JPS63249301A - 化合物抵抗およびその製造方法 - Google Patents
化合物抵抗およびその製造方法Info
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- JPS63249301A JPS63249301A JP63044075A JP4407588A JPS63249301A JP S63249301 A JPS63249301 A JP S63249301A JP 63044075 A JP63044075 A JP 63044075A JP 4407588 A JP4407588 A JP 4407588A JP S63249301 A JPS63249301 A JP S63249301A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
- H01C17/232—Adjusting the temperature coefficient; Adjusting value of resistance by adjusting temperature coefficient of resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、温度による抵抗値変動の低減に関し、特に、
温度変動特性が抵抗部のそれより実質的に大きく、かつ
、逆極性である材料て形成した調整部を有する薄膜抵抗
に関する。
温度変動特性が抵抗部のそれより実質的に大きく、かつ
、逆極性である材料て形成した調整部を有する薄膜抵抗
に関する。
[従来の技術と発明か解決しようとする課題]周知のよ
うに、抵抗に用いられる抵抗材料の抵抗値は、温度の変
化に伴って変動する。この特性は、“抵抗の温度係数(
TCR)″で表わされ、温度1度当りの実際の抵抗値の
変化を求めることにより測定される。TCRは1通常、
l ”C当りの百万分の1の単位、すなわちp p m
/ ”Cて与えられる。
うに、抵抗に用いられる抵抗材料の抵抗値は、温度の変
化に伴って変動する。この特性は、“抵抗の温度係数(
TCR)″で表わされ、温度1度当りの実際の抵抗値の
変化を求めることにより測定される。TCRは1通常、
l ”C当りの百万分の1の単位、すなわちp p m
/ ”Cて与えられる。
抵抗を使用した電子デバイスの動作を確実に予測し、か
つ、そのようなデバイスの精度および信頼性を向上させ
るために、従来、抵抗のTCRを“絶対値O”にまで低
減する試みが種々なされている。しかし、今までのとこ
ろ、この絶対Oを達成する方法はない、現在、±0.5
ppm/ ”Cの範囲内てあれば、TCRは実質的に0
であるとみなされている。
つ、そのようなデバイスの精度および信頼性を向上させ
るために、従来、抵抗のTCRを“絶対値O”にまで低
減する試みが種々なされている。しかし、今までのとこ
ろ、この絶対Oを達成する方法はない、現在、±0.5
ppm/ ”Cの範囲内てあれば、TCRは実質的に0
であるとみなされている。
過去において、精密巻線抵抗の製造は、多数の抵抗から
等しい抵抗値のものを選び、かつ、正および負のTCR
(製造変化により生じる)を選択的に整合(マツチング
)させるという費用のかかる工程を要した。この精密巻
線抵抗ては、初期のTCRはかなり厳密に制御てきたか
、各抵抗に固有の長時間抵抗値変動が生じ、これによっ
て全体の抵抗値が時間とともに変動した。また、個々の
抵抗かかさばるため、近接した熱結合か行えず。
等しい抵抗値のものを選び、かつ、正および負のTCR
(製造変化により生じる)を選択的に整合(マツチング
)させるという費用のかかる工程を要した。この精密巻
線抵抗ては、初期のTCRはかなり厳密に制御てきたか
、各抵抗に固有の長時間抵抗値変動が生じ、これによっ
て全体の抵抗値が時間とともに変動した。また、個々の
抵抗かかさばるため、近接した熱結合か行えず。
その結果、みかけの比TC’R(後述)も温度の増感に
伴い変化した。
伴い変化した。
同様に、過去において、TCRの低い材料をみいだすた
めの典型的手法としてg膜抵抗によるものがある。この
型の抵抗は、バーガー(Burger)等発明の米国特
許第4,464,646号に開示されている。この抵抗
はタンタル、窒化タンタル、またはタンタラム・オキシ
ニトライト(tantaluIIoxinitride
)からなり、4本質的に(essentially)”
0のTCRを有すると記載されている。実際には、これ
らの材料のTCRは、絶対Oどころか実質0からも程遠
い±100 ppm/℃の範囲にある。
めの典型的手法としてg膜抵抗によるものがある。この
型の抵抗は、バーガー(Burger)等発明の米国特
許第4,464,646号に開示されている。この抵抗
はタンタル、窒化タンタル、またはタンタラム・オキシ
ニトライト(tantaluIIoxinitride
)からなり、4本質的に(essentially)”
0のTCRを有すると記載されている。実際には、これ
らの材料のTCRは、絶対Oどころか実質0からも程遠
い±100 ppm/℃の範囲にある。
この米国特許は、抵抗の温度係数を制御する薄膜回路に
ついて開示しているか、これは、温度センサまたは他の
素子の補償器として働くような温度依存性のある抵抗を
提供しようとするものである。すなわち、上記米国特許
は、TCRが実質Oの化合物抵抗をさえ教示あるいは示
唆するものてはない、上記バーガー発明が利用される用
途において、そのようなTCRを提供する材料か存在す
ることを前提としているからである0例えば、上記米国
特許か木質的にOのTCRを有するとしてイルタンタル
ハ、実n ニ(、t 、 80ppm/℃±log O
) TCRを有するものである。
ついて開示しているか、これは、温度センサまたは他の
素子の補償器として働くような温度依存性のある抵抗を
提供しようとするものである。すなわち、上記米国特許
は、TCRが実質Oの化合物抵抗をさえ教示あるいは示
唆するものてはない、上記バーガー発明が利用される用
途において、そのようなTCRを提供する材料か存在す
ることを前提としているからである0例えば、上記米国
特許か木質的にOのTCRを有するとしてイルタンタル
ハ、実n ニ(、t 、 80ppm/℃±log O
) TCRを有するものである。
TCRを制御する他の例としては、バクスター(Bax
ter)発明の米国特許第4,375.056号に開示
されたような、抵抗内の材料の分量によるものや。
ter)発明の米国特許第4,375.056号に開示
されたような、抵抗内の材料の分量によるものや。
トーフィールト(Dorfield’)発明の米国特許
第4,079.349号に開示されたような、抵抗の構
造を制御するものか挙げられる。しかし、これらの手法
によるTCRも、絶対Oまたは実質0から数桁離れてい
る。
第4,079.349号に開示されたような、抵抗の構
造を制御するものか挙げられる。しかし、これらの手法
によるTCRも、絶対Oまたは実質0から数桁離れてい
る。
さらに他の制御方法としては、抵抗材料の処理、温度に
よるアニーリング、あるいは、そうでなければ抵抗材料
の製造および抵抗製造時のその材料の基板上への生成の
制御を行うものがある。
よるアニーリング、あるいは、そうでなければ抵抗材料
の製造および抵抗製造時のその材料の基板上への生成の
制御を行うものがある。
しかし、これらの手法は、複雑で費用かかさみ、かつ所
望の結果を予期通りに再現することかできるとは限らな
い、よって、このようにして製造された材料て形−成さ
れた抵抗には、なお、後て補正することのてきない種々
の温度による不都合か生じる可能性かある。かくして、
TCRか絶対0である抵抗、あるいはその製造完了後に
TCRを実質的に0となすように調整てきる抵抗の出現
か長い間待望されている。
望の結果を予期通りに再現することかできるとは限らな
い、よって、このようにして製造された材料て形−成さ
れた抵抗には、なお、後て補正することのてきない種々
の温度による不都合か生じる可能性かある。かくして、
TCRか絶対0である抵抗、あるいはその製造完了後に
TCRを実質的に0となすように調整てきる抵抗の出現
か長い間待望されている。
一方、抵抗アレイと呼ばれる抵抗群については、製造後
にそのひとつの抵抗のTCRを、アレイの他の抵抗のT
CRと整合させ、または補償するよう7A整できること
か望まれている。
にそのひとつの抵抗のTCRを、アレイの他の抵抗のT
CRと整合させ、または補償するよう7A整できること
か望まれている。
抵抗アレイによっては、すべての抵抗か絶対または実質
OのTCRを有する必要はない、より重要なことは、温
度の変化に伴って各TCRか相互に追従する。すなわち
、温度変化に並行して抵抗値を変化させることである。
OのTCRを有する必要はない、より重要なことは、温
度の変化に伴って各TCRか相互に追従する。すなわち
、温度変化に並行して抵抗値を変化させることである。
この重要な特性は比TCRと呼ばれ、抵抗アレイ内の種
々の抵抗のTCRの差で表わされることか多い、比TC
RはTCRの差であるから、これもppm/℃て測定さ
れる。
々の抵抗のTCRの差で表わされることか多い、比TC
RはTCRの差であるから、これもppm/℃て測定さ
れる。
従来、抵抗アレイにおいて、この比TCRを低減する、
特に、高精度デバイス用に比TCRを0または0.5p
pm/ ℃以下の実質0にまて低減する必要性かあった
。
特に、高精度デバイス用に比TCRを0または0.5p
