JP2002246211A - チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法 - Google Patents

チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヒューズ素子としての電流集中部である溶断
部にマイクロクラックが生じなようにしたチップ型ヒュ
ーズ抵抗器及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 抵抗体膜15bにレーザトリミングによ
り溶断部19を形成するチップ型ヒューズ抵抗器の製造
方法において、絶縁基板11上に抵抗体ペーストパター
ン15をスクリーン印刷により形成し、仮乾燥した状態
でレーザトリミングにより溶断部19を形成し、その後
に高温で焼成して抵抗体膜15bを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗体膜にレーザ
トリミングにより狭幅部を形成し、該レーザトリミング
により形成された狭幅部を負荷集中部(溶断部)として
用いるチップ型ヒューズ抵抗器に関する。
【0002】
【従来の技術】図2は、チップ型ヒューズ抵抗器の構造
を示す。チップ型ヒューズ抵抗器は、アルミナ等のセラ
ミクス基板11の表面両端部に電極13が配置され、抵
抗体15bが電極間にまたがるように配置されている。
抵抗体膜にはレーザトリミングの切込み部17,17が
設けられ、その切込み部17,17間が電流が集中する
溶断部19となる。従って、所定の過大電流が流れる
と、この溶断部19が溶断することでヒューズ素子とし
て機能する。抵抗体膜15bにはガラス及び/または樹
脂の保護膜21が配置され、電極としてめっき電極23
が設けられていることはチップ抵抗器と同様である。
【0003】従来のチップ型ヒューズ抵抗器の製造方法
を、図4を参照して説明する。まず、(a)に示すよう
に、アルミナ等のセラミクス基板11を準備し、導電体
ペーストパターンのスクリーン印刷及び焼成により電極
13を形成する。次に、(b)に示すように抵抗体ペー
ストパターン15をスクリーン印刷により形成した後
に、仮乾燥して、高温で焼成する。これにより(c)に
示すように抵抗体膜15bが形成される。そして、
(d)に示すようにレーザトリミング17を行い、ヒュ
ーズ素子としての狭幅部(溶断部)19を形成する。更
に、(e)に示すようにガラス及び/又は樹脂による保
護膜21を抵抗体膜上に被覆する。更に基板分割後に側
面電極及び上面電極としてニッケルめっき及びはんだめ
っき23等を施してチップ型ヒューズ抵抗器として完成
する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように焼成して形成された抵抗体膜15bにレーザト
リミングを行うと、形成された溶断部19にマイクロク
ラックが発生する場合がある。そのマイクロクラックが
発生した部分は、ヒューズ素子として電流負荷が集中す
る部分であるので、この部分に発生したマイクロクラッ
クはヒューズ素子としての溶断部の物性的特性を不安定
なものとする。このため、ヒューズ素子としての溶断特
性にバラツキを生じ、また溶断部で、意図しない状況
で、断線を生じる等の問題があった。
【0005】本発明は上述した事情に鑑みて為されたも
ので、ヒューズ素子としての電流集中部である溶断部に
マイクロクラックが生じないようにしたチップ型ヒュー
ズ抵抗器及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型ヒュー
ズ抵抗器は、抵抗体膜にレーザトリミングによりヒュー
ズ素子としての溶断部を形成したチップ型ヒューズ抵抗
器において、前記抵抗体膜に形成された溶断部は前記抵
抗体膜の焼成による形成前の抵抗体ペーストパターンを
仮乾燥した段階でのレーザトリミングにより形成された
ものであることを特徴とする。ここで、前記抵抗体膜を
厚膜とすることが好ましい。
【0007】本発明のチップ型ヒューズ抵抗器の製造方
法は、抵抗体膜にレーザトリミングにより溶断部を形成
するチップ型ヒューズ抵抗器の製造方法において、絶縁
基板上に抵抗体ペーストパターンをスクリーン印刷によ
り形成し、仮乾燥した状態でレーザトリミングにより溶
断部を形成し、その後に高温で焼成して抵抗体膜を形成
することを特徴とする。ここで、前記抵抗体膜を厚膜と
することが好ましい。
【0008】上述した本発明によれば、抵抗体ペースト
パターンを仮乾燥の状態でレーザトリミングを行い溶断
部を形成するので、抵抗体ペーストが焼結されない状態
でレーザトリミングされる。従って、溶断部にマイクロ
クラックが生じない。その後に、高温の焼成により抵抗
体膜を形成するので、形成された抵抗体膜の溶断部周辺
にはマイクロクラックが存在しない。このため、ヒュー
ズ素子として動作させる時に極めて安定した電気的特性
が得られる。また、レーザトリミングによる溶断部の形
成が軟らかな状態で行なわれるので、レーザトリミング
の省電力化が図れる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1を参照しながら説明する。
【0010】まず、(a)に示すようにアルミナ等のセ
ラミクス基板11にAg,Ag−Pd等の厚膜電極13
をスクリーン印刷及び焼成により形成する。尚、図示は
省略するが、この基板は多数個取りのシート状の基板の
一区画であり、分割溝により各チップに相当する区画に
区分されている。
【0011】次に(b)に示すように酸化ルテニウム、
銀−パラジウム(Ag−Pd)等の抵抗体ペーストパタ
ーン15をスクリーン印刷により形成する。そして、
(c)に示すように120℃−150℃程度の温度で、
5分−10分程度仮乾燥する。これにより、仮乾燥した
状態の抵抗体パターン15aが得られる。
【0012】次に、この状態で(d)に示すようにレー
ザトリミングを行い、ヒューズ素子としての電力集中部
である溶断部19を形成する。この溶断部の形成に際し
て、抵抗体ペーストパターンは焼成前であるので軟らか
い状態にあり、マイクロクラックは生じない。また、レ
ーザトリミングにおいて機械的な応力が生じても、抵抗
体ペーストパターンが軟らかいため、すぐに吸収される
と考えられる。また、レーザトリミングの加工対象が軟
らかいため、トリミングの負荷が軽く、これによりレー
ザトリマの省電力化が可能である。
【0013】次に、(e)に示すように例えば850℃
程度の温度で焼成を行うことで抵抗体15bが形成され
る。この抵抗体15bは上述したようにヒューズ素子と
しての電流集中部である溶断部19を備えるが、この部
分にはマイクロクラックは存在しない。これにより、安
定したヒューズ素子としての溶断特性等の電気的特性が
得られる。
【0014】更に、(f)に示すようにガラス及び/又
は樹脂の保護膜21を抵抗体膜上に被覆する。この保護
膜21は、ガラス及び樹脂の保護膜を各一層、又は各々
一層以上を被覆もしくは配設してもよい。そして、基板
を分割して側面電極23及び上面電極を形成すること
で、チップ型ヒューズ抵抗器が完成する。
【0015】このようにして形成されたチップ型ヒュー
ズ抵抗器は、その基本的な構造は従来のチップ型ヒュー
ズ抵抗器と変わらない。しかしながら、抵抗体ペースト
パターンの形成後の軟らかな状態でレーザトリミングに
よる電流集中部(溶断部)が形成されているので、レー
ザトリミングによる各種の歪みを一切受けていないヒュ
ーズ素子としての電流集中部を備えている。これによ
り、通常のチップ型ヒューズ抵抗器の製造工程に余分な
工程を付加することなく、工程順序の変更のみで安定し
た溶断特性を有するチップ型ヒューズ抵抗器を製造する
ことができる。
【0016】
【発明の効果】総じて本発明によれば、レーザトリミン
グによるマイクロクラックが存在しない、ヒューズ素子
としての特性が安定したチップ型ヒューズ抵抗器及びそ
の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態のチップ型ヒューズ抵抗器
の製造工程を示す図であり、左欄は上面図であり、右欄
はその中央部に沿った断面図である。
【図2】チップ型ヒューズ抵抗器の構造例を示す上面図
と断面図である。
【図3】他の実施形態のチップ型ヒューズ抵抗器の構造
例を示す上面図と断面図である。
【図4】従来のチップ型ヒューズ抵抗器の製造工程を示
す図である。
【符号の説明】
11 基板 13 電極 15 抵抗体ペーストパターン 15a 乾燥後の抵抗体 15b 焼成後の抵抗体 17 レーザトリミング 19 溶断部(電流負荷集中部) 21 保護膜 23 めっき電極

