JPH08213277A - チップコンデンサの製造方法および実装方法 - Google Patents

チップコンデンサの製造方法および実装方法

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JPH08213277A
JPH08213277A JP1941795A JP1941795A JPH08213277A JP H08213277 A JPH08213277 A JP H08213277A JP 1941795 A JP1941795 A JP 1941795A JP 1941795 A JP1941795 A JP 1941795A JP H08213277 A JPH08213277 A JP H08213277A
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capacitor
thick film
dielectric layer
chip capacitor
electrode layers
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JP1941795A
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Tomoharu Omura
智春 大村
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Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】製造コストの低減化が図られるとともに容量が
高精度に調整されたチップコンデンサの製造方法および
実装方法を提供する。 【構成】アルミナ基板11上に、一対の厚膜平行電極層
13a,14aを形成し、その厚膜平行電極層13a,
14a上に厚膜誘電体層15aを積層するコンデンサ作
製工程を複数回繰り返し、圧膜誘電体層15a等からな
る厚膜誘電体層15をトリミングする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特に大容量のチップコ
ンデンサの製造方法および実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図9は、従来の大容量のチップコンデン
サの断面図である。図9に示すチップコンデンサを製造
するには、図示の10枚のグリーンシート91〜100
が用意される。それらのグリーンシート91〜100は
ポリエステルのベースシートに誘電体スラリーをドクタ
ーブレード法により印刷し乾燥することにより形成され
る。それら10枚のグリーンシート91〜100のう
ち、グリーンシート92〜100には、誘電体を印刷、
乾燥した後、さらに導電ペーストをドクターブレード法
により印刷、乾燥し、これにより内部電極92a〜10
0aが形成される。以上のようにして形成された10枚
のグリーンシート91〜100が互いに積層され、熱圧
着により一体化された後、チップ毎に切断される。さら
に切断されたチップを焼結し、バレル研磨してチップの
側面から露出した部分に導電性ペーストを塗付し、図9
に示すように内部電極92a〜100aと接続された外
部電極101,102を形成する。これにより所望する
大容量のチップコンデンサが完成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
大容量のチップコンデンサは、多数枚のグリーンシート
に導電ペーストを印刷して電極を形成し、それらグリー
ンシートを互いに積層し一体化した後、チップ毎に切断
して焼成するものであるため、印刷工程、焼成工程の時
間が長く、また切断した後のチップのハンドリングに手
間がかかり作業性が悪く、製造コストがアップする。
【0004】また、多数枚のグリーンシートが互いに積
層された状態でチップ毎に切断するため、グリーンシー
トのくずれやグリーンシートの切断不良が発生し、歩留
まりが悪くコストアップの要因となる。さらに、チップ
毎にコンデンサの容量を測定するため、手間がかかり効
率が悪く、また焼成された後のチップコンデンサの、レ
ーザトリミング等による容量調整はできず、このため高
精度な容量のチップコンデンサを得ることは困難であ
る。
【0005】また、平行電極を用いた大容量のチップコ
ンデンサを形成すると、ギャップの長さが長くなり、ま
た電極間の幅が小さくなりすぎ、コンデンサの特性が不
安定になるという問題もある。本発明は、上記事情に鑑
み、製造コストの低減化が図られるとともに容量が高精
度に調整されたチップコンデンサの製造方法および実装
