JP3049843B2 - 抵抗体電極構造の形成方法 - Google Patents
抵抗体電極構造の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は抵抗値温度係数（ＴＣ
Ｒ）を充分小さくなした抵抗体電極構造の形成方法に関
するものである。
Ｒ）を充分小さくなした抵抗体電極構造の形成方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６には定電流回路の一例を示し、オペ
アンプ４にフィードバックされる電流検出用抵抗体５´
の出力電圧が定電圧Ｖｃに一致するようにトランジスタ
３を制御して、負荷６に流れる電流を一定に維持してい
る。かかる回路をハイブリッドＩＣで実現する場合には
上記抵抗体５´として厚膜抵抗体を使用することが多
い。
アンプ４にフィードバックされる電流検出用抵抗体５´
の出力電圧が定電圧Ｖｃに一致するようにトランジスタ
３を制御して、負荷６に流れる電流を一定に維持してい
る。かかる回路をハイブリッドＩＣで実現する場合には
上記抵抗体５´として厚膜抵抗体を使用することが多
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、厚膜抵
抗体は抵抗値を小さく（１Ω程度以下）すると抵抗体の
金属的挙動が強くなるため正の大きなＴＣＲ（＋５００
ｐｐｍ／℃以上）を示すようになり、雰囲気温度が変動
すると抵抗値が変化してフィードバック電圧が変動し、
定電流が維持できない。
抗体は抵抗値を小さく（１Ω程度以下）すると抵抗体の
金属的挙動が強くなるため正の大きなＴＣＲ（＋５００
ｐｐｍ／℃以上）を示すようになり、雰囲気温度が変動
すると抵抗値が変化してフィードバック電圧が変動し、
定電流が維持できない。
【０００４】そこで、図７に示す如く、ＴＣＲの比較的
小さい（＋１５０ｐｐｍ／℃程度）高抵抗体２を線状の
導体膜１Ａ，１Ｂ間に幅広い面状に形成して低抵抗値を
実現し、図中ａを上記トランジスタ３のエミッタに、ｂ
を上記オペアンプ４に接続して使用しているが、ＴＣＲ
の低減は充分でなかった。
小さい（＋１５０ｐｐｍ／℃程度）高抵抗体２を線状の
導体膜１Ａ，１Ｂ間に幅広い面状に形成して低抵抗値を
実現し、図中ａを上記トランジスタ３のエミッタに、ｂ
を上記オペアンプ４に接続して使用しているが、ＴＣＲ
の低減は充分でなかった。
【０００５】本発明はかかる課題を解決するもので、Ｔ
ＣＲの制御が容易でＴＣＲを充分に小さくできる抵抗体
電極構造の形成方法を提供することを目的とする。
ＣＲの制御が容易でＴＣＲを充分に小さくできる抵抗体
電極構造の形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の抵抗体電極構造
の形成方法は請求項１〜５に記載された如く、抵抗体電
極構造に、互いに異なるＴＣＲを有する抵抗体部（１Ａ
および１Ｂ，２）を含め、これらの抵抗体部を第１及び
第２の電圧取出端子（１３，１４）間に存在せしめるの
で、この第１、第２の電圧取出端子が接続される部位の
配置関係に応じて上記電圧出力に異なる温度依存性が与
えられる。前記第１の部位と前記第２の部位の配置関係
により当該抵抗体電極構造の周囲の温度変化による両電
圧取出端子間から得られる電圧出力の出力変動を抑制す
ることができる。図１および図２に示す構造に基づいて
本発明の構成をより詳しく説明すると、抵抗体電極構造
は、間隔をおいて延び、正の抵抗値温度係数が相対的に
大きい一対の線状導体膜１Ａ、１Ｂと、これら導体膜１
Ａ、１Ｂに対向辺がそれぞれ接続導通せしめられ、正の
抵抗値温度係数が相対的に小さい面状の抵抗膜２とを具
備せしめ、上記各導体膜１Ａ、１Ｂの一部を電流源３を
接続する給電部位たる給電端１１とし、導体膜の一方１
Ａには給電端１１を除く所定位置に電圧取出端子１３を
設けるとともに、導体膜１Ｂの他方には給電端１１を含