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 抵抗体膜にレーザトリミングによりヒュ
    ーズ素子としての溶断部を形成したチップ型ヒューズ抵
    抗器において、 前記抵抗体膜に形成された溶断部は前記抵抗体膜の焼成
    による形成前の抵抗体ペーストパターンを仮乾燥した段
    階でのレーザトリミングにより形成されたものであるこ
    とを特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器。
  2. 【請求項2】 前記抵抗体膜は厚膜抵抗体膜であること
    を特徴とする請求項1記載のチップ型ヒューズ抵抗器。
  3. 【請求項3】 抵抗体膜にレーザトリミングにより溶断
    部を形成するチップ型ヒューズ抵抗器の製造方法におい
    て、絶縁基板上に抵抗体ペーストパターンをスクリーン
    印刷により形成し、仮乾燥した状態でレーザトリミング
    により溶断部を形成し、その後に高温で焼成して抵抗体
    膜を形成することを特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器
    の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記抵抗体膜は厚膜抵抗体膜であること
    を特徴とする請求項3記載のチップ型ヒューズ抵抗器の
    製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004100187A1 (ja) 2003-05-08 2004-11-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
JP2011159411A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Panasonic Corp 回路保護素子の製造方法
JP2013214527A (ja) * 2007-12-29 2013-10-17 Cooper Technologies Co レーザー加工法を使用するsmdおよび挿入実装ヒューズの製造
WO2020230713A1 (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 ローム株式会社 抵抗器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01295483A (ja) * 1988-02-05 1989-11-29 Narumi China Corp 抵抗内蔵セラミック基板及びその製造方法
JPH0361302U (ja) * 1989-10-18 1991-06-17
JPH0677016A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Koa Corp ヒユーズ抵抗器およびその製造方法
JPH11150009A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 厚膜抵抗体の形成方法
JPH11224810A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗器の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01295483A (ja) * 1988-02-05 1989-11-29 Narumi China Corp 抵抗内蔵セラミック基板及びその製造方法
JPH0361302U (ja) * 1989-10-18 1991-06-17
JPH0677016A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Koa Corp ヒユーズ抵抗器およびその製造方法
JPH11150009A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 厚膜抵抗体の形成方法
JPH11224810A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗器の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004100187A1 (ja) 2003-05-08 2004-11-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
EP1622174A1 (en) * 2003-05-08 2006-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing same
EP1622174A4 (en) * 2003-05-08 2009-11-11 Panasonic Corp ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US7884698B2 (en) 2003-05-08 2011-02-08 Panasonic Corporation Electronic component, and method for manufacturing the same
JP2013214527A (ja) * 2007-12-29 2013-10-17 Cooper Technologies Co レーザー加工法を使用するsmdおよび挿入実装ヒューズの製造
JP2011159411A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Panasonic Corp 回路保護素子の製造方法
WO2020230713A1 (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 ローム株式会社 抵抗器
US11810697B2 (en) 2019-05-15 2023-11-07 Rohm Co., Ltd. Resistor

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