pm/ ℃以下の実質0にまて低減する必要性かあった
。
過去においては、超精密抵抗は、一般に湿気や他の環境
因子によるTCR値または抵抗値のずれを低減するため
に、気密密閉(hera+etically 5eal
ed)されている、この気密密閉のために、抵抗アレイ
の製造完了後にそのTCRまたは抵抗値のいずれも変更
することばてきなかった。すなわち、任意の値を得るた
めに最終“調整”を行うことは物理的に不可能であった
。
因子によるTCR値または抵抗値のずれを低減するため
に、気密密閉(hera+etically 5eal
ed)されている、この気密密閉のために、抵抗アレイ
の製造完了後にそのTCRまたは抵抗値のいずれも変更
することばてきなかった。すなわち、任意の値を得るた
めに最終“調整”を行うことは物理的に不可能であった
。
本発明は、TCRを現在の生産製造の計装技術により測
定可能な程度の実質0とてきる化合物抵抗の製造方法を
提供する。加えて、本発明は、TCRを絶対Oとするこ
とかてきる化合物抵抗の製造方法を提供する。
定可能な程度の実質0とてきる化合物抵抗の製造方法を
提供する。加えて、本発明は、TCRを絶対Oとするこ
とかてきる化合物抵抗の製造方法を提供する。
本発明は、−また、製造後にTCRを調整てきる化合物
抵抗の製造方法を提供する。
抵抗の製造方法を提供する。
本発明は、さらに、抵抗アレイの比TCRを制御するよ
う調整できる、抵抗アレイに適した化合物抵抗の製造方
法を提供する。
う調整できる、抵抗アレイに適した化合物抵抗の製造方
法を提供する。
さらに、本発明は、TCRか絶対Oまたは実質0の所定
の抵抗値を有する化合物の製造方法を提供する。
の抵抗値を有する化合物の製造方法を提供する。
また本発明は、製造後に、調整すなわちトリミングして
抵抗アレイの比TCRを制御てきる、抵抗アレイに適し
た化合物薄膜抵抗の製造方法を提供する。
抵抗アレイの比TCRを制御てきる、抵抗アレイに適し
た化合物薄膜抵抗の製造方法を提供する。
さらにまた1本発明は、抵抗アレイの比TCRを絶対0
または実質Oとすることかできる、抵抗アレイへの用途
に適した化合物抵抗を提供する。
または実質Oとすることかできる、抵抗アレイへの用途
に適した化合物抵抗を提供する。
[課題を解決するための手段]
本発明は、上記課題を解決するためになされたちのてあ
り、以下のような構成を有する。
り、以下のような構成を有する。
(1)化合物抵抗の製造方法であって。
第1抵抗値および第1温度係数を有する上記化合物抵抗
の第1部分を形成する工程と、上記第1抵抗値と異なる
第2抵抗値および上記第1抵抗温度係数と異なる逆極性
の第2温度係数1を有する上記化合物抵抗の第2部分を
形成する工程と、 上記第1および第2部分の複合温度係数が実質0となる
まて、上記部分の一方の一部を除去する工程とを有する
ことを特徴とする。
の第1部分を形成する工程と、上記第1抵抗値と異なる
第2抵抗値および上記第1抵抗温度係数と異なる逆極性
の第2温度係数1を有する上記化合物抵抗の第2部分を
形成する工程と、 上記第1および第2部分の複合温度係数が実質0となる
まて、上記部分の一方の一部を除去する工程とを有する
ことを特徴とする。
(2)化合物抵抗の製造方法てあって、第1抵抗値およ
び第1温度係数を有する上記化合物抵抗の第1部分を形
成する工程と、上記第1抵抗値と異なる第2抵抗値およ
び上記第1温度係数と異なる逆極性の第2温度係数を有
する上記化合物抵抗の第2部分を形成する工程と、 上記第1および第2部分の複合抵抗温度係数か0より僅
かに高くなるまで、上記第2部分の一部を除去する工程
と、 上記第1および第2部分の複合温度係数か実質0となる
まて、上記第1部分の一部を除去する工程とを有するこ
とを特徴とする。
び第1温度係数を有する上記化合物抵抗の第1部分を形
成する工程と、上記第1抵抗値と異なる第2抵抗値およ
び上記第1温度係数と異なる逆極性の第2温度係数を有
する上記化合物抵抗の第2部分を形成する工程と、 上記第1および第2部分の複合抵抗温度係数か0より僅
かに高くなるまで、上記第2部分の一部を除去する工程
と、 上記第1および第2部分の複合温度係数か実質0となる
まて、上記第1部分の一部を除去する工程とを有するこ
とを特徴とする。
(3)上記請求項1または2記載の化合物抵抗の製造方
法であって。
法であって。
上記第1および第2部分を気密密閉する工程と、該気′
&′密閉後に、上記第1および第2部分の一部を除去す
る工程とを含むことを特徴とする。
&′密閉後に、上記第1および第2部分の一部を除去す
る工程とを含むことを特徴とする。
(4)化合物抵抗の製造方法てあって、基板上に抵抗材
料の層を形成する工程と、該抵抗材料上に低抵抗材料の
層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第1抵抗値
および正の第1温度係数を宥する調整部を設ける工程と
、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、上記第1抵
抗値より実質的に高い第2抵抗値および上記第1温度係
数より実質的に小さい負の温度係数を有し、かつ上記調
整部に接続された抵抗部を設ける工程と、 上記化合物抵抗の温度係数を測定する工程と、上記化合
物抵抗の温度係数か実質0になるまて上記抵抗材料の一
方の一部を除去する工程とを有することを特徴とする。
料の層を形成する工程と、該抵抗材料上に低抵抗材料の
層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第1抵抗値
および正の第1温度係数を宥する調整部を設ける工程と
、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、上記第1抵
抗値より実質的に高い第2抵抗値および上記第1温度係
数より実質的に小さい負の温度係数を有し、かつ上記調
整部に接続された抵抗部を設ける工程と、 上記化合物抵抗の温度係数を測定する工程と、上記化合
物抵抗の温度係数か実質0になるまて上記抵抗材料の一
方の一部を除去する工程とを有することを特徴とする。
(5)化合物抵抗の製造方法であって、基板上に抵抗材
料の層を形成する工程と、該抵抗材料上に低抵抗材料の
層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第1抵抗値
および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、少なくとも
一方か上記調整部に接続された第1および第2抵抗部を
設ける工程であって、上記一方は上記第1抵抗値より実
質的に大きい抵抗値および上記正の温度係数より実質的
に小さい負の温度係数を有する工程と、 上記抵抗部の一方および上記調整部および上記抵抗部の
他方の間の比温度係数を測定する工程と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と。
料の層を形成する工程と、該抵抗材料上に低抵抗材料の
層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第1抵抗値
および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、少なくとも
一方か上記調整部に接続された第1および第2抵抗部を
設ける工程であって、上記一方は上記第1抵抗値より実
質的に大きい抵抗値および上記正の温度係数より実質的
に小さい負の温度係数を有する工程と、 上記抵抗部の一方および上記調整部および上記抵抗部の
他方の間の比温度係数を測定する工程と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と。
上記比温度係数か実質0になるまて、上記測定工程およ
び除去工程を繰り返す工程とを有することを特徴とする
。
び除去工程を繰り返す工程とを有することを特徴とする
。
(6)上記請求項4または5記載の化合物抵抗の製造方
法てあって、 上記温度係数を測定する工程の前に、上記調整部および
抵抗部を気密密閉する工程と、上記温度係数を測定する
工程の後に、上記一部をレーザ除去する工程とを含むこ
とを特徴とする。
法てあって、 上記温度係数を測定する工程の前に、上記調整部および
抵抗部を気密密閉する工程と、上記温度係数を測定する
工程の後に、上記一部をレーザ除去する工程とを含むこ
とを特徴とする。
(7)化合物抵抗の製造方法てあって。
基板上に高抵抗薄膜材料の層を形成する工程と、
該高抵抗材料上に低抵抗薄膜材料の層を形成する工程と
。
。
該低抵抗材料の一部を除去することにより、第1抵抗値
および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記高抵抗材料の一部を除去することにより、抵抗部を
設ける工程てあって、該抵抗部は、上記第1抵抗値より
実質的に大きい第2抵抗値および上記正の温度係数より
実質的に小さい負の温度係数を有する上記調整部の少な
くとも一部の下居において上記調整部に接続される工程
と、上記抵抗部および上記調整部の温度係数を測定する
工程と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と、該温度係数か
± 0.5ppm/℃の範囲内に入るまで、上記測定工
程および除去工程な静り返す工程とを有することを特徴
とする。