方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のチップコンデンサの第1の製造方法は、 (1−1)基板上に、一対の厚膜平行電極層を形成し (1−2)その厚膜平行電極層上に厚膜誘電体層を積層
するコンデンサ作製工程を複数回繰り返し (1−3)上記厚膜誘電体層をトリミングすることを特
徴とするものである。
【0007】ここで、本発明のチップコンデンサの第1
の製造方法が、上記コンデンサ作製工程の繰り返し回数
によりコンデンサ容量を調整するものであってもよい。
また、本発明のチップコンデンサの第1の製造方法が、
トリミングの長さおよび深さのうちの少なくとも一方に
よりコンデンサ容量を調整するものであってもよい。
【0008】さらに、本発明のチップコンデンサの第1
の製造方法が、上記基板両面に、上記一対の厚膜平行電
極層と上記厚膜誘電体層とからなるコンデンサを作製す
るものであってもよい。また、上記目的を達成する本発
明のチップコンデンサの第2の製造方法は、 (2−1)基板両面に、厚膜誘電体層と、その厚膜誘電
体層を介して互いに隔てられた一対の厚膜平行電極層と
からなるコンデンサを形成し (2−2)上記基板両面に形成されたコンデンサどうし
が並列に接続されるようにそのコンデンサと電気的に接
続された一対の外部電極を形成することを特徴とするも
のである。
【0009】また、上記目的を達成する本発明のチップ
コンデンサの実装方法は、 (3−1)基板両面に、厚膜誘電体層と、その厚膜誘電
体層を介して互いに隔てられた一対の厚膜平行電極層と
からなるコンデンサを形成し (3−2)上記基板を回路基板上に立てた状態にそのコ
ンデンサを実装することを特徴とするものである。
【0010】
【作用】本発明のチップコンデンサの第1の製造方法
は、厚膜技術で一対の厚膜平行電極層を形成し、その厚
膜平行電極層上に厚膜誘電体層を積層するコンデンサ作
製工程を複数回繰り返して大容量のコンデンサを製造す
る方法であるため、基板上に大容量のチップコンデンサ
が容易に形成される。従って、グリーンシートを互いに
積層してチップ毎に切断し、その後焼成して大容量のチ
ップコンデンサ製造する場合と比較し、製造工程が簡単
で製造時間も短くて済み、さらにチップ毎に焼成するた
めの煩雑なハンドリングの手間もなく、作業性に優れ製
造コストの低減化が図られる。
【0011】また、本発明のチップコンデンサの第1の
製造方法によれば、各チップコンデンサの容量やtan
δの測定は、基板上に作製された、チップ毎に切断され
る前の状態でできるため、コンデンサ作製工程を複数回
繰り返しながら容量等の確認、変更ができ、高精度な容
量のチップコンデンサが容易に作製される。また、本発
明のチップコンデンサの第1の製造方法によれば、厚膜
技術で形成されるためチップ毎の切断も容易であり、切
断不良等が極めて少なく歩留まりが向上し製造コストの
低減化が図られる。
【0012】ここで、本発明のチップコンデンサの第1
の製造方法において、コンデンサ作製工程の繰り返し回
数によりコンデンサ容量を調整すると、繰り返し回数の
増加に伴ない容量も増加するため、繰り返し回数を制御
することにより高精度かつ大容量のコンデンサが容易に
得られる。また、本発明のチップコンデンサの第1の製
造方法として、トリミングの長さおよび深さのうちの少
なくとも一方によりコンデンサ容量を調整すると、トリ
ミングの長さや深さに応じて容量が減少するため、容量
の微調整が容易に行われ高精度の容量のコンデンサが得
られる。
【0013】さらに、本発明のチップコンデンサの第1
の製造方法として、基板両面にコンデンサを作製する
と、基板片面にコンデンサを作製した場合と比較し、2
倍の容量もしくは2倍の数のチップコンデンサが作製さ
れる。また、本発明のチップコンデンサの第2の製造方
法は、厚膜技術で基板両面にコンデンサを形成し、その
基板両面に形成されたコンデンサどうしが並列に接続さ
れるように一対の外部電極を形成する方法であるため、
基板片面にコンデンサを作製した場合と比較し、2倍の
容量のチップコンデンサが作製される。従ってチップコ
ンデンサの容量を容易に大きくできる。
【0014】また、本発明のチップコンデンサの実装方
法は、厚膜技術で基板両面にコンデンサを形成し、その
基板を回路基板上に立てた状態にそのコンデンサを実装
する方法であるため、1つのチップコンデンサで2つの
コンデンサ素子が実装され、手間が削減されるととも
に、チップコンデンサの、回路基板への実装密度も高ま
る。また、回路基板の信号ラインどうしの間隔も狭くて
