JPH02303001A - 厚膜素子 - Google Patents

厚膜素子

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JPH02303001A
JPH02303001A JP1124670A JP12467089A JPH02303001A JP H02303001 A JPH02303001 A JP H02303001A JP 1124670 A JP1124670 A JP 1124670A JP 12467089 A JP12467089 A JP 12467089A JP H02303001 A JPH02303001 A JP H02303001A
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JP
Japan
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thick film
electrode layers
resistor
layers
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP1124670A
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English (en)
Inventor
Minoru Futai
二井 稔
Yoshitaka Fukuoka
義孝 福岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Priority to DE69028039T priority patent/DE69028039T2/de
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    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は厚膜素子に係り、特に抵抗性の精度が良好な厚
膜素子に関する。
(従来の技術) たとえばアルミナ基板面に、厚膜印刷法で厚さ10μ鱈
程度以上の複数対の電極層を被着形成し、これら対を成
す電極層に跨がらせて、同じく厚膜印刷法で抵抗体層を
被若形成して成る厚膜素子が実用に供されている。第2
図はこのような厚膜素子の構成例を平面的に、また第3
図は断面的にそれぞれ示したもので、1はアルミナ基板
、2aおよび2bは互いに対を成す電極層、3は前記電
極層2a、2b間に跨がりかつ電気的に接続して配設さ
れた抵抗体層である。しかして、この厚膜素子も他の電
子部品の例に漏れず、小形化の傾向にある。
(発明が解決しようとする課題) しかし、上記構成の厚膜素子の場合には次のような不都
合が往々認められる。すなわち、電極層2a、2b間に
跨がりかつ電気的に接続して配設された抵抗体層3につ
いて、抵抗値粘度の低下が見られ、所望の機能を十分に
果し得ず、歩留りの悪さとともに実用上大きな問題を呈
している。本発明者らはこの点について、種々検討を進
めた結果前記厚膜印刷で形成した抵抗体層3の断面形状
の歪みに大きく影響されていることを確認した。つまり
、電極層2a、2bが10μm以上と比較的厚く形成さ
れているた゛め、これら電極層2a、2b間に跨がりか
つ電気的に接続して配設された抵抗体層3の断面形状は
、前記第3図に示すようになって歪みを生じて抵抗値の
精度低下を招来する。しかして、この抵抗値の精度が低
下する問題は厚膜索子の微小化乃至小形化に伴い顕著に
現われる。たとえば抵抗体層3を1llI12程度の大
きさとし、高密度な抵抗アレーチップとする場合、前記
断面形状の歪みによる抵抗値精度の劣化が激しくなる傾
向が認められる。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は上記事情に対処してなされたもので、セラミッ
ク絶縁基板と、前記セラミック絶縁基板の所定面に厚膜
印刷で被管形成された対を成す電極層と、前記電極層に
跨がりかつ、電気的に接続させて厚膜印刷で被管形成さ
れた抵抗体層とを具備して成る厚膜素子において、前記
電極層の膜厚を5μm以下に設定したことを骨子とする
(作 用) 本発明によれば、厚膜印刷で被管形成された対を成す電
極層の厚さが5μ■以下と比較的薄く設定しであるため
、対を成す電極層に跨がりかつ、電気的に接続させて厚
膜印刷で被管形成された抵抗体層の断面形状はフラット
となり、前記断面形状の歪みに起因する抵抗値の精度低
下乃至劣化が全面的に除去される。
(実施例) 以下第1図を参照して本発明の詳細な説明する。第1図
において、1はセラミック絶縁基板、2a、2bは前記
セラミック絶縁基板1の所定面に厚膜印刷でアレイ状に
被管形成された対を成す電極層で、この電極層は膜厚が
5μI以下に設定されている。3は前記電極層2a、2
bに跨がりかつ、電気的に接続させて厚膜印刷でアレイ
状に被管形成された抵抗体層でこれらによって所要の厚
膜索子が構成されている。
しかして、このような本発明に係る厚膜素子は次のよう
