JPS63249301A - 化合物抵抗およびその製造方法 - Google Patents

化合物抵抗およびその製造方法

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JPS63249301A
JPS63249301A JP63044075A JP4407588A JPS63249301A JP S63249301 A JPS63249301 A JP S63249301A JP 63044075 A JP63044075 A JP 63044075A JP 4407588 A JP4407588 A JP 4407588A JP S63249301 A JPS63249301 A JP S63249301A
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temperature coefficient
resistance
resistor
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resistance value
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JP63044075A
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ロイ　ウィルドレッド　チャペル　ジュニア
デビット　ニール　デュペロン
ジョセフ　アール　メドーズ
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Fluke Corp
Original Assignee
John Fluke Manufacturing Co Inc
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/232—Adjusting the temperature coefficient; Adjusting value of resistance by adjusting temperature coefficient of resistance

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、温度による抵抗値変動の低減に関し、特に、
温度変動特性が抵抗部のそれより実質的に大きく、かつ
、逆極性である材料て形成した調整部を有する薄膜抵抗
に関する。
［従来の技術と発明か解決しようとする課題］周知のよ
うに、抵抗に用いられる抵抗材料の抵抗値は、温度の変
化に伴って変動する。この特性は、“抵抗の温度係数（
ＴＣＲ）″で表わされ、温度１度当りの実際の抵抗値の
変化を求めることにより測定される。ＴＣＲは１通常、
ｌ　”Ｃ当りの百万分の１の単位、すなわちｐ　ｐ　ｍ
　／　”Ｃて与えられる。
抵抗を使用した電子デバイスの動作を確実に予測し、か
つ、そのようなデバイスの精度および信頼性を向上させ
るために、従来、抵抗のＴＣＲを“絶対値Ｏ”にまで低
減する試みが種々なされている。しかし、今までのとこ
ろ、この絶対Ｏを達成する方法はない、現在、±０．５
ｐｐｍ／　”Ｃの範囲内てあれば、ＴＣＲは実質的に０
であるとみなされている。
過去において、精密巻線抵抗の製造は、多数の抵抗から
等しい抵抗値のものを選び、かつ、正および負のＴＣＲ
（製造変化により生じる）を選択的に整合（マツチング
）させるという費用のかかる工程を要した。この精密巻
線抵抗ては、初期のＴＣＲはかなり厳密に制御てきたか
、各抵抗に固有の長時間抵抗値変動が生じ、これによっ
て全体の抵抗値が時間とともに変動した。また、個々の
抵抗かかさばるため、近接した熱結合か行えず。
その結果、みかけの比ＴＣ’Ｒ（後述）も温度の増感に
伴い変化した。
同様に、過去において、ＴＣＲの低い材料をみいだすた
めの典型的手法としてｇ膜抵抗によるものがある。この
型の抵抗は、バーガー（Ｂｕｒｇｅｒ）等発明の米国特
許第４，４６４，６４６号に開示されている。この抵抗
はタンタル、窒化タンタル、またはタンタラム・オキシ
ニトライト（ｔａｎｔａｌｕＩＩｏｘｉｎｉｔｒｉｄｅ
）からなり、４本質的に（ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ）”
０のＴＣＲを有すると記載されている。実際には、これ
らの材料のＴＣＲは、絶対Ｏどころか実質０からも程遠
い±１００　ｐｐｍ／℃の範囲にある。
この米国特許は、抵抗の温度係数を制御する薄膜回路に
ついて開示しているか、これは、温度センサまたは他の
素子の補償器として働くような温度依存性のある抵抗を
提供しようとするものである。すなわち、上記米国特許
は、ＴＣＲが実質Ｏの化合物抵抗をさえ教示あるいは示
唆するものてはない、上記バーガー発明が利用される用
途において、そのようなＴＣＲを提供する材料か存在す
ることを前提としているからである０例えば、上記米国
特許か木質的にＯのＴＣＲを有するとしてイルタンタル
ハ、実ｎ　ニ（、ｔ　、　８０ｐｐｍ／℃±ｌｏｇ　Ｏ
）　ＴＣＲを有するものである。
ＴＣＲを制御する他の例としては、バクスター（Ｂａｘ
ｔｅｒ）発明の米国特許第４，３７５．０５６号に開示
されたような、抵抗内の材料の分量によるものや。
トーフィールト（Ｄｏｒｆｉｅｌｄ’）発明の米国特許
第４，０７９．３４９号に開示されたような、抵抗の構
造を制御するものか挙げられる。しかし、これらの手法
によるＴＣＲも、絶対Ｏまたは実質０から数桁離れてい
る。
さらに他の制御方法としては、抵抗材料の処理、温度に
よるアニーリング、あるいは、そうでなければ抵抗材料
の製造および抵抗製造時のその材料の基板上への生成の
制御を行うものがある。
しかし、これらの手法は、複雑で費用かかさみ、かつ所
望の結果を予期通りに再現することかできるとは限らな
い、よって、このようにして製造された材料て形−成さ
れた抵抗には、なお、後て補正することのてきない種々
の温度による不都合か生じる可能性かある。かくして、
ＴＣＲか絶対０である抵抗、あるいはその製造完了後に
ＴＣＲを実質的に０となすように調整てきる抵抗の出現
か長い間待望されている。
一方、抵抗アレイと呼ばれる抵抗群については、製造後
にそのひとつの抵抗のＴＣＲを、アレイの他の抵抗のＴ
ＣＲと整合させ、または補償するよう７Ａ整できること
か望まれている。
抵抗アレイによっては、すべての抵抗か絶対または実質