および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記高抵抗材料の一部を除去することにより、抵抗部を
設ける工程てあって、該抵抗部は、上記第1抵抗値より
実質的に大きい第2抵抗値および上記正の温度係数より
実質的に小さい負の温度係数を有する上記調整部の少な
くとも一部の下居において上記調整部に接続される工程
と、上記抵抗部および上記調整部の温度係数を測定する
工程と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と、該温度係数か
± 0.5ppm/℃の範囲内に入るまで、上記測定工
程および除去工程な静り返す工程とを有することを特徴
とする。
(8)上記請求項9記載の方法であって。
上記温度係数が絶対Oになるまで、上記測定工程および
除去工程を繰り返すことを特徴とする。
除去工程を繰り返すことを特徴とする。
(9)予定の抵抗値を有する化合物抵抗の製造方法であ
って。
って。
基板上に高抵抗薄膜材料の層を形成する工程と、
該高抵抗材料上に、低抵抗薄膜材料の層を形成する工程
と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、上記予定の
抵抗値の < 100(absTCRa) / −(absTC
Rr* absTCRr) Bの抵抗値および+500
ppm/℃から +9000ppm/℃までの範囲内の
温度係数を有する調整部を設ける工程と。
と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、上記予定の
抵抗値の < 100(absTCRa) / −(absTC
Rr* absTCRr) Bの抵抗値および+500
ppm/℃から +9000ppm/℃までの範囲内の
温度係数を有する調整部を設ける工程と。
と。
上記高抵抗材料の一部を除去することにより、:51お
よび第2抵抗部を設ける工程であって、該第1抵抗部は
上層の上記21!!整部に接続され、かつ、上記予定の
抵抗値の (100(absTCRr) / (absTCRa◆
absT(:R,) ’j%(ここに、absTCRa
は上記7A整部の温度係数の絶対値、absTCRrは
上記第1抵抗部の温度係数の絶対値)の抵抗値および一
100ppa!/″Cから+100ppIa/℃までの
範囲内の温度係数を有する工程と。
よび第2抵抗部を設ける工程であって、該第1抵抗部は
上層の上記21!!整部に接続され、かつ、上記予定の
抵抗値の (100(absTCRr) / (absTCRa◆
absT(:R,) ’j%(ここに、absTCRa
は上記7A整部の温度係数の絶対値、absTCRrは
上記第1抵抗部の温度係数の絶対値)の抵抗値および一
100ppa!/″Cから+100ppIa/℃までの
範囲内の温度係数を有する工程と。
上記第1抵抗部および上記調整部および上記第2抵抗部
の間の一比温度係数を測定する工程と。
の間の一比温度係数を測定する工程と。
上記比温度係数か0.5ppm/℃より小さくなるまで
、上記測定工程および上記除去工程を繰り返す工程を有
することを特徴とする。
、上記測定工程および上記除去工程を繰り返す工程を有
することを特徴とする。
(10)上記請求項9記載の化合物抵抗の方法であって
。
。
上記比温度係数か絶対0になるまて、上記測定工程およ
び除去工程を繰り返す。
び除去工程を繰り返す。
(11)請求項7または9記載の方法において、上記l
l1lI定工程の前に、上記調整部および上記抵抗部を
、レーザ透過性被覆で気密密閉し、上記測定工程の後、
上記気密密閉に影ゴを与えることなく上記一部なレーザ
除去することを特徴とする。
l1lI定工程の前に、上記調整部および上記抵抗部を
、レーザ透過性被覆で気密密閉し、上記測定工程の後、
上記気密密閉に影ゴを与えることなく上記一部なレーザ
除去することを特徴とする。
(12)化合物抵抗であって、
第1抵抗値および第1温度係数を有する第1部分と、
第2抵抗値および第2温度係数を有し、該第1部分に接
続された第2部分とを備え、 上記第1抵抗値は上記第2抵抗値と異なる大きさを有し
、かつ、上記第2温度係数は上記第1温度係数と逆極性
の異なる大きさを有し、上記部分の少なくとも一方は、
他方の温度係数を実質的に相殺する温度係数を有するよ
うに構造を決定され、上記化合物抵抗の複合温度係数を
実質0としたことを特徴とする。
続された第2部分とを備え、 上記第1抵抗値は上記第2抵抗値と異なる大きさを有し
、かつ、上記第2温度係数は上記第1温度係数と逆極性
の異なる大きさを有し、上記部分の少なくとも一方は、
他方の温度係数を実質的に相殺する温度係数を有するよ
うに構造を決定され、上記化合物抵抗の複合温度係数を
実質0としたことを特徴とする。
(13)予定の抵抗値および予定の温度係数を有する第
1抵抗を含む抵抗システムにおける化合物抵抗であって
、 第1抵抗値および第1温度係数を有する第1部分と、 第2抵抗値および第2温度係数を有する第2部分とを備
え。
1抵抗を含む抵抗システムにおける化合物抵抗であって
、 第1抵抗値および第1温度係数を有する第1部分と、 第2抵抗値および第2温度係数を有する第2部分とを備
え。
上記第1抵抗値は上記第2抵抗値より実質的に犬きく、
かつ、上記第2温度係数は上記第1温度係数より実質的
に大きく逆極性であり、さらに。
かつ、上記第2温度係数は上記第1温度係数より実質的
に大きく逆極性であり、さらに。
上記部分の少なくとも一方は、上記化合物抵抗の温度係
数を上記第1抵抗の予定の温度係数に追従させるよう構
造が決定され、上記第1抵抗および化合物抵抗の間の比
温度係数を実質0としたことを特徴とする。
数を上記第1抵抗の予定の温度係数に追従させるよう構
造が決定され、上記第1抵抗および化合物抵抗の間の比
温度係数を実質0としたことを特徴とする。
(14)上記請求項12または13記載の化合物抵抗に
おいて、上記第1部分は正の温度係数を有し、上記第2
部分は負の温度係数を有することを特徴とする。
おいて、上記第1部分は正の温度係数を有し、上記第2
部分は負の温度係数を有することを特徴とする。
(15)上記請求項12または13記載の化合物抵抗に
おいて、 上記第1および第2部分を気密密閉する手段を備え、 上記第2部分は、上記気密密閉に影響を与えることなく
、上記第1および第2部分の温度係数を調整する手段を
有することを特徴とする。
おいて、 上記第1および第2部分を気密密閉する手段を備え、 上記第2部分は、上記気密密閉に影響を与えることなく
、上記第1および第2部分の温度係数を調整する手段を
有することを特徴とする。
(16)予定の抵抗値を有する化合物抵抗モあって、上
記予定の抵抗値の少なくとも50%の抵抗値および一5
Oppa+/ ’Cないし0Pp0−50)ppm/℃
の範囲内の温度係数を有する第1部分と、 上記予定の抵抗値の口ないし10%の範囲内の抵抗値お
よび+SO0ppm/℃ないし+9000 p p t
m / ”Cの範囲内の温度係数を有し、上記化合物抵
抗の複合温度係数を−0,5pp+s/℃ないし÷0.
5ppm/℃の範囲内とする第2部分とを備えることを
特徴とする。
記予定の抵抗値の少なくとも50%の抵抗値および一5
Oppa+/ ’Cないし0Pp0−50)ppm/℃
の範囲内の温度係数を有する第1部分と、 上記予定の抵抗値の口ないし10%の範囲内の抵抗値お
よび+SO0ppm/℃ないし+9000 p p t
m / ”Cの範囲内の温度係数を有し、上記化合物抵
抗の複合温度係数を−0,5pp+s/℃ないし÷0.
5ppm/℃の範囲内とする第2部分とを備えることを
特徴とする。
(17)上記請求項16記載の化合物抵抗において、上
記第2部分は複合温度係数を0とするよう構造か決定さ
れたことを特徴とする。
記第2部分は複合温度係数を0とするよう構造か決定さ
れたことを特徴とする。
(18)予定の温度係数を有する第1抵抗を含む抵抗ア
レイにおける、予定の抵抗値を有する化合物抵抗てあっ
て、 上記予定の抵抗値の少なくとの50%の抵抗値および一
50ppB/ 11(ないし0ppm/℃の範囲内の温
度係数を有する第1部分と、 上記予定の抵抗値の口ないし10%の範囲内の抵抗値お
よび÷SOOppm/℃ないし+9000ppm/℃の
範囲内の温度係数を有する第2部分とを備え。
レイにおける、予定の抵抗値を有する化合物抵抗てあっ
て、 上記予定の抵抗値の少なくとの50%の抵抗値および一
50ppB/ 11(ないし0ppm/℃の範囲内の温
度係数を有する第1部分と、 上記予定の抵抗値の口ないし10%の範囲内の抵抗値お
よび÷SOOppm/℃ないし+9000ppm/℃の
範囲内の温度係数を有する第2部分とを備え。
該第2部分は、上記化合物抵抗の温度係数を上記第1抵
抗の予定の温度係数に整合させるように構造を決定され
、上記第1抵抗および化合物抵抗の間の比温度係数とし
て0.5pp+s/ ”Cを得ることを特徴とする。
抗の予定の温度係数に整合させるように構造を決定され
、上記第1抵抗および化合物抵抗の間の比温度係数とし
て0.5pp+s/ ”Cを得ることを特徴とする。
(19)上記請求項18記載の化合物抵抗において。
上記第2部分は、上記複合温度係数を0とするよう構造
が決定されたことを特徴とする。
が決定されたことを特徴とする。
(20)上記請求項16または18記載の化合物抵抗に
おいて、 第1および第2部分を層形成した基板と、上記:jSl
および第2部分を覆い、上記基板との間で上記第1およ