済み、回路基板の面積も小さくて済む。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1は、本発明の一実施例のチップコンデンサの製造過程
を示す図である。ここでは、縦方向および横方向に所定
のピッチでスクライブ溝が形成されたアルミナ基板を用
意し、スクライブ溝で分割される前のアルミナ基板の、
スクライブ溝に囲まれた各領域それぞれにチップコンデ
ンサを形成する。
【0016】先ず、図1(a)に示すアルミナ基板11
(スクライブ溝で分割される前のスクライブ溝で囲まれ
た各領域をいう)にガラスペーストをスクリーン印刷法
により印刷して焼成し、ガラス層12を形成する。次
に、図1(b)に示すように、ガラス層12上に導電体
ペーストをスクリーン印刷法により印刷して焼成し、一
対の厚膜平行電極層13a,14aを形成する。
【0017】次に、図1(c)に示すように、一対の厚
膜平行電極層13a,14a上に両端部が重なるように
して、ガラス層12上に誘電体ペーストをスクリーン印
刷法により印刷して焼成し、厚膜誘電体層15aを形成
する。次に、図1(d)に示すように、一対の厚膜平行
電極層13a,14a上に、さらに導電体ペーストを印
刷して焼成し、一対の厚膜平行電極層13b,14bを
形成する。
【0018】次に、図1(e)に示すように、一対の厚
膜平行電極層13b,14b上に両端部が重なるように
して、厚膜誘電体層15a上に誘電体ペーストをスクリ
ーン印刷法により印刷して焼成し、厚膜誘電体層15b
を形成する。コンデンサ容量をさらに増加させるために
は、図1(d)に示す一対の厚膜平行電極層を形成する
工程と、図1(e)に示す誘電体層を形成する工程をさ
らに繰り返す。このようにして図1(f)に示す厚膜平
行電極層13,14と、厚膜誘電体層15を形成する。
さらに図1(f)に示すように、厚膜誘電体層15上に
導電体ペーストをスクリーン印刷法により印刷して焼成
し、一対の厚膜平行電極層13,14間に働く電気力線
を強化しコンデンサ容量を増加させるためのすて電極層
16を形成する。
【0019】次に、図1(g)に示すように、すて電極
層16等を覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷
法により印刷して焼成し、オーバーコートガラス層17
を形成する。さらに容量の微調整のためにトリミングを
行なう。このトリミングについては後述する。その後、
アルミナ基板をスクライブ溝でカットしてそれぞれに分
割し、さらに図1(h)に示す外部電極18,19をデ
ィップで形成する。
【0020】図2は、図1(g)に示す製造過程におい
て、コンデンサの容量をトリミングの深さにより調整し
た状態を示す図である。図2(a)には、オーバーコー
トガラス層17,すて電極層16,厚膜誘電体層15が
トリミングされた結果形成されたトリミング溝21が示
されている。このトリミングによりコンデンサ容量が減
少され、所望の値に調整されている。また図2(b)に
は、オーバーコートガラス層17,すて電極層16,厚
膜誘電体層15に加え、さらにガラス層12,アルミナ
基板11に至るまでトリミングされ、その結果形成され
た、図2(a)に示すトリミング溝21よりもより深い
溝のトリミング溝22が示されており、これによりコン
デンサ容量がより減少され、所望の値に調整されてい
る。このようにトリミングの深さによりコンデンサの容
量を調整することができる。さらに、これらトリミング
溝21,22を、図2(c)に示すようにオーバーコー
トガラス層23で覆い、前述した図1(h)のディップ
による外部電極製造過程に進む。
【0021】図3は、すて電極層を有するチップコンデ
ンサがトリミングにより容量調整された状態を示す図で
ある。図3(a),(b)には、一対の厚膜平行電極層
31,32と厚膜誘電体層33が形成されており、さら
に厚膜誘電体層33上にすて電極層34が形成されてい
る。図3(a)では厚膜誘電体層33およびすて電極層
34に複数本のトリミング溝35が形成されており、こ
れら複数本のトリミング溝35によりコンデンサの容量
が調整されている。また、図3(b)では、厚膜誘電体
層33およびすて電極層34にコ字状のトリミング溝3
6が形成されており、このトリミング溝36によりコン
デンサの容量が調整されている。
【0022】尚、図3(a)においてすて電極層34の
みをトリミングしてもよく、すて電極層34の面積が減
少し、これに伴ない電気力線も減少するため少量の容量
トリミングができる。図4は、すて電極層が無いチップ
コンデンサが、トリミングにより容量調整された状態を
示す図である。
【0023】図4(a),(b)には、一対の厚膜平行