ＯのＴＣＲを有する必要はない、より重要なことは、温
度の変化に伴って各ＴＣＲか相互に追従する。すなわち
、温度変化に並行して抵抗値を変化させることである。
この重要な特性は比ＴＣＲと呼ばれ、抵抗アレイ内の種
々の抵抗のＴＣＲの差で表わされることか多い、比ＴＣ
ＲはＴＣＲの差であるから、これもｐｐｍ／℃て測定さ
れる。
従来、抵抗アレイにおいて、この比ＴＣＲを低減する、
特に、高精度デバイス用に比ＴＣＲを０または０．５ｐ
ｐｍ／　℃以下の実質０にまて低減する必要性かあった
。
過去においては、超精密抵抗は、一般に湿気や他の環境
因子によるＴＣＲ値または抵抗値のずれを低減するため
に、気密密閉（ｈｅｒａ＋ｅｔｉｃａｌｌｙ　５ｅａｌ
ｅｄ）されている、この気密密閉のために、抵抗アレイ
の製造完了後にそのＴＣＲまたは抵抗値のいずれも変更
することばてきなかった。すなわち、任意の値を得るた
めに最終“調整”を行うことは物理的に不可能であった
。
本発明は、ＴＣＲを現在の生産製造の計装技術により測
定可能な程度の実質０とてきる化合物抵抗の製造方法を
提供する。加えて、本発明は、ＴＣＲを絶対Ｏとするこ
とかてきる化合物抵抗の製造方法を提供する。
本発明は、−また、製造後にＴＣＲを調整てきる化合物
抵抗の製造方法を提供する。
本発明は、さらに、抵抗アレイの比ＴＣＲを制御するよ
う調整できる、抵抗アレイに適した化合物抵抗の製造方
法を提供する。
さらに、本発明は、ＴＣＲか絶対Ｏまたは実質０の所定
の抵抗値を有する化合物の製造方法を提供する。
また本発明は、製造後に、調整すなわちトリミングして
抵抗アレイの比ＴＣＲを制御てきる、抵抗アレイに適し
た化合物薄膜抵抗の製造方法を提供する。
さらにまた１本発明は、抵抗アレイの比ＴＣＲを絶対０
または実質Ｏとすることかできる、抵抗アレイへの用途
に適した化合物抵抗を提供する。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、上記課題を解決するためになされたちのてあ
り、以下のような構成を有する。
（１）化合物抵抗の製造方法であって。
第１抵抗値および第１温度係数を有する上記化合物抵抗
の第１部分を形成する工程と、上記第１抵抗値と異なる
第２抵抗値および上記第１抵抗温度係数と異なる逆極性
の第２温度係数１を有する上記化合物抵抗の第２部分を
形成する工程と、 上記第１および第２部分の複合温度係数が実質０となる
まて、上記部分の一方の一部を除去する工程とを有する
ことを特徴とする。
（２）化合物抵抗の製造方法てあって、第１抵抗値およ
び第１温度係数を有する上記化合物抵抗の第１部分を形
成する工程と、上記第１抵抗値と異なる第２抵抗値およ
び上記第１温度係数と異なる逆極性の第２温度係数を有
する上記化合物抵抗の第２部分を形成する工程と、 上記第１および第２部分の複合抵抗温度係数か０より僅
かに高くなるまで、上記第２部分の一部を除去する工程
と、 上記第１および第２部分の複合温度係数か実質０となる
まて、上記第１部分の一部を除去する工程とを有するこ
とを特徴とする。
（３）上記請求項１または２記載の化合物抵抗の製造方
法であって。
上記第１および第２部分を気密密閉する工程と、該気′
＆′密閉後に、上記第１および第２部分の一部を除去す
る工程とを含むことを特徴とする。
（４）化合物抵抗の製造方法てあって、基板上に抵抗材
料の層を形成する工程と、該抵抗材料上に低抵抗材料の
層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第１抵抗値
および正の第１温度係数を宥する調整部を設ける工程と
、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、上記第１抵
抗値より実質的に高い第２抵抗値および上記第１温度係
数より実質的に小さい負の温度係数を有し、かつ上記調
整部に接続された抵抗部を設ける工程と、 上記化合物抵抗の温度係数を測定する工程と、上記化合
物抵抗の温度係数か実質０になるまて上記抵抗材料の一
方の一部を除去する工程とを有することを特徴とする。
（５）化合物抵抗の製造方法であって、基板上に抵抗材
料の層を形成する工程と、該抵抗材料上に低抵抗材料の
層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第１抵抗値
および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、少なくとも
一方か上記調整部に接続された第１および第２抵抗部を
設ける工程であって、上記一方は上記第１抵抗値より実
質的に大きい抵抗値および上記正の温度係数より実質的
に小さい負の温度係数を有する工程と、 上記抵抗部の一方および上記調整部および上記抵抗部の
他方の間の比温度係数を測定する工程と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と。
上記比温度係数か実質０になるまて、上記測定工程およ
び除去工程を繰り返す工程とを有することを特徴とする
。
（６）上記請求項４または５記載の化合物抵抗の製造方
法てあって、 上記温度係数を測定する工程の前に、上記調整部および
抵抗部を気密密閉する工程と、上記温度係数を測定する
工程の後に、上記一部をレーザ除去する工程とを含むこ
とを特徴とする。
（７）化合物抵抗の製造方法てあって。
基板上に高抵抗薄膜材料の層を形成する工程と、 該高抵抗材料上に低抵抗薄膜材料の層を形成する工程と
。
該低抵抗材料の一部を除去することにより、第１抵抗値
および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記高抵抗材料の一部を除去することにより、抵抗部を
設ける工程てあって、該抵抗部は、上記第１抵抗値より
実質的に大きい第２抵抗値および上記正の温度係数より
実質的に小さい負の温度係数を有する上記調整部の少な
くとも一部の下居において上記調整部に接続される工程
と、上記抵抗部および上記調整部の温度係数を測定する
工程と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と、該温度係数か
±　０．５ｐｐｍ／℃の範囲内に入るまで、上記測定工
程および除去工程な静り返す工程とを有することを特徴
とする。
（８）上記請求項９記載の方法であって。
上記温度係数が絶対Ｏになるまで、上記測定工程および
除去工程を繰り返すことを特徴とする。
