JPH09190902A - チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 - Google Patents
チップ型抵抗器の構造及びその製造方法Info
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- JPH09190902A JPH09190902A JP8002152A JP215296A JPH09190902A JP H09190902 A JPH09190902 A JP H09190902A JP 8002152 A JP8002152 A JP 8002152A JP 215296 A JP215296 A JP 215296A JP H09190902 A JPH09190902 A JP H09190902A
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- H01C3/00—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 上面に抵抗膜を形成したチップ型絶縁基板の
左右両端部に、前記抵抗膜に導通するように形成した主
上面電極１３ａと、この主上面電極の上面に厚く形成し
た補助上面電極１３ｂと、絶縁基板の端面に形成した側
面電極１３ｃと、これら補助上面電極及び側面電極の表
面に形成した金属メッキ層１３ｄとで構成した端子電極
１３を形成して成るチップ型抵抗器において、前記抵抗
膜の抵抗値が、前記補助上面電極１３ｂを設けたために
変化することを防止する。 【手段】 前記各端子電極１３における補助上面電極１
３ｂに、主上面電極１３ａの一部が露出する部分を設け
て、この露出部分における主上面電極１３ａの表面に
も、前記金属メッキ層１３ｄを形成する。
左右両端部に、前記抵抗膜に導通するように形成した主
上面電極１３ａと、この主上面電極の上面に厚く形成し
た補助上面電極１３ｂと、絶縁基板の端面に形成した側
面電極１３ｃと、これら補助上面電極及び側面電極の表
面に形成した金属メッキ層１３ｄとで構成した端子電極
１３を形成して成るチップ型抵抗器において、前記抵抗
膜の抵抗値が、前記補助上面電極１３ｂを設けたために
変化することを防止する。 【手段】 前記各端子電極１３における補助上面電極１
３ｂに、主上面電極１３ａの一部が露出する部分を設け
て、この露出部分における主上面電極１３ａの表面に
も、前記金属メッキ層１３ｄを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型の絶縁基
板に、抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して
成るチップ型の抵抗器において、その構造と製造方法と
に関するものである。
板に、抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して
成るチップ型の抵抗器において、その構造と製造方法と
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来におけるチップ型抵抗器は、例え
ば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されている
ように、チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を
覆うカバーコートが、前記抵抗膜の両端に対する端子電
極の表面により可成り突出し、カバーコートの上面と端
子電極の上面の間の段差が大きいと言う形状であったか
ら、このチップ型抵抗器を、真空吸着式のコレットにて
吸着するときに吸着ミス又は落下することが多発すると
か、或いは、このチップ型抵抗器を、その抵抗膜側を下
向きにした状態でプリント基板に半田付け実装するとき
に、片側が浮き上がる等の問題があった。
ば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されている
ように、チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を
覆うカバーコートが、前記抵抗膜の両端に対する端子電
極の表面により可成り突出し、カバーコートの上面と端
子電極の上面の間の段差が大きいと言う形状であったか
ら、このチップ型抵抗器を、真空吸着式のコレットにて
吸着するときに吸着ミス又は落下することが多発すると
か、或いは、このチップ型抵抗器を、その抵抗膜側を下
向きにした状態でプリント基板に半田付け実装するとき
に、片側が浮き上がる等の問題があった。
【０００３】そこで、先行技術としての特開平４−１０
２３０２号公報は、図１５及び図１６に示すように、チ
ップ型絶縁基板１の左右両端部に、抵抗膜２の両端に対
する端子電極３を形成するに際して、この両端子電極３
を、前記絶縁基板１の上面に抵抗膜２に導通するように
形成した主上面電極３ａと、この主上面電極３ａの上面
