JPS62169301A - 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 - Google Patents
厚膜抵抗体の温度係数調整方法Info
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- JPS62169301A JPS62169301A JP62006448A JP644887A JPS62169301A JP S62169301 A JPS62169301 A JP S62169301A JP 62006448 A JP62006448 A JP 62006448A JP 644887 A JP644887 A JP 644887A JP S62169301 A JPS62169301 A JP S62169301A
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- Japan
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- thick film
- temperature coefficient
- resistor
- resistance element
- film resistance
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜抵抗体の温度係数調整方法に関するもので
ある。
ある。
一般に混成集積回路、チップ抵抗体などに用いられる厚
膜抵抗体は、第１図に示すようにアルミナセラミックな
どの絶縁基板上にガラスをバインダーとした恨−パラジ
ウムなどの電極１および同しくガラスをバインダーとし
た銀−パラジウム、酸化ルテニウムなどの抵抗体層２が
それぞれ印刷、乾燥、焼成して形成されたものが用いら
れている。
膜抵抗体は、第１図に示すようにアルミナセラミックな
どの絶縁基板上にガラスをバインダーとした恨−パラジ
ウムなどの電極１および同しくガラスをバインダーとし
た銀−パラジウム、酸化ルテニウムなどの抵抗体層２が
それぞれ印刷、乾燥、焼成して形成されたものが用いら
れている。
従来の厚膜抵抗体は上述のようにして構成されているの
で、７１℃抗体の温度係数は抵抗体層２の材質、幅Ｗお
よび長さし、膜厚および焼成温度、時間などの条件によ
って左右される多くのファクターをもち、所定の温度係
数値を得ようとする場合一定の製造条件下における抵抗
体の設計は多くの制約を受ける欠点があった。
で、７１℃抗体の温度係数は抵抗体層２の材質、幅Ｗお
よび長さし、膜厚および焼成温度、時間などの条件によ
って左右される多くのファクターをもち、所定の温度係
数値を得ようとする場合一定の製造条件下における抵抗
体の設計は多くの制約を受ける欠点があった。
本発明は上述の欠点を解消したもので、抵抗体の電極間
に温度係数を調整するための導体層を介在させたことを
特徴とする抵抗体である。
に温度係数を調整するための導体層を介在させたことを
特徴とする抵抗体である。
以下、本発明を第２図および第３図に示す実施例につい
て説明する。
て説明する。
第２図は厚膜抵抗体のパターン要部の平面図でアルミナ
セラミックなどの客色縁基）反上にガラスをバインダー
とした銀−パラジウムなどの電極１お、よび該電極と同
じ材料からなる導体層３が上記電極１，１間に所定の距
離り、、Ｌ２およびＬ３をおいて同時に印刷され、同じ
くガラスをバインダーとした恨−パラジウム、酸化ルテ
ニウムなどの抵抗体層２が印刷され、これを焼成して厚
膜抵抗体が形成されたものである。
セラミックなどの客色縁基）反上にガラスをバインダー
とした銀−パラジウムなどの電極１お、よび該電極と同
じ材料からなる導体層３が上記電極１，１間に所定の距
離り、、Ｌ２およびＬ３をおいて同時に印刷され、同じ
くガラスをバインダーとした恨−パラジウム、酸化ルテ
ニウムなどの抵抗体層２が印刷され、これを焼成して厚
膜抵抗体が形成されたものである。
第３図は抵抗体層２θ）、シさＬと幅■との比と温度係
数（ＴＣＲ）との関係を示し、例えば従来Ｌ／Ｗの比が
３の場合８０〜１２０ｐｐｍ／ ’ｃであったが、同じ
抵抗材料を用いて第２図におけるり、／ｗ＝Ｌｚ ／Ｗ
＝Ｌ３／Ｗ＃１、Ｌ＋ ＋Ｌｚ ＋Ｌ３ ’；Ｌとなる
ような導体層３を電極１．１間に介在させることにより
、第３図の点線で示す０〜４０ｐｐｍ／’Ｃに調整する
ことができた。
数（ＴＣＲ）との関係を示し、例えば従来Ｌ／Ｗの比が
３の場合８０〜１２０ｐｐｍ／ ’ｃであったが、同じ
抵抗材料を用いて第２図におけるり、／ｗ＝Ｌｚ ／Ｗ
＝Ｌ３／Ｗ＃１、Ｌ＋ ＋Ｌｚ ＋Ｌ３ ’；Ｌとなる
ような導体層３を電極１．１間に介在させることにより
、第３図の点線で示す０〜４０ｐｐｍ／’Ｃに調整する
ことができた。
この抵抗体の温度係数が抵抗体の長さしによって変化す
る現象は、抵抗体が焼成される過程で導体層と抵抗体層
の相互拡散に起因することを発明者が見出したもので、
厚膜抵抗体の電極間に厚膜導体層を適当に配置し、焼成
することにより抵抗体の温度係数を調整することができ
た。
る現象は、抵抗体が焼成される過程で導体層と抵抗体層
の相互拡散に起因することを発明者が見出したもので、