む所定位置に電圧取出端子１４を設け、これら電圧取出
端子１３，１４間に電圧出力を得る。そして前記第１の
部位と前記第２の部位の配置関係を設定する。
の形成方法は請求項１〜５に記載された如く、抵抗体電
極構造に、互いに異なるＴＣＲを有する抵抗体部（１Ａ
および１Ｂ，２）を含め、これらの抵抗体部を第１及び
第２の電圧取出端子（１３，１４）間に存在せしめるの
で、この第１、第２の電圧取出端子が接続される部位の
配置関係に応じて上記電圧出力に異なる温度依存性が与
えられる。前記第１の部位と前記第２の部位の配置関係
により当該抵抗体電極構造の周囲の温度変化による両電
圧取出端子間から得られる電圧出力の出力変動を抑制す
ることができる。図１および図２に示す構造に基づいて
本発明の構成をより詳しく説明すると、抵抗体電極構造
は、間隔をおいて延び、正の抵抗値温度係数が相対的に
大きい一対の線状導体膜１Ａ、１Ｂと、これら導体膜１
Ａ、１Ｂに対向辺がそれぞれ接続導通せしめられ、正の
抵抗値温度係数が相対的に小さい面状の抵抗膜２とを具
備せしめ、上記各導体膜１Ａ、１Ｂの一部を電流源３を
接続する給電部位たる給電端１１とし、導体膜の一方１
Ａには給電端１１を除く所定位置に電圧取出端子１３を
設けるとともに、導体膜１Ｂの他方には給電端１１を含
む所定位置に電圧取出端子１４を設け、これら電圧取出
端子１３，１４間に電圧出力を得る。そして前記第１の
部位と前記第２の部位の配置関係を設定する。
【０００７】
【作用】上記構成の抵抗体電極構造の形成方法におい
て、図２に基づいてその作用を説明する。線状導体膜１
Ａ，１Ｂとこの間に設けた面状抵抗膜２は、４ケの抵抗
がはしご状に形成された抵抗ラダーとみなし得る（図
２）。温度が上昇すると、給電端１１に近い電圧取出端
子１３とこれに対応する他の導体膜部間の電圧Ｖ1 は、
この間の抵抗膜抵抗Ｒｒの増加分と後述する遠い電圧取
出端子１４での電流減少による電流Ｉ1 の増加分に依存
して上昇する。一方、給電端１１より遠い電圧取出端子
１４とこれに対応する他の導体膜部間の電圧Ｖ2 は、こ
こに至るまでの導体膜抵抗Ｒｃの相対的に大きな増加に
より電流Ｉ2 が大きく減少するため、これによる電圧低
下分がこの部分の抵抗膜抵抗Ｒｒの増加による電圧上昇
分を上回る。
て、図２に基づいてその作用を説明する。線状導体膜１
Ａ，１Ｂとこの間に設けた面状抵抗膜２は、４ケの抵抗
がはしご状に形成された抵抗ラダーとみなし得る（図
２）。温度が上昇すると、給電端１１に近い電圧取出端
子１３とこれに対応する他の導体膜部間の電圧Ｖ1 は、
この間の抵抗膜抵抗Ｒｒの増加分と後述する遠い電圧取
出端子１４での電流減少による電流Ｉ1 の増加分に依存
して上昇する。一方、給電端１１より遠い電圧取出端子
１４とこれに対応する他の導体膜部間の電圧Ｖ2 は、こ
こに至るまでの導体膜抵抗Ｒｃの相対的に大きな増加に
より電流Ｉ2 が大きく減少するため、これによる電圧低
下分がこの部分の抵抗膜抵抗Ｒｒの増加による電圧上昇
分を上回る。
【０００８】しかして、温度上昇に伴い、図２に示す構
成の場合、給電端１１に近い位置で電圧Ｖ1 が上昇する
一方、遠い位置での電圧Ｖ2 は低下し、電圧取出端子１
３，１４間から得られる電圧出力には、この電圧Ｖ1 の
上昇分と電圧Ｖ2 の低下分との差に応じた電圧出力変化
が生じる。これにより、上記部位の配置位置に対応し
て、温度変化に伴う上記電圧出力変化が任意である。し
たがって上記部位の配置を設定することで温度依存性を
制御することができる。 ここで、各電圧取出端子１３，
１４が接続される前記部位の位置を請求項３〜５の発明
のように設定すると電圧Ｖ1 の上昇分と電圧Ｖ2 の低下
分が互いに相殺して、電圧取出端子１３，１４間より得
られる電圧出力は温度変化に対する依存性が充分小さく
なる。
成の場合、給電端１１に近い位置で電圧Ｖ1 が上昇する
一方、遠い位置での電圧Ｖ2 は低下し、電圧取出端子１
３，１４間から得られる電圧出力には、この電圧Ｖ1 の
