DE3806156A1

DE3806156A1 - Verbundwiderstand und verfahren zu dessen herstellung

Info

Publication number: DE3806156A1
Application number: DE3806156A
Authority: DE
Inventors: Jun Roy Wildred Chapel; David Neal Duperon; Joseph Earl Meadows
Original assignee: John Fluke Manufacturing Co Inc
Current assignee: Fluke Corp
Priority date: 1987-02-27
Filing date: 1988-02-26
Publication date: 1988-09-08
Also published as: CN88101639A; GB2201553B; FR2611402A1; JPS63249301A; GB2201553A; FR2611402B1; GB8804388D0; US4803457A

Description

Die Erfindung betrifft die Minimierung der temperaturinduzierten Widerstandsänderungen bei Widerständen, insbesondere einen Dünnfilmwiderstand, der einen Abgleichabschnitt aus einem Material mit einer Temperaturänderungscharakteristik aufweist, die im wesentlichen größer als die Temperaturänderungscharakteristik des Widerstandsabschnitts ist und dieser entgegengerichtet ist.

Es ist seit langem bekannt, das der Widerstandswert eines Widerstandsmaterials, das für die Herstellung von Widerständen verwendet wird, sich mit der Temperatur ändert. Diese Charakteristik findet ihren Ausdruck in dem "Widerstandstemperaturkoeffizienten" und wird durch Bestimmung der tatsächlichen Widerstandsänderung pro Grad Temperaturänderung gemessen. Der Widerstandstemperaturkoeffizient wird üblicherweise in ppm (Teilen je Million) pro Grad Celius angegeben, das heißt in ppm/°C bzw. 10^-6/°C.

Um eine sichere Voraussage über den Betrieb elektronischer Geräte machen zu können, die Widerstände benutzen, und um die Präzission und Zuverlässigkeit solcher Geräte zu erhöhen, wurden viele Versuche unternommen, um den Widerstandstemperaturkoeffizienten auf den absoluten Wert von 0 zu bringen. Momentan ist jedoch kein Verfahren verfügbar, mit dessen Hilfe dieser Absolutwert 0 für den Widerstandstemperaturkoeffizienten erreicht werden kann. Zur Zeit wird der Wert des Widerstandstemperaturkoeffizienten im wesentlichen als 0 angesehen, falls dieser im Bereich von +/- 0.5×10^-6/°C liegt.

So wurden Präzessionsdrahtwiderstände mittels eines kostenaufwendigen Verfahrens hergestellt, indem gleichwertige Widerstände ausgewählt und negative und positive Widerstandstemperaturkoeffizienten (die aus Produktionsänderungen herrühren) aus einer großen Anzahl von Widerständen selektiv zusammengefügt wurden. Während der anfängliche Widerstandstemperaturkoeffizient eng gesteuert werden kann, tritt langfristig eine Widerstandsabweichung ein, die für jeden Widerstand eindeutig ist und die eine Abweichung des Gesamtwiderstands mit der Zeit zur Folge hat. Infolge der Masse an individuellen Widerständen war und ist eine enge thermische Kopplung nicht möglich, so daß der auftretende Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizient (der nachfolgend erläutert wird) gleichfalls mit den vorliegenden Temperaturgradienten sich ändert.

Ein weiterer Versuch bestand bei Dünnfilmwiderständen darin, Materialien mit niedrigem Widerstandstemperaturkoeffizienten zu finden. Ein derartiger Widerstand ist in der US-PS 44 64 646 offenbart. Dieser Widerstand besteht aus Tantal, Tantalnitrid oder Tantaloxinitrid und wird als Widerstand beschrieben, bei dem der Wert des Widerstandstemperaturkoeffizienten im großen und ganzen 0 ist. Tatsächlich haben diese Materialien jedoch Widerstandstemperaturkoeffizienten, deren Werte von + bis - 100×10^-6/°C reichen, d. h. sie liegen mehrere Größenordnungen vom absoluten Wert 0 oder sogar im wesentlichen von 0 ab.

Obwohl die vorstehend erwähnte US-PS 44 64 646 eine Dünnfilmschaltung zur Steuerung des Widerstandstemperaturkoeffizienten zum Thema hat, ist diese letztlich auf die Herstellung eines Widerstands gerichtet, der temperaturabhängig ist, so dieser als Temperatursensor oder Kompensationseinrichtung für andere Elemente dienen kann. Diese US-PS 44 64 646 schlägt jedoch keinen Verbundwiderstand mit einem Temperaturkoeffizienten vor, der im großen und ganzen den Wert 0 aufweist, da diese davon ausgeht, das Materialien vorliegen, die einen solchen Widerstandskoeffizienten ermöglichen. Es wird dabei davon ausgegangen, daß Tantal einen Widerstandstemperaturkoeffizienten im wesentlichen von 0 aufweist, während dieses Material jedoch einen Widerstandstemperaturkoeffizienten von 80×10^-6/0° + oder - 10% aufweist.

In der US-PS 43 75 056 wurde der Versuch unternommen, den Widerstandstemperaturkoeffizienten durch die im Widerstand enthaltene Materialmengen zu steuern, während in der US-PS 43 75 056 dies über die Steuerung der Konfiguration bzw. Anordnung des Widerstands versucht wurde.

Ein weiteres Steuerverfahren besteht in der Manipulation bei der Herstellung des Widerstandsmaterials, nämlich dem Glühen der Materialien mit Temperatur oder andererseits in der Steuerung der Herstellung des Materials und dessen Niederschlag auf Substrate (im Falle von Dünnfilmwiderständen) während der Widerstand hergestellt wird. Derartige Prozessänderungen sind jedoch komplex, kostenaufwendig und können die gewünschten Ergebnisse nicht vorhersagbar und wiederholbar hervorbringen. Demzufolge kann irgendein bestimmter Widerstand, der unter Verwendung so verarbeiteter Materialien hergestellt wurde, dennoch verschiedenen Temperaturunzulänglichkeiten unterliegen, die danach nicht korrigiert werden können. Somit besteht ein langfristiges Bedürfnis für einen Widerstand, dessen Temperaturkoeffizient den absoluten Wert von 0 besitzt oder der nach Abschluß seiner Herstellung so abgeglichen werden kann, daß dieser im großen und ganzen einen Temperaturkoeffizienten von 0 aufweist.

Außerdem besteht im Hinblick auf Anordnungen von Widerständen, die als Widerstandsgruppen bezeichnet werden, ein Bedarf an einem Widerstand, dessen Temperaturkoeffizient nach der Herstellung eingestellt werden kann, um im Hinblick auf die Temperaturkoeffizienten der anderen Widerstände der Widerstandsgruppe eine Kompensierung oder Anpassung vornehmen zu können.

