JPH04164301A - 膜抵抗のトリミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、膜抵抗のトリミング方法に関するものである
。

従来の技術 近年、電子機器の「軽薄短小」化にともない抵抗素子の
小型化、高精度化の要求が高まシっつある。これらの抵
抗素子は、一般にアルミナ基板上に導体膜及び抵抗膜等
を厚膜もしくは薄膜材料で形成したものである。特にス
パッタ法や蒸着法によ多形成された薄膜抵抗体は、一般
的に厚膜抵抗体に比べて高精度である。しかし、薄膜抵
抗体は真空装置を用いて形成するため、量産性に乏しく
コスト高となシ易い。

そこで近年、スクリーン印刷した後焼成することによっ
て、薄膜抵抗体を形成できる金属有機物ペーストの開発
が盛んに行われている。しかし、金属有機物材料を抵抗
体に応用した例は数多く報告されているが、比抵抗が低
いためチップ抵抗器等に応用する場合、高抵抗化が難し
く実用化に至っていないのが現状である。また、前記の
問題を解決する方法として、抵抗膜のサーペンタインカ
ットによる高倍率トリミング方法が考えられ高抵抗化が
試みられている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、以下のような問題点もある。まず印刷ス
クリーンの網線および印刷状態（印刷にじみ）により、
第３図に示すように抵抗膜エツジが直線にならず抵抗膜
幅Ｗの長さが印刷マヌク寸法とならなかったシ、また、
第４図に示すように抵抗印刷時に、抵抗膜の位置ズレが
生じることがあった。ここで、第３図から第６図におい
て２１は抵抗膜、２２は電極である。

よってレーザー１−　ＩＪミング装置の位置精度と絶縁
性基板上の抵抗パターン位置精度が等しくなシ、トリミ
ングを繰シ返し行うことにより、印刷ズレによるレーザ
ートリミング溝の切込み量が変わり、その結果抵抗膜２
１の残９幅にバラつきが生じる。

このような原因で第６図に示すように、抵抗膜２１の残
シ幅の狭いものが発生する。この抵抗膜の残シ幅が狭い
部分Ｃは、他の部分に比べ抵抗値が急激に高くなってお
シ、過負荷時にホットスポットとなシ断線に至る。また
、第６図に示すように隣接するトリミング溝の終端部が
近接しているような部分りも生じることがあり、この場
合もまた他の部分に比べ抵抗値が急激に高くなシ、過負
荷時にホットスポットとなシ断線に至る。実際に短時間
過負荷試験を行った場合、第１表に示すように抵抗体の
抵抗値変化率が大きく一短時間過負荷特性の改善が必要
であるといった課題があった。

（以下余白） 第　　　１　　　　表 本発明は、上記のような課題を解決するもので、従来の
問題点を排除し、急激に抵抗値の高まるホットスポット
のない膜抵抗のトリミング方法を提供することを目的と
するものである。

課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明の膜抵抗のトリミング
方法は、絶縁性基板上に設けた一対の電極とこの電極に
接続するように設けられた抵抗膜とこの抵抗膜を覆う保
護層とを備えた抵抗体において、前記抵抗膜両端部に一
対の電極を結ぶように２本の形状トリミング溝を形成す
ることで、前記抵抗膜を同一幅の規定形状にした後、前
記抵抗膜の端部から前記形状トリミング溝の一方に交差
するようにかつ前記各形状トリミング溝側から交互に３
本以上の抵抗値トリミング溝を形成することにより抵抗
値調整を行い、かつ前記抵抗値トリミング溝の内、隣接
する少なくとも２本の抵抗値トリミング溝間の第１の間
隔と、その抵抗値トリミング溝の終端から交差しない側
の形状トリミング溝までの第２の間隔とをほぼ同じ長さ
とし、さらにその第１２第２の間隔を、全ての抵抗値ト
リミング溝間の間隔及び抵抗値トリミング溝の終端から
交差しない側の形状トリミング溝までの間隔の中で最小
長さとなるように構成したものである。