上昇分と電圧Ｖ2 の低下分との差に応じた電圧出力変化
が生じる。これにより、上記部位の配置位置に対応し
て、温度変化に伴う上記電圧出力変化が任意である。し
たがって上記部位の配置を設定することで温度依存性を
制御することができる。 ここで、各電圧取出端子１３，
１４が接続される前記部位の位置を請求項３〜５の発明
のように設定すると電圧Ｖ1 の上昇分と電圧Ｖ2 の低下
分が互いに相殺して、電圧取出端子１３，１４間より得
られる電圧出力は温度変化に対する依存性が充分小さく
なる。
【０００９】この時、上記両電圧取出端子１３，１４
を、抵抗膜抵抗Ｒｒ増加分による電圧上昇と電流Ｉ2 減
少分による電圧低下が相殺される位置に対向して設ける
と、電圧出力の温度依存性は殆ど零となる。
を、抵抗膜抵抗Ｒｒ増加分による電圧上昇と電流Ｉ2 減
少分による電圧低下が相殺される位置に対向して設ける
と、電圧出力の温度依存性は殆ど零となる。
【００１０】
【実施例１】図１には本発明の抵抗体電極構造の形成方
法を適用した定電流回路を示し、抵抗体５は平行に延び
る線状の抵抗体部たる導体膜１Ａ，１Ｂとこれらの間に
上下辺を接合導通せしめて設けた面状の抵抗体部たる抵
抗膜２とよりなる。導体膜１Ａ，１Ｂの各一端は給電部
位たる給電端１１としてあり、その一方は電流源として
のトランジスタ３のエミッタに接続され、他方は電力ア
ースしてある。そして、各導体膜１Ａ，１Ｂの給電端１
１側の抵抗膜２の端部より他端１２方向へ所定距離ｘ0
だけ離れた導体膜部に電圧取出端子１３，１４を設け
て、その一方１３をオペアンプ４の反転端子に入力する
とともに他方１４は信号アースしてある。
法を適用した定電流回路を示し、抵抗体５は平行に延び
る線状の抵抗体部たる導体膜１Ａ，１Ｂとこれらの間に
上下辺を接合導通せしめて設けた面状の抵抗体部たる抵
抗膜２とよりなる。導体膜１Ａ，１Ｂの各一端は給電部
位たる給電端１１としてあり、その一方は電流源として
のトランジスタ３のエミッタに接続され、他方は電力ア
ースしてある。そして、各導体膜１Ａ，１Ｂの給電端１
１側の抵抗膜２の端部より他端１２方向へ所定距離ｘ0
だけ離れた導体膜部に電圧取出端子１３，１４を設け
て、その一方１３をオペアンプ４の反転端子に入力する
とともに他方１４は信号アースしてある。
【００１１】上記オペアンプ４の非反転端子には信号ア
ースとの間に定電圧Ｖｃが接続されており、オペアンプ
出力が上記トランジスタ３のベースに入力している。ト
ランジスタ３のコレクタには電源との間に負荷６が接続
してある。
ースとの間に定電圧Ｖｃが接続されており、オペアンプ
出力が上記トランジスタ３のベースに入力している。ト
ランジスタ３のコレクタには電源との間に負荷６が接続
してある。
【００１２】負荷６に流れる電流はトランジスタ３を経
て抵抗体５の給電端１１の一方に至り、抵抗体５内を流
通して給電端１１の他方よりアースへ流れる。上記電圧
取出端子１３，１４間にはこの時の電流値に比例した電
圧が現れ、これがオペアンプ４で定電圧Ｖc と比較され
て比較出力によりトランジスタ３が作動せしめられて、
常に負荷６へ定電流が供給される。上記電圧取出端子１
３，１４間の電圧は、これら端子１３，１４を設ける部
位を給電端１１側の抵抗膜２の端部より以下に説明する
距離ｘ0 だけ他端１２方向へ離れた位置とすることによ
り、雰囲気温度の変化に無関係に一定に保たれる。
て抵抗体５の給電端１１の一方に至り、抵抗体５内を流
通して給電端１１の他方よりアースへ流れる。上記電圧
取出端子１３，１４間にはこの時の電流値に比例した電
圧が現れ、これがオペアンプ４で定電圧Ｖc と比較され
て比較出力によりトランジスタ３が作動せしめられて、
常に負荷６へ定電流が供給される。上記電圧取出端子１
３，１４間の電圧は、これら端子１３，１４を設ける部
位を給電端１１側の抵抗膜２の端部より以下に説明する
距離ｘ0 だけ他端１２方向へ離れた位置とすることによ
