JPH05166668A - 埋設キャパシタを含んでいる低温共焼成構造 - Google Patents

埋設キャパシタを含んでいる低温共焼成構造

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JPH05166668A
JPH05166668A JP4147644A JP14764492A JPH05166668A JP H05166668 A JPH05166668 A JP H05166668A JP 4147644 A JP4147644 A JP 4147644A JP 14764492 A JP14764492 A JP 14764492A JP H05166668 A JPH05166668 A JP H05166668A
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electrode
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ザン・ブ
Tsen-Tsou Shih
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、共焼成処理中に歪み、亀裂あるい
は撓みを生ずることのない埋設キャパシタを含んでいる
低温共焼成セラミック構造を提供すること目的とする。 【構成】 第１および第２の電極３と、それらの電極間
の高いＫの誘電体材料層５と、高いＫの誘電体材料層５
の厚さ方向のほぼ中央を通る平面に対して対称に第１お
よび第２の電極３の外側に配置されている低いＫの誘電
体材料層７とを含んでいる埋設キャパシタを具備し、電
極３の外側に配置された低いＫの誘電体材料層７によっ
て共焼成処理中に歪み、亀裂あるいは撓みを防止するこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低温共焼成セラミック
構造（「ＬＴＣＣ」）に関し、特に、ＬＴＣＣ構造内へ
のキャパシタの埋設に関する。
【０００２】
【従来の技術】小型化した電子回路、特にキャパシタに
対する多数のおよび増大する必要性が存在する。
【０００３】チップキャパシタは、この必要性を満たす
部品として使用されている。しかしながら、これらはト
ップレベルの実際的技術を利用し、組立ておよび追跡を
するための労力を必要とする。
【０００４】探究されている別の方法は、キャブストレ
イト（ｃａｐｓｔｒａｔｅｓ）である。しかしながら、
これらは、付加的な労力および材料を必要とし、信号相
互接続を生成するために処理が必要である。
【０００５】急速に発展している別の技術は、低温共焼
成セラミック（「ＬＴＣＣ」）を使用する。ＬＴＣＣテ
ープの積層が種々の電子部品の周囲に適応される。結果
的な構造は低温焼成によって積層体とされる。
【０００６】残念ながら、ＬＴＣＣ構造中のキャパシタ
を組込むという従来の試みは共焼成中のＬＴＣＣ構造の
歪み、亀裂および撓みを含む幾つかの問題に遭遇する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の１つの目的
は、共焼成処理中に歪み、亀裂あるいは撓みを生ずるこ
とのない埋設キャパシタを含んでいる低温共焼成セラミ
ック構造（「ＬＴＣＣ」）を提供することである。
【０００８】本発明の別の目的は、単位面積当り多量の
キャパシタンスを有する埋設キャパシタを含んでいる低
温共焼成セラミック構造（「ＬＴＣＣ」）を提供するこ
とである。
【０００９】本発明のさらに別の目的は、共焼成処理中
に歪み、亀裂あるいは撓みを生ずることのない次々に上
部に積重ねられた複数の埋設キャパシタを含んでいる低
温共焼成セラミック構造（「ＬＴＣＣ」）を提供するこ
とである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の目的、特徴およ
び利点は、低温共焼成セラミック構造（「ＬＴＣＣ」）
に２つの電極を埋設し、高いＫの誘電体材料によって電
極を分離し、結果的に得られた構造を高いＫの誘電体材
料の厚さ方向のほぼ中央を通る平面に対して対称に配置
される低いＫの誘電体材料により囲むことによって達成
される。この構成を使用するため、共焼成処理中に歪
み、亀裂あるいは撓みを生ずることなく複数のキャパシ
タは低温共焼成セラミック構造（「ＬＴＣＣ」）中に積
み重ねられた配置に埋設されることができる。
【００１１】本発明のさらに別の目的、特徴および利点
は、添付図面と共に以下の詳細な説明の考察によって明
瞭であろう。
【００１２】
【実施例】図１は、単一のキャパシタがＬＴＣＣ構造に
埋設される本発明の１実施例を示す。
【００１３】図１に示されるように、ＬＴＣＣ構造１は
１対の電極３、高いＫの誘電体５、低いＫの誘電体７お
よび電極３に電気接続される貫通接続体９を含む。
【００１４】各電極３は、銀あるいは金のようなスクリ
ーン印刷導電性材料によって形成されることが好まし
い。高いＫのＬＴＣＣテープは図１に示されるような高
いＫの誘電体５に使用され、低いＫのＬＴＣＣテープも
また図１に示されるような低いＫの誘電体７に使用され
る。通常の誘電定数は、それぞれ低いＫのテープが８で
あり、高いＫのテープが１０００である。
【００１５】ＬＴＣＣ構造を構成するための１つの効果
的な技術は、連続層に必要な材料を積み重ねることであ
る。貫通接続体９に対して適当な孔が形成され、伝導性
材料で満たされる。全体構造は、それを積層するために
低温共焼成される。
【００１６】単一の層として示されるが、高いＫのＬＴ
ＣＣテープ５は実際には何層かにすることが可能であ
る。逆に、複数の層で示されている低いＫのＬＴＣＣテ
ープ７は、電極３の片側の単一の層のみで構成可能であ
る。共焼成中の歪み、亀裂あるいは撓みを避けるため、
低いＫのＬＴＣＣ材料は、高いＫの誘電体材料５のほぼ
中央を通過する面に対して対称であるべきである。
【００１７】図２は、複数のキャパシタがＬＴＣＣ構造
に積み重ねられ、埋設されている本発明の別の実施例を
示す。
【００１８】図２に示されるように、ＬＴＣＣ構造11
は、貫通接続体15にそれぞれ接続される複数の電極13か
ら構成される。各電極13は、高いＫの誘電体材料17およ
び低いＫの誘電体材料19の交互の層によって互いに分離
されている。電極、誘電体および貫通接続体に関する図
１に関連して説明したのと同じ種類の材料は、図２に示
される構造においてもさらに有効的に使用される。
【００１９】有害な歪み、亀裂あるいは撓みを避けるた
め、各キャパシタに関して、低いＫの誘電体材料が高い
Ｋの誘電体材料のほぼ中央を通過する面に対して対称に
配置されることは重要なことである。これを達成するた
めに、最も外部の電極を囲う層は、低いＫの材料である
べきである。
【００２０】上記技術の使用によって、共焼成処理中に
材料の歪み、亀裂あるいは撓みのない一辺が０．２４イ
ンチ乃至１．５インチの正方形で４ｐｆ乃至２２，００
０ｐｆのキャパシタンスが得られることは認められた。
【００２１】論議された様々な実施例が存在するが、本
発明が幅広い付加的な実施例に適応できることは当業者
に明瞭であるべきである。例えば、ある誘電体がＬＴＣ
Ｃテープの単一層のみの構成として示されているが、Ｌ
ＴＣＣテープの多重層は使用される。逆に、ＬＴＣＣテ
ープの単一層は、多重層が示されている場合に使用され
ることができる。また、電極がＬＴＣＣ構造の全体の幅
にわたる必要はない。キャパシタと別のキャパシタある
いは電気部品との間の内部埋設接続も企図されている。
したがって、本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によ
ってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】単一のキャパシタがＬＴＣＣ構造に埋設されて
いる本発明の１実施例の断面図。
【図２】複数のキャパシタがＬＴＣＣ構造に積み重ねら
れ、埋設されている本発明の別の実施例の断面図。
【符号の説明】
３，13…電極、５，17…高いＫの誘電体、７，19…低い
Ｋの誘電体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ツェン − ツォウ・シー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90630、サイプレス、トリニダッド・アベ ニュー 6133