Bei einigen Widerstandsgruppen ist es nicht wesentlich, das alle Widerstände einen Temperaturkoeffizienten vom Absolutwert 0 oder von nahezu 0 aufweisen. Es ist wichtiger, daß bei Temperaturänderungen die Widerstandstemperaturkoeffizienten einander folgen oder die Widerstände parallel zu den Temperaturänderungen sich ändern. Diese wichtige Eigenschaft wird als Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizient bezeichnet, und oftmals als Differenz der Widerstandstemperaturkoeffizienten verschiedener Widerstände in der Widerstandsgruppe ausgedrückt.

Da diese Eigenschaft eine Differenz von Widerstandstemperaturkoeffizienten betrifft, wird diese ebenso in ppm/°C bzw. 10^-6/°C gemessen.

Es besteht seit langem ein Bedarf diesen Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizienten der Widerstandsgruppen zu minimieren. Insbesondere sollte der Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizient für Präzissionsgeräte auf 0 oder nahezu 0, d.h. unter 0,5×10^-6/°C minimiert werden.

Widerstände mit sehr hoher Präzession werden im allgemeinen hermetisch abgeschlossen, um die Abweichung der Widerstandstemperaturkoeffizientenwerte bzw. der Widerstandswerte infolge von Feuchtigkeit unter anderen Umgebungseinflüssen zu verringern. Diese hermetische Abdichtung macht jedoch eine Änderung des Widerstandstemperaturkoeffizienten oder des Widerstandswerts nach Abschluß der Herstellung der Widerstandsgruppe unmöglich. D.h. irgendein entgültiger Abgleich zum Verfeinern irgendeines Wertes ist physikalisch nicht möglich.

Es ist somit Aufgabe der Erfindung, einen Verbundwiderstand mit einem Widerstandstemperaturkoeffizienten von 0 zu schaffen sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung vorzuschlagen.

Die Lösung dieser Aufgabe ergibt sich anhand der Patentansprüche.

Die Erfindung sieht ein Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstands vor, der ist so zusammengesetzt werden kann, daß sich ein Widerstandstemperaturkoeffizient ergibt, der im großen und ganzen den Wert 0 aufweist, soweit dies zur Zeit mit der Fertigungsmeßgeräteausrüstung meßbar ist. Die Erfindung sieht außerdem ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundwiderstands vor, der so ausgestaltet werden kann, daß sich ein Widerstandstemperaturkoeffizient mit dem Absolutwert 0 ergibt.

Die Erfindung schlägt ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstandes mit einem Widerstandstemperaturkoeffizienten vor, der nach der Herstellung des Verbundwiderstands abgeglichen werden kann.

Die Erfindung sieht zudem ein Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstands zur Verwendung in einer Widerstandsgruppe vor, der zum Steuern des Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizienten der Widerstandsgruppe einstelltbar ist.

Die Erfindung schlägt ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstands vor, der einen vorbestimmten Widerstandswert und einen Widerstandstemperaturkoeffizienten mit dem Absolutwert 0 oder von nahezu 0 vor.

Die Erfindung sieht außerdem ein Verfahren zum Herstellen eines Verbund-Dünnfilmwiderstands zur Verwendung in einer Widerstandsgruppe vor, der nach Herstellung eingestellt oder getrimmt werden kann, um den Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizienten zu steuern.

Die Erfindung schlägt ferner einen Verbundwiderstand zur Verwendung in einer Widerstandsgruppe vor, der für die Widerstandsgruppe einen Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizienten vorsieht, der einen Absolutwert von 0 aufweist oder der nahezu 0 ist.

Im einzelnen sieht die Erfindung einen Verbundwiderstand vor, der einen Widerstandsabschnitt und einen Abgleichsabschnitt aufweist. Der Widerstandsabschnitt besteht aus einem Material, das einen hohen spezifischen Widerstand und einen niedrigen Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist. Der Abgleichsabschnitt besteht hingegen aus einem Material, das einen niedrigen spezifischen Widerstand und einen höheren Widerstandstemperaturkoeffizienten mit entgegengesetztem Wert im Vergleich zum Widerstandsmaterial aufweist. Nach der Herstellung wird der Abgleichsabschnitt mit Hilfe eines Laserbearbeitungsschritts beschnitten, wodurch der Gesamtwiderstand des Verbundwiderstands um einen vernachlässigbaren Wert erhöht und die Widerstandstemperaturkoeffizienten im großen und ganzen oder gänzlich aufgehoben werden können.

Die Erfindung sieht speziell einen Verbundwiderstand zur Verwendung in einer Widerstandsgruppe vor, bei dem der Abgleichsabschnitt durch Laserstrahlenbearbeitung beschnitten oder ausgestaltet wird, so daß der Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizient der Widerstandsgruppe absolut den Wert 0 oder in etwa den Wert 0 annimmt.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen

Fig. 1 einen erfindungsgemäß hergestellten Verbundwiderstand und

Fig. 2 einen Teil eines erfindungsgemäßen Dünnfilmwiderstands in einer aufgeschnittenen Perspektivansicht.

Wie aus Fig. 1 ersichtlich, ist auf einem Substrat 12 eine Widerstandsgruppe 10 befestigt. Das Substrat 12 kann aus Glas oder irgendeinem anderen Material bestehen. Vorzugsweise besteht das Substrat 12 jedoch aus Aluminium (Al₂O₃). Die Widerstandsgruppe 10 enthält zwei Verbundwiderstände 14 und 16. Die Eingänge und Ausgänge der Verbundwiderstände 14 und 16 stehen mit Anschlußleitungen 18, 20 und 22 in Verbindung, deren entfernte Enden in Anschlußfahnen 24, 26 bzw. 28 enden.

Der Verbundwiderstand 14 besteht aus zwei Widerstandsabschnitten bzw. -Teilen 30 und 32, die mittels Anschlußleitungen 31 bzw. 33 mit Abgleichsabschnitten 34 und 36 in Verbindung stehen.

Die Abgleichabschnitte 34 und 36 sind mit einer maschinell hergestellten Schnittfuge 38 versehen, die beim bevorzugten Ausführungsbeispiel mit Hilfe eines Laserstrahls erzeugt wird.

Der Verbundwiderstand 16, der zwischen den Anschlußleitungen 20 und 22 liegt, besteht aus einem Widerstandsabschnitt 40, der mittels einer Anschlußleitung 41 mit einem Abgleichsabschnitt 42 in Verbindung steht. In Fig. 1 weist der Abgleichsabschnitt 42 keine durch einen Laserstrahl erzeugte Schnittfuge auf.