び第2部分を気密密閉するレーザ透過性被覆とを備え、 上記第2部分は、上記化合物抵抗の抵抗値および温度係
数を変更するために、上記被覆を通してレーザ加工によ
り除去されうる調整領域を有することを特徴とする。
おいて、 第1および第2部分を層形成した基板と、上記:jSl
および第2部分を覆い、上記基板との間で上記第1およ
び第2部分を気密密閉するレーザ透過性被覆とを備え、 上記第2部分は、上記化合物抵抗の抵抗値および温度係
数を変更するために、上記被覆を通してレーザ加工によ
り除去されうる調整領域を有することを特徴とする。
(21)予定の抵抗値を有するQ II!2化合物抵抗
であって。
であって。
上記予定の抵抗値の
(100(absTcR,) / (absT(:R1
1+ absTCRr) )!(ここに、 absTc
Rmは上記調整部の温度係数の絶対価、 absTCR
rは上記第1抵抗部の温度係数の絶対値)の抵抗値およ
び−5(II)916/ ”CないしくII)pH/℃
の範囲内の温度係数を有するg膜抵抗部と、上記予定の
抵抗値の (100(absTCRr) / CabsT
CRr+ absTcR,) )!の抵抗値お
よび+500ppm/℃ないしす9ooopp麿/℃の
範囲内の温度係数を有し、上記抵抗部に接続された薄膜
調整部とを備え。
1+ absTCRr) )!(ここに、 absTc
Rmは上記調整部の温度係数の絶対価、 absTCR
rは上記第1抵抗部の温度係数の絶対値)の抵抗値およ
び−5(II)916/ ”CないしくII)pH/℃
の範囲内の温度係数を有するg膜抵抗部と、上記予定の
抵抗値の (100(absTCRr) / CabsT
CRr+ absTcR,) )!の抵抗値お
よび+500ppm/℃ないしす9ooopp麿/℃の
範囲内の温度係数を有し、上記抵抗部に接続された薄膜
調整部とを備え。
該薄1[IR整部は、上記:51および第2部分の複合
温度係数を−0,5ppta/℃ないし+0.5ppm
/℃の範囲内としたことを特徴とする8膜化合物抵抗。
温度係数を−0,5ppta/℃ないし+0.5ppm
/℃の範囲内としたことを特徴とする8膜化合物抵抗。
(22)上記請求項21記載の薄膜化合物抵抗において
、上記avia整部は、複合温度係数を絶対0とするよ
う構造を決定されたことを特徴とする。
、上記avia整部は、複合温度係数を絶対0とするよ
う構造を決定されたことを特徴とする。
(23)予定の第1抵抗値および予定の温度係数を有す
る第1抵抗を含む抵抗アレイにおける。予定の第2抵抗
値を有する化合物抵抗であって、上記予定の第2抵抗値
の (100(absTCRa)/(absTCRr+ a
bs(TCR,−T(:R+)))!(ここに、abs
(TCRr−TCRI)は上記抵抗部の温度係数から上
記第1抵抗の温度係数を引いた量の絶対値、上記abs
TcRaは上記調整部の温度係数の絶対値)の抵抗値お
よび(TCRI−50)p1)m/ ”CないしTCR
Iの範囲内の温度係数を有する抵抗部と。
る第1抵抗を含む抵抗アレイにおける。予定の第2抵抗
値を有する化合物抵抗であって、上記予定の第2抵抗値
の (100(absTCRa)/(absTCRr+ a
bs(TCR,−T(:R+)))!(ここに、abs
(TCRr−TCRI)は上記抵抗部の温度係数から上
記第1抵抗の温度係数を引いた量の絶対値、上記abs
TcRaは上記調整部の温度係数の絶対値)の抵抗値お
よび(TCRI−50)p1)m/ ”CないしTCR
Iの範囲内の温度係数を有する抵抗部と。
上記予定の第2抵抗値の
(100(abs(TCR,−TCRI))/(abs
TCRa+ abs(TCR,−TCR1))}%の抵
抗値および+500ppa+/℃ないし+9000pp
m/℃の範囲内の温度係数を有する調整部とを備え、上
記化合物抵抗の温度係数を上記第1抵抗の予定の温度係
数に整合させ、上記第1抵抗および化合物抵抗の間の比
温度係数を0.5ppm/℃より小さくしたことを特徴
とする。
TCRa+ abs(TCR,−TCR1))}%の抵
抗値および+500ppa+/℃ないし+9000pp
m/℃の範囲内の温度係数を有する調整部とを備え、上
記化合物抵抗の温度係数を上記第1抵抗の予定の温度係
数に整合させ、上記第1抵抗および化合物抵抗の間の比
温度係数を0.5ppm/℃より小さくしたことを特徴
とする。
(24)上記請求項23記載の化合物抵抗において。
上記調整部は、上記第1抵抗および化合物抵抗の間の比
温度係数を絶対Oとするよう構造か決定されたことを特
徴とする。
温度係数を絶対Oとするよう構造か決定されたことを特
徴とする。
(以下、余白)
[作用]
本発明は、具体的には、抵抗部と:A調整部を有する化
合物抵抗を提供する。抵抗部は、高抵抗率、低TCRを
有する材料により形成される。一方、調整部は、抵抗部
より低抵抗率で、逆極性の高TCRを有する材料により
形成される。製造後に、その化合物抵抗の全体の抵抗値
を無視てきる程度たけ増加し、実質的にまたは完全にT
CRを相殺するように、AgI整部の形状は、レーザー
加工処理によりトリミングされる。
合物抵抗を提供する。抵抗部は、高抵抗率、低TCRを
有する材料により形成される。一方、調整部は、抵抗部
より低抵抗率で、逆極性の高TCRを有する材料により
形成される。製造後に、その化合物抵抗の全体の抵抗値
を無視てきる程度たけ増加し、実質的にまたは完全にT
CRを相殺するように、AgI整部の形状は、レーザー
加工処理によりトリミングされる。
本発明は、さらに具体的には、レーザー加工により調整
部をトリミングして、抵抗アレイの比TCRを絶対また
は実質0にすることがてきる抵抗アレイへの用途に適し
た化合物抵抗を提供する。
部をトリミングして、抵抗アレイの比TCRを絶対また
は実質0にすることがてきる抵抗アレイへの用途に適し
た化合物抵抗を提供する。
本発明の上記以外の効果は、いわゆる当業者には添付図
面および以下の詳細な説明から明らかとなろう。
面および以下の詳細な説明から明らかとなろう。
[実施例]
まず、:51図に、基板12上に設けられた抵抗アレイ
10を示す、基板12は、ガラス、その他の材料でよい
が、好ましくはアルミナ(A1zO3)である、抵抗ア
レイlOは、2個の化合物抵抗14.16を含む、化合
物抵抗14.16の入出力は、リート18.20.22
を介して行われる。リード18,20.22はそれぞれ
その最終端においてタブ24,26.28にPa続され
ている。
10を示す、基板12は、ガラス、その他の材料でよい
が、好ましくはアルミナ(A1zO3)である、抵抗ア
レイlOは、2個の化合物抵抗14.16を含む、化合
物抵抗14.16の入出力は、リート18.20.22
を介して行われる。リード18,20.22はそれぞれ
その最終端においてタブ24,26.28にPa続され
ている。
化合物抵抗14は、調整部34.36にそれぞれリード
31.33を介して接続された2個の抵抗部30.32
からなる。v4整部34.36には、後述するように、
切れ目38(この好適実旅例てはレーザで形成される)
か設けられる。
31.33を介して接続された2個の抵抗部30.32
からなる。v4整部34.36には、後述するように、
切れ目38(この好適実旅例てはレーザで形成される)
か設けられる。
リード20.22間に位置する化合物抵抗16は、リー
ド41により調整部42に接続された抵抗部40からな
る。第1図では、vJ整郡部42はレーザ加工による切
れ目を示していない。
ド41により調整部42に接続された抵抗部40からな
る。第1図では、vJ整郡部42はレーザ加工による切
れ目を示していない。
抵抗14.16は相互接続したものとして示しであるが
、すべての抵抗アレイにおいてこのようにする必要はな
い、場合によりては、抵抗アレイは、同一の基板上に多
数の独立した抵抗からなるものてあってもよい。
、すべての抵抗アレイにおいてこのようにする必要はな
い、場合によりては、抵抗アレイは、同一の基板上に多
数の独立した抵抗からなるものてあってもよい。
次に、第2図に、本発明の好適実施例により製造された
薄膜抵抗の一部を示す、当業者には周知であるように、
薄膜抵抗は、まず基板上に抵抗材料の層を形成し1次に
、従来のフオトソソグラフィック処理により不要の抵抗
材料部分を除去することにより製造される。
薄膜抵抗の一部を示す、当業者には周知であるように、
薄膜抵抗は、まず基板上に抵抗材料の層を形成し1次に
、従来のフオトソソグラフィック処理により不要の抵抗
材料部分を除去することにより製造される。
本発明では、抵抗材料43か、まず、基板12上に層形
成される0次に、:A整材料44か抵抗材料43の上に
層形成される。この工程によって。
成される0次に、:A整材料44か抵抗材料43の上に
層形成される。この工程によって。
:A整材料44か抵抗材料43により連続的に下張りさ
れたことになる。ここて、層の形成順序は問題てはなく
、また、抵抗材料および調整材料の上、下あるいは中間
の居の数は、両材料か導通して単一の複合TCRを有す
る化合物抵抗となる限り問題とならない。
れたことになる。ここて、層の形成順序は問題てはなく
、また、抵抗材料および調整材料の上、下あるいは中間
の居の数は、両材料か導通して単一の複合TCRを有す
る化合物抵抗となる限り問題とならない。
真空、化学、その他の層形成処理が利用てきる上記層形
成後、調整材料44は、感光性を与えられ、露光された
抵抗材料の領域を残すようにエツチング除去される。そ
の後、基板12上に抵抗材料43の所望形状を残すよう