厚膜抵抗体の電極間に厚膜導体層を適当に配置し、焼成
することにより抵抗体の温度係数を調整することができ
た。
したがって設定された焼成条件に基づいてあらかじめ使
用される抵抗材料で、幅Ｗ、長さしと温度係数の関係を
測定しておけば、抵抗体Ｎ２の全長、幅を大幅に修正す
ることなく導電体層３の位置によって希望する温度係数
を得ることができる。
用される抵抗材料で、幅Ｗ、長さしと温度係数の関係を
測定しておけば、抵抗体Ｎ２の全長、幅を大幅に修正す
ることなく導電体層３の位置によって希望する温度係数
を得ることができる。
なお、上述の実施例は電極１，１間に導体Ｎ３を２箇所
設けたものについて述べたが、その数は必要に応じて増
減してもよい。
設けたものについて述べたが、その数は必要に応じて増
減してもよい。
畝上のように本発明の厚膜抵抗体の温度係数調整方法は
製造工数を増加せず、焼成条件も変える必要もなく温度
係数を所定の値に製造できるので、高品質のものが得ら
れるとともに生産性の面においても極めて有利となり、
工業的ならびに実用的価値の大なるものである。
製造工数を増加せず、焼成条件も変える必要もなく温度
係数を所定の値に製造できるので、高品質のものが得ら
れるとともに生産性の面においても極めて有利となり、
工業的ならびに実用的価値の大なるものである。
第１図は従来の厚膜抵抗体のパターン要部の平面図、第
２図は本発明の一実施例の厚膜抵抗体のパターン要部の
平面図、第３図は厚膜抵抗体の寸法一温度係数特性図で
ある。
２図は本発明の一実施例の厚膜抵抗体のパターン要部の
平面図、第３図は厚膜抵抗体の寸法一温度係数特性図で
ある。
Claims (1)
- 絶縁基板に印刷、焼成してなる厚膜抵抗体において、
上記厚膜抵抗体の電極間に該抵抗体を複数個の区画に分
割する厚膜導体層を配置したことを特徴とする厚膜抵抗
体の温度係数調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62006448A JPS62169301A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62006448A JPS62169301A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169301A true JPS62169301A (ja) | 1987-07-25 |
| JPS6330771B2 JPS6330771B2 (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=11638702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62006448A Granted JPS62169301A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62169301A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254938A (en) * | 1991-04-26 | 1993-10-19 | Nippondenso Co. Ltd. | Resistor circuit with reduced temperature coefficient of resistance |
| US5506494A (en) * | 1991-04-26 | 1996-04-09 | Nippondenso Co., Ltd. | Resistor circuit with reduced temperature coefficient of resistance |
| WO2021065329A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP62006448A patent/JPS62169301A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254938A (en) * | 1991-04-26 | 1993-10-19 | Nippondenso Co. Ltd. | Resistor circuit with reduced temperature coefficient of resistance |
| US5506494A (en) * | 1991-04-26 | 1996-04-09 | Nippondenso Co., Ltd. | Resistor circuit with reduced temperature coefficient of resistance |
| WO2021065329A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
| JPWO2021065329A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6330771B2 (ja) | 1988-06-21 |
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