作用 本発明によれば、トリミング溝間隔と抵抗膜エツジを等
しくし、急激に抵抗値が高まる部分が形成されずホット
スポットとなる部分をなくして耐電力（短時間過負荷特
性）を改善できる。

実施例 本発明の一実施例について第１図、第２図の図面を用い
て説明する。第２図に示す膜抵抗は、９６アルミナ基板
１１上のアンダーグレーズ層１２と、アンダーグレーズ
層１２の一部に重なりムｇＰｄを主成分とする一対の電
極層１３と、この電極層１３の一部に重なりアンダーグ
レーズ層１２上に設けられた金属有機物からなる抵抗膜
層１４と、抵抗膜層１４を覆うオーバーグレーズ層１５
とから構成されている。オーバーグレーズ層１６形成後
の抵抗膜１４の面積抵抗値は約７０００７口であシ、抵
抗膜の長さＬば０．６閣、幅Ｗは０．７順である。そし
て抵抗値の初期値は６０ＱΩで所望の抵抗値は６にΩで
あシ、抵抗値調整はレーザートリミング法により実施し
た。レーザーはＹＡＧレーザーを使用し、パワー０．３
５Ｗ、ＱＶ−）１６ＫＨｚ、スピード１ｏｏｒｔｒｒｎ
／ｓで行った。

次に第１図を用いて本発明の膜抵抗のトリミング方法を
説明すると、抵抗膜１４の長手［有］）方向の両端部に
抵抗膜の幅（イ）方向の左右から０．１　ｒｒｒｍの間
隔をおいて２本の形状トリミング溝１６１Ｌ　ｔ　１６
１）を入れる。これは、抵抗膜を規定形状にするためと
サーペンタインカットの位置精度を上げるために行う。

次に長さ０．５１１１１の抵抗値トリミング溝１７１Ｌ
を形状トリミング溝１６１Ｌ側の抵抗膜１４の端部から
施し、形状トリミング溝１６ｂには交差させない。そし
て抵抗値トリミング溝１７１Ｌの終端と形状トリミング
溝１６ｂとの距離すなわちこのときの抵抗膜１４の残Ｊ
）４ｊＢ１は０．１　ｍとなるようにする。その後第２
木目の抵抗値トリミング溝１７ｂを形状トリミング溝１
６ｂ側の抵抗膜１４の端部から長さ０．５■施し、形状
トリミング溝１６１Ｌには交差させない。そして抵抗値
トリミング溝１７ｂの終端と形状トリミング溝１６１Ｌ
との距離すなわち残ＪＪｉＢ２は、０．１　ＩＩＩ＋と
なるようにする。ここで、抵抗値トリミング溝１７１Ｌ
と１７ｂとの間隔ム１は、前記残シ幅Ｂ１νＢ２と等し
く　０．１　ｍとなるようにする。さらに抵抗値トリミ
ング溝１７０を形状トリミング溝１６＆側の抵抗膜１４
の端部から長さ０．５ｍ施し、形状トリミング溝１６ｂ
には交差させない。そして抵抗値トリミング溝１７ｃの
終端と形状トリミング溝１６ｂとの距離すなわちこのと
きの抵抗膜１４の残シ幅Ｂ３は０．１団となるようにす
る。ここで、抵抗値トリミング溝１７ｂと１７０との間
隔ム２は、前記抵抗値トリミング溝間隔ム１および前記
残シ幅Ｂ１．Ｂ２．Ｂ３と等しく　０．１　ｔｒｔｎに
する。

