JPS6330771B2 - - Google Patents
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- JPS6330771B2 JPS6330771B2 JP62006448A JP644887A JPS6330771B2 JP S6330771 B2 JPS6330771 B2 JP S6330771B2 JP 62006448 A JP62006448 A JP 62006448A JP 644887 A JP644887 A JP 644887A JP S6330771 B2 JPS6330771 B2 JP S6330771B2
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- JP
- Japan
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- resistor
- thick film
- temperature coefficient
- conductor layer
- firing
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
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- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜抵抗体の温度係数調整方法に関す
るものである。
るものである。
一般に混成集積回路、チツプ抵抗体などに用い
られる厚膜抵抗体は、第1図に示すようにアルミ
ナセラミツクなどの絶縁基板上にガラスをバイン
ダーとした銀−パラジウムなどの電極1および同
じくガラスをバインダーとした銀−パラジウム、
酸化ルテニウムなどの抵抗体層2がそれぞれ印
刷、乾燥、焼成して形成されたものが用いられて
いる。
られる厚膜抵抗体は、第1図に示すようにアルミ
ナセラミツクなどの絶縁基板上にガラスをバイン
ダーとした銀−パラジウムなどの電極1および同
じくガラスをバインダーとした銀−パラジウム、
酸化ルテニウムなどの抵抗体層2がそれぞれ印
刷、乾燥、焼成して形成されたものが用いられて
いる。
従来の厚膜抵抗体は上述のようにして構成され
ているので、抵抗体の温度係数は抵抗体層2の材
質、幅Wおよび長さL、膜厚および焼成温度、時
間などの条件によつて左右される多くのフアクタ
ーをもち、所定の温度係数値を得ようとする場合
一定の製造条件下における抵抗体の設計は多くの
制約を受ける欠点があつた。
ているので、抵抗体の温度係数は抵抗体層2の材
質、幅Wおよび長さL、膜厚および焼成温度、時
間などの条件によつて左右される多くのフアクタ
ーをもち、所定の温度係数値を得ようとする場合
一定の製造条件下における抵抗体の設計は多くの
制約を受ける欠点があつた。
本発明は上述の欠点を解消したもので、抵抗体
の電極間に温度係数を調整するための導体層を介
在させたことを特徴とする抵抗体である。
の電極間に温度係数を調整するための導体層を介
在させたことを特徴とする抵抗体である。
以下、本発明を第2図および第3図に示す実施
例について説明する。
例について説明する。
第2図は厚膜抵抗体のパターン要部の平面図で
アルミナセラミツクなどの絶縁基板上にガラスを
パインダーとした銀−パラジウムなどの電極1お
よび該電極と同じ材料からなる導体層3が上記電
極1,1間に所定の距離L1,L2およびL3をおい
て同時に印刷され、同じくガラスをパインダーと
した銀−パラジウム、酸化ルテニウムなどの抵抗
体層2が印刷され、これを焼成して厚膜抵抗体が
形成されたものである。
アルミナセラミツクなどの絶縁基板上にガラスを
パインダーとした銀−パラジウムなどの電極1お
よび該電極と同じ材料からなる導体層3が上記電
極1,1間に所定の距離L1,L2およびL3をおい
て同時に印刷され、同じくガラスをパインダーと
した銀−パラジウム、酸化ルテニウムなどの抵抗
体層2が印刷され、これを焼成して厚膜抵抗体が
形成されたものである。
第3図は抵抗体層2の長さLと幅Wとの比と温
度係数(TCR)との関係を示し、例えば従来
L/Wの比が3の場合80〜120ppm/℃であつた
が、同じ抵抗材料を用いて第2図におけるL1/
W=L2/W=L3/≒1、L1+L2+L3+≒Lとな
るような導体層3を電極1,1間に介在させるこ
とにより、第3図の点線で示す0〜40ppm/℃に
調整することができた。
度係数(TCR)との関係を示し、例えば従来
L/Wの比が3の場合80〜120ppm/℃であつた
が、同じ抵抗材料を用いて第2図におけるL1/
W=L2/W=L3/≒1、L1+L2+L3+≒Lとな
るような導体層3を電極1,1間に介在させるこ
とにより、第3図の点線で示す0〜40ppm/℃に
調整することができた。
この抵抗体の温度係数が抵抗体の長さLによつ
て変化する現象は、抵抗体が焼成される過程で導
体層と抵抗体層の相互拡散に起因することを発明
者が見出したもので、厚膜抵抗体の電極間に厚膜
導体層を適当に配置し、焼成することにより抵抗
体の温度係数を調整することができた。
て変化する現象は、抵抗体が焼成される過程で導
体層と抵抗体層の相互拡散に起因することを発明
者が見出したもので、厚膜抵抗体の電極間に厚膜
導体層を適当に配置し、焼成することにより抵抗
体の温度係数を調整することができた。
したがつて設定された焼成条件に基づいてあら
かじめ使用される抵抗材料で、幅W、長さLと温
度係数の関係を測定しておけば、抵抗体層2の全
長、幅を大幅に修正することなく導電体層3の位
置によつて希望する温度係数を得ることができ
る。
かじめ使用される抵抗材料で、幅W、長さLと温
度係数の関係を測定しておけば、抵抗体層2の全
長、幅を大幅に修正することなく導電体層3の位
置によつて希望する温度係数を得ることができ
る。
なお、上述の実施例は電極1,1間に導体層3
を2簡所設けたものについて述べたが、その数は
必要に応じて増減してもよい。
を2簡所設けたものについて述べたが、その数は
必要に応じて増減してもよい。
叙上のように本発明の厚膜抵抗体の温度係数調
整方法は製造工数を増加せず、焼成条件も変える
必要もなく温度係数を所定の値に製造できるの
で、高品質のものが得られるとともに生産性の面
においても極めて有利となり、工業的ならびに実
用的価値の大なるものである。
整方法は製造工数を増加せず、焼成条件も変える
必要もなく温度係数を所定の値に製造できるの
で、高品質のものが得られるとともに生産性の面
においても極めて有利となり、工業的ならびに実
用的価値の大なるものである。
第1図は従来の厚膜抵抗体のパターン要部の平
面図、第2図は本発明の一実施例の厚膜抵抗体の
パターン要部の平面図、第3図は厚膜抵抗体の寸
法−温度係数特性図である。 1:電極、2:抵抗体、3:導体層。
面図、第2図は本発明の一実施例の厚膜抵抗体の
パターン要部の平面図、第3図は厚膜抵抗体の寸
法−温度係数特性図である。 1:電極、2:抵抗体、3:導体層。
Claims (1)
- 1 絶縁基板に印刷、焼成してなる厚膜抵抗体に
おいて、上記厚膜抵抗体の電極間に該抵抗体を複
数個の区画に分割する厚膜導体層を配置したこと
を特徴とする厚膜抵抗体の温度係数調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62006448A JPS62169301A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62006448A JPS62169301A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62169301A JPS62169301A (ja) | 1987-07-25 |
JPS6330771B2 true JPS6330771B2 (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=11638702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62006448A Granted JPS62169301A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62169301A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5506494A (en) * | 1991-04-26 | 1996-04-09 | Nippondenso Co., Ltd. | Resistor circuit with reduced temperature coefficient of resistance |
JP3049843B2 (ja) * | 1991-04-26 | 2000-06-05 | 株式会社デンソー | 抵抗体電極構造の形成方法 |
WO2021065329A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP62006448A patent/JPS62169301A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62169301A (ja) | 1987-07-25 |
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