JP2002246211A - チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法 - Google Patents
チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法Info
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- JP2002246211A JP2002246211A JP2001043764A JP2001043764A JP2002246211A JP 2002246211 A JP2002246211 A JP 2002246211A JP 2001043764 A JP2001043764 A JP 2001043764A JP 2001043764 A JP2001043764 A JP 2001043764A JP 2002246211 A JP2002246211 A JP 2002246211A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒューズ素子としての電流集中部である溶断
部にマイクロクラックが生じなようにしたチップ型ヒュ
ーズ抵抗器及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 抵抗体膜１５ｂにレーザトリミングによ
り溶断部１９を形成するチップ型ヒューズ抵抗器の製造
方法において、絶縁基板１１上に抵抗体ペーストパター
ン１５をスクリーン印刷により形成し、仮乾燥した状態
でレーザトリミングにより溶断部１９を形成し、その後
に高温で焼成して抵抗体膜１５ｂを形成する。
部にマイクロクラックが生じなようにしたチップ型ヒュ
ーズ抵抗器及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 抵抗体膜１５ｂにレーザトリミングによ
り溶断部１９を形成するチップ型ヒューズ抵抗器の製造
方法において、絶縁基板１１上に抵抗体ペーストパター
ン１５をスクリーン印刷により形成し、仮乾燥した状態
でレーザトリミングにより溶断部１９を形成し、その後
に高温で焼成して抵抗体膜１５ｂを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗体膜にレーザ
トリミングにより狭幅部を形成し、該レーザトリミング
により形成された狭幅部を負荷集中部（溶断部）として
用いるチップ型ヒューズ抵抗器に関する。
トリミングにより狭幅部を形成し、該レーザトリミング
により形成された狭幅部を負荷集中部（溶断部）として
用いるチップ型ヒューズ抵抗器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、チップ型ヒューズ抵抗器の構造
を示す。チップ型ヒューズ抵抗器は、アルミナ等のセラ
ミクス基板１１の表面両端部に電極１３が配置され、抵
抗体１５ｂが電極間にまたがるように配置されている。
抵抗体膜にはレーザトリミングの切込み部１７，１７が
設けられ、その切込み部１７，１７間が電流が集中する
溶断部１９となる。従って、所定の過大電流が流れる
と、この溶断部１９が溶断することでヒューズ素子とし
て機能する。抵抗体膜１５ｂにはガラス及び／または樹
脂の保護膜２１が配置され、電極としてめっき電極２３
が設けられていることはチップ抵抗器と同様である。
を示す。チップ型ヒューズ抵抗器は、アルミナ等のセラ
ミクス基板１１の表面両端部に電極１３が配置され、抵
抗体１５ｂが電極間にまたがるように配置されている。
抵抗体膜にはレーザトリミングの切込み部１７，１７が
設けられ、その切込み部１７，１７間が電流が集中する
溶断部１９となる。従って、所定の過大電流が流れる
と、この溶断部１９が溶断することでヒューズ素子とし
て機能する。抵抗体膜１５ｂにはガラス及び／または樹
脂の保護膜２１が配置され、電極としてめっき電極２３
が設けられていることはチップ抵抗器と同様である。
【０００３】従来のチップ型ヒューズ抵抗器の製造方法
を、図４を参照して説明する。まず、（ａ）に示すよう
に、アルミナ等のセラミクス基板１１を準備し、導電体
ペーストパターンのスクリーン印刷及び焼成により電極
１３を形成する。次に、（ｂ）に示すように抵抗体ペー
ストパターン１５をスクリーン印刷により形成した後
に、仮乾燥して、高温で焼成する。これにより（ｃ）に
示すように抵抗体膜１５ｂが形成される。そして、
（ｄ）に示すようにレーザトリミング１７を行い、ヒュ
ーズ素子としての狭幅部（溶断部）１９を形成する。更
に、（ｅ）に示すようにガラス及び／又は樹脂による保