り、雰囲気温度の変化に無関係に一定に保たれる。
【００１３】図３に示す抵抗体５において、給電端１１
に最も近い抵抗膜２端からの距離をｘとし、図４に示す
抵抗ラダーの分布定数回路として偏微分方程式（１），
（２）をＩ（０）＝Ｉｏ，Ｉ（Ｗ）＝０の境界条件で解
くと、電圧Ｖ（ｘ）は式（３）で与えられる。
に最も近い抵抗膜２端からの距離をｘとし、図４に示す
抵抗ラダーの分布定数回路として偏微分方程式（１），
（２）をＩ（０）＝Ｉｏ，Ｉ（Ｗ）＝０の境界条件で解
くと、電圧Ｖ（ｘ）は式（３）で与えられる。
【００１４】
【数１】
【数２】
【数３】
【００１５】ここでＲは導体膜１Ａ，１Ｂの単位長さ当
たりの抵抗値の２倍に等しく、Ｇは抵抗膜２の単位長さ
当たりのコンダクタンスである。
たりの抵抗値の２倍に等しく、Ｇは抵抗膜２の単位長さ
当たりのコンダクタンスである。
【００１６】雰囲気温度が変化した場合のＲ，Ｇをそれ
ぞれＲ’，Ｇ’とし、この時の電圧Ｖ（ｘ）をＶ’
（ｘ）とすると、この時の電圧変化分ΔＶ（ｘ）は次式
（４）のようになり、ｘすなわち電圧取出端子１３，１
４を設ける部位に応じて異なる値が与えられる。
ぞれＲ’，Ｇ’とし、この時の電圧Ｖ（ｘ）をＶ’
（ｘ）とすると、この時の電圧変化分ΔＶ（ｘ）は次式
（４）のようになり、ｘすなわち電圧取出端子１３，１
４を設ける部位に応じて異なる値が与えられる。
【００１７】
【数４】
【００１８】導体膜１Ａ，１Ｂとして例えばＡｇ−Ｐｔ
を使用すると、そのＴＣＲは＋２０００ｐｐｍ／℃、シ
ート抵抗値は３ｍΩである。また、抵抗膜２として例え
ばＲｕＯ2 をベースとする抵抗体を使用すると、そのＴ
ＣＲは＋１００ｐｐｍ／℃、シート抵抗値は３Ωであ
る。雰囲気温度が２５℃〜１２５℃の１００℃の間で変
化する場合、導体膜１Ａ，１Ｂの幅ｗ、抵抗膜２の長さ
Ｌを共に１mmとし、Ｉｏ＝１Ａとすると、電圧変化分Δ
Ｖ（ｘo ）が０となる位置ｘo が存在する条件はΔＶ
（Ｗ）＜０であるから、上記（４）式を変形した（５）
式以下の演算により、以下の如く得られる。
を使用すると、そのＴＣＲは＋２０００ｐｐｍ／℃、シ
ート抵抗値は３ｍΩである。また、抵抗膜２として例え
ばＲｕＯ2 をベースとする抵抗体を使用すると、そのＴ
ＣＲは＋１００ｐｐｍ／℃、シート抵抗値は３Ωであ
る。雰囲気温度が２５℃〜１２５℃の１００℃の間で変
化する場合、導体膜１Ａ，１Ｂの幅ｗ、抵抗膜２の長さ
Ｌを共に１mmとし、Ｉｏ＝１Ａとすると、電圧変化分Δ
Ｖ（ｘo ）が０となる位置ｘo が存在する条件はΔＶ
（Ｗ）＜０であるから、上記（４）式を変形した（５）
式以下の演算により、以下の如く得られる。
【００１９】
【数５】
【数６】
【数７】 上式（５）〜（７）より、ＲＧＷ2 ＞０．３２５ これはＷ2 ／ｗＬ＞１．６３×１０2 と変換され、結局
Ｗ＞１３となる。
Ｗ＞１３となる。
【００２０】かくして、抵抗体の幅Ｗが１３mm以上であ
ればΔＶ（ｘ0 ）＝０となるｘ0 が存在する。例えばＷ
＝２５mmに設定すると、この時の電圧Ｖ（ｘ）曲線は２
５℃と１２５℃について図５の如く得られ、ｘ0 ＝１０
ｍｍとなる。かかるΔＶ（ｘ）＞０となる領域（ｘ＜ｘ
0 ）とΔＶ（ｘ）＜０となる領域（ｘ＞ｘ0 ）との境界
であるｘ0 の位置に両電圧取出端子１３，１４を設けれ
ば、雰囲気温度の変動に影響されず正確に入力電流のみ
に比例する出力電圧が得られ、抵抗体５の実質的ＴＣＲ
は零となる。
ればΔＶ（ｘ0 ）＝０となるｘ0 が存在する。例えばＷ
＝２５mmに設定すると、この時の電圧Ｖ（ｘ）曲線は２
５℃と１２５℃について図５の如く得られ、ｘ0 ＝１０
ｍｍとなる。かかるΔＶ（ｘ）＞０となる領域（ｘ＜ｘ
0 ）とΔＶ（ｘ）＜０となる領域（ｘ＞ｘ0 ）との境界
であるｘ0 の位置に両電圧取出端子１３，１４を設けれ
ば、雰囲気温度の変動に影響されず正確に入力電流のみ
に比例する出力電圧が得られ、抵抗体５の実質的ＴＣＲ
は零となる。
