693B2 true JPS5846693B2 (ja) | 1983-10-18 |
Family
ID=15297220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14166175A Expired JPS5846693B2 (ja) | 1975-11-28 | 1975-11-28 | オンドセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846693B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07259985A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-10-13 | Sram Corp | 回動ハンドグリップ型ケーブル作動装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56132523A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-16 | Nippon Soken Inc | Gas flow measuring device |
| JPS57124221A (en) * | 1981-01-24 | 1982-08-03 | Japan Atom Energy Res Inst | Temperature sensitive resistance element of cryogenic thermometer and its production |
-
1975
- 1975-11-28 JP JP14166175A patent/JPS5846693B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07259985A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-10-13 | Sram Corp | 回動ハンドグリップ型ケーブル作動装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5266476A (en) | 1977-06-01 |
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