に常套の手段によって容易に製造し得る。
先ずセラミック絶縁基板、たとえばアルミナ基板を用意
し、このアルミナ基板の所定面に厚膜印刷法によって、
導電性ペーストを印刷して対を成す電極層を被着形成す
る。この際印刷電極層の厚さは最終的に焼成して形成す
る電極層2a、2bの厚さが5μ層以下を保持し得るよ
うに印刷する。次いで前記所定の電極層を印刷形成した
アルミナ基板について、加熱処理を施して、所要の電極
層を焼成により形成する。上記により所要の電極層2a
、2bを焼成形成した後、この対を成す電極層2a、2
b間にその電極層2a、2bに一部を跨がせて、厚膜印
刷法によって抵抗体用ペーストを印刷被着させ、要すれ
ば適宜乾燥させてから加熱処理を施し前記印刷抵抗体層
を焼成して抵抗体層3を形成することにより、所望の厚
膜素子が得られる。たとえばアルミナ基板1の所定面に
電極間圧11ft 0.5msとし形成した厚さ4μ−
の電極層2a、2bの互いに対向する側にそれぞれ0.
1mm重なるよに抵抗体層3を配設して成る厚膜索子は
、第1図に示したように抵抗体層3が平滑であり、トリ
ミング処理をしなくても抵抗値精度が±20%以内のも
のが歩留り95%以上であった。また、電極層2a、2
bおよび抵抗体層3をそれぞれアレイ状に形成した場合
には、複数の抵抗機能を要求されるデジタル回路のプル
アップ抵抗としてトリミング無しでも十分実用に洪し得
た。
上記の如く本発明に係る厚膜索子(抵抗チップ)におい
ては、電極層の厚さは常に5μm以下に選択、設定され
る。その理由は5μlを超えた厚さとなると抵抗体の断
面形状の平滑性が損われて、所望通り抵抗値精度を上げ
得ないからである。
なお、上記例では基板として、アルミナ基板を用いた場
合について説明したが、アルミナ基板以外の他の絶縁性
セラミックス基板も使用し得るし、また対を成す電極層
の間隔や大きさなども上記例示に限定されないことは勿
論である。
[発明の効果] 本発明に係る厚膜素子乃至抵抗チップは、トリミング処
理など要せずとも実用に供し得る。つまり構成乃至製造
した時点で、製品の95%以上が抵抗値精度±20%以
内の範囲に収まっているので、この種の抵抗チップ汐(
通常抵抗値精度±20%以内ならそのまま、十分に満足
して実用に供されている実情からして、前記歩留りの高
さく95%以上)からして実用上多くの利点をもたらす
ものと言える。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る膜厚素子の一構成例を示す断面図
、第2図はアレイ状の膜厚素子の構成例を示す平面図、
第3図は従来の膜厚素子の構成例を示す断面図である。 1・・・・・・・・・セラミックス絶縁J!仮2a、2
b・・・対を成す電極層 3・・・・・・・・・抵抗体層 出願人     株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第1図 b 菓2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. セラミック絶縁基板と、前記セラミック絶縁基板の所定
    面に厚膜印刷で被着形成された対を成す電極層と、前記
    電極層に跨がりかつ、電気的に接続させて厚膜印刷で被
    着形成された抵抗体層とを具備し、前記電極層の膜厚を
    5μm以下に設定したことを特徴とする厚膜素子。
JP1124670A 1989-05-18 1989-05-18 厚膜素子 Pending JPH02303001A (ja)

Priority Applications (4)

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JP1124670A JPH02303001A (ja) 1989-05-18 1989-05-18 厚膜素子
KR1019900006848A KR900019218A (ko) 1989-05-18 1990-05-14 후막소자
EP90109475A EP0398364B1 (en) 1989-05-18 1990-05-18 Thick-film element having flattened resistor layer
DE69028039T DE69028039T2 (de) 1989-05-18 1990-05-18 Dickschicht-Element mit abgeflachter Widerstandsschicht

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EP0398364A3 (en) 1991-02-06
EP0398364A2 (en) 1990-11-22
DE69028039D1 (de) 1996-09-19
KR900019218A (ko) 1990-12-24
DE69028039T2 (de) 1997-01-23

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