（９）予定の抵抗値を有する化合物抵抗の製造方法であ
って。
基板上に高抵抗薄膜材料の層を形成する工程と、 該高抵抗材料上に、低抵抗薄膜材料の層を形成する工程
と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、上記予定の
抵抗値の ＜　　１００（ａｂｓＴＣＲａ）　／　−（ａｂｓＴＣ
Ｒｒ＊　ａｂｓＴＣＲｒ）　Ｂの抵抗値および＋５００
ｐｐｍ／℃から　＋９０００ｐｐｍ／℃までの範囲内の
温度係数を有する調整部を設ける工程と。
と。
上記高抵抗材料の一部を除去することにより、：５１お
よび第２抵抗部を設ける工程であって、該第１抵抗部は
上層の上記２１！！整部に接続され、かつ、上記予定の
抵抗値の （１００（ａｂｓＴＣＲｒ）　／　（ａｂｓＴＣＲａ◆
ａｂｓＴ（：Ｒ，）　’ｊ％（ここに、ａｂｓＴＣＲａ
は上記７Ａ整部の温度係数の絶対値、ａｂｓＴＣＲｒは
上記第１抵抗部の温度係数の絶対値）の抵抗値および一
１００ｐｐａ！／″Ｃから＋１００ｐｐＩａ／℃までの
範囲内の温度係数を有する工程と。
上記第１抵抗部および上記調整部および上記第２抵抗部
の間の一比温度係数を測定する工程と。
上記比温度係数か０．５ｐｐｍ／℃より小さくなるまで
、上記測定工程および上記除去工程を繰り返す工程を有
することを特徴とする。
（１０）上記請求項９記載の化合物抵抗の方法であって
。
上記比温度係数か絶対０になるまて、上記測定工程およ
び除去工程を繰り返す。
（１１）請求項７または９記載の方法において、上記ｌ
ｌ１ｌＩ定工程の前に、上記調整部および上記抵抗部を
、レーザ透過性被覆で気密密閉し、上記測定工程の後、
上記気密密閉に影ゴを与えることなく上記一部なレーザ
除去することを特徴とする。
（１２）化合物抵抗であって、 第１抵抗値および第１温度係数を有する第１部分と、 第２抵抗値および第２温度係数を有し、該第１部分に接
続された第２部分とを備え、 上記第１抵抗値は上記第２抵抗値と異なる大きさを有し
、かつ、上記第２温度係数は上記第１温度係数と逆極性
の異なる大きさを有し、上記部分の少なくとも一方は、
他方の温度係数を実質的に相殺する温度係数を有するよ
うに構造を決定され、上記化合物抵抗の複合温度係数を
実質０としたことを特徴とする。
（１３）予定の抵抗値および予定の温度係数を有する第
１抵抗を含む抵抗システムにおける化合物抵抗であって
、 第１抵抗値および第１温度係数を有する第１部分と、 第２抵抗値および第２温度係数を有する第２部分とを備
え。
上記第１抵抗値は上記第２抵抗値より実質的に犬きく、
かつ、上記第２温度係数は上記第１温度係数より実質的
に大きく逆極性であり、さらに。
上記部分の少なくとも一方は、上記化合物抵抗の温度係
数を上記第１抵抗の予定の温度係数に追従させるよう構
造が決定され、上記第１抵抗および化合物抵抗の間の比
温度係数を実質０としたことを特徴とする。
（１４）上記請求項１２または１３記載の化合物抵抗に
おいて、上記第１部分は正の温度係数を有し、上記第２
部分は負の温度係数を有することを特徴とする。
（１５）上記請求項１２または１３記載の化合物抵抗に
おいて、 上記第１および第２部分を気密密閉する手段を備え、 上記第２部分は、上記気密密閉に影響を与えることなく
、上記第１および第２部分の温度係数を調整する手段を
有することを特徴とする。
（１６）予定の抵抗値を有する化合物抵抗モあって、上
記予定の抵抗値の少なくとも５０％の抵抗値および一５
Ｏｐｐａ＋／　’Ｃないし０Ｐｐ０−５０）ｐｐｍ／℃
の範囲内の温度係数を有する第１部分と、 上記予定の抵抗値の口ないし１０％の範囲内の抵抗値お
よび＋ＳＯ０ｐｐｍ／℃ないし＋９０００　ｐ　ｐ　ｔ
ｍ　／　”Ｃの範囲内の温度係数を有し、上記化合物抵
抗の複合温度係数を−０，５ｐｐ＋ｓ／℃ないし÷０．
５ｐｐｍ／℃の範囲内とする第２部分とを備えることを
特徴とする。
（１７）上記請求項１６記載の化合物抵抗において、上
記第２部分は複合温度係数を０とするよう構造か決定さ
れたことを特徴とする。
（１８）予定の温度係数を有する第１抵抗を含む抵抗ア
レイにおける、予定の抵抗値を有する化合物抵抗てあっ
て、 上記予定の抵抗値の少なくとの５０％の抵抗値および一
５０ｐｐＢ／　１１（ないし０ｐｐｍ／℃の範囲内の温
度係数を有する第１部分と、 上記予定の抵抗値の口ないし１０％の範囲内の抵抗値お
よび÷ＳＯＯｐｐｍ／℃ないし＋９０００ｐｐｍ／℃の
範囲内の温度係数を有する第２部分とを備え。
該第２部分は、上記化合物抵抗の温度係数を上記第１抵
抗の予定の温度係数に整合させるように構造を決定され
、上記第１抵抗および化合物抵抗の間の比温度係数とし
て０．５ｐｐ＋ｓ／　”Ｃを得ることを特徴とする。
（１９）上記請求項１８記載の化合物抵抗において。
上記第２部分は、上記複合温度係数を０とするよう構造
が決定されたことを特徴とする。
（２０）上記請求項１６または１８記載の化合物抵抗に
おいて、 第１および第２部分を層形成した基板と、上記：ｊＳｌ
および第２部分を覆い、上記基板との間で上記第１およ
び第２部分を気密密閉するレーザ透過性被覆とを備え、 上記第２部分は、上記化合物抵抗の抵抗値および温度係
数を変更するために、上記被覆を通してレーザ加工によ
り除去されうる調整領域を有することを特徴とする。
（２１）予定の抵抗値を有するＱ　ＩＩ！２化合物抵抗
であって。
上記予定の抵抗値の （１００（ａｂｓＴｃＲ，）　／　（ａｂｓＴ（：Ｒ１
１＋　ａｂｓＴＣＲｒ）　）！（ここに、　ａｂｓＴｃ
Ｒｍは上記調整部の温度係数の絶対価、　ａｂｓＴＣＲ
ｒは上記第１抵抗部の温度係数の絶対値）の抵抗値およ
び−５（ＩＩ）９１６／　”ＣないしくＩＩ）ｐＨ／℃
の範囲内の温度係数を有するｇ膜抵抗部と、上記予定の
抵抗値の （１００（ａｂｓＴＣＲｒ）　　　／　　　ＣａｂｓＴ
ＣＲｒ＋　　　ａｂｓＴｃＲ，）　　　）！の抵抗値お
よび＋５００ｐｐｍ／℃ないしす９ｏｏｏｐｐ麿／℃の
範囲内の温度係数を有し、上記抵抗部に接続された薄膜
調整部とを備え。
該薄１［ＩＲ整部は、上記：５１および第２部分の複合
温度係数を−０，５ｐｐｔａ／℃ないし＋０．５ｐｐｍ
／℃の範囲内としたことを特徴とする８膜化合物抵抗。
（２２）上記請求項２１記載の薄膜化合物抵抗において
、上記ａｖｉａ整部は、複合温度係数を絶対０とするよ
う構造を決定されたことを特徴とする。
（２３）予定の第１抵抗値および予定の温度係数を有す
る第１抵抗を含む抵抗アレイにおける。予定の第２抵抗
値を有する化合物抵抗であって、上記予定の第２抵抗値