護膜２１を抵抗体膜上に被覆する。更に基板分割後に側
面電極及び上面電極としてニッケルめっき及びはんだめ
っき２３等を施してチップ型ヒューズ抵抗器として完成
する。
を、図４を参照して説明する。まず、（ａ）に示すよう
に、アルミナ等のセラミクス基板１１を準備し、導電体
ペーストパターンのスクリーン印刷及び焼成により電極
１３を形成する。次に、（ｂ）に示すように抵抗体ペー
ストパターン１５をスクリーン印刷により形成した後
に、仮乾燥して、高温で焼成する。これにより（ｃ）に
示すように抵抗体膜１５ｂが形成される。そして、
（ｄ）に示すようにレーザトリミング１７を行い、ヒュ
ーズ素子としての狭幅部（溶断部）１９を形成する。更
に、（ｅ）に示すようにガラス及び／又は樹脂による保
護膜２１を抵抗体膜上に被覆する。更に基板分割後に側
面電極及び上面電極としてニッケルめっき及びはんだめ
っき２３等を施してチップ型ヒューズ抵抗器として完成
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように焼成して形成された抵抗体膜１５ｂにレーザト
リミングを行うと、形成された溶断部１９にマイクロク
ラックが発生する場合がある。そのマイクロクラックが
発生した部分は、ヒューズ素子として電流負荷が集中す
る部分であるので、この部分に発生したマイクロクラッ
クはヒューズ素子としての溶断部の物性的特性を不安定
なものとする。このため、ヒューズ素子としての溶断特
性にバラツキを生じ、また溶断部で、意図しない状況
で、断線を生じる等の問題があった。
たように焼成して形成された抵抗体膜１５ｂにレーザト
リミングを行うと、形成された溶断部１９にマイクロク
ラックが発生する場合がある。そのマイクロクラックが
発生した部分は、ヒューズ素子として電流負荷が集中す
る部分であるので、この部分に発生したマイクロクラッ
クはヒューズ素子としての溶断部の物性的特性を不安定
なものとする。このため、ヒューズ素子としての溶断特
性にバラツキを生じ、また溶断部で、意図しない状況
で、断線を生じる等の問題があった。
【０００５】本発明は上述した事情に鑑みて為されたも
ので、ヒューズ素子としての電流集中部である溶断部に
マイクロクラックが生じないようにしたチップ型ヒュー
ズ抵抗器及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
ので、ヒューズ素子としての電流集中部である溶断部に
マイクロクラックが生じないようにしたチップ型ヒュー
ズ抵抗器及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型ヒュー
ズ抵抗器は、抵抗体膜にレーザトリミングによりヒュー
ズ素子としての溶断部を形成したチップ型ヒューズ抵抗
器において、前記抵抗体膜に形成された溶断部は前記抵
抗体膜の焼成による形成前の抵抗体ペーストパターンを
仮乾燥した段階でのレーザトリミングにより形成された
ものであることを特徴とする。ここで、前記抵抗体膜を
厚膜とすることが好ましい。
ズ抵抗器は、抵抗体膜にレーザトリミングによりヒュー
ズ素子としての溶断部を形成したチップ型ヒューズ抵抗
器において、前記抵抗体膜に形成された溶断部は前記抵
抗体膜の焼成による形成前の抵抗体ペーストパターンを
仮乾燥した段階でのレーザトリミングにより形成された
ものであることを特徴とする。ここで、前記抵抗体膜を
厚膜とすることが好ましい。
【０００７】本発明のチップ型ヒューズ抵抗器の製造方
法は、抵抗体膜にレーザトリミングにより溶断部を形成
するチップ型ヒューズ抵抗器の製造方法において、絶縁
基板上に抵抗体ペーストパターンをスクリーン印刷によ
り形成し、仮乾燥した状態でレーザトリミングにより溶
断部を形成し、その後に高温で焼成して抵抗体膜を形成
することを特徴とする。ここで、前記抵抗体膜を厚膜と
することが好ましい。
法は、抵抗体膜にレーザトリミングにより溶断部を形成
するチップ型ヒューズ抵抗器の製造方法において、絶縁
基板上に抵抗体ペーストパターンをスクリーン印刷によ
り形成し、仮乾燥した状態でレーザトリミングにより溶
断部を形成し、その後に高温で焼成して抵抗体膜を形成
することを特徴とする。ここで、前記抵抗体膜を厚膜と
することが好ましい。
【０００８】上述した本発明によれば、抵抗体ペースト
パターンを仮乾燥の状態でレーザトリミングを行い溶断
部を形成するので、抵抗体ペーストが焼結されない状態
でレーザトリミングされる。従って、溶断部にマイクロ
クラックが生じない。その後に、高温の焼成により抵抗
体膜を形成するので、形成された抵抗体膜の溶断部周辺