に抵抗材料43が選択除去される。
成後、調整材料44は、感光性を与えられ、露光された
抵抗材料の領域を残すようにエツチング除去される。そ
の後、基板12上に抵抗材料43の所望形状を残すよう
に抵抗材料43が選択除去される。
抵抗材料43と調整材料44の組合わせにより、化合物
抵抗46が構成される。この化合物抵抗46の適当な全
体の構造が完成し1種々のソートやタブ(図示せず)の
付設か完了したら、レーザ透過性被r1148か、この
化合物抵抗46の上にa置され、密閉剤(hermet
ic 5ealant)50により基板12に接着され
る。一般に、この密閉によって、湿気や空気中粒子に起
因する外的影響による抵抗値の変化が防止される。
抵抗46が構成される。この化合物抵抗46の適当な全
体の構造が完成し1種々のソートやタブ(図示せず)の
付設か完了したら、レーザ透過性被r1148か、この
化合物抵抗46の上にa置され、密閉剤(hermet
ic 5ealant)50により基板12に接着され
る。一般に、この密閉によって、湿気や空気中粒子に起
因する外的影響による抵抗値の変化が防止される。
気密密閉の前であれば、研召トリミンク、高圧ウォータ
ージェット・トリミング等により抵抗の全体の構造を変
更することはできるか、気密密閉後は、レーザトリミン
グまたは他のノン・インドトルーシブ(口on−int
rusive)なトリミング以外は不可能になる。レー
ザは、レーザ透過被覆48を透過し、気密密閉に影響を
与えることなく、:A整材料44および抵抗材料43を
気化させて基板12に達する切れ目52を形成する。気
化された材料か気密密閉された抵抗に与える影響は殆ど
焦視できる。
ージェット・トリミング等により抵抗の全体の構造を変
更することはできるか、気密密閉後は、レーザトリミン
グまたは他のノン・インドトルーシブ(口on−int
rusive)なトリミング以外は不可能になる。レー
ザは、レーザ透過被覆48を透過し、気密密閉に影響を
与えることなく、:A整材料44および抵抗材料43を
気化させて基板12に達する切れ目52を形成する。気
化された材料か気密密閉された抵抗に与える影響は殆ど
焦視できる。
’1517の抵抗アレイlOの製造に際し、リート18
.20.22.31.33および41には。
.20.22.31.33および41には。
金、銀のような高導電率材料のものを選択する。
抵抗部30,32.40には、ニッケルクロミウムにク
ロム)、ケイ化クロム(chromium 5ilic
ide) 、タンタル、または窒化タンタルのような高
抵抗材料のものを選ぶ。これらの抵抗材料のTCRは、
一般に、 −50〜+50ppm/℃である。標準抵抗
内のニクロムのTCRは、−25〜÷251)I)Im
/℃の範囲内にある。好適実施例ては、これらの薄膜抵
抗のTCRは、0〜−]0ppm/℃である。一般に、
TCRは広い温度範囲ては非直線性を有するか、高精度
電子デバイスか使用される通常の温度範囲ては巾−の値
と考えることかできる。
ロム)、ケイ化クロム(chromium 5ilic
ide) 、タンタル、または窒化タンタルのような高
抵抗材料のものを選ぶ。これらの抵抗材料のTCRは、
一般に、 −50〜+50ppm/℃である。標準抵抗
内のニクロムのTCRは、−25〜÷251)I)Im
/℃の範囲内にある。好適実施例ては、これらの薄膜抵
抗のTCRは、0〜−]0ppm/℃である。一般に、
TCRは広い温度範囲ては非直線性を有するか、高精度
電子デバイスか使用される通常の温度範囲ては巾−の値
と考えることかできる。
3I整部34,36および42は、一般に約÷500な
いし◆9000pPm/ ’Cの範囲内の正のTCRを
有するニッケル、金、タングステンまたは銀のような種
々の低抵抗材料によって形成できる。好適実施例では、
調整部34.36および42は、約+5000ppm/
″CのTCRを有するニッケルで形成される。
いし◆9000pPm/ ’Cの範囲内の正のTCRを
有するニッケル、金、タングステンまたは銀のような種
々の低抵抗材料によって形成できる。好適実施例では、
調整部34.36および42は、約+5000ppm/
″CのTCRを有するニッケルで形成される。
予め定められた公称抵抗値を有する化合物抵抗を得るに
必要な予備エツチングの量を選定する際に、抵抗部30
.32は、化合物抵抗14の所望の公称抵抗値に極めて
近い抵抗値をもつようにエツチングされ、同様に、抵抗
部40は、化合物抵抗16の所望の抵抗値に近い抵抗値
をもつようにエツチングされる。化合物抵抗16として
図示したような最も簡単な形の化合物抵抗に着目すれば
、抵抗部40の総抵抗値は、製造工程の問題の如何に関
わらず、好ましくは、完成した化合物抵抗16の最終の
公称抵抗値の少なくとも50zであるべきである。
必要な予備エツチングの量を選定する際に、抵抗部30
.32は、化合物抵抗14の所望の公称抵抗値に極めて
近い抵抗値をもつようにエツチングされ、同様に、抵抗
部40は、化合物抵抗16の所望の抵抗値に近い抵抗値
をもつようにエツチングされる。化合物抵抗16として
図示したような最も簡単な形の化合物抵抗に着目すれば
、抵抗部40の総抵抗値は、製造工程の問題の如何に関
わらず、好ましくは、完成した化合物抵抗16の最終の
公称抵抗値の少なくとも50zであるべきである。
逆に、予備エツチングされる調整部42は、所望の公称
抵抗値の0.5zを提供するに過ぎない。
抵抗値の0.5zを提供するに過ぎない。
好適実施例では、抵抗材料の抵抗値は、フォトリソグラ
フィック除去工程の後、レーザ加工によりさらに公称値
の90%以内にされる。この処理は、粗レーザ加工と呼
ばれるか、同一のレーザを、最終の正確なTCRおよび
抵抗値を得るためも用いることができる。
フィック除去工程の後、レーザ加工によりさらに公称値
の90%以内にされる。この処理は、粗レーザ加工と呼
ばれるか、同一のレーザを、最終の正確なTCRおよび
抵抗値を得るためも用いることができる。
本発明は、その−見地によれば、抵抗材料から得られる
べき所望の公称抵抗値の比率は、(100(absTc
R,) / ’(absTCRa+absT(:R,)
Bて表わせる。ここに、absTCRrは、抵抗材料
の抵抗値の温度係数の絶対値であり、absTCRaは
調整材料の抵抗値の温度係数の絶対値である。同様に、
調整材料から得られる所定の公称値の比率は、 (100(absTCRa)/ (absTCRa+
absTCRr))$である。
べき所望の公称抵抗値の比率は、(100(absTc
R,) / ’(absTCRa+absT(:R,)
Bて表わせる。ここに、absTCRrは、抵抗材料
の抵抗値の温度係数の絶対値であり、absTCRaは
調整材料の抵抗値の温度係数の絶対値である。同様に、
調整材料から得られる所定の公称値の比率は、 (100(absTCRa)/ (absTCRa+
absTCRr))$である。
化合物抵抗16のような抵抗を製造する場合、最初のフ
ォトリソグラフィック工程の後、抵抗値およびTCRを
測定する。この測定の結果、その抵抗値は殆ど抵抗部4
0のニクロムによるものであり、TCRはいまだ:A整
郡部42ニッケルにょる非O値であることが判かろう、
もし、抵抗値か主にニクロムによるものでなく、かつ、
最終値の9ozに近くなければ、そうなるまで更に粗レ
ーザ加工を行なう。フォトリソグラフィック工程の後に
TRCが0となっている可能性はなくはないが、そのよ
うな場合は殆ど考えられない。
ォトリソグラフィック工程の後、抵抗値およびTCRを
測定する。この測定の結果、その抵抗値は殆ど抵抗部4
0のニクロムによるものであり、TCRはいまだ:A整
郡部42ニッケルにょる非O値であることが判かろう、
もし、抵抗値か主にニクロムによるものでなく、かつ、
最終値の9ozに近くなければ、そうなるまで更に粗レ
ーザ加工を行なう。フォトリソグラフィック工程の後に
TRCが0となっている可能性はなくはないが、そのよ
うな場合は殆ど考えられない。
TCRか実質的に0てないとすれば(大抵はそうであろ
うか)、TCRの大きさを減する必要かある。これは、
調整部の幾何学的な構造を変化させることにより行える
。第1図の化合物抵抗14をみると、切れ目38を長く
することにより、調整部34.36の抵抗値が増加する
ことか分かろう、同様に、この抵抗値の増加に伴い、再
調整部のTCRへの影響も増大する。
うか)、TCRの大きさを減する必要かある。これは、
調整部の幾何学的な構造を変化させることにより行える
。第1図の化合物抵抗14をみると、切れ目38を長く
することにより、調整部34.36の抵抗値が増加する
ことか分かろう、同様に、この抵抗値の増加に伴い、再
調整部のTCRへの影響も増大する。
抵抗値に関して、tA整郡部3436の構造変化による
その抵抗値変化は100倍にもなりつる。たたし、go
部34.36の抵抗値は元々非常に小さいので、調整部
34.36かもたらす抵抗変化の絶対値は化合物抵抗1
4の全体の抵抗値に比べて比較的小さい。
その抵抗値変化は100倍にもなりつる。たたし、go
部34.36の抵抗値は元々非常に小さいので、調整部
34.36かもたらす抵抗変化の絶対値は化合物抵抗1
4の全体の抵抗値に比べて比較的小さい。
一方、rA整部34.36の抵抗値の増加に伴い、21
!J′!!i部34,36(7)TCRが化合物抵抗1
4のTCRに対して与える影響にはかなり大きな変化か
生じる。これにより、化合物抵抗14のTCRは一:l