に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと、絶縁
基板１の端面に形成した側面電極３ｃと、前記補助上面
電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メッキ
層３ｄとで構成することにより、この両端子電極３の上
面と、前記抵抗膜２に対するカバーコート４の上面との
間における段差を小さくするか、段差を無くすることを
提案している。なお、前記カバーコート４は、一次カバ
ーコート４ａと二次カバーコート４ｂとの二層構造にな
っている。
２３０２号公報は、図１５及び図１６に示すように、チ
ップ型絶縁基板１の左右両端部に、抵抗膜２の両端に対
する端子電極３を形成するに際して、この両端子電極３
を、前記絶縁基板１の上面に抵抗膜２に導通するように
形成した主上面電極３ａと、この主上面電極３ａの上面
に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと、絶縁
基板１の端面に形成した側面電極３ｃと、前記補助上面
電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メッキ
層３ｄとで構成することにより、この両端子電極３の上
面と、前記抵抗膜２に対するカバーコート４の上面との
間における段差を小さくするか、段差を無くすることを
提案している。なお、前記カバーコート４は、一次カバ
ーコート４ａと二次カバーコート４ｂとの二層構造にな
っている。
【０００４】また、前記先行技術のチップ型抵抗器は、
前記公報に記載されているように、先づ、図１７に示す
ように、絶縁基板１の上面に、左右一対の主上面電極３
ａを形成したのち、図１８に示すように、抵抗膜２をそ
の両端が前記両主上面電極３ａに導通するように形成す
ると共に、この抵抗膜２に対して一次カバーコート４ａ
を施したのち、前記両主上面電極３ａに対して通電用の
プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定しなが
ら前記抵抗膜２及び一次カバーコート４ａに対してレー
ザー光線等にてトリミング溝５を刻設することにより、
前記抵抗膜２における抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内
に入るようにトリミング調節し、次いで、前記絶縁基板
１に対して、図１９に示すように、二次カバーコート４
ｂを形成したのち、両主上面電極３の上面に、図２０に
示すように、補助上面電極３ｂを、前記主上面電極３の
全体を覆うように肉厚状に形成し、更に、前記絶縁基板
１の端面に、図１９に二点鎖線で示すように、側面電極
３ｃを形成したのち、これら補助上面電極３ｂ及び側面
電極３ｃの表面に金属メッキ層３ｄａ形成すると言う順
序で製造される。
前記公報に記載されているように、先づ、図１７に示す
ように、絶縁基板１の上面に、左右一対の主上面電極３
ａを形成したのち、図１８に示すように、抵抗膜２をそ
の両端が前記両主上面電極３ａに導通するように形成す
ると共に、この抵抗膜２に対して一次カバーコート４ａ
を施したのち、前記両主上面電極３ａに対して通電用の
プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定しなが
ら前記抵抗膜２及び一次カバーコート４ａに対してレー
ザー光線等にてトリミング溝５を刻設することにより、
前記抵抗膜２における抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内
に入るようにトリミング調節し、次いで、前記絶縁基板
１に対して、図１９に示すように、二次カバーコート４
ｂを形成したのち、両主上面電極３の上面に、図２０に
示すように、補助上面電極３ｂを、前記主上面電極３の
全体を覆うように肉厚状に形成し、更に、前記絶縁基板
１の端面に、図１９に二点鎖線で示すように、側面電極
３ｃを形成したのち、これら補助上面電極３ｂ及び側面
電極３ｃの表面に金属メッキ層３ｄａ形成すると言う順
序で製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、チップ型抵
抗器のプリント基板への半田付け実装は、両端子電極の
うち表面における金属メッキ層を、プリント基板におけ
る導体パターンに対して半田付けすることによって行う
ものであるから、前記先行技術のように、抵抗膜２に導
通する主上面電極３ａの上面に肉厚状の補助上面電極３
ｂを形成して、この補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃ
の表面に金属メッキ層３ｄを形成すると言う構成にした
場合には、プリント基板等に半田付けされる金属メッキ
層３ｄと、抵抗膜２に繋がる主上面電極３ａとの間に、
或る固有抵抗を有する補助上面電極３ｂが介在すること
になる。
抗器のプリント基板への半田付け実装は、両端子電極の
うち表面における金属メッキ層を、プリント基板におけ
る導体パターンに対して半田付けすることによって行う
ものであるから、前記先行技術のように、抵抗膜２に導