電極層41,42上に厚膜誘電体層43が形成されてい
る。図4(a)では一対の厚膜平行電極層41,42お
よび厚膜誘電体層43にコ字状のトリミング溝44が形
成されており、このトリミング溝44によりコンデンサ
の容量を調整している。一方、図4(b)では、図4
(a)に示すトリミング溝44に加え、さらに複数本の
トリミング溝45が形成されており、これによりコンデ
ンサ容量がより減少する方向に調整されている。
【0024】図5は、電極ギャップで互いに分離された
一対の櫛形電極層を示す図である。このように、電極ギ
ャップ53で互いに分離された一対の櫛形電極層51,
52を形成すると、櫛形電極層51,52相互間の、互
いに対抗する部分の電極面積が櫛形形状のため大きくな
り、このため大きなコンデンサ容量が容易に得られる。
【0025】図6は、アルミナ基板両面に形成されたコ
ンデンサ素子どうしが外部電極で並列に接続されたチッ
プコンデンサを示す図である。図6に示すチップコンデ
ンサを製造するには、アルミナ基板61の、図6の上面
に厚膜誘電体層62aと、その厚膜誘電体層62aを介
して互いに隔てられた一対の厚膜平行電極層62b,6
2cとからなるコンデンサ素子62を形成する。また、
アルミナ基板61の、図6の下面にも同様にして厚膜誘
電体層63aと厚膜平行電極層63b,63cとからな
るコンデンサ素子63を形成する。さらに厚膜平行電極
層62b,63bと外部電極64とを接続し、また厚膜
平行電極層62c,63cと外部電極65とを接続す
る。
【0026】このようにしてコンデンサ素子62とコン
デンサ素子63とが互いに並列に接続されたチップコン
デンサを製造する。このチップコンデンサは、アルミナ
基板61の両面に、並列接続されたコンデンサ素子6
2,63が形成されているため、アルミナ基板61の片
面にコンデンサ素子を形成したものと比較し、倍の容量
が容易に得られる。
【0027】図7は、アルミナ基板両面にコンデンサ素
子が形成されたチップコンデンサの上面図、図8は、図
7に示すチップコンデンサを回路基板上に立てた状態に
実装した場合の上面図(a)および側面図(b)であ
る。図7に示すチップコンデンサを製造するには、図6
と同様にアルミナ基板71の、図7の上面に厚膜誘電体
層72aと厚膜平行電極層72b,72cとからなるコ
ンデンサ素子72を形成する。また、アルミナ基板71
の、図7の下面にも、厚膜誘電体層73aと厚膜平行電
極層73b,73cとからなるコンデンサ素子73を形
成する。このようにして製造したチップコンデンサを、
図8に示すように回路基板83上に形成された信号ライ
ン81a,81b,82a,82b上に立てた状態に実
装する。このように実装すると図8(a)に示すように
信号ライン81a,81bと厚膜平行電極層72b,7
2cとがそれぞれ接続され、これにより信号ライン81
a,81b間にコンデンサ素子72が配置される。同様
にして信号ライン82a,82bと厚膜平行電極層73
b,73cとがそれぞれ接続され、これにより信号ライ
ン82a,82b間にコンデンサ素子73が配置され
る。このように1つのチップコンデンサで2つのコンデ
ンサ素子72,73が実装されるため、手間が削減され
るとともに、チップコンデンサの、回路基板への実装密
度が高まり、回路基板の信号ラインどうしの間隔も狭く
て済み、回路基板の面積も小さくて済む。またチップコ
ンデンサや回路基板の放熱特性も高まる。
【0028】尚、本実施例では、ベースとなる基板とし
てアルミナ基板が用いられているが、本発明のチップコ
ンデンサの製造方法および実装方法では必ずしもアルミ
ナ基板を用いるものである必要はなく、そのほかのセラ
ミックス基板を用いてもよい。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のチップコ
ンデンサの製造方法は、一対の厚膜平行電極層を形成
し、その厚膜平行電極層上に厚膜誘電体層を積層するコ
ンデンサ作製工程を複数回繰り返し、厚膜誘電体層をト
リミングする方法のため、製造コストの低減化が図られ
るとともに、容量が高精度に調整された大容量のチップ
コンデンサが容易に製造される。
【0030】また、本発明のチップコンデンサの実装方
法は、基板両面にコンデンサを形成し、その基板を回路
基板上に立てた状態にそのコンデンサを実装するため、
1つのチップコンデンサで2つのコンデンサ素子が実装
され手間が削減されるとともに回路基板の実装密度が高
まる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のチップコンデンサの製造過
程を示す図である。