0ppm/℃から約0〜−3ppffl/℃にまて下け
られる。
!J′!!i部34,36(7)TCRが化合物抵抗1
4のTCRに対して与える影響にはかなり大きな変化か
生じる。これにより、化合物抵抗14のTCRは一:l
0ppm/℃から約0〜−3ppffl/℃にまて下け
られる。
当業者には、明らかなように、化合物抵抗14は、この
ようにして非常に微小に抵抗値が増加する一方でTCR
か0に近接する。
ようにして非常に微小に抵抗値が増加する一方でTCR
か0に近接する。
この時点て、第2の測定を行えば、±0.5ppm/°
C内の精密機器“実質O″を得るためにざらにレーザ加
工を行ってTCRを減少させる必要があるか、あるいは
TCRか過度に正または負であるかが分かる。
C内の精密機器“実質O″を得るためにざらにレーザ加
工を行ってTCRを減少させる必要があるか、あるいは
TCRか過度に正または負であるかが分かる。
当業者には明白なように、これらの測定およびレーザ加
工は、TCRか実質0である化合物抵抗か迅速かつ低費
用で製造できるように、すべて、コンピュータの指示に
従って行うことができる。
工は、TCRか実質0である化合物抵抗か迅速かつ低費
用で製造できるように、すべて、コンピュータの指示に
従って行うことができる。
レーザ技術の加工精度は、TCRを測定する最良の研究
所計装の分解能の何倍も高く、かつ、加工精度はさらに
向上し続けると予想されるので、本発明の方法を用いて
、絶対0のTCR1絶対0の比TCRおよび誤差0の抵
抗値を有する化合物抵抗を提供することができよう。
所計装の分解能の何倍も高く、かつ、加工精度はさらに
向上し続けると予想されるので、本発明の方法を用いて
、絶対0のTCR1絶対0の比TCRおよび誤差0の抵
抗値を有する化合物抵抗を提供することができよう。
従来得られなかフた化合物抵抗の例として、第1図に示
したような構造は、公称抵抗値100Ω。
したような構造は、公称抵抗値100Ω。
の抵抗の製造に用いられたものである。jgl整部34
.36は抵抗率的0.1Ω/口(オーム/スクエア)の
ニッケルで形成された。抵抗部30.32は、 100
Ω/口より僅かに低い抵抗率を有するニクロムで形成さ
れた。前述のように、ニッケルのTCRは約5000p
pm/℃であり、ニクロムのTCRは、−30pI)f
fi/ ”CおよびOppm/ ”Cの間の値である。
.36は抵抗率的0.1Ω/口(オーム/スクエア)の
ニッケルで形成された。抵抗部30.32は、 100
Ω/口より僅かに低い抵抗率を有するニクロムで形成さ
れた。前述のように、ニッケルのTCRは約5000p
pm/℃であり、ニクロムのTCRは、−30pI)f
fi/ ”CおよびOppm/ ”Cの間の値である。
調整部34.36の寸法は、微レーザ加工前の抵抗値か
0.05Ωとなるように選定された。抵抗部30.32
は、ニクロム0.75スクエアを有することにより80
Ωの抵抗値をもつよう設定した。最後に、リードを被覆
する金の抵抗率は、 6.On+Ω/口である。約12
スクエアの金を用いたので、総抵抗値への金の貢献分は
約70.0mΩである。
0.05Ωとなるように選定された。抵抗部30.32
は、ニクロム0.75スクエアを有することにより80
Ωの抵抗値をもつよう設定した。最後に、リードを被覆
する金の抵抗率は、 6.On+Ω/口である。約12
スクエアの金を用いたので、総抵抗値への金の貢献分は
約70.0mΩである。
本発明の方法によれば、調整部34.36はトリミング
されて構造を変え、スクエアの数を0.5から約6.0
にまて増加させた(すなわち複合抵抗へのニッケルの貢
献度を杓12分の1に変化させた)、複合抵抗への:A
整郡部3436の貢献分は、0,05Ωから0.6Ω(
いまだ複合抵抗値100Ωに比べ微小)へ変化する。し
かし、この抵抗値への貢献分の増加に伴い、他方で、複
合TCRに対する調整部34.36のTCRの貢献分が
かなり増加する。レーザ加工は、実質的に、複合TCR
を −30ppm/℃から一329ffi/℃にまで上
昇させた。
されて構造を変え、スクエアの数を0.5から約6.0
にまて増加させた(すなわち複合抵抗へのニッケルの貢
献度を杓12分の1に変化させた)、複合抵抗への:A
整郡部3436の貢献分は、0,05Ωから0.6Ω(
いまだ複合抵抗値100Ωに比べ微小)へ変化する。し
かし、この抵抗値への貢献分の増加に伴い、他方で、複
合TCRに対する調整部34.36のTCRの貢献分が
かなり増加する。レーザ加工は、実質的に、複合TCR
を −30ppm/℃から一329ffi/℃にまで上
昇させた。
このような複合TCRは、従来、製造装置により可能て
あったより、一層絶対Oに近づいたか、レーザ加工を調
整部34.36について繰り返すという工程を実行する
ことにより、さらにTCRを向上させた。第2の微し−
ザ加ニトリミンクの後、化合物抵抗の反復試験の結果、
複合TCRは±0.5p1)11/ ’C以内であるこ
とが分かった。TCR値かその測定に用いた生産計装の
能力以上にOに近いため、これ以上確かなTCR値を求
めることはてきなかった。
あったより、一層絶対Oに近づいたか、レーザ加工を調
整部34.36について繰り返すという工程を実行する
ことにより、さらにTCRを向上させた。第2の微し−
ザ加ニトリミンクの後、化合物抵抗の反復試験の結果、
複合TCRは±0.5p1)11/ ’C以内であるこ
とが分かった。TCR値かその測定に用いた生産計装の
能力以上にOに近いため、これ以上確かなTCR値を求
めることはてきなかった。
予定の公称抵抗値を越えることなくさらに抵抗値を付加
できる限り、かつ、さらにTCRの変更を望むならば、
ざらにレーザ加工トリミングの工程を実行してもよい。
できる限り、かつ、さらにTCRの変更を望むならば、
ざらにレーザ加工トリミングの工程を実行してもよい。
当業者には周知のように、抵抗アレイの中の特定の抵抗
についてそのTCRがOとなるより、すべての抵抗の抵
抗値がある温度範囲内で等しい比率て変化するほうが重
要である場合が多い、この並列(paralle1)T
CRを有する抵抗の特性については業界では種々の名
称で呼ばれている。最も普通の名称は比TCRであるが
、TCRトラ・ツキングあるいはTCR比とも呼ばれる
。比TCRは、種々の抵抗のTCR間の差として数学的
に記述できる。よって、比TCRはTCRと同じ単位p
pH/℃で表わされる。
についてそのTCRがOとなるより、すべての抵抗の抵
抗値がある温度範囲内で等しい比率て変化するほうが重
要である場合が多い、この並列(paralle1)T
CRを有する抵抗の特性については業界では種々の名
称で呼ばれている。最も普通の名称は比TCRであるが
、TCRトラ・ツキングあるいはTCR比とも呼ばれる
。比TCRは、種々の抵抗のTCR間の差として数学的
に記述できる。よって、比TCRはTCRと同じ単位p
pH/℃で表わされる。
抵抗列lOにおいて、化合物抵抗14.16の比TCR
は、化合物抵抗14の調整部34.36の構造を制御す
ることにより、実質0、すなわち0.5ppm/ ”C
以内に追従または絶対0にまで調整することかてきる。
は、化合物抵抗14の調整部34.36の構造を制御す
ることにより、実質0、すなわち0.5ppm/ ”C
以内に追従または絶対0にまで調整することかてきる。
木質的には、化合物抵抗16か一100ppm/℃から
+100ppa+/℃の範囲て変化したとしても、化合
物抵抗14のTCRは化合物抵抗16のTCRに整合す
るように設定される。 化合物抵抗14のTCRか、調
整前に、化合物抵抗16の如き整合されるべき抵抗のT
CRに等しいか、または、50 p p m / ”C
たけ小さければ(すなわち。
+100ppa+/℃の範囲て変化したとしても、化合
物抵抗14のTCRは化合物抵抗16のTCRに整合す
るように設定される。 化合物抵抗14のTCRか、調
整前に、化合物抵抗16の如き整合されるべき抵抗のT
CRに等しいか、または、50 p p m / ”C
たけ小さければ(すなわち。
(T(:R,−50)ppm/℃;ここにTCR,は整
合されるべきTCR)、化合物抵抗14(7)TCRは
1m!1部34.36の構造制御により化合物抵抗16
のTCRに対して0.5pI)i11/ ’C以内に整
合され得る。
合されるべきTCR)、化合物抵抗14(7)TCRは
1m!1部34.36の構造制御により化合物抵抗16
のTCRに対して0.5pI)i11/ ’C以内に整
合され得る。
本発明による、抵抗アレイに関する他の見地によれば、
被調整化合物抵抗の抵抗材料によって得られるべき所望
の公称抵抗(【aの比率は、(100(absT(:+
1.)/(absTCRa−abs(TCR,−TCR
1)))$て表わせる。ここに、 absTCRaは、
被m4i化合物抵抗の調整材料の温度係数の絶対値であ
り、abs(TCil、−TCR,)は、被調整化合物
抵抗の抵抗材料の温度係数から、化合物抵抗か整合され
るべき対象であるアレイ内の他の抵抗の抵抗値温度係数
を引いた量の絶対値である。同様に、調整材料によって
得られる予定の公称値の比率は。
被調整化合物抵抗の抵抗材料によって得られるべき所望
の公称抵抗(【aの比率は、(100(absT(:+
1.)/(absTCRa−abs(TCR,−TCR
1)))$て表わせる。ここに、 absTCRaは、
被m4i化合物抵抗の調整材料の温度係数の絶対値であ
り、abs(TCil、−TCR,)は、被調整化合物
抵抗の抵抗材料の温度係数から、化合物抵抗か整合され