Obwohl die Verbundwiderstände 14 und 16 verbunden dargestellt sind, ist dies nicht bei allen Widerstandsgruppen erforderlich. Einige Widerstandsgruppen bestehen aus einer großen Anzahl von unabhängigen Widerständen, die auf dem gleichen Substrat vorgesehen sind.

In Fig. 2 ist ferner ein Teil eines Dünnfilm-Verbundwiderstandes dargestellt, der entsprechend dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung hergestellt wurde. Wie für den betreffenden Fachmann bekannt, werden Dünnfilmwiderstände dadurch hergestellt, daß man das Widerstandsmaterial auf einem Substrat niederschlägt und anschließend mit Hilfe eines üblichen fotolithographischen Vorganges das unerwünschte Widerstandsmaterial entfernt.

Bei der vorliegenden Erfindung wird das Widerstandsmaterial 42 zuerst auf dem Substrat 12 niedergeschlagen. Anschließend wird auf die Oberseite des Widerstandsmaterials 42 das Abgleichsmaterial 44 abgeschieden. Dieser Prozess resultiert in einem Widerstandsmaterial 42, das durchgehend unter dem Abgleichsmaterial 44 zu liegen kommt. Es ist jedoch zu bemerken, daß weder die Reihenfolge der Abscheidung der Materialien, noch die Anzahl an Schichten über, unterhalb oder zwischen den Widerstands- und Abgleichsmaterialien kritisch ist, solange die Materialien leitend verbunden sind, um einen Verbundwiderstand vorzusehen, der einen einzigen zusammengesetzten Widerstandtemperaturkoeffizienten aufweist.

Nach den Abscheidungsvorgängen in Form eines Vakuumabscheideprozesses, eines chemischen Abscheideprozesses oder eines anderen Abscheideprozesses wird das Abgleichsmaterial 44 lichtempfindlich gemacht und dann teilweise weggeätzt, um Widerstandsmaterialbereiche freizusetzen. Anschließend wird teilweise das Widerstandsmaterial 42 entfernt, um nur die gewünschte Anordnung an Widerstandsmaterial 42 auf dem Substrat 12 zu belassen.

Diese Kombination aus Widerstandsmaterial 42 und Abgleichsmaterial 44 bildet den Verbundwiderstand 46. Ist der geeignete Gesamtaufbau des Widerstands 46 erreicht und sind die verschiedenen Anschlußleitungen und Anschlußfahnen vorgesehen, so wird eine laserlichtdurchlässige Abdeckung 48 über dem Verbundwiderstand 46 angeordnet und mit Hilfe einer hermetischen Dichtungsmasse 50 mit dem Substrat verbunden. Nach dem hermetischen Abdichten können an den Widerstandsanschlußfahnen externe Anschlußleitungen oder Leiterplatten befestigt werden. Diese hermetische Abdichtung verhindert im allgemeinen irgendwelche Änderungen der Widerstandswerte infolge von Umgebungseinflüssen, wie z.B. Feuchtigkeit oder in der Luft befindlichen Teilchen.

Obwohl der Gesamtaufbau der Widerstände vor der hermetischen Abdichtung durch Techniken, wie z.B. einer Abriebtrimmung, einer Hochdruckwasserstrahltrimmung usw. geändert werden kann, ist nach der hermetischen Abdichtung lediglich eine Lasertrimmung oder eine andere nicht-intrusive Trimmung möglich. Der Laserstrahl dringt durch die laserlichtdurchlässige Abdeckung 48 und erzeugt durch Materialverdampfung Schnittfugen 52 in dem Abgleichsmaterial 44 und in dem Widerstandsmaterial 42 bis hinab zum Substrat 12, ohne daß dabei die hermetische Abdichtung beeinträchtigt wird. Das verdampfte Material zeigt keine meßbaren Auswirkungen auf die hermetisch abgedichteten Widerstände.

Bei der Herstellung der in Fig. 1 gezeigten Widerstandsgruppe bestehen die Anschlußleitungen 18, 20, 22, 31, 33 und 41 aus einem gut leitenden Material, wie z.B. Gold oder Silber. Die Widerstandsabschnitte 30, 32 und 40 bestehen aus einem hochohmigen Material, wie z.B. Nickelchrom (Nichrom), Chromsilizid, Tantal oder Tantalnitrid. Diese Materialien sind im allgemeinen durch einen Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von +/-50×10^-6/°C gekennzeichnet. Nichrom in Standardwiderständen nimmt einen Bereich von +/-25×10^-6/°C ein. Beim bevorzugten Ausführungsbeispiel weisen die Dünnfilmwiderstände einen Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von 0 bis -30×10^-6/°C auf. Es sollte bemerkt werden, daß der Widerstandstemperaturkoeffizient über einen weiten Temperaturbereich im allgemeinen nicht linear ist, dieser jedoch so behandelt werden kann, als ob dieser einen einzigen Wert in den üblichen Temperaturbereichen aufweist, denen elektronische Präzissionsgeräte ausgesetzt werden.

Die Abgleichsabschnitte 34, 36 und 42 können aus einer Anzahl von niederohmigen Materialien, wie z.B. Nickel, Gold, Wolfram oder Silber hergestellt werden, die durch einen positiven Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von 500 bis 9000×10^-6/°C gekennzeichnet sind. Beim bevorzugten Ausführungsbeispiel bestehen die Abgleichsabschnitte 34, 36 und 42 aus Nickel, das einen Widerstandstemperaturkoeffizienten von etwa 5000×10^-6/°C aufweist.

Bei der Festlegung des Ausmaßes der einleitenden Ätzung, die für die Herstellung des Verbundwiderstands mit einem vorbestimmten Widerstandsnennwert erforderlich ist, werden die Widerstandsabschnitte 30 und 32 so geätzt, daß diese einen Widerstandswert ganz in der Nähe des gewünschten Widerstandsnennwerts des Verbundwiderstands 14 aufweisen. In gleicher Weise wird der Widerstandsabschnitt 40 so geätzt, daß dieser einen Widerstandswert nahe dem gewünschten Widerstandswert des Verbundwiderstands 16 aufweist. Wenn man den Verbundwiderstand in seiner einfachsten Form betrachtet, sowie er als Verbundwiderstand 16 wiedergegeben ist, so sollte vorzugsweise der gesamte Widerstandswert des Widerstandsabschnitts 40 zumindest 50% des entgültigen Widerstandsnennwerts des ganz fertiggestellten Verbundwiderstands 16 sein, und zwar ungeachtet irgendwelcher Prozeßsteuerprobleme.

Umgekehrt sieht der einleitend geätzte Abgleichsabschnitt 42 weniger als 0,5% des gewünschten, vorbestimmten Widerstandsnennwerts vor.

Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Widerstandsmaterial nach dem fotolithografischen Entfernungsprozessen auf 90% des Nennwerts mit Hilfe einer Laserstrahlbearbeitung gebracht. Dies wird als eine grobe Laserlichtbearbeitung bezeichnet, obwohl der gleiche Laser dazu verwendet werden kann, um die entgültigen präzisen Widerstands- und Temperaturkoeffizientenwerte zu erhalten.

Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß der Prozentsatz des gewünschten Widerstandsnennwerts, der durch das Widerstandsmaterial erreicht werden soll, ausgedrückt werden kann, als
[100 (abs TCR _a)/(abs TCR _a + abs TCR _r)]%,
wobei abs TCR _r den Absolutwert des Widerstandstemperaturkoeffizienten des Widerstandsmaterials und abs TCR _a den Absolutwert des Widerstandstemperaturkoeffizienten des Abgleichsmaterials darstellt. In ähnlicher Weise beträgt der Prozentsatz des vorbestimmten Widerstandsnennwerts für das Abgleichsmaterial
[100 (abs TCR _r)/(abs TCR _a + abs TCR _r)]%.

Bei der Herstellung eines Widerstands, wie z.B. des Verbundwiderstands 16 werden nach der einleitenden fotolithografischen Behandlung der Widerstandswert und der Widerstandstemperaturkoeffizient gemessen. Diese Messung würde anzeigen, daß der Widerstandswert primär von Nichrom im Widerstandsabschnitt 40 herrührt und daß der Widerstandstemperaturkoeffizient von Nickel in dem Abgleichsabschnitt 42 noch nicht 0 ist. Rührt der Widerstandswert nicht primär von Nichrom her und befindet sich dieser bei 90% des entgültigen Werts, so wird weiterhin eine grobe Laserstrahlbearbeitung durchgeführt, bis dies der Fall ist. Obwohl es möglich ist, daß der Widerstandstemperaturkoeffizient nach der fotolithografischen Verarbeitung 0 sein kann, ist dies höchst unwahrscheinlich.

Angenommen, es würde der Fall vorliegen, daß der Widerstandstemperaturkoeffizient im großen und ganzen nicht 0 ist, so müßte die Größe des Widerstandstemperaturkoeffizienten verringert werden. Dies kann dadurch bewerkstelligt werden, daß man den geometrischen Aufbau des Abgleichsabschnitts ändert. Betrachtet man den Verbundwiderstand 14 in Fig. 1, so ist ersichtlich, daß durch Verlängerung der Schnittfugen 38 der Widerstandswert der Abgleichsabschnitte 34 und 36 zunimmt. Da der Widerstandswert steigt, wird der Beitrag dieser Abschnitte zum Widerstandstemperaturkoeffizienten erhöht.

Betrachtet man den Widerstandswert, so kann die Änderung des geometrischen Aufbaus der Abgleichsabschnitte 34 und 36 bewirken, daß dessen Widerstandswert um einen Faktor 100 zunimmt. Jedoch ist es einleuchtend, daß der Absolutwert des Widerstands, der durch die Abgleichsabschnitte 34 und 36 beigetragen wird, im Vergleich zum gesamten Widerstandswert des Verbundwiderstands 14 relativ klein bleiben wird, da die Abgleichsabschnitte 34 und 36 zunächst extrem niedrige Widerstandswerte aufweisen.

Sobald die Widerstandswerte der Abgleichsabschnitte 34 und 36 jedoch steigen, tritt eine beachtliche Änderung der Beisteuerung des Widerstandstemperaturkoeffizienten der Abgleichsabschnitte 34 und 36 zum Widerstandstemperaturkoeffizienten des Verbundwiderstands 14 ein. Dies sollte den Widerstandstemperaturkoeffizienten des Verbundwiderstands 14 von

-30×10^-6/C° auf etwa 0 bis -3×10^-6/°C bringen.

Wie für den Fachmann ersichtlich, würde der Verbundwiderstand 14 einen äußerst geringfügig erhöhten Widerstandswert, jedoch einen Widerstandstemperaturkoeffizienten nahe bei 0 aufweisen.

Eine zweite Messung an dieser Stelle würde aufzeigen, daß eine weitere Laserstrahlbearbeitung der Abgleichsabschnitte 34 und 36 erforderlich wären, um den Widerstandstemperaturkoeffizienten weiter zu senken und um Präzessionsinstrumente mit einem Widerstandstemperaturkoeffizienten mit einem Wert von im wesentlichen 0 innerhalb +/-0,5×10^-6/°C zu erhalten, oder daß der Widerstandstemperaturkoeffizient in zu hohem Maße negativ oder zu positiv ist.

Diese Messungen und Laserstrahlbearbeitungen können alle unter Steuerung eines Computers ausgeführt werden, so daß Verbundwiderstände mit einem Widerstandstemperaturkoeffizienten von im wesentlichen 0 schnell und kostengünstig hergestellt werden können. Da die Bearbeitungsgenauigkeit der Lasertechnologie mehrfach höher als die Auflösungsfähigkeit selbst der besten Labormeßgeräte zur Messung des Widerstandstemperaturkoeffizienten ist, ist es wahrscheinlich, daß die Bearbeitungsgenauigkeit weiter gesteigert werden kann, so daß das erfindungsgemäße Verfahren verwendet werden kann, um Verbundwiderstände und Widerstandsgruppen herzustellen, die Widerstandstemperaturkoeffizienten und Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizienten mit einem Absolutwert von 0 sowie exakte Widerstände aufweisen.

Beispielsweise wurde der in Fig. 1 gezeigte Aufbau verwendet, um einen Verbundwiderstand herzustellen, der einen Widerstandsnennwert von 100 Ohm aufweist. Die Abgleichsabschnitte 34 und 36 wurden aus Nickel hergestellt, das einen spezifischen Widerstand von Flächeneinheit aufweist. Die Widerstandsabschnitte 30 und 32 wurden aus Nichrom hergestellt, das einen spezifischen Widerstand von geringfügig unter 100 Ohm/Flächeneinheit aufweist. Der Widerstandstemperaturkoeffizient von Nickel beträgt etwa +5000 ×10^-6/°C und der von Nichrom liegt zwischen -30×10^-6/°C und 0×10^-6/°C. Die Abmessungen der Abgleichsabschnitte 34 und 36 wurden so ausgewählt, daß diese vor der Präzessionslaserstrahlbearbeitung einen Widerstandswert von 0,05 Ohm aufweisen. Die Widerstandsabschnitte 30 und 32 wurden so ausgestaltet, daß diese einen Widerstandswert von 80 Ohm bei 0,75 Flächeneinheiten Nichrom aufweisen. Letztlich beträgt der spezifische Widerstand von Gold, das als Überzug für die Anschlußleitungen verwendet wurde 6×10^-3 Ohm/Flächeneinheit. Werden etwa 12 Flächeneinheiten Gold verwendet, so beträgt der Beitrag des Goldes zum Gesamtwiderstandswert, etwa 70×10^-3 Ohm.

Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wurden die Abgleichsabschnitte 34 und 36 so getrimmt, daß deren Konfiguration geändert und deren Anzahl an Flächeeinheiten von 0,5 auf etwa 6 gesteigert oder eine Änderung von etwa 12:1 hinsichtlich des Betrags des Nickels zum zusammengesetzten Widerstandswert vorgenommen wurde. Der Beitrag der Abgleichsabschnitte 34 und 36 zum zusammengesetzten Widerstandswert wird im Ergebnis von 0,05 Ohm auf 0,6 Ohm geändert, was immer noch einen sehr kleinen Teil des Gesamtwiderstands von 100 Ohm ausmacht. Die Zunahme des Widerstandsbeitrages wird jedoch von einer wesentlichen Zunahme des Beitrages der Abgleichsabschnitte 34 und 36 zum Gesamtwiderstandstemperaturkoeffizienten begleitet. Die Laserstrahlenbearbeitung bringt den zusammengesetzten Widerstandstemperaturkoeffizienten von -30×10^-6/°C auf -3×10^-6/°C.

Obwohl ein solcher zusammengesetzter Widerstandstemperaturkoeffizient sehr viel näher an einem Widerstandstemperaturkoeffizienten mit einem Absolutwert von 0 liegt, als dies bisher mit der Ausrüstung möglich war, wurde ein weiterer Schritt durchgeführt, bei dem der Laserstrahlbearbeitungsschritt für die Abgleichsabschnitte 34 und 36 wiederholt wurde, um den Widerstandstemperaturkoeffizienten noch weiter zu verbessern. Nach der zweiten Präzissionstrimmung mittels Laserstrahlbearbeitung ergaben sich bei wiederholter Überprüfung des Verbundwiderstands zusammengesetzte Widerstandstemperaturkoeffizientenwerte innerhalb +/- 0,5×10^-6 /°C. Der exakte Widerstandstemperaturkoeffizient konnte nicht bestimmt werden, daß dieser näher am Absolutwert von 0 lag, als dies mit den zu Messen von Widerstandstemperaturkoeffizienten verwendeten Meßgeräten hätte gemessen werden können.

Solange zusätzliche Widerstandswerte ohne Überschreitung des vorbestimmten Widerstandsnennwerts hinzugefügt werden können und falls eine zusätzliche Modifikation des Widerstandstemperaturkoeffizienten erwünscht ist, können weitere Trimmschritte mittels Laserbearbeitung übernommen werden.

Wie für den Fachmann bekannt, ist es oftmals wichtiger, daß alle Widerstände einer Widerstandsgruppe sich um den gleichen Prozentsatz über einen bestimmten Temperaturbereich ändern, als daß bestimmte Widerstände einen Widerstandstemperaturkoeffizienten von 0 aufweisen. Für diese Charakteristik der Widerstände mit parallelen Widerstandstemperaturkoeffizienten wird in der Industrie eine Vielzahl unterschiedlicher Bezeichnungen verwendet. Die am häufigsten verwendete Bezeichnung lautet Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizient, jedoch wird auch die Bezeichnung Widerstandstemperaturkoeffizienten-Gleichlauf oder Widerstandstemperaturkoeffizienten-Verhältnis verwendet. Der Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizient wird mathematisch als die Differenz zwischen den Widerstandstemperaturkoeffizienten verschiedener Widerstände beschrieben. Demzufolge wird der Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizient in 10^-6/°C ausgedrückt, also in der gleichen Einheit wie der Widerstandstemperaturkoeffizient.

Bei der Widerstandsgruppe 10 kann der Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizient der Verbundwiderstände 14 und 16 im wesentlichen auf 0, d. h. das ein Gleichlauf innerhalb 0,5×10^-6/°C gegeben ist, oder auf den Absolutwert von 0 eingestellt werden, indem der Aufbau der Abgleichsabschnitte 34 und 36 des Verbundwiderstands 14 gesteuert wird. Im wesentlichen wird der Widerstandstemperaturkoeffizient des Verbundwiderstands 14 so eingestellt, daß dieser an den Widerstandstemperaturkoeffizienten des Verbundwiderstands 16 angepaßt ist, obwohl der Widerstandtemperaturkoeffizient des Verbundwiderstands 16 sich über den Bereich von -100×10^-6/°C bis +100×10^-6/°C ändern kann. Solange der Verbundwiderstand 14 einen Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist, der gleich oder geringrt als der Widerstandstemperaturkoeffizienten des Widerstands ist, der, wie z.B. der Verbundwiderstand 16 vor der Einstellung auf 50×10^-6/°C (d.h. (TCR ₁- 50)×10^-6/°C, wobei TCR ₁ der anzupassende Widerstandstemperaturkoeffizient ist) angepaßt werden soll, kann der Widerstandstemperaturkoeffizient des Verbundwiderstands 14 mittels Konfigurationssteuerung der Abgleichsabschnitte 34 und 36 eingestellt werden, so daß dieser dem Widerstandstemperaturkoeffizienten des Verbundwiderstands 15 innerhalb 0,5×10^-6/°C angepaßt ist.

Was in anderer Hinsicht der Erfindung die Widerstandsgruppen betrifft, so kann der Prozentsatz des gewünschten Widerstandsnennwerts, der durch das Widerstandsmaterial des einzustellenden Verbundwiderstands erzielt werden sollte, als [100 (abs (TCR _a)/(abs TCR _a + abs (TCR _r-TCR₁))]%
ausgedrückt werden, wobei abs TCR _a der Absolutwert des Widerstandstemperaturkoeffizienten des Abgleichsmaterials des einzustellenden Verbundwiderstands und abs (TCR _r-TCR₁) der Absolutwert der Größe des Widerstandstemperaturkoeffizienten des Widerstandsmaterials des einzustellenden Verbundwiderstands abzüglich dem Widerstandstemperaturkoeffizienten des anderen Widerstandes in der Gruppe ist, gegenüber dem der Verbundwiderstand angepaßt werden soll. In ähnlicher Weise beträgt der Prozentsatz des vorbestimmten Nennwerts für das Abgleichsmaterial
[100 (abs TCR _r-TCR₁))/(abs TCR _a + abs (TCR _r-TCR₁))]%.