の （１００（ａｂｓＴＣＲａ）／（ａｂｓＴＣＲｒ＋　ａ
ｂｓ（ＴＣＲ，−Ｔ（：Ｒ＋）））！（ここに、ａｂｓ
（ＴＣＲｒ−ＴＣＲＩ）は上記抵抗部の温度係数から上
記第１抵抗の温度係数を引いた量の絶対値、上記ａｂｓ
ＴｃＲａは上記調整部の温度係数の絶対値）の抵抗値お
よび（ＴＣＲＩ−５０）ｐ１）ｍ／　”ＣないしＴＣＲ
Ｉの範囲内の温度係数を有する抵抗部と。
上記予定の第２抵抗値の （１００（ａｂｓ（ＴＣＲ，−ＴＣＲＩ））／（ａｂｓ
ＴＣＲａ＋　ａｂｓ（ＴＣＲ，−ＴＣＲ１））｝％の抵
抗値および＋５００ｐｐａ＋／℃ないし＋９０００ｐｐ
ｍ／℃の範囲内の温度係数を有する調整部とを備え、上
記化合物抵抗の温度係数を上記第１抵抗の予定の温度係
数に整合させ、上記第１抵抗および化合物抵抗の間の比
温度係数を０．５ｐｐｍ／℃より小さくしたことを特徴
とする。
（２４）上記請求項２３記載の化合物抵抗において。
上記調整部は、上記第１抵抗および化合物抵抗の間の比
温度係数を絶対Ｏとするよう構造か決定されたことを特
徴とする。
（以下、余白） ［作用］ 本発明は、具体的には、抵抗部と：Ａ調整部を有する化
合物抵抗を提供する。抵抗部は、高抵抗率、低ＴＣＲを
有する材料により形成される。一方、調整部は、抵抗部
より低抵抗率で、逆極性の高ＴＣＲを有する材料により
形成される。製造後に、その化合物抵抗の全体の抵抗値
を無視てきる程度たけ増加し、実質的にまたは完全にＴ
ＣＲを相殺するように、ＡｇＩ整部の形状は、レーザー
加工処理によりトリミングされる。
本発明は、さらに具体的には、レーザー加工により調整
部をトリミングして、抵抗アレイの比ＴＣＲを絶対また
は実質０にすることがてきる抵抗アレイへの用途に適し
た化合物抵抗を提供する。
本発明の上記以外の効果は、いわゆる当業者には添付図
面および以下の詳細な説明から明らかとなろう。
［実施例］ まず、：５１図に、基板１２上に設けられた抵抗アレイ
１０を示す、基板１２は、ガラス、その他の材料でよい
が、好ましくはアルミナ（Ａ１ｚＯ３）である、抵抗ア
レイｌＯは、２個の化合物抵抗１４．１６を含む、化合
物抵抗１４．１６の入出力は、リート１８．２０．２２
を介して行われる。リード１８，２０．２２はそれぞれ
その最終端においてタブ２４，２６．２８にＰａ続され
ている。
化合物抵抗１４は、調整部３４．３６にそれぞれリード
３１．３３を介して接続された２個の抵抗部３０．３２
からなる。ｖ４整部３４．３６には、後述するように、
切れ目３８（この好適実旅例てはレーザで形成される）
か設けられる。
リード２０．２２間に位置する化合物抵抗１６は、リー
ド４１により調整部４２に接続された抵抗部４０からな
る。第１図では、ｖＪ整郡部４２はレーザ加工による切
れ目を示していない。
抵抗１４．１６は相互接続したものとして示しであるが
、すべての抵抗アレイにおいてこのようにする必要はな
い、場合によりては、抵抗アレイは、同一の基板上に多
数の独立した抵抗からなるものてあってもよい。
次に、第２図に、本発明の好適実施例により製造された
薄膜抵抗の一部を示す、当業者には周知であるように、
薄膜抵抗は、まず基板上に抵抗材料の層を形成し１次に
、従来のフオトソソグラフィック処理により不要の抵抗
材料部分を除去することにより製造される。
本発明では、抵抗材料４３か、まず、基板１２上に層形
成される０次に、：Ａ整材料４４か抵抗材料４３の上に
層形成される。この工程によって。
：Ａ整材料４４か抵抗材料４３により連続的に下張りさ
れたことになる。ここて、層の形成順序は問題てはなく
、また、抵抗材料および調整材料の上、下あるいは中間
の居の数は、両材料か導通して単一の複合ＴＣＲを有す
る化合物抵抗となる限り問題とならない。
真空、化学、その他の層形成処理が利用てきる上記層形
成後、調整材料４４は、感光性を与えられ、露光された
抵抗材料の領域を残すようにエツチング除去される。そ
の後、基板１２上に抵抗材料４３の所望形状を残すよう
に抵抗材料４３が選択除去される。
抵抗材料４３と調整材料４４の組合わせにより、化合物
抵抗４６が構成される。この化合物抵抗４６の適当な全
体の構造が完成し１種々のソートやタブ（図示せず）の
付設か完了したら、レーザ透過性被ｒ１１４８か、この
化合物抵抗４６の上にａ置され、密閉剤（ｈｅｒｍｅｔ
ｉｃ　５ｅａｌａｎｔ）５０により基板１２に接着され
る。一般に、この密閉によって、湿気や空気中粒子に起
因する外的影響による抵抗値の変化が防止される。
気密密閉の前であれば、研召トリミンク、高圧ウォータ
ージェット・トリミング等により抵抗の全体の構造を変
更することはできるか、気密密閉後は、レーザトリミン
グまたは他のノン・インドトルーシブ（口ｏｎ−ｉｎｔ
ｒｕｓｉｖｅ）なトリミング以外は不可能になる。レー
ザは、レーザ透過被覆４８を透過し、気密密閉に影響を
与えることなく、：Ａ整材料４４および抵抗材料４３を
気化させて基板１２に達する切れ目５２を形成する。気
化された材料か気密密閉された抵抗に与える影響は殆ど
焦視できる。
’１５１７の抵抗アレイｌＯの製造に際し、リート１８
．２０．２２．３１．３３および４１には。
金、銀のような高導電率材料のものを選択する。
抵抗部３０，３２．４０には、ニッケルクロミウムにク
ロム）、ケイ化クロム（ｃｈｒｏｍｉｕｍ　５ｉｌｉｃ
ｉｄｅ）　、タンタル、または窒化タンタルのような高
抵抗材料のものを選ぶ。これらの抵抗材料のＴＣＲは、
一般に、　−５０〜＋５０ｐｐｍ／℃である。標準抵抗
内のニクロムのＴＣＲは、−２５〜÷２５１）Ｉ）Ｉｍ
／℃の範囲内にある。好適実施例ては、これらの薄膜抵
抗のＴＣＲは、０〜−］０ｐｐｍ／℃である。一般に、
ＴＣＲは広い温度範囲ては非直線性を有するか、高精度
電子デバイスか使用される通常の温度範囲ては巾−の値
と考えることかできる。
３Ｉ整部３４，３６および４２は、一般に約÷５００な
いし◆９０００ｐＰｍ／　’Ｃの範囲内の正のＴＣＲを
有するニッケル、金、タングステンまたは銀のような種
々の低抵抗材料によって形成できる。好適実施例では、
調整部３４．３６および４２は、約＋５０００ｐｐｍ／
″ＣのＴＣＲを有するニッケルで形成される。
予め定められた公称抵抗値を有する化合物抵抗を得るに
必要な予備エツチングの量を選定する際に、抵抗部３０
．３２は、化合物抵抗１４の所望の公称抵抗値に極めて
近い抵抗値をもつようにエツチングされ、同様に、抵抗
部４０は、化合物抵抗１６の所望の抵抗値に近い抵抗値