通する主上面電極３ａの上面に肉厚状の補助上面電極３
ｂを形成して、この補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃ
の表面に金属メッキ層３ｄを形成すると言う構成にした
場合には、プリント基板等に半田付けされる金属メッキ
層３ｄと、抵抗膜２に繋がる主上面電極３ａとの間に、
或る固有抵抗を有する補助上面電極３ｂが介在すること
になる。
【０００６】すなわち、抵抗膜２は、前記補助上面電極
３ｂを形成する以前の段階において、所定抵抗値の許容
範囲内に入るようにトリミング調整されているにもかか
わらず、チップ型抵抗器として完成された段階では、前
記抵抗膜２の両端に、固有抵抗を有する補助上面電極３
ｂが直列状に接続された形態になり、この補助上面電極
３ｂの抵抗値が、前記抵抗膜２における抵抗値に加算さ
れることになって、チップ型抵抗器における全抵抗値が
変動するから、全抵抗値を正確に設定することができな
いばかりか、製造に際して、前記抵抗値を所定抵抗値の
許容範囲内にすることができない事態が発生し易く、不
良品の発生率が高くなると言う問題があった。
３ｂを形成する以前の段階において、所定抵抗値の許容
範囲内に入るようにトリミング調整されているにもかか
わらず、チップ型抵抗器として完成された段階では、前
記抵抗膜２の両端に、固有抵抗を有する補助上面電極３
ｂが直列状に接続された形態になり、この補助上面電極
３ｂの抵抗値が、前記抵抗膜２における抵抗値に加算さ
れることになって、チップ型抵抗器における全抵抗値が
変動するから、全抵抗値を正確に設定することができな
いばかりか、製造に際して、前記抵抗値を所定抵抗値の
許容範囲内にすることができない事態が発生し易く、不
良品の発生率が高くなると言う問題があった。
【０００７】本発明は、チップ型抵抗器において、前記
の問題を解消できるようにした構造と、その製造方法と
を提供することを技術的課題とするものである。
の問題を解消できるようにした構造と、その製造方法と
を提供することを技術的課題とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明におけるチップ型抵抗器は、「上面にカバ
ーコートで被覆した抵抗膜を形成したチップ型絶縁基板
の左右両端部に、前記抵抗膜に導通するように形成した
主上面電極と、この主上面電極の上面にこれを覆うよう
に厚く形成した補助上面電極と、絶縁基板の端面に形成
した側面電極と、これら補助上面電極及び側面電極の表
面に形成した金属メッキ層とで構成した端子電極を形成
して成るチップ型抵抗器において、前記各端子電極にお
ける補助上面電極に、主上面電極の一部が露出する部分
を設けて、この露出部分における主上面電極の表面に
も、前記金属メッキ層を形成する。」と言う構成にし
た。
るため本発明におけるチップ型抵抗器は、「上面にカバ
ーコートで被覆した抵抗膜を形成したチップ型絶縁基板
の左右両端部に、前記抵抗膜に導通するように形成した
主上面電極と、この主上面電極の上面にこれを覆うよう
に厚く形成した補助上面電極と、絶縁基板の端面に形成
した側面電極と、これら補助上面電極及び側面電極の表
面に形成した金属メッキ層とで構成した端子電極を形成
して成るチップ型抵抗器において、前記各端子電極にお
ける補助上面電極に、主上面電極の一部が露出する部分
を設けて、この露出部分における主上面電極の表面に
も、前記金属メッキ層を形成する。」と言う構成にし
た。
【０００９】また、本発明の製造方法は、「チップ型絶
縁基板の上面における左右両端部に主上面電極を形成す
る工程と、前記絶縁基板の上面に抵抗膜を形成する工程
と、前記抵抗膜にカバーコートを形成する工程と、前記
抵抗膜にトリミング調整を行う工程と、前記主上面電極
に対してこれを覆う補助上面電極を主上面電極の一部が
露出するように厚く形成する工程と、前記絶縁基板の左
右両端面に側面電極を形成する工程と、前記補助上面電
極及び側面電極並びに主上面電極の露出部分に金属メッ
キ層を形成する工程とを有することを特徴とする。」も
のである。
縁基板の上面における左右両端部に主上面電極を形成す
る工程と、前記絶縁基板の上面に抵抗膜を形成する工程
と、前記抵抗膜にカバーコートを形成する工程と、前記
抵抗膜にトリミング調整を行う工程と、前記主上面電極
に対してこれを覆う補助上面電極を主上面電極の一部が
露出するように厚く形成する工程と、前記絶縁基板の左
右両端面に側面電極を形成する工程と、前記補助上面電
極及び側面電極並びに主上面電極の露出部分に金属メッ
キ層を形成する工程とを有することを特徴とする。」も
のである。
【００１０】
【発明の作用・効果】両端子電極における主上面電極に
対して補助上面電極を厚くする形成することによって、
この端子電極の上面と抵抗膜を覆うカバーコートの上面
との間における段差を無くするか、小さくする場合にお
いて、前記したように、補助上面電極に、主上面電極の
一部が露出する部分を設けて、この露出部分における主
上面電極の表面にも、前記金属メッキ層を形成すること