In gleicher Weise kann mit Hilfe der Erfindung der Verhältnis- Temperaturwiderstandskoeffizient eine Reihe von unabhängigen Widerständen auf einem Substrat auf einen Wert von nahezu oder absolut 0 eingestellt werden; d.h. ein Widerstand der Gruppe sollte mit einem positiveren Widerstandstemperaturkoeffizienten versehen werden und allen übrigen Widerstände zur Anpassung an den einen Widerstand exakt eingestellt werden.

Obwohl die Erfindung für Dickschichtwiderstandseinrichtungen, Dünnfilmwiderstandseinrichtungen, Bahnmetallwiderstandseinrichtungen und Polymerschichtwiderstandseinrichtungen Verwendung finden kann, ist zu berücksichtigen, daß die Umstände, unter denen der Verbraucher einen Widerstandstemperaturkoeffizienten oder einen Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizienten von nahezu oder Absolut 0 benötigt, nur bei der Verwendung von äußerst exakten elektronischen Präzissionsgeräten vorliegen. Im allgemeinen neigen Dünnfilm- und Bahnmetallprodukte dazu, stabiler und exakter als Dickfilm- oder Polymerfilmprodukte zu sein, da sie z.B. ein geringeres Rauschen aufweisen. Demzufolge ist es wahrscheinlicher, daß das erfindungsgemäße Verfahren und der erfindungsgemäße Verbundwiderstand bei Dünnfilm- und Bahnmetallanwendung Verwendung finden, obwohl bei Verbesserung der Materialien für Dünnfilm und Polymerfilme das Verfahren auch bei solchen Widerstandsgruppen zunehmend Anwendung finden kann.

Angesichts der vorstehend erörterten Prinzipien und Ergebnisse wird erwartet, daß das Abgleichsmaterial typischerweise einen großen Widerstandtemperaturkoeffizienten in entgegengesetzter Richtung zum Widerstandstemperaturkoeffizienten des Widerstandsmaterials aufweist. Ferner ist der spezifische Widerstand des Abgleichsmaterials typischerweise viel niedriger als der des Widerstandsmaterials, um einen beachtlichen Spielraum im Hinblick auf das Ausmaß der Änderung der geometrischen Konfiguration des Abgleichsabschnitts vorzusehen, so daß eine minimale Auswirkung auf den zusammengesetzten Widerstand, jedoch eine wesentliche Auswirkung auf den zusammengesetzten Widerstandstemperaturkoeffizienten vorliegt. Falls erforderlich, erwägt die vorliegende Erfindung eine Lasertrimmung der Anschlußleitungen und Anschlußfahnen, um den gewünschten Widerstandstemperaturkoeffizienten und die gewünschten Widerstandswerte zu erhalten.

Es ist ferner zu bemerken, daß der hermetische Abschluß der Widerstandsgruppe ein äußerst stabiles Widerstandsgehäuse vorsieht und die Lasertrimmung nach der Herstellung einer äußerst exakten Widerstandsgruppe mit gesteuertem Temperaturkennwerten ermöglicht.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstands, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

- man stellt einen ersten Abschnitt des Verbundwiderstands mit einem ersten Widerstandswert und einem ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten her,
- man stellt einen zweiten Abschnitt des Verbundwiderstands mit einem zweiten Widerstandswert und einem zweiten Widerstandstemperaturkoeffizienten her, wobei sich der zweite Widerstandswert vom ersten Widerstandswert unterscheidet und der zweite Widerstandstemperaturkoeffizient sich vom ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten unterscheidet und dessen Richtung entgegengesetzt zum ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten ist, und
- man entfernt Teile eines der Abschnitte bis der zusammengesetzte Widerstandstemperaturkoeffizient des ersten und zweiten Abschnitts im wesentlichen 0 ist.

2. Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstands, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

- man stellt einen ersten Abschnitt des Verbundwiderstandes mit einem ersten Widerstandswert und einem ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten her,
- man stellt einen zweiten Abschnitt des Verbundmaterials mit einem sich vom ersten Widerstandswert unterscheidenden zweiten Widerstandswert und mit einem sich vom ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten unterscheidenden zweiten Widerstandstemperaturkoeffizienten her, dessen Richtung entgegengesetzt zum ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten ist,
- man entfernt Teile des zweiten Abschnitts, bis der zusammengesetzte Widerstandstemperaturkoeffizient des ersten und zweiten Abschnitts geringfügig über 0 liegt und
- man entfernt Teile des ersten Abschnitts, bis der zusammengesetzte Widerstandstemperaturkoeffizient des ersten und zweiten Abschnitts im wesentlichen 0 ist.

3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß man den ersten und zweiten Abschnitt hermetisch abdichtet und daß man nach der hermetischen Abdichtung Teile des ersten und zweiten Abschnitts entfernt.

4. Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstands, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

- man schlägt ein Widerstandsmaterial auf einem Substrat nieder,
- man schlägt ein Material mit niedrigerem Widerstand auf dem Widerstandsmaterial nieder,
- man entfernt einen Teil des einen niedrigeren Widerstand aufweisenden Materials unter Ausbildung eines Abgleichsabschnitts, der einen ersten Widerstandswert und einen ersten positiven Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist,
- man entfernt einen Teil des Widerstandsmaterials unter Ausbildung eines Widerstandsabschnitts, der mit dem Abgleichsabschnitt verbunden ist und einen Widerstandswert, der im wesentlichen größer als der erste Widerstandswert ist, sowie einen negativen Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist, der im wesentlichen kleiner als der erste positive Widerstandstemperaturkoeffizient ist,
- man mißt den Widerstandstemperaturkoeffizienten des Verbundwiderstands und
- man entfernt Teile eines der Widerstandsmaterialien, bis der Widerstandstemperaturkoeffizient des Verbundwiderstands im wesentlichen den Wert 0 annimmt.

5. Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstands, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

- man schlägt ein Widerstandsmaterial auf einem Substrat nieder,
- man schlägt ein Material mit niedrigerem Widerstand auf dem Widerstandsmaterial nieder,
- man entfernt einen Teil des einen niedrigeren Widerstand aufweisenden Materials unter Ausbildung eines Abgleichsabschnitts, der einen ersten Widerstandswert und einen ersten positiven Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist,
- man entfernt einen Teil des Widerstandsmaterials unter Ausbildung erster und zweiter Widerstandsabschnitte, wobei zumindest ein Widerstandsabschnitt mit dem Abgleichsabschnitt verbunden ist und wobei der eine der Widerstandsabschnitte einen Widerstandswert, der im wesentlichen größer als der erste Widerstandswert ist, und einen negativen Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist, der im wesentlichen kleiner als der erste positive Widerstandstemperaturkoeffizient ist,
- man mißt den Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizienten zwischen einem der Widerstandsabschnitte und dem Abgleichsabschnitt und den anderen der Widerstandsabschnitte,
- man entfernt Teile des Materials mit niedrigerem Widerstand und
- man wiederholt die Meß- und Entfernungsschritte, bis der Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizient im wesentlichen 0 ist.