をもつようにエツチングされる。化合物抵抗１６として
図示したような最も簡単な形の化合物抵抗に着目すれば
、抵抗部４０の総抵抗値は、製造工程の問題の如何に関
わらず、好ましくは、完成した化合物抵抗１６の最終の
公称抵抗値の少なくとも５０ｚであるべきである。
逆に、予備エツチングされる調整部４２は、所望の公称
抵抗値の０．５ｚを提供するに過ぎない。
好適実施例では、抵抗材料の抵抗値は、フォトリソグラ
フィック除去工程の後、レーザ加工によりさらに公称値
の９０％以内にされる。この処理は、粗レーザ加工と呼
ばれるか、同一のレーザを、最終の正確なＴＣＲおよび
抵抗値を得るためも用いることができる。
本発明は、その−見地によれば、抵抗材料から得られる
べき所望の公称抵抗値の比率は、（１００（ａｂｓＴｃ
Ｒ，）　／　’（ａｂｓＴＣＲａ＋ａｂｓＴ（：Ｒ，）
　Ｂて表わせる。ここに、ａｂｓＴＣＲｒは、抵抗材料
の抵抗値の温度係数の絶対値であり、ａｂｓＴＣＲａは
調整材料の抵抗値の温度係数の絶対値である。同様に、
調整材料から得られる所定の公称値の比率は、 （１００（ａｂｓＴＣＲａ）／　　（ａｂｓＴＣＲａ＋
　ａｂｓＴＣＲｒ））＄である。
化合物抵抗１６のような抵抗を製造する場合、最初のフ
ォトリソグラフィック工程の後、抵抗値およびＴＣＲを
測定する。この測定の結果、その抵抗値は殆ど抵抗部４
０のニクロムによるものであり、ＴＣＲはいまだ：Ａ整
郡部４２ニッケルにょる非Ｏ値であることが判かろう、
もし、抵抗値か主にニクロムによるものでなく、かつ、
最終値の９ｏｚに近くなければ、そうなるまで更に粗レ
ーザ加工を行なう。フォトリソグラフィック工程の後に
ＴＲＣが０となっている可能性はなくはないが、そのよ
うな場合は殆ど考えられない。
ＴＣＲか実質的に０てないとすれば（大抵はそうであろ
うか）、ＴＣＲの大きさを減する必要かある。これは、
調整部の幾何学的な構造を変化させることにより行える
。第１図の化合物抵抗１４をみると、切れ目３８を長く
することにより、調整部３４．３６の抵抗値が増加する
ことか分かろう、同様に、この抵抗値の増加に伴い、再
調整部のＴＣＲへの影響も増大する。
抵抗値に関して、ｔＡ整郡部３４３６の構造変化による
その抵抗値変化は１００倍にもなりつる。たたし、ｇｏ
部３４．３６の抵抗値は元々非常に小さいので、調整部
３４．３６かもたらす抵抗変化の絶対値は化合物抵抗１
４の全体の抵抗値に比べて比較的小さい。
一方、ｒＡ整部３４．３６の抵抗値の増加に伴い、２１
！Ｊ′！！ｉ部３４，３６（７）ＴＣＲが化合物抵抗１
４のＴＣＲに対して与える影響にはかなり大きな変化か
生じる。これにより、化合物抵抗１４のＴＣＲは一：ｌ
０ｐｐｍ／℃から約０〜−３ｐｐｆｆｌ／℃にまて下け
られる。
当業者には、明らかなように、化合物抵抗１４は、この
ようにして非常に微小に抵抗値が増加する一方でＴＣＲ
か０に近接する。
この時点て、第２の測定を行えば、±０．５ｐｐｍ／°
Ｃ内の精密機器“実質Ｏ″を得るためにざらにレーザ加
工を行ってＴＣＲを減少させる必要があるか、あるいは
ＴＣＲか過度に正または負であるかが分かる。
当業者には明白なように、これらの測定およびレーザ加
工は、ＴＣＲか実質０である化合物抵抗か迅速かつ低費
用で製造できるように、すべて、コンピュータの指示に
従って行うことができる。
レーザ技術の加工精度は、ＴＣＲを測定する最良の研究
所計装の分解能の何倍も高く、かつ、加工精度はさらに
向上し続けると予想されるので、本発明の方法を用いて
、絶対０のＴＣＲ１絶対０の比ＴＣＲおよび誤差０の抵
抗値を有する化合物抵抗を提供することができよう。
従来得られなかフた化合物抵抗の例として、第１図に示
したような構造は、公称抵抗値１００Ω。
の抵抗の製造に用いられたものである。ｊｇｌ整部３４
．３６は抵抗率的０．１Ω／口（オーム／スクエア）の
ニッケルで形成された。抵抗部３０．３２は、　１００
Ω／口より僅かに低い抵抗率を有するニクロムで形成さ
れた。前述のように、ニッケルのＴＣＲは約５０００ｐ
ｐｍ／℃であり、ニクロムのＴＣＲは、−３０ｐＩ）ｆ
ｆｉ／　”ＣおよびＯｐｐｍ／　”Ｃの間の値である。
調整部３４．３６の寸法は、微レーザ加工前の抵抗値か
０．０５Ωとなるように選定された。抵抗部３０．３２
は、ニクロム０．７５スクエアを有することにより８０
Ωの抵抗値をもつよう設定した。最後に、リードを被覆
する金の抵抗率は、　６．Ｏｎ＋Ω／口である。約１２
スクエアの金を用いたので、総抵抗値への金の貢献分は
約７０．０ｍΩである。
本発明の方法によれば、調整部３４．３６はトリミング
されて構造を変え、スクエアの数を０．５から約６．０
にまて増加させた（すなわち複合抵抗へのニッケルの貢
献度を杓１２分の１に変化させた）、複合抵抗への：Ａ
整郡部３４３６の貢献分は、０，０５Ωから０．６Ω（
いまだ複合抵抗値１００Ωに比べ微小）へ変化する。し
かし、この抵抗値への貢献分の増加に伴い、他方で、複
合ＴＣＲに対する調整部３４．３６のＴＣＲの貢献分が
かなり増加する。レーザ加工は、実質的に、複合ＴＣＲ
を　−３０ｐｐｍ／℃から一３２９ｆｆｉ／℃にまで上
昇させた。
このような複合ＴＣＲは、従来、製造装置により可能て
あったより、一層絶対Ｏに近づいたか、レーザ加工を調
整部３４．３６について繰り返すという工程を実行する
ことにより、さらにＴＣＲを向上させた。第２の微し−
ザ加ニトリミンクの後、化合物抵抗の反復試験の結果、
複合ＴＣＲは±０．５ｐ１）１１／　’Ｃ以内であるこ
とが分かった。ＴＣＲ値かその測定に用いた生産計装の
能力以上にＯに近いため、これ以上確かなＴＣＲ値を求
めることはてきなかった。
予定の公称抵抗値を越えることなくさらに抵抗値を付加
できる限り、かつ、さらにＴＣＲの変更を望むならば、
ざらにレーザ加工トリミングの工程を実行してもよい。
当業者には周知のように、抵抗アレイの中の特定の抵抗
についてそのＴＣＲがＯとなるより、すべての抵抗の抵
抗値がある温度範囲内で等しい比率て変化するほうが重
要である場合が多い、この並列（ｐａｒａｌｌｅ１）Ｔ
　ＣＲを有する抵抗の特性については業界では種々の名
称で呼ばれている。最も普通の名称は比ＴＣＲであるが
、ＴＣＲトラ・ツキングあるいはＴＣＲ比とも呼ばれる
。比ＴＣＲは、種々の抵抗のＴＣＲ間の差として数学的
に記述できる。よって、比ＴＣＲはＴＣＲと同じ単位ｐ
ｐＨ／℃で表わされる。
抵抗列ｌＯにおいて、化合物抵抗１４．１６の比ＴＣＲ
は、化合物抵抗１４の調整部３４．３６の構造を制御す