るべき対象であるアレイ内の他の抵抗の抵抗値温度係数
を引いた量の絶対値である。同様に、調整材料によって
得られる予定の公称値の比率は。
(100abs(TCR,−TCRt) /(absT
cR,+abs(TCR,−TCR1))) %である
。
cR,+abs(TCR,−TCR1))) %である
。
同様に、本発明の方法によれば、基板上の一連の独立し
た抵抗の比TCRを実質0または絶対0に調整すること
もできる。すなわち、その抵抗アレイの内のひとつの抵
抗を他の抵抗より正のTCRとしておき、他のすべての
抵抗を上記ひとつの抵抗に対して整合するように正方向
に調整すればよい。
た抵抗の比TCRを実質0または絶対0に調整すること
もできる。すなわち、その抵抗アレイの内のひとつの抵
抗を他の抵抗より正のTCRとしておき、他のすべての
抵抗を上記ひとつの抵抗に対して整合するように正方向
に調整すればよい。
本発明は、厚膜、薄膜、バルクメタルおよびポリマーフ
ィルムの各抵抗デバイスにも適用することができるか、
利用者か実質Oまたは絶対OのTCR1比TCRを要求
するような環境か生じるのは、最高精度の電子デバイス
の用途においてのみであると認められる。一方、g膜お
よびバルクメタルの製品は、一般に、厚膜、ポリマーフ
ィルムより安定かつ高精度てあり、雑音も低い傾向があ
る。したかって1本発明の方法および化合物抵抗は薄膜
およびバルクメタルの用途に利用されることか多いであ
ろう、しかし、今後、厚膜およびポリマーフィルムの材
料か改善されるにつれてそのような抵抗アレイについて
の本発明の用途も増加していくことは考えられる。
ィルムの各抵抗デバイスにも適用することができるか、
利用者か実質Oまたは絶対OのTCR1比TCRを要求
するような環境か生じるのは、最高精度の電子デバイス
の用途においてのみであると認められる。一方、g膜お
よびバルクメタルの製品は、一般に、厚膜、ポリマーフ
ィルムより安定かつ高精度てあり、雑音も低い傾向があ
る。したかって1本発明の方法および化合物抵抗は薄膜
およびバルクメタルの用途に利用されることか多いであ
ろう、しかし、今後、厚膜およびポリマーフィルムの材
料か改善されるにつれてそのような抵抗アレイについて
の本発明の用途も増加していくことは考えられる。
以上説明した原理および結果から、調整材料のTCRは
、通常、抵抗材料のTCRより大きく逆極性であると考
えられる。また、調整材料の抵抗率は、通常、調整部の
幾何学的構造の量変化に相当の自由度をもたせるために
抵抗材料の抵抗率より充分小さくし、その結果、複合抵
抗値には最小の影響しか与えずに複合TCRには充分な
影響を与えるようにする。たたし1本発明は、所望のT
CRおよび抵抗値を得るために必要であれば、リードお
よびタブのレーザトリミングを行うことも意図している
。
、通常、抵抗材料のTCRより大きく逆極性であると考
えられる。また、調整材料の抵抗率は、通常、調整部の
幾何学的構造の量変化に相当の自由度をもたせるために
抵抗材料の抵抗率より充分小さくし、その結果、複合抵
抗値には最小の影響しか与えずに複合TCRには充分な
影響を与えるようにする。たたし1本発明は、所望のT
CRおよび抵抗値を得るために必要であれば、リードお
よびタブのレーザトリミングを行うことも意図している
。
抵抗アレイの気密密閉によれば極めて安定な抵抗パッケ
ージを提供することかでき、かつ、製造後にレーザ加工
トリミングを行うことによって高精度抵抗アレイの温度
特性も制御することかてきる。
ージを提供することかでき、かつ、製造後にレーザ加工
トリミングを行うことによって高精度抵抗アレイの温度
特性も制御することかてきる。
以上の本発明の好適実施例の説明は、単に例示および説
明のためのものであり、開示したそのものに本発明を限
定し、あるいは他のものを排除しようとするものてはな
い0以上の説明に照して種々の変形、変更か可能である
。上記実施例は、本発明の原理を最もよく説明するため
に選択、記述されたものであり、これによって、当業者
が各自の実施例においてその具体的な用途に適した変更
を付した形て本発明を利用てきるようにしたものである
。ここに開示したすべての事項は添付図面に示されてい
るが、この図面は、限定ではな(例示として解釈される
べきである。
明のためのものであり、開示したそのものに本発明を限
定し、あるいは他のものを排除しようとするものてはな
い0以上の説明に照して種々の変形、変更か可能である
。上記実施例は、本発明の原理を最もよく説明するため
に選択、記述されたものであり、これによって、当業者
が各自の実施例においてその具体的な用途に適した変更
を付した形て本発明を利用てきるようにしたものである
。ここに開示したすべての事項は添付図面に示されてい
るが、この図面は、限定ではな(例示として解釈される
べきである。
[発明の効果]
本発明によれば、実質Oまたは絶対0のTCRを有する
抵抗を実現することがてきる。しかも。
抵抗を実現することがてきる。しかも。
抵抗の製造後に、抵抗値を実質的に変化させることなく
TCHの調整を行うことができる。
TCHの調整を行うことができる。
第1図は本発明により製造された化合物抵抗の拡大平面
図、第2図は本発明による薄膜化合物抵抗の一部のνJ
欠拡大等角投影図である。 10・・・抵抗アレイ 12・・・基板 14.16・・・化合物抵抗 18.20.22・・・リード 24.26.28・・・タブ 31.33 、4 l ・・・ リ − ド・30.3
2.40・・・抵抗部 34.36.42・・・調整部 43・・・抵抗材料 44・・・調整材料 46・・・化合物抵抗 48・・・レーザ透過性被覆 第1図
図、第2図は本発明による薄膜化合物抵抗の一部のνJ
欠拡大等角投影図である。 10・・・抵抗アレイ 12・・・基板 14.16・・・化合物抵抗 18.20.22・・・リード 24.26.28・・・タブ 31.33 、4 l ・・・ リ − ド・30.3
2.40・・・抵抗部 34.36.42・・・調整部 43・・・抵抗材料 44・・・調整材料 46・・・化合物抵抗 48・・・レーザ透過性被覆 第1図
Claims (24)
- (1)化合物抵抗の製造方法であって、 第1抵抗値および第1温度係数を有する上記化合物抵抗
の第1部分を形成する工程と、 上記第1抵抗値と異なる第2抵抗値および上記第1抵抗
温度係数と異なる逆極性の第2温度係数を有する上記化
合物抵抗の第2部分を形成する工程と、 上記第1および第2部分の複合温度係数が実質0となる
まで、上記部分の一方の一部を除去する工程とを有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。 - (2)化合物抵抗の製造方法であって、 第1抵抗値および第1温度係数を有する上記化合物抵抗
の第1部分を形成する工程と、 上記第1抵抗値と異なる第2抵抗値および上記第1温度
係数と異なる逆極性の第2温度係数を有する上記化合物
抵抗の第2部分を形成する工程と、 上記第1および第2部分の複合抵抗温度係数が0より僅
かに高くなるまで、上記第2部分の一部を除去する工程
と、 上記第1および第2部分の複合温度係数が実質0となる
まで、上記第1部分の一部を除去する工程とを有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。 - (3)上記請求項1または2記載の化合物抵抗の製造方
法であって、 上記第1および第2部分を気密密閉する工程と、該気密
密閉後に、上記第1および第2部分の一部を除去する工
程とを含むことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。 - (4)化合物抵抗の製造方法であって、 基板上に抵抗材料の層を形成する工程と、 該抵抗材料上に低抵抗材料の層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第1抵抗値
および正の第1温度係数を有する調整部を設ける工程と
、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、上記第1抵
抗値より実質的に高い第2抵抗値および上記第1温度係
数より実質的に小さい負の温度係数を有し、かつ上記調
整部に接続された抵抗部を設ける工程と、 上記化合物抵抗の温度係数を測定する工程と、上記化合
物抵抗の温度係数が実質0になるまで上記抵抗材料の一
方の一部を除去する工程とを有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。 - (5)化合物抵抗の製造方法であって、 基板上に抵抗材料の層を形成する工程と、 該抵抗材料上に低抵抗材料の層を形成する工程と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第1抵抗値
および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記抵抗材料の一部を除去することにより、少なくとも
一方が上記調整部に接続された第1および第2抵抗部を
設ける工程であって、上記一方は上記第1抵抗値より実
質的に大きい抵抗値および上記正の温度係数より実質的
に小さい負の温度係数を有する工程と、 上記抵抗部の一方および上記調整部および上記抵抗部の
他方の間の比温度係数を測定する工程と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と、 上記比温度係数が実質0になるまで、上記測定工程およ