6. Verfahren nach den Ansprüche 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß man vor der Messung der Widerstandstemperaturkoeffizienten die Abgleichs- und Widerstandsabschnitte hermetisch abdichtet und daß man nach dem Messen der Widerstandstemperaturkoeffizienten Teile mittels eines Laser entfernt.

7. Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstands, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

- man schlägt ein Dünnfilmmaterial mit einem höheren Widerstandswert auf einem Substrat nieder,
- man schlägt ein Dünnfilmmaterial mit einem niedrigeren Widerstandswert auf dem Material mit dem höheren Widerstandswert nieder,
- man entfernt einen Teil des Materials mit niedrigerem Widerstandswert unter Ausbildung eines Abgleichsabschnitts, der einen ersten Widerstandswert und einen ersten positiven Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist,
- man entfernt einen Teil des Materials mit höherem Widerstandswert unter Ausbildung eines Widerstandsabschnitts, der mit dem Abgleichsabschnitt in Verbindung steht, zumindest teilweise unter dem Abgleichsabschnitt liegt und einen zweiten Widerstandswert, der im wesentlichen größer als der erste Widerstandswert ist, und einen zweiten negativen Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist, der im wesentlichen kleiner als der erste positive Widerstandstemperaturkoeffizient ist,
- man mißt den Widerstandstemperaturkoeffizienten der Widerstands- und Abgleichsabschnitte,
- man entfernt Teile der Materialien mit niedrigem Widerstand und
- man wiederholt die Meß- und Entfernungsschritte bis der Widerstandstemperaturkoeffizient im Bereich von +/- 0,5×10^-6/°C liegt.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß man die Meß- und Entfernungsschritte wiederholt, bis der Widerstandtemperaturkoeffizient den absoluten Wert 0 erreicht.

9. Verfahren zum Herstellen eines Verbundwiderstands mit einem vorbestimmten Widerstandswert, gekennzeichnet durch folgende Verfahrenschritte:

- man schlägt ein Dünnfilmmaterial mit einem höheren Widerstandswert auf einem Substrat nieder,
- man schlägt ein Dünnfilmmaterial mit einem niedrigeren Widerstandswert auf dem Material mit höherem Widerstandswert nieder,
- man entfernt einen Teil des Materials mit niedrigerem Widerstandswert unter Ausbildung eines Abgleichsabschnitts, der einen Widerstand von
[100 (abs TCR _r)/(abs TCR _a + abs TCR _r)]%
des vorbestimmten Widerstandswerts und einen Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von
500 × 10^-6/°C bis 9000 × 10^-6/°C
aufweist,
- man entfernt einen Teil des Materials mit höherem Widerstandswert unter Ausbildung eines ersten und zweiten Widerstandsabschnitts, wobei der erste Widerstandsabschnitt mit dem darüberliegenden Abgleichsabschnitt verbunden ist und einen Widerstand von
[100 (abs TCR _a)/(abs TCR _a + abs TCR _r)]%
des vorbestimmten Widerstandswerts und einen Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von
- 100 × 10^-6/°C bis 100 × 10^-6/°C
aufweist, wobei der Wert abs TCR _a der absolute Widerstandstemperaturkoeffizient des Abgleichsabschnitts und abs TCR _r der absolute Widerstandstemperaturkoeffizient des ersten Widerstandsabschnitts darstellt,
- man mißt den Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizienten zwischen dem ersten Widerstandsabschnitt und dem Abgleichsabschnitt und dem zweiten Widerstandsabschnitt und
- man wiederholt die Meß- und Entfernungsschritte, bis der Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizient kleiner als 0,5×10^-6/°C ist.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß man die Meß- und Entfernungsschritte wiederholt, bis der Verhältnis-Temperaturkoeffizient den absoluten Wert 0 aufweist.

11. Verfahren nach den Ansprüchen 7 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß man vor dem Meßschritt die Abgleichs- und Widerstandsabschnitte unter einer laserdurchlässigen Abdeckung hermetisch abdichtet und daß man nach dem Meßschritt Teile mittels eines Lasers entfernt, ohne dabei die hermetische Abdichtung zu beeinträchtigen.

12. Verbundwiderstand, gekennzeichnet durch

- einen ersten Abschnitt (30; 32; 40) mit einem ersten Widerstandswert und einem ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten und
- einen zweiten Abschnitt (34; 36; 42), der mit dem ersten Abschnitt verbunden ist und einen zweiten Widerstandswert und einen zweiten Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist, wobei sich der erste Widerstandswert von dem zweiten Widerstandswert unterscheidet und wobei der zweite Widerstandstemperaturkoeffizient sich vom ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten unterscheidet und in entgegengesetzter Richtung zum ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten verläuft, wobei zumindest einer der Abschnitte so ausgestaltet ist, daß dieser einen Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist, der im wesentlichen die Widerstandstemperaturkoeffizienten der anderen Abschnitte auslöscht, um für den Verbundwiderstand einen zusammengesetzten Widerstandstemperaturkoeffizienten mit einem Wert von im wesentlichen 0 vorzusehen.

13. Verbundwiderstand für ein Widerstandssystem mit einem ersten Widerstand, der einen vorbestimmten Widerstandswert und eine vorbestimmten Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist, gekennzeichnet durch,

- einen ersten Abschnitt (30; 32; 40) mit einem ersten Widerstandswert und einem ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten und
- einen zweiten Abschnitt (34; 36; 42) mit einem zweiten Widerstandswert und einem zweiten Widerstandstemperaturkoeffizienten, wobei der erste Widerstandswert im wesentlichen größer als der zweite Widerstandswert und der zweite Widerstandstemperaturkoeffizient im wesentlichen größer als der erste Widerstandstemperaturkoeffizient ist und in entgegengesetzter Richtung zum ersten Widerstandstemperaturkoeffizienten verläuft, wobei zumindest einer der Abschnitte so ausgebildet ist, daß der Widerstandstemperaturkoeffizient des Verbundwiderstands dem vorbestimmten Widerstandstemperaturkoeffizienten des ersten Widerstands folgt, um einen Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizienten von im wesentlichen 0 zwischen dem ersten Widerstand und dem Verbundwiderstand vorzusehen.

14. Verbundwiderstand nach den Ansprüchen 12 und 13, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Abschnitt (30; 32; 40) einen positiven Widerstandstemperaturkoeffizienten und der zweite Abschnitt (34; 36; 42) einen negativen Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist.