【図2】図1(g)に示す製造過程において、コンデン
サの容量をトリミングの深さにより調整した状態を示す
図である。
【図3】すて電極層を有するチップコンデンサが、トリ
ミングにより容量調整された状態を示す図である。
【図4】すて電極層が無いチップコンデンサが、トリミ
ングにより容量調整された状態を示す図である。
【図5】電極ギャップで互いに分離された一対の櫛形電
極層を示す図である。
【図6】アルミナ基板両面に形成されたコンデンサ素子
どうしが外部電極で並列に接続されたチップコンデンサ
を示す図である。
【図7】アルミナ基板両面にコンデンサ素子が形成され
たチップコンデンサの上面図である。
【図8】図7に示すチップコンデンサを回路基板上に立
てた状態に実装した場合の上面図(a)および側面図
(b)である。
【図9】従来の大容量のチップコンデンサの断面図であ
る。
【符号の説明】
11,61,71 アルミナ基板 12 ガラス層 13,13a,13b,14,14a,14b,31,
32,41,42,62b,62c,63b,63c,
72b,72c,73b,73c 厚膜平行電極層 15,15a,15b,33,43,62a,63a,
72a,73a 厚膜誘電体層 16,34 すて電極層 17,23 オーバーコートガラス層 18,19,64,65 外部電極 21,22,35,36,44,45,53 トリミン
グ溝 51,52 櫛形電極層 62,63,72,73 コンデンサ素子 81a,81b,82a,82b 信号ライン 83 回路基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 7924−5E H01G 4/34

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、一対の厚膜平行電極層を形成
    し、該厚膜平行電極層上に厚膜誘電体層を積層するコン
    デンサ作製工程を複数回繰り返し、 前記厚膜誘電体層をトリミングすることを特徴とするチ
    ップコンデンサの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記コンデンサ作製工程の繰り返し回数
    によりコンデンサ容量を調整することを特徴とする請求
    項1記載のチップコンデンサの製造方法。
  3. 【請求項3】 トリミングの長さおよび深さのうちの少
    なくとも一方によりコンデンサ容量を調整することを特
    徴とする請求項1記載のチップコンデンサの製造方法。
  4. 【請求項4】 前記基板両面に、前記一対の厚膜平行電
    極層と前記厚膜誘電体層とからなるコンデンサを作製す
    ることを特徴とする請求項1から3のうちいずれか1項
    記載のチップコンデンサの製造方法。
  5. 【請求項5】 基板両面に、厚膜誘電体層と、該厚膜誘
    電体層を介して互いに隔てられた一対の厚膜平行電極層
    とからなるコンデンサを形成し、 前記基板両面に形成されたコンデンサどうしが並列に接
    続されるように該コンデンサと電気的に接続された一対
    の外部電極を形成することを特徴とするチップコンデン
    サの製造方法。
  6. 【請求項6】 基板両面に、厚膜誘電体層と、該厚膜誘
    電体層を介して互いに隔てられた一対の厚膜平行電極層
    とからなるコンデンサを形成し、 前記基板を回路基板上に立てた状態に該コンデンサを実
    装することを特徴とするチップコンデンサの実装方法。
JP1941795A 1995-02-07 1995-02-07 チップコンデンサの製造方法および実装方法 Withdrawn JPH08213277A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009529233A (ja) * 2006-03-10 2009-08-13 ジョインセット カンパニー リミテッド セラミック部品要素、セラミック部品及びその製造方法

Cited By (2)

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JP2009529233A (ja) * 2006-03-10 2009-08-13 ジョインセット カンパニー リミテッド セラミック部品要素、セラミック部品及びその製造方法
JP4744609B2 (ja) * 2006-03-10 2011-08-10 ジョインセット カンパニー リミテッド セラミック部品要素、セラミック部品及びその製造方法

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