ることにより、実質０、すなわち０．５ｐｐｍ／　”Ｃ
以内に追従または絶対０にまで調整することかてきる。
木質的には、化合物抵抗１６か一１００ｐｐｍ／℃から
＋１００ｐｐａ＋／℃の範囲て変化したとしても、化合
物抵抗１４のＴＣＲは化合物抵抗１６のＴＣＲに整合す
るように設定される。　化合物抵抗１４のＴＣＲか、調
整前に、化合物抵抗１６の如き整合されるべき抵抗のＴ
ＣＲに等しいか、または、５０　ｐ　ｐ　ｍ　／　”Ｃ
たけ小さければ（すなわち。
（Ｔ（：Ｒ，−５０）ｐｐｍ／℃；ここにＴＣＲ，は整
合されるべきＴＣＲ）、化合物抵抗１４（７）ＴＣＲは
１ｍ！１部３４．３６の構造制御により化合物抵抗１６
のＴＣＲに対して０．５ｐＩ）ｉ１１／　’Ｃ以内に整
合され得る。
本発明による、抵抗アレイに関する他の見地によれば、
被調整化合物抵抗の抵抗材料によって得られるべき所望
の公称抵抗（【ａの比率は、（１００（ａｂｓＴ（：＋
１．）／（ａｂｓＴＣＲａ−ａｂｓ（ＴＣＲ，−ＴＣＲ
１）））＄て表わせる。ここに、　ａｂｓＴＣＲａは、
被ｍ４ｉ化合物抵抗の調整材料の温度係数の絶対値であ
り、ａｂｓ（ＴＣｉｌ、−ＴＣＲ，）は、被調整化合物
抵抗の抵抗材料の温度係数から、化合物抵抗か整合され
るべき対象であるアレイ内の他の抵抗の抵抗値温度係数
を引いた量の絶対値である。同様に、調整材料によって
得られる予定の公称値の比率は。
（１００ａｂｓ（ＴＣＲ，−ＴＣＲｔ）　／（ａｂｓＴ
ｃＲ，＋ａｂｓ（ＴＣＲ，−ＴＣＲ１）））　％である
。
同様に、本発明の方法によれば、基板上の一連の独立し
た抵抗の比ＴＣＲを実質０または絶対０に調整すること
もできる。すなわち、その抵抗アレイの内のひとつの抵
抗を他の抵抗より正のＴＣＲとしておき、他のすべての
抵抗を上記ひとつの抵抗に対して整合するように正方向
に調整すればよい。
本発明は、厚膜、薄膜、バルクメタルおよびポリマーフ
ィルムの各抵抗デバイスにも適用することができるか、
利用者か実質Ｏまたは絶対ＯのＴＣＲ１比ＴＣＲを要求
するような環境か生じるのは、最高精度の電子デバイス
の用途においてのみであると認められる。一方、ｇ膜お
よびバルクメタルの製品は、一般に、厚膜、ポリマーフ
ィルムより安定かつ高精度てあり、雑音も低い傾向があ
る。したかって１本発明の方法および化合物抵抗は薄膜
およびバルクメタルの用途に利用されることか多いであ
ろう、しかし、今後、厚膜およびポリマーフィルムの材
料か改善されるにつれてそのような抵抗アレイについて
の本発明の用途も増加していくことは考えられる。
以上説明した原理および結果から、調整材料のＴＣＲは
、通常、抵抗材料のＴＣＲより大きく逆極性であると考
えられる。また、調整材料の抵抗率は、通常、調整部の
幾何学的構造の量変化に相当の自由度をもたせるために
抵抗材料の抵抗率より充分小さくし、その結果、複合抵
抗値には最小の影響しか与えずに複合ＴＣＲには充分な
影響を与えるようにする。たたし１本発明は、所望のＴ
ＣＲおよび抵抗値を得るために必要であれば、リードお
よびタブのレーザトリミングを行うことも意図している
。
抵抗アレイの気密密閉によれば極めて安定な抵抗パッケ
ージを提供することかでき、かつ、製造後にレーザ加工
トリミングを行うことによって高精度抵抗アレイの温度
特性も制御することかてきる。
以上の本発明の好適実施例の説明は、単に例示および説
明のためのものであり、開示したそのものに本発明を限
定し、あるいは他のものを排除しようとするものてはな
い０以上の説明に照して種々の変形、変更か可能である
。上記実施例は、本発明の原理を最もよく説明するため
に選択、記述されたものであり、これによって、当業者
が各自の実施例においてその具体的な用途に適した変更
を付した形て本発明を利用てきるようにしたものである
。ここに開示したすべての事項は添付図面に示されてい
るが、この図面は、限定ではな（例示として解釈される
べきである。
［発明の効果］ 本発明によれば、実質Ｏまたは絶対０のＴＣＲを有する
抵抗を実現することがてきる。しかも。
抵抗の製造後に、抵抗値を実質的に変化させることなく
ＴＣＨの調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明により製造された化合物抵抗の拡大平面
図、第２図は本発明による薄膜化合物抵抗の一部のνＪ
欠拡大等角投影図である。 １０・・・抵抗アレイ １２・・・基板 １４．１６・・・化合物抵抗 １８．２０．２２・・・リード ２４．２６．２８・・・タブ ３１．３３　、４　ｌ　・・・　リ　−　ド・３０．３
２．４０・・・抵抗部 ３４．３６．４２・・・調整部 ４３・・・抵抗材料 ４４・・・調整材料 ４６・・・化合物抵抗 ４８・・・レーザ透過性被覆 第１図

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）化合物抵抗の製造方法であって、 第１抵抗値および第１温度係数を有する上記化合物抵抗
    の第１部分を形成する工程と、 上記第１抵抗値と異なる第２抵抗値および上記第１抵抗
    温度係数と異なる逆極性の第２温度係数を有する上記化
    合物抵抗の第２部分を形成する工程と、 上記第１および第２部分の複合温度係数が実質０となる
    まで、上記部分の一方の一部を除去する工程とを有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。
  2. （２）化合物抵抗の製造方法であって、 第１抵抗値および第１温度係数を有する上記化合物抵抗
    の第１部分を形成する工程と、 上記第１抵抗値と異なる第２抵抗値および上記第１温度
    係数と異なる逆極性の第２温度係数を有する上記化合物
    抵抗の第２部分を形成する工程と、 上記第１および第２部分の複合抵抗温度係数が０より僅
    かに高くなるまで、上記第２部分の一部を除去する工程
    と、 上記第１および第２部分の複合温度係数が実質０となる
    まで、上記第１部分の一部を除去する工程とを有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。
  3. （３）上記請求項１または２記載の化合物抵抗の製造方
    法であって、 上記第１および第２部分を気密密閉する工程と、該気密
    密閉後に、上記第１および第２部分の一部を除去する工
    程とを含むことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。