び除去工程を繰り返す工程とを有することを特徴とする
化合物抵抗の製造方法。 - (6)上記請求項4または5記載の化合物抵抗の製造方
法であって、 上記温度係数を測定する工程の前に、上記調整部および
抵抗部を気密密閉する工程と、 上記温度係数を測定する工程の後に、上記一部をレーザ
除去する工程とを含むことを特徴とする化合物抵抗の製
造方法。 - (7)化合物抵抗の製造方法であって、 基板上に高抵抗薄膜材料の層を形成する工程と、 該高抵抗材料上に低抵抗薄膜材料の層を形成する工程と
、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、第1抵抗値
および正の温度係数を有する調整部を設ける工程と、 上記高抵抗材料の一部を除去することにより、抵抗部を
設ける工程であって、該抵抗側は、上記第1抵抗値より
実質的に大きい第2抵抗値および上記正の温度係数より
実質的に小さい負の温度係数を有する上記調整部の少な
くとも一部の下層において上記調整部に接続される工程
と、 上記抵抗部および上記調整部の温度係数を測定する工程
と、 上記低抵抗材料の一部を除去する工程と、 該温度係数か±0.5ppm/℃の範囲内に入るまで、
上記測定工程および除去工程を繰り返す工程とを有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。 - (8)上記請求項9記載の方法であって、 上記温度係数が絶対0になるまで、上記測定工程および
除去工程を繰り返すことを特徴とする化合物抵抗の製造
方法。 - (9)予定の抵抗値を有する化合物抵抗の製造方法であ
って、 基板上に高抵抗薄膜材料の層を形成する工程と、 該高抵抗材料上に、低抵抗薄膜材料の層を形成する工程
と、 該低抵抗材料の一部を除去することにより、上記予定の
抵抗値の {100(absTCR_r)/(absTCR_a+
absTCR_r)}%の抵抗値および+500ppm
/℃から+9000ppm/℃までの範囲内の温度係数
を有する調整部を設ける工程と、 上記高抵抗材料の一部を除去することにより、第1およ
び第2抵抗部を設ける工程であって、該第1抵抗部は上
層の上記調整部に接続され、かつ、上記予定の抵抗値の {(100(absTCR_a)/(absTCR_a
+absTCR_r)}%(ここに、absTCR_a
は上記調整部の温度係数の絶対値、absTCRrは上
記第1抵抗部の温度係数の絶対値)の抵抗値および−1
00ppm/℃から+100ppm/℃までの範囲内の
温度係数を有する工程と、 上記第1抵抗部および上記調整部および上記第2抵抗部
の間の比温度係数を測定する工程と、上記比温度係数が
0.5ppm/℃より小さくなるまで、上記測定工程お
よび上記除去工程を繰り返す工程を有する ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。 - (10)上記請求項9記載の化合物抵抗の製造方法であ
って、 上記比温度係数が絶対0になるまで、上記測定工程およ
び除去工程を繰り返すことを特徴とする化合物抵抗の製
造方法。 - (11)請求項7または9記載の方法において、上記測
定工程の前に、上記調整部および上記抵抗部を、レーザ
透過性被覆で気密密閉し、上記測定工程の後、上記気密
密閉に影響を与えることなく上記一部をレーザ除去する
ことを特徴とする化合物抵抗の製造方法。 - (12)化合物抵抗であって、 第1抵抗値および第1温度係数を有する第1部分と、 第2抵抗値および第2温度係数を有し、該第1部分に接
続された第2部分とを備え、 上記第1抵抗値は上記第2抵抗値と異なる大きさを有し
、かつ、上記第2温度係数は上記第1温度係数と逆極性
の異なる大きさを有し、上記部分の少なくとも一方は、
他方の温度係数を実質的に相殺する温度係数を有するよ
うに構造を決定され、上記化合物抵抗の複合温度係数を
実質0としたことを特徴とする化合物抵抗。 - (13)予定の抵抗値および予定の温度係数を有する第
1抵抗を含む抵抗システムにおける化合物抵抗てあつて
、 第1抵抗値および第1温度係数を有する第1部分と、 第2抵抗値および第2温度係数を有する第2部分とを備
え、 上記第1抵抗値は上記第2抵抗値より実質的に大きく、
かつ、上記第2温度係数は上記第1温度係数より実質的
に大きく逆極性であり、さらに、上記部分の少なくとも
一方は、上記化合物抵抗の温度係数を上記第1抵抗の予
定の温度係数に追従させるよう構造が決定され、上記第
1抵抗および化合物抵抗の間の比温度係数を実質0とし
たことを特徴とする化合物抵抗。 - (14)上記請求項12または13記載の化合物抵抗に
おいて、上記第1部分は正の温度係数を有し、上記第2
部分は負の温度係数を有することを特徴とする化合物抵
抗。 - (15)上記請求項12または13記載の化合物抵抗に
おいて、 上記第1および第2部分を気密密閉する手段を備え、 上記第2部分は、上記気密密閉に影響を与えることなく
、上記第1および第2部分の温度係数を調整する手段を
有することを特徴とする化合物抵抗。 - (16)予定の抵抗値を有する化合物抵抗であって、上
記予定の抵抗値の少なくとも50%の抵抗値および−5
0ppm/℃ないし0ppm/℃の範囲内の温度係数を
有する第1部分と、 上記予定の抵抗値の0ないし10%の範囲内の抵抗値お
よび+500ppm/℃ないし+9000ppm/℃の
範囲内の温度係数を有し、上記化合物抵抗の複合温度係
数を−0.5ppm/℃ないし+0.5ppm/℃(7
)範囲内とする第2部分とを備える ことを特徴とする化合物抵抗。 - (17)上記請求項16記載の化合物抵抗において、上
記第2部分は複合温度係数を0とするよう構造が決定さ
れたことを特徴とする化合物抵抗。 - (18)予定の温度係数を有する第1抵抗を含む抵抗ア
レイにおける、予定の抵抗値を有する化合物抵抗であっ
て、 上記予定の抵抗値の少なくとの50%の抵抗値および−
50ppm/℃ないし0ppm/℃の範囲内の温度係数
を有する第1部分と、 上記予定の抵抗値の0ないし10%の範囲内の抵抗値お
よび+500ppm/℃ないし+9000ppm/℃の
範囲内の温度係数を有する第2部分とを備え、 該第2部分は、上記化合物抵抗の温度係数を上記第1抵
抗の予定の温度係数に整合させるように構造を決定され
、上記第1抵抗および化合物抵抗の間の比温度係数とし
て0.5ppm/℃を得ることを特徴とする化合物抵抗
。 - (19)上記請求項18記載の化合物抵抗において、上
記第2部分は、上記複合温度係数を0とするよう構造が
決定されたことを特徴とする化合物抵抗。 - (20)上記請求項16または18記載の化合物抵抗に
おいて、 第1および第2部分を層形成した基板と、 上記第1および第2部分を覆い、上記基板との間で上記
第1および第2部分を気密密閉するレーザ透過性被覆と
を備え、 上記第2部分は、上記化合物抵抗の抵抗値および温度係
数を変更するために、上記被覆を通してレーザ加工によ
り除去されうる調整領域を有することを特徴とする化合
物抵抗。 - (21)予定の抵抗値を有する薄膜化合物抵抗であって
、 上記予定の抵抗値の {100(absTCR_a)/(absTCR_a+
abSTCR_r)}%(ここに、absTCR_aは
上記調整部の温度係数の絶対値、absTCR_rは上
記第1抵抗部の温度係数の絶対値)の抵抗値および−5
0ppm/℃ないし0ppm/℃の範囲内の温度係数を
有する薄膜抵抗部と、上記予定の抵抗値の {100(absTCR_r)/(absTCR_a+
absTCR_r)}%の抵抗値および+500ppm
/℃ないし+9000ppm/℃の範囲内の温度係数を
有し、上記抵抗部に接続された薄膜調整部とを備え、 該薄膜調整部は、上記第1および第2部分の複合温度係
数を−0.5ppm/℃ないし+0.5ppm/℃の範
囲内としたことを特徴とする薄膜化合物抵抗。 - (22)上記請求項21記載の薄膜化合物抵抗において
、上記薄膜調整部は、複合温度係数を絶対0とするよう
構造を決定されたことを特徴とする薄膜化合物抵抗。 - (23)予定の第1抵抗値および予定の温度係数を有す
る第1抵抗を含む抵抗アレイにおける、予定の第2抵抗
値を有する化合物抵抗であって、 上記予定の第2抵抗値の {100(absTCR_a)/(absTCR_a+
abs(TCR_r−TCR_1))}%(ここに、a
bs(TCR_r−TCR_1)は上記抵抗部の温度係
数から上記第1抵抗の温度係数を引いた量の絶対値、上
記absTCR_aは上記調整部の温度係数の絶対値)
の抵抗値および(TCR_1−50)ppm/℃ないし
TCR_1の範囲内の温度係数を有する抵抗部と、 上記予定の第2抵抗値の {100(abs(TCR_r−TCR_1))/(a
bsTCR_a+abs(TCR_r−TCR_1))
}%の抵抗値および+500ppm/℃ないし+900
0ppm/℃の範囲内の温度係数を有する調整部とを備
え、上記化合物抵抗の温度係数を上記第1抵抗の予定の
温度係数に整合させ、上記第1抵抗および化合物抵抗の
間の比温度係数を0.5ppm/℃より小さくしたこと
を特徴とする化合物抵抗。 - (24)上記請求項23記載の化合物抵抗において、上
記調整部は、上記第1抵抗および化合物抵抗の間の比温
度係数を絶対0とするよう構造が決定されたことを特徴
とする化合物抵抗。
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