にはマイクロクラックが存在しない。このため、ヒュー
ズ素子として動作させる時に極めて安定した電気的特性
が得られる。また、レーザトリミングによる溶断部の形
成が軟らかな状態で行なわれるので、レーザトリミング
の省電力化が図れる。
パターンを仮乾燥の状態でレーザトリミングを行い溶断
部を形成するので、抵抗体ペーストが焼結されない状態
でレーザトリミングされる。従って、溶断部にマイクロ
クラックが生じない。その後に、高温の焼成により抵抗
体膜を形成するので、形成された抵抗体膜の溶断部周辺
にはマイクロクラックが存在しない。このため、ヒュー
ズ素子として動作させる時に極めて安定した電気的特性
が得られる。また、レーザトリミングによる溶断部の形
成が軟らかな状態で行なわれるので、レーザトリミング
の省電力化が図れる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１を参照しながら説明する。
て、図１を参照しながら説明する。
【００１０】まず、（ａ）に示すようにアルミナ等のセ
ラミクス基板１１にＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の厚膜電極１３
をスクリーン印刷及び焼成により形成する。尚、図示は
省略するが、この基板は多数個取りのシート状の基板の
一区画であり、分割溝により各チップに相当する区画に
区分されている。
ラミクス基板１１にＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の厚膜電極１３
をスクリーン印刷及び焼成により形成する。尚、図示は
省略するが、この基板は多数個取りのシート状の基板の
一区画であり、分割溝により各チップに相当する区画に
区分されている。
【００１１】次に（ｂ）に示すように酸化ルテニウム、
銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）等の抵抗体ペーストパタ
ーン１５をスクリーン印刷により形成する。そして、
（ｃ）に示すように１２０℃−１５０℃程度の温度で、
５分−１０分程度仮乾燥する。これにより、仮乾燥した
状態の抵抗体パターン１５ａが得られる。
銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）等の抵抗体ペーストパタ
ーン１５をスクリーン印刷により形成する。そして、
（ｃ）に示すように１２０℃−１５０℃程度の温度で、
５分−１０分程度仮乾燥する。これにより、仮乾燥した
状態の抵抗体パターン１５ａが得られる。
【００１２】次に、この状態で（ｄ）に示すようにレー
ザトリミングを行い、ヒューズ素子としての電力集中部
である溶断部１９を形成する。この溶断部の形成に際し
て、抵抗体ペーストパターンは焼成前であるので軟らか
い状態にあり、マイクロクラックは生じない。また、レ
ーザトリミングにおいて機械的な応力が生じても、抵抗
体ペーストパターンが軟らかいため、すぐに吸収される
と考えられる。また、レーザトリミングの加工対象が軟
らかいため、トリミングの負荷が軽く、これによりレー
ザトリマの省電力化が可能である。
ザトリミングを行い、ヒューズ素子としての電力集中部
である溶断部１９を形成する。この溶断部の形成に際し
て、抵抗体ペーストパターンは焼成前であるので軟らか
い状態にあり、マイクロクラックは生じない。また、レ
ーザトリミングにおいて機械的な応力が生じても、抵抗
体ペーストパターンが軟らかいため、すぐに吸収される
と考えられる。また、レーザトリミングの加工対象が軟
らかいため、トリミングの負荷が軽く、これによりレー
ザトリマの省電力化が可能である。
【００１３】次に、（ｅ）に示すように例えば８５０℃
程度の温度で焼成を行うことで抵抗体１５ｂが形成され
る。この抵抗体１５ｂは上述したようにヒューズ素子と
しての電流集中部である溶断部１９を備えるが、この部
分にはマイクロクラックは存在しない。これにより、安
定したヒューズ素子としての溶断特性等の電気的特性が
得られる。
程度の温度で焼成を行うことで抵抗体１５ｂが形成され
る。この抵抗体１５ｂは上述したようにヒューズ素子と
しての電流集中部である溶断部１９を備えるが、この部
分にはマイクロクラックは存在しない。これにより、安
定したヒューズ素子としての溶断特性等の電気的特性が
得られる。
【００１４】更に、（ｆ）に示すようにガラス及び／又
は樹脂の保護膜２１を抵抗体膜上に被覆する。この保護
膜２１は、ガラス及び樹脂の保護膜を各一層、又は各々
一層以上を被覆もしくは配設してもよい。そして、基板
を分割して側面電極２３及び上面電極を形成すること
で、チップ型ヒューズ抵抗器が完成する。