  4. （４）化合物抵抗の製造方法であって、 基板上に抵抗材料の層を形成する工程と、 該抵抗材料上に低抵抗材料の層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第１抵抗値
    および正の第１温度係数を有する調整部を設ける工程と
    、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、上記第１抵
    抗値より実質的に高い第２抵抗値および上記第１温度係
    数より実質的に小さい負の温度係数を有し、かつ上記調
    整部に接続された抵抗部を設ける工程と、 上記化合物抵抗の温度係数を測定する工程と、上記化合
    物抵抗の温度係数が実質０になるまで上記抵抗材料の一
    方の一部を除去する工程とを有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。
  5. （５）化合物抵抗の製造方法であって、 基板上に抵抗材料の層を形成する工程と、 該抵抗材料上に低抵抗材料の層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第１抵抗値
    および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、少なくとも
    一方が上記調整部に接続された第１および第２抵抗部を
    設ける工程であって、上記一方は上記第１抵抗値より実
    質的に大きい抵抗値および上記正の温度係数より実質的
    に小さい負の温度係数を有する工程と、 上記抵抗部の一方および上記調整部および上記抵抗部の
    他方の間の比温度係数を測定する工程と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と、 上記比温度係数が実質０になるまで、上記測定工程およ
    び除去工程を繰り返す工程とを有することを特徴とする
    化合物抵抗の製造方法。
  6. （６）上記請求項４または５記載の化合物抵抗の製造方
    法であって、 上記温度係数を測定する工程の前に、上記調整部および
    抵抗部を気密密閉する工程と、 上記温度係数を測定する工程の後に、上記一部をレーザ
    除去する工程とを含むことを特徴とする化合物抵抗の製
    造方法。
  7. （７）化合物抵抗の製造方法であって、 基板上に高抵抗薄膜材料の層を形成する工程と、 該高抵抗材料上に低抵抗薄膜材料の層を形成する工程と
    、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第１抵抗値
    および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記高抵抗材料の一部を除去することにより、抵抗部を
    設ける工程であって、該抵抗側は、上記第１抵抗値より
    実質的に大きい第２抵抗値および上記正の温度係数より
    実質的に小さい負の温度係数を有する上記調整部の少な
    くとも一部の下層において上記調整部に接続される工程
    と、 上記抵抗部および上記調整部の温度係数を測定する工程
    と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と、 該温度係数か±０．５ｐｐｍ／℃の範囲内に入るまで、
    上記測定工程および除去工程を繰り返す工程とを有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。
  8. （８）上記請求項９記載の方法であって、 上記温度係数が絶対０になるまで、上記測定工程および
    除去工程を繰り返すことを特徴とする化合物抵抗の製造
    方法。
  9. （９）予定の抵抗値を有する化合物抵抗の製造方法であ
    って、 基板上に高抵抗薄膜材料の層を形成する工程と、 該高抵抗材料上に、低抵抗薄膜材料の層を形成する工程
    と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、上記予定の
    抵抗値の ｛１００（ａｂｓＴＣＲ＿ｒ）／（ａｂｓＴＣＲ＿ａ＋
    ａｂｓＴＣＲ＿ｒ）｝％の抵抗値および＋５００ｐｐｍ
    ／℃から＋９０００ｐｐｍ／℃までの範囲内の温度係数
    を有する調整部を設ける工程と、 上記高抵抗材料の一部を除去することにより、第１およ
    び第２抵抗部を設ける工程であって、該第１抵抗部は上
    層の上記調整部に接続され、かつ、上記予定の抵抗値の ｛（１００（ａｂｓＴＣＲ＿ａ）／（ａｂｓＴＣＲ＿ａ
    ＋ａｂｓＴＣＲ＿ｒ）｝％（ここに、ａｂｓＴＣＲ＿ａ
    は上記調整部の温度係数の絶対値、ａｂｓＴＣＲｒは上
    記第１抵抗部の温度係数の絶対値）の抵抗値および−１
    ００ｐｐｍ／℃から＋１００ｐｐｍ／℃までの範囲内の
    温度係数を有する工程と、 上記第１抵抗部および上記調整部および上記第２抵抗部
    の間の比温度係数を測定する工程と、上記比温度係数が
    ０．５ｐｐｍ／℃より小さくなるまで、上記測定工程お
    よび上記除去工程を繰り返す工程を有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。
  10. （１０）上記請求項９記載の化合物抵抗の製造方法であ
    って、 上記比温度係数が絶対０になるまで、上記測定工程およ
    び除去工程を繰り返すことを特徴とする化合物抵抗の製
    造方法。
  11. （１１）請求項７または９記載の方法において、上記測
    定工程の前に、上記調整部および上記抵抗部を、レーザ
    透過性被覆で気密密閉し、上記測定工程の後、上記気密
    密閉に影響を与えることなく上記一部をレーザ除去する
    ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。
  12. （１２）化合物抵抗であって、 第１抵抗値および第１温度係数を有する第１部分と、 第２抵抗値および第２温度係数を有し、該第１部分に接
    続された第２部分とを備え、 上記第１抵抗値は上記第２抵抗値と異なる大きさを有し
    、かつ、上記第２温度係数は上記第１温度係数と逆極性
    の異なる大きさを有し、上記部分の少なくとも一方は、