15. Verbundwiderstand nach den Ansprüchen 12 und 13, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einrichtung (48, 50) zum hermetischen Abdecken des ersten und zweiten Abschnitts vorgesehen ist und daß der zweite Abschnitt Mittel (52) zum Einstellen des Widerstandstemperaturkoeffizienten des ersten und zweiten Abschnitts ohne Beeinträchtigung der hermetischen Abdichtung aufweist.

16. Verbundwiderstand mit einem vorbestimmten Widerstandswert, gekennzeichnet durch

- einen ersten Abschnitt mit einem Widerstandswert von zumindest 50% des vorbestimmten Widerstandswerts und mit einem Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von
-50×10^-6/°C bis 0×10^-6/°C und
- einen zweiten Abschnitt, der mit dem ersten Abschnitt verbunden ist und einen Widerstandswert im Bereich von 0 bis 10% des vorbestimmten Widerstandswerts sowie einen Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von 500×10^-6/°C bis 9000×10^-6/°C aufweist, um einen zusammengesetzten Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von -0,5×10^-6/°C bis 0,5×10^-6/°C für den Verbundwiderstand vorzusehen.

17. Verbundwiderstand nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Abschnitt so ausgestaltet ist, daß dieser einen zusammengesetzten Widerstandstemperaturkoeffizienten von 0 vorsieht.

18. Verbundwiderstand mit einem vorbestimmten Widerstandswert, der in einer Widerstandsgruppe (10) vorgesehen ist, die einen ersten Widerstand mit einem vorbestimmten Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist, gekennzeichnet durch,

- einen ersten Abschnitt mit einem Widerstandswert von zumindest 50% des vorbestimmten Widerstandswerts und einem Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von
-50×10^-6/°C bis 0×10^-6/°C und
- einen zweiten Abschnitt mit einem Widerstandswert im Bereich von 0 bis 10% des vorbestimmten Widerstandswertes und einem Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von 500×10^-6/°C bis 9000×10^-6/°C, so daß der Widerstandstemperaturkoeffizient des Verbundwiderstands an den vorbestimmten Widerstandstemperaturkoeffizienten des ersten Widerstands angepaßt ist, um einen Verhältnis- Widerstandstemperaturkoeffizienten von 0,5×10^-6/°C zwischen dem ersten Widerstand und dem Verbundwiderstand vorzusehen.

19. Verbundwiderstand nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Abschnitt so ausgestaltet ist, daß dieser einen Widerstandstemperaturkoeffizienten von 0 vorsieht.

20. Verbundwiderstand nach den Ansprüchen 16 und 18, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat (12) vorgesehen ist, auf dem der erste und zweite Abschnitt vorgesehen ist, und daß über den Abschnitten eine laserlichtdurchlässige Abdeckung (48) angeordnet ist, die die Abschnitte zwischen der Abdeckung (48) und dem Substrat (12) hermetisch abdichtet, wobei der zweite Abschnitt einen Einstellbereich aufweist, der durch die Abdeckung hindurch mittels eines Lasers bearbeitet werden kann, um Bereiche des zweiten Abschnitts zur Änderung des Widerstandswerts und des Widerstandstemperaturkoeffizienten des Verbundwiderstands zu entfernen.

21. Dünnfilmverbundwiderstand mit einem vorbestimmten Widerstandswert, gekennzeichnet durch

- einen Dünnfilmwiderstandsabschnitt mit einem Widerstandswert von
[100 (abs TCR _a)/(abs TCR _a + abs TCR _r)]%
des vorbestimmten Widerstandswertes und einem Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von
- 50 × 10^-6/°C bis 0 × 10^-6/°C und
- einen mit dem Widerstandsabschnitt verbundenen Dünnfilmabgleichsabschnitt, der einen Widerstandswert von
[100 (abs TCR _r)/(abs TCR _a + abs TCR _r)]%
des vorbestimmten Widerstandswerts und einem Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von
500 × 10^-6/-°C bis 9000 × 10^-6/°C
aufweist, um einen zusammengesetzten Widerstandstemperaturkoeffizienten des ersten und zweiten Abschnitts im Bereich von
0,5 × 10^-6/°C bis 0,5 × 10^-6/°C
vorzusehen, wobei abs TCR _a den absoluten Widerstandstemperaturkoeffizienten des Abgleichsabschnitts und abs TCR _r den absoluten Widerstandstemperaturkoeffizienten des Widerstandsabschnitts darstellt.

22. Dünnfilmverbundwiderstand nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß der Dünnfilmabgleichsabschnitt so ausgestaltet ist, daß dieser einen zusammengesetzten Widerstandstemperaturkoeffizienten mit dem Absolutwert 0 vorsieht.

23. Verbundwiderstand mit einem zweiten vorbestimmten Widerstandswert, der in einer Widerstandsgruppe mit einem ersten Widerstand angeordnet ist, der einen ersten Widerstandswert und einen vorbestimmten Widerstandstemperaturkoeffizienten aufweist, gekennzeichnet durch

- einen Widerstandsabschnitt mit einem Widerstandswert von
[100 (abs TCR _a)/(abs TCR _a + abs (TCR _r-TCR₁))]%
des zweiten vorbestimmten Widerstandswerts und einem Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von
(TSC₁-50) × 10^-6/°C bis TCR₁ und
- einen Abgleichsabschnitt mit einem Widerstandswert von
[100 (abs (TCR _r-TCR₁))/(abs TCR _a + abs (TCR _r-TSR₁))]%
des zweiten vorbestimmten Widerstandswerts und einem Widerstandstemperaturkoeffizienten im Bereich von
500 × 10^-6/°C bis 9000 × 10^-6/°C,
so daß der Widerstandstemperaturkoeffizient des Verbundwiderstands an den vorstimmten Widerstandstemperaturkoeffizienten des ersten Widerstands angepaßt ist, um einen Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizienten zwischen dem ersten Widerstand und dem Verbundwiderstand vorzusehen, der nicht mehr als 0,5 × 10^-6/°C beträgt, wobei abs (TCR _r-TCR₁) den Absolutwert der Größe des Widerstandskoeffizienten des Widerstandsabschnitts abzüglich des Widerstandstemperaturkoeffizienten des ersten Widerstands und abs TCR _a den Absolutwert des Widerstandstemperaturkoeffizienten des Abgleichsabschnitts darstellt.

24. Verbundwiderstand nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Abgleichsabschnitt so gestaltet ist, daß zwischen dem ersten Widerstand und dem Verbundwiderstand ein Verhältnis-Widerstandstemperaturkoeffizient mit dem Absolutwert von 0 vorgesehen ist.