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ．第１の電極と、 ｂ．第２の電極と、 ｃ．前記第１および第２の電極間の高いＫの誘電体材料
    と、 ｄ．前記高いＫの誘電体材料の厚さ方向のほぼ中央を通
    る平面に対して対称に前記第１および第２の電極の外側
    に配置されている低いＫの誘電体材料とを含んでいる埋
    設キャパシタを具備している低温共焼成セラミック構
    造。
  2. 【請求項２】 前記高いＫおよび低いＫの誘電体材料が
    低温共焼成セラミックテープである請求項１記載の構
    造。
  3. 【請求項３】 前記各電極に接続された貫通接続体をさ
    らに含んでいる請求項１記載の構造。
  4. 【請求項４】 ａ．スクリーン印刷された導電性材料の
    平面から構成される第１の電極と、 ｂ．前記第１の電極と接続されている貫通接続体と、 ｃ．スクリーン印刷された導電性材料の平面から構成さ
    れる第２の電極と、 ｄ．前記第２の電極と接続されている貫通接続体と、 ｅ．高いＫを有する１以上の低温共焼成セラミックテー
    プから構成される前記第１および第２の電極間の高いＫ
    の誘電体と、 ｆ．低いＫを有する１つ以上の低温共焼成セラミックテ
    ープからそれぞれ構成され、前記高いＫの誘電体の厚さ
    方向のほぼ中央を通る平面に関して対称に前記第１およ
    び第２の電極の外側に配置されている第１および第２の
    低いＫの誘電体とを含んでいる埋設キャパシタを具備し
    ている低温共焼成セラミック構造。
  5. 【請求項５】 ａ．第１の電極と、 ｂ．第２の電極と、 ｃ．前記第１および第２の電極間の高いＫの誘電体材料
    と、 ｄ．高いＫの誘電体材料の厚さ方向のほぼ中央を通る平
    面に関して対称に第１および第２の電極の外側に配置さ
    れている低いＫの誘電体材料とを具備している複数の埋
    設キャパシタを含む低温共焼成セラミック構造。
  6. 【請求項６】 貫通接続体に接続され、高いＫおよび低
    いＫの誘電体材料の交互の平坦な層によって互いにそれ
    ぞれ分離されている複数の平坦な電極を含んでおり、全
    ての前記電極を囲む前記誘電体材料の層は低いＫの誘電
    体材料である複数の埋設キャパシタを含む低温共焼成構
    造。
JP4147644A 1991-08-05 1992-06-08 埋設キャパシタを含んでいる低温共焼成構造 Pending JPH05166668A (ja)

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US07/740,359 US5144526A (en) 1991-08-05 1991-08-05 Low temperature co-fired ceramic structure containing buried capacitors

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