は樹脂の保護膜２１を抵抗体膜上に被覆する。この保護
膜２１は、ガラス及び樹脂の保護膜を各一層、又は各々
一層以上を被覆もしくは配設してもよい。そして、基板
を分割して側面電極２３及び上面電極を形成すること
で、チップ型ヒューズ抵抗器が完成する。
【００１５】このようにして形成されたチップ型ヒュー
ズ抵抗器は、その基本的な構造は従来のチップ型ヒュー
ズ抵抗器と変わらない。しかしながら、抵抗体ペースト
パターンの形成後の軟らかな状態でレーザトリミングに
よる電流集中部（溶断部）が形成されているので、レー
ザトリミングによる各種の歪みを一切受けていないヒュ
ーズ素子としての電流集中部を備えている。これによ
り、通常のチップ型ヒューズ抵抗器の製造工程に余分な
工程を付加することなく、工程順序の変更のみで安定し
た溶断特性を有するチップ型ヒューズ抵抗器を製造する
ことができる。
ズ抵抗器は、その基本的な構造は従来のチップ型ヒュー
ズ抵抗器と変わらない。しかしながら、抵抗体ペースト
パターンの形成後の軟らかな状態でレーザトリミングに
よる電流集中部（溶断部）が形成されているので、レー
ザトリミングによる各種の歪みを一切受けていないヒュ
ーズ素子としての電流集中部を備えている。これによ
り、通常のチップ型ヒューズ抵抗器の製造工程に余分な
工程を付加することなく、工程順序の変更のみで安定し
た溶断特性を有するチップ型ヒューズ抵抗器を製造する
ことができる。
【００１６】
【発明の効果】総じて本発明によれば、レーザトリミン
グによるマイクロクラックが存在しない、ヒューズ素子
としての特性が安定したチップ型ヒューズ抵抗器及びそ
の製造方法を提供できる。
グによるマイクロクラックが存在しない、ヒューズ素子
としての特性が安定したチップ型ヒューズ抵抗器及びそ
の製造方法を提供できる。
【図１】本発明の実施の形態のチップ型ヒューズ抵抗器
の製造工程を示す図であり、左欄は上面図であり、右欄
はその中央部に沿った断面図である。
の製造工程を示す図であり、左欄は上面図であり、右欄
はその中央部に沿った断面図である。
【図２】チップ型ヒューズ抵抗器の構造例を示す上面図
と断面図である。
と断面図である。
【図３】他の実施形態のチップ型ヒューズ抵抗器の構造
例を示す上面図と断面図である。
例を示す上面図と断面図である。
【図４】従来のチップ型ヒューズ抵抗器の製造工程を示
す図である。
す図である。
１１ 基板 １３ 電極 １５ 抵抗体ペーストパターン １５ａ 乾燥後の抵抗体 １５ｂ 焼成後の抵抗体 １７ レーザトリミング １９ 溶断部（電流負荷集中部） ２１ 保護膜 ２３ めっき電極
Claims (4)
- 【請求項１】 抵抗体膜にレーザトリミングによりヒュ
ーズ素子としての溶断部を形成したチップ型ヒューズ抵
抗器において、 前記抵抗体膜に形成された溶断部は前記抵抗体膜の焼成
による形成前の抵抗体ペーストパターンを仮乾燥した段
階でのレーザトリミングにより形成されたものであるこ
とを特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器。 - 【請求項２】 前記抵抗体膜は厚膜抵抗体膜であること
を特徴とする請求項１記載のチップ型ヒューズ抵抗器。 - 【請求項３】 抵抗体膜にレーザトリミングにより溶断
部を形成するチップ型ヒューズ抵抗器の製造方法におい
て、絶縁基板上に抵抗体ペーストパターンをスクリーン
印刷により形成し、仮乾燥した状態でレーザトリミング
により溶断部を形成し、その後に高温で焼成して抵抗体
膜を形成することを特徴とするチップ型ヒューズ抵抗器
の製造方法。 - 【請求項４】 前記抵抗体膜は厚膜抵抗体膜であること
を特徴とする請求項３記載のチップ型ヒューズ抵抗器の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001043764A JP4668433B2 (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001043764A JP4668433B2 (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246211A true JP2002246211A (ja) | 2002-08-30 |
| JP4668433B2 JP4668433B2 (ja) | 2011-04-13 |
Family