【００２１】
【実施例２】ΔＶ（ｘ）＝０となる位置を越えて給電端
１１より遠ざかると、ΔＶ（ｘ）は負になって（図５参
照）次第にその絶対値が大きくなる。そこで、スペース
的な制約より実施例１のように両電圧取出端子１３，１
４を対向位置に設けることができない場合には、ΔＶ
（ｘ1 ）＝−ΔＶ（ｘ2 ）となるような位置ｘ1 ，ｘ2
を算出して、導体膜１Ａの電圧取出端子１３を位置ｘ1
に設け、導体膜１Ｂの電圧取出端子１４を位置ｘ2 に設
けて出力電圧を得るようにするのもよい。位置ｘ1 と位
置ｘ2 とは、上式より知られるように、その雰囲気温度
変化に応じた電圧出力変化ΔＶ（ｘ）の極性が互いに逆
方向で電圧出力変化の絶対値が同じとなる位置である。
この場合でも上記実施例１と同様の効果が得られる。
１１より遠ざかると、ΔＶ（ｘ）は負になって（図５参
照）次第にその絶対値が大きくなる。そこで、スペース
的な制約より実施例１のように両電圧取出端子１３，１
４を対向位置に設けることができない場合には、ΔＶ
（ｘ1 ）＝−ΔＶ（ｘ2 ）となるような位置ｘ1 ，ｘ2
を算出して、導体膜１Ａの電圧取出端子１３を位置ｘ1
に設け、導体膜１Ｂの電圧取出端子１４を位置ｘ2 に設
けて出力電圧を得るようにするのもよい。位置ｘ1 と位
置ｘ2 とは、上式より知られるように、その雰囲気温度
変化に応じた電圧出力変化ΔＶ（ｘ）の極性が互いに逆
方向で電圧出力変化の絶対値が同じとなる位置である。
この場合でも上記実施例１と同様の効果が得られる。
【００２２】
【実施例３】なお、一方の電圧取出端子１３を給電端１
１に設け、他方の電圧取出端子１４を給電端１１以外に
設けるようになせば、給電端１１の電圧変動ΔＶ（０）
に対して給電端１１以外の電圧変動ΔＶ（ｘ）は小さい
から、両電圧取出端子１３，１４間に得られる電圧Ｖ
（０，ｘ）の温度変動が（ΔＶ（ｘ）＋ΔＶ（０））／
２であることを考慮すると、電圧取出端子１３，１４を
いずれも給電端１１に設ける場合に比べて温度変動をよ
り小さくすることが可能である。
１に設け、他方の電圧取出端子１４を給電端１１以外に
設けるようになせば、給電端１１の電圧変動ΔＶ（０）
に対して給電端１１以外の電圧変動ΔＶ（ｘ）は小さい
から、両電圧取出端子１３，１４間に得られる電圧Ｖ
（０，ｘ）の温度変動が（ΔＶ（ｘ）＋ΔＶ（０））／
２であることを考慮すると、電圧取出端子１３，１４を
いずれも給電端１１に設ける場合に比べて温度変動をよ
り小さくすることが可能である。
【００２３】上記各実施例において、給電端は必ずしも
各導体膜の端部に設ける必要はない。また、電圧取出端
子の一方は給電端と一致せしめて設けても良い。
各導体膜の端部に設ける必要はない。また、電圧取出端
子の一方は給電端と一致せしめて設けても良い。
【００２４】
【発明の効果】以上の如く、本発明の抵抗体電極構造の
形成方法によれば、抵抗値が小さくかつ抵抗値温度係数
が充分に小さい膜抵抗を実現することができ、計測用の
ハイブリッドＩＣ等に好適な抵抗体電極構造を得ること
ができる。
形成方法によれば、抵抗値が小さくかつ抵抗値温度係数
が充分に小さい膜抵抗を実現することができ、計測用の
ハイブリッドＩＣ等に好適な抵抗体電極構造を得ること
ができる。
【図１】本発明の抵抗体電極構造の形成方法を適用した
定電流回路の回路図である。
定電流回路の回路図である。
【図２】本発明を説明する概念図である。
【図３】抵抗体の概略平面図である。
【図４】抵抗体のモデル図である。
【図５】抵抗体各部の電圧を示す図である。
【図６】定電流回路の回路図である。
【図７】従来の抵抗体電極構造の形成方法により形成さ
れた抵抗体電極の概略平面図である。
れた抵抗体電極の概略平面図である。
１Ａ、１Ｂ 導体膜（抵抗体部） １１ 給電端（給電部位） １２ 他端 １３，１４ 電圧取出端子 ２ 抵抗膜（抵抗体部） ３ トランジスタ ４ オペアンプ ５ 抵抗体 ６ 負荷