さらに抵抗トリミングｌ１１１７ｄ、１７ｅを施してい
く。これらは抵抗値トリミング溝１７　＆　＋　１７ｂ
　１１７０と同様に各形状トリミング溝１６１Ｌ、１６
ｂ両側から交互に形成していくが、抵抗値トリミング溝
１７ｄは形状トリミング溝１６ｂ側の抵抗膜１４の端部
から長さ０．５　＋ｅｎ以下で施し、かつ、抵抗値トリ
ミング溝１７ｄの終端と形状トリミング溝１６１Ｌとの
距離すなわちこのときの抵抗膜１４の残ｐ＠Ｂ４は０．
１１１１１１ｆｉ以上となるようにし、抵抗値トリミン
グ溝１７１５も形状トリミング溝１６！Ｌ側の抵抗膜１
４の端部から長さ０．６ｒｔａｎ以下となるようにする
。そして抵抗値トリミング溝１７６の終端と形状トリミ
ング溝１６ｂとの距離すなわちこのときの抵抗膜１４の
残シ幅Ｂ６は０．１　ｒａｎ以上となるようにする。こ
こで、抵抗値トリミング溝１７０と１７ｄとの間隔ム３
．１７ｄと１７６との間隔ム４は、前記抵抗値トリミン
グ溝間隔ム１゜ム２および前記残り幅８１１　Ｂ２１　
Ｂ３の長さ（０，１−）と等しいか大きくなるようにす
る。ただし、ム１．ム２．Ｂ１．Ｂ２．Ｂ３の長さは±
１０％以内での誤差であれば問題はなく、略等しいもの
とみなす。

本実施例のトリミング方法によれば、抵抗膜１４の残９
幅が狭くなシすぎたシ、トリミング溝の終端部と抵抗膜
１４の両端部との距離が狭くなシすぎたシすることがな
くなり、急激に抵抗値が高まる部分がなくなる。これに
よシホットヌポットとなる部分をなくし断線を防止した
ものである。

そして短時間過負荷特性において第２表のように抵抗値
変化率が小さく非常に優れたものとなる。

また、このトリミング方法は薄膜抵抗体に限定するもの
ではなく、厚膜抵抗体等のその他の膜抵抗にも応用でき
る。

（以下余白） 第　　　２　　　表 発明の効果 以上の説明で明らかなように、本発明のトリミング方法
によれば、トリミング溝間隔と抵抗膜の幅を等しくした
ことにより、急激に抵抗値が高まる部分が形成されずホ
ットスポットとなる部分をなくして耐電力（短時間過負
荷特性）を改善できるという優れた効果を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による膜抵抗のトリミング方
法を示す平面図、第２図は本発明の一実施例による膜抵
抗を示す断面図、第３図、第４図は従来の抵抗体を示す
平面図、第６図、第６図は従来の抵抗体のトリミング方
法を示す平面図である。 １１・・・・・・９６アルミナ基板、１２・・・・・・
アンダーグレーズ層、１３・・・・・・電極層、１４・
・・・・・抵抗膜層、１６・・・・・・オーバーグレー
ズ層、１６１Ｌ、１６ｂ・・・・・・形状トリミング溝
、１７１Ｌ、１７ｂ、１７０゜１７１１．１７ｅ・・・
・・・抵抗値トリミング溝。 代理人の氏名　弁理士　小鍜治　明　ほか２名実 □ １６ａβ６ｂ−−一形状トリミング溝 第２図 第４図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性基板上に設けた一対の電極と、この電極に
   接続するように設けられた抵抗膜とを備えた抵抗体にお
   いて、前記抵抗膜両端部に一対の電極を結ぶように２本
   の形状トリミング溝を形成することで、前記抵抗膜を同
   一幅の規定形状にした後、前記抵抗膜の端部から前記形
   状トリミング溝の一方に交差するようにかつ前記各形状
   トリミング溝側から交互に３本以上の抵抗値トリミング
   溝を形成することにより抵抗値調整を行い、かつ前記抵
   抗値トリミング溝の内、隣接する少なくとも２本の抵抗
   値トリミング溝間の第１の間隔と、その抵抗値トリミン
   グ溝の終端から交差しない側の形状トリミング溝までの
   第２の間隔とをほぼ同じ長さとし、さらにその第１，第
   ２の間隔を、全ての抵抗値トリミング溝間の間隔及び抵
   抗値トリミング溝の終端から交差しない側の形状トリミ
   ング溝までの間隔の中で最小長さとなるように構成した
   膜抵抗のトリミング方法。
2. （２）抵抗膜が薄膜抵抗膜で、保護層を破壊することな
   く抵抗膜のレーザートリミングを行うことを特徴とする
   請求項１記載の膜抵抗のトリミング方法。