ID=18905880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001043764A Expired - Fee Related JP4668433B2 (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4668433B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004100187A1 (ja) | 2003-05-08 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2011159411A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Panasonic Corp | 回路保護素子の製造方法 |
| JP2013214527A (ja) * | 2007-12-29 | 2013-10-17 | Cooper Technologies Co | レーザー加工法を使用するｓｍｄおよび挿入実装ヒューズの製造 |
| WO2020230713A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | ローム株式会社 | 抵抗器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01295483A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-11-29 | Narumi China Corp | 抵抗内蔵セラミック基板及びその製造方法 |
| JPH0361302U (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-17 | ||
| JPH0677016A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-18 | Koa Corp | ヒユーズ抵抗器およびその製造方法 |
| JPH11150009A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 厚膜抵抗体の形成方法 |
| JPH11224810A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗器の製造方法 |
-
2001
- 2001-02-20 JP JP2001043764A patent/JP4668433B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| WO2004100187A1 (ja) | 2003-05-08 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子部品及びその製造方法 |
| EP1622174A1 (en) * | 2003-05-08 | 2006-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing same |
| EP1622174A4 (en) * | 2003-05-08 | 2009-11-11 | Panasonic Corp | ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| US7884698B2 (en) | 2003-05-08 | 2011-02-08 | Panasonic Corporation | Electronic component, and method for manufacturing the same |
| JP2013214527A (ja) * | 2007-12-29 | 2013-10-17 | Cooper Technologies Co | レーザー加工法を使用するｓｍｄおよび挿入実装ヒューズの製造 |
| JP2011159411A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Panasonic Corp | 回路保護素子の製造方法 |
| WO2020230713A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | ローム株式会社 | 抵抗器 |
| US11810697B2 (en) | 2019-05-15 | 2023-11-07 | Rohm Co., Ltd. | Resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4668433B2 (ja) | 2011-04-13 |
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