により、プリント基板等に実装するときに半田付けされ
る金属メッキ層を、先行技術のように、前記補助上面電
極を介することなく、主上面電極に対して直接的に導通
することができるから、前記補助上面電極が、抵抗膜の
両端に対して抵抗になることを確実に回避できるのであ
る。
対して補助上面電極を厚くする形成することによって、
この端子電極の上面と抵抗膜を覆うカバーコートの上面
との間における段差を無くするか、小さくする場合にお
いて、前記したように、補助上面電極に、主上面電極の
一部が露出する部分を設けて、この露出部分における主
上面電極の表面にも、前記金属メッキ層を形成すること
により、プリント基板等に実装するときに半田付けされ
る金属メッキ層を、先行技術のように、前記補助上面電
極を介することなく、主上面電極に対して直接的に導通
することができるから、前記補助上面電極が、抵抗膜の
両端に対して抵抗になることを確実に回避できるのであ
る。
【００１１】従って、本発明によると、補助上面電極を
設けることのために、チップ型抵抗器における全抵抗値
が変化することを防止できるから、全抵抗値を正確な値
にすることができると共に、製造に際しての不良品の発
生率を大幅に低減できる効果を有する。また、「請求項
２」に記載したように、前記補助上面電極を、絶縁基板
における左右両側面から内側に入った領域に形成するこ
とにより、この補助上面電極に対して金属メッキ層を形
成するときに、当該補助上面電極における左右両側面に
発生するメッキバリが、絶縁基板の左右両側面から突出
しないようにすることができるから、チップ型抵抗器
を、チューブ内に出し入れするときに、当該チップ型抵
抗器がチューブ内に引っ掛かることを回避できる利点が
ある。
設けることのために、チップ型抵抗器における全抵抗値
が変化することを防止できるから、全抵抗値を正確な値
にすることができると共に、製造に際しての不良品の発
生率を大幅に低減できる効果を有する。また、「請求項
２」に記載したように、前記補助上面電極を、絶縁基板
における左右両側面から内側に入った領域に形成するこ
とにより、この補助上面電極に対して金属メッキ層を形
成するときに、当該補助上面電極における左右両側面に
発生するメッキバリが、絶縁基板の左右両側面から突出
しないようにすることができるから、チップ型抵抗器
を、チューブ内に出し入れするときに、当該チップ型抵
抗器がチューブ内に引っ掛かることを回避できる利点が
ある。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１〜図５の図面について説明する。この図において符号
１１は、チップ型の絶縁基板を示し、この絶縁基板１１
の左右両端部には、その上面に形成した抵抗膜１２の両
端に対する端子電極１３が形成されている。
１〜図５の図面について説明する。この図において符号
１１は、チップ型の絶縁基板を示し、この絶縁基板１１
の左右両端部には、その上面に形成した抵抗膜１２の両
端に対する端子電極１３が形成されている。
【００１３】この両端子電極１３は、前記絶縁基板１の
上面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極１
３ａと、この主上面電極１３ａの上面に盛り上げるよう
に厚く形成した補助上面電極１３ｂと、絶縁基板１１の
端面に形成した側面電極１３ｃと、前記補助上面電極１
３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に形成した金属メッキ層
１３ｄとで構成されている。
上面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極１
３ａと、この主上面電極１３ａの上面に盛り上げるよう
に厚く形成した補助上面電極１３ｂと、絶縁基板１１の
端面に形成した側面電極１３ｃと、前記補助上面電極１
３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に形成した金属メッキ層
１３ｄとで構成されている。
【００１４】なお、符号１４は、前記抵抗膜１２に対す
る保護用のカバーコートを示し、このカバーコート１４
は、ガラス製の一次カバーコート１４ａと、ガラス又は
合成樹脂製の二次カバーコート１４ｂとによって構成さ
れている。そして、前記両端子電極１３における補助上
面電極１３ｂを、前記主上面電極１３ａにおける左右両
側の部分に分けて設けることにより、その間に前記主上
面電極１３ａの一部が露出するようにして、この主上面
電極１３ａの上面のうち前記露出する部分の表面に、前
記金属メッキ層１３ｄを、当該金属メッキ層１３ｄが側
面電極１３ｃの表面から連続するように形成するのであ
る。
る保護用のカバーコートを示し、このカバーコート１４
は、ガラス製の一次カバーコート１４ａと、ガラス又は
合成樹脂製の二次カバーコート１４ｂとによって構成さ
れている。そして、前記両端子電極１３における補助上
面電極１３ｂを、前記主上面電極１３ａにおける左右両
側の部分に分けて設けることにより、その間に前記主上
面電極１３ａの一部が露出するようにして、この