    他方の温度係数を実質的に相殺する温度係数を有するよ
    うに構造を決定され、上記化合物抵抗の複合温度係数を
    実質０としたことを特徴とする化合物抵抗。
  13. （１３）予定の抵抗値および予定の温度係数を有する第
    １抵抗を含む抵抗システムにおける化合物抵抗てあつて
    、 第１抵抗値および第１温度係数を有する第１部分と、 第２抵抗値および第２温度係数を有する第２部分とを備
    え、 上記第１抵抗値は上記第２抵抗値より実質的に大きく、
    かつ、上記第２温度係数は上記第１温度係数より実質的
    に大きく逆極性であり、さらに、上記部分の少なくとも
    一方は、上記化合物抵抗の温度係数を上記第１抵抗の予
    定の温度係数に追従させるよう構造が決定され、上記第
    １抵抗および化合物抵抗の間の比温度係数を実質０とし
    たことを特徴とする化合物抵抗。
  14. （１４）上記請求項１２または１３記載の化合物抵抗に
    おいて、上記第１部分は正の温度係数を有し、上記第２
    部分は負の温度係数を有することを特徴とする化合物抵
    抗。
  15. （１５）上記請求項１２または１３記載の化合物抵抗に
    おいて、 上記第１および第２部分を気密密閉する手段を備え、 上記第２部分は、上記気密密閉に影響を与えることなく
    、上記第１および第２部分の温度係数を調整する手段を
    有することを特徴とする化合物抵抗。
  16. （１６）予定の抵抗値を有する化合物抵抗であって、上
    記予定の抵抗値の少なくとも５０％の抵抗値および−５
    ０ｐｐｍ／℃ないし０ｐｐｍ／℃の範囲内の温度係数を
    有する第１部分と、 上記予定の抵抗値の０ないし１０％の範囲内の抵抗値お
    よび＋５００ｐｐｍ／℃ないし＋９０００ｐｐｍ／℃の
    範囲内の温度係数を有し、上記化合物抵抗の複合温度係
    数を−０．５ｐｐｍ／℃ないし＋０．５ｐｐｍ／℃（７
    ）範囲内とする第２部分とを備える ことを特徴とする化合物抵抗。
  17. （１７）上記請求項１６記載の化合物抵抗において、上
    記第２部分は複合温度係数を０とするよう構造が決定さ
    れたことを特徴とする化合物抵抗。
  18. （１８）予定の温度係数を有する第１抵抗を含む抵抗ア
    レイにおける、予定の抵抗値を有する化合物抵抗であっ
    て、 上記予定の抵抗値の少なくとの５０％の抵抗値および−
    ５０ｐｐｍ／℃ないし０ｐｐｍ／℃の範囲内の温度係数
    を有する第１部分と、 上記予定の抵抗値の０ないし１０％の範囲内の抵抗値お
    よび＋５００ｐｐｍ／℃ないし＋９０００ｐｐｍ／℃の
    範囲内の温度係数を有する第２部分とを備え、 該第２部分は、上記化合物抵抗の温度係数を上記第１抵
    抗の予定の温度係数に整合させるように構造を決定され
    、上記第１抵抗および化合物抵抗の間の比温度係数とし
    て０．５ｐｐｍ／℃を得ることを特徴とする化合物抵抗
    。
  19. （１９）上記請求項１８記載の化合物抵抗において、上
    記第２部分は、上記複合温度係数を０とするよう構造が
    決定されたことを特徴とする化合物抵抗。
  20. （２０）上記請求項１６または１８記載の化合物抵抗に
    おいて、 第１および第２部分を層形成した基板と、 上記第１および第２部分を覆い、上記基板との間で上記
    第１および第２部分を気密密閉するレーザ透過性被覆と
    を備え、 上記第２部分は、上記化合物抵抗の抵抗値および温度係
    数を変更するために、上記被覆を通してレーザ加工によ
    り除去されうる調整領域を有することを特徴とする化合
    物抵抗。
  21. （２１）予定の抵抗値を有する薄膜化合物抵抗であって
    、 上記予定の抵抗値の ｛１００（ａｂｓＴＣＲ＿ａ）／（ａｂｓＴＣＲ＿ａ＋
    ａｂＳＴＣＲ＿ｒ）｝％（ここに、ａｂｓＴＣＲ＿ａは
    上記調整部の温度係数の絶対値、ａｂｓＴＣＲ＿ｒは上
    記第１抵抗部の温度係数の絶対値）の抵抗値および−５
    ０ｐｐｍ／℃ないし０ｐｐｍ／℃の範囲内の温度係数を
    有する薄膜抵抗部と、上記予定の抵抗値の ｛１００（ａｂｓＴＣＲ＿ｒ）／（ａｂｓＴＣＲ＿ａ＋
    ａｂｓＴＣＲ＿ｒ）｝％の抵抗値および＋５００ｐｐｍ
    ／℃ないし＋９０００ｐｐｍ／℃の範囲内の温度係数を
    有し、上記抵抗部に接続された薄膜調整部とを備え、 該薄膜調整部は、上記第１および第２部分の複合温度係
    数を−０．５ｐｐｍ／℃ないし＋０．５ｐｐｍ／℃の範
    囲内としたことを特徴とする薄膜化合物抵抗。
  22. （２２）上記請求項２１記載の薄膜化合物抵抗において
    、上記薄膜調整部は、複合温度係数を絶対０とするよう
    構造を決定されたことを特徴とする薄膜化合物抵抗。
  23. （２３）予定の第１抵抗値および予定の温度係数を有す
    る第１抵抗を含む抵抗アレイにおける、予定の第２抵抗
    値を有する化合物抵抗であって、 上記予定の第２抵抗値の ｛１００（ａｂｓＴＣＲ＿ａ）／（ａｂｓＴＣＲ＿ａ＋
    ａｂｓ（ＴＣＲ＿ｒ−ＴＣＲ＿１））｝％（ここに、ａ
    ｂｓ（ＴＣＲ＿ｒ−ＴＣＲ＿１）は上記抵抗部の温度係
    数から上記第１抵抗の温度係数を引いた量の絶対値、上
    記ａｂｓＴＣＲ＿ａは上記調整部の温度係数の絶対値）
    の抵抗値および（ＴＣＲ＿１−５０）ｐｐｍ／℃ないし
    ＴＣＲ＿１の範囲内の温度係数を有する抵抗部と、 上記予定の第２抵抗値の ｛１００（ａｂｓ（ＴＣＲ＿ｒ−ＴＣＲ＿１））／（ａ
    ｂｓＴＣＲ＿ａ＋ａｂｓ（ＴＣＲ＿ｒ−ＴＣＲ＿１））
    ｝％の抵抗値および＋５００ｐｐｍ／℃ないし＋９００
    ０ｐｐｍ／℃の範囲内の温度係数を有する調整部とを備
    え、上記化合物抵抗の温度係数を上記第１抵抗の予定の
    温度係数に整合させ、上記第１抵抗および化合物抵抗の
    間の比温度係数を０．５ｐｐｍ／℃より小さくしたこと
    を特徴とする化合物抵抗。
  24. （２４）上記請求項２３記載の化合物抵抗において、上
    記調整部は、上記第１抵抗および化合物抵抗の間の比温
    度係数を絶対０とするよう構造が決定されたことを特徴
    とする化合物抵抗。
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