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 1/14 H01C 7/00 H01C 7/06
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の電圧取出端子（１３）が接続され
た第１の部位と第２の電圧取出端子（１４）が接続され
た第２の部位と電流源が接続された給電部位（１１）と
を設け、前記第１の部位と前記第２の部位との間に複数
の抵抗体部を互いに接続して前記給電部位（１１）を介
して前記複数の抵抗体部に電流を流す抵抗体電極構造の
形成方法において、 前記第１の部位と第２の部位との間に第１のＴＣＲを有
する抵抗体部（１Ａ，１Ｂ）と該第１のＴＣＲとは異な
る第２のＴＣＲを有する抵抗体部（２）とを介在させ
て、前記第１の電圧取出端子（１３）と前記第２の電圧
取出端子（１４）の両端子間に発生する電圧出力の温度
依存性を前記第１の部位と前記第２の部位の各々の配置
位置により制御することを特徴とする抵抗体電極構造の
形成方法。 - 【請求項２】 第１のＴＣＲを有する一対の抵抗体部
（１Ａ，１Ｂ）と、該一対の抵抗体部（１Ａ，１Ｂ）間
に接続されるとともに第１のＴＣＲと異なる第２のＴＣ
Ｒを有する抵抗体部（２）とを有し、給電部位（１１）
を介して電流源からの電流が流れる抵抗体に対して設定
される抵抗体電極構造の形成方法であって、前記一対の
抵抗体部（１Ａ，１Ｂ）の各々に、第１の電圧取出端子
（１３）が接続される第１の部位と第２の電圧取出端子
（１４）が接続される第２の部位とを各々配置設定する
とともに、その各々の配置位置により前記第１の電圧取
出端子（１３）と前記第２の電圧取出端子（１４）との
間に発生する電圧出力の温度依存性を制御することを特
徴とする抵抗体電極構造の形成方法。 - 【請求項３】 前記第１の電圧取出端子（１３）と前記
第２の電圧取出端子（１４）との間に発生する前記電圧
出力の、温度変化に応じた電圧出力変化が零となる位置
に対応して、前記第１の部位と第２の部位との各々の前
記配置位置を設定することを特徴とする請求項１または
２いずれか記載の抵抗体電極構造の形成方法。 - 【請求項４】 前記第１の部位と前記第２の部位の前記
配置位置を、各々前記電圧出力変化の極性が零となる位
置に設定することを特徴とする請求項３記載の抵抗体電
極構造の形成方法。 - 【請求項５】 前記第１の部位と前記第２の部位の前記
配置位置を、各々前記電 圧出力変化の極性が異なる位置
であって、かつ各々の位置での前記電圧出力の絶対値が
等しくなる位置に設定することを特徴とする請求項３記
載の抵抗体電極構造の形成方法。
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| JP3166491A JP3049843B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-06-11 | 抵抗体電極構造の形成方法 |
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| JP12552691 | 1991-04-26 | ||
| JP3166491A JP3049843B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-06-11 | 抵抗体電極構造の形成方法 |
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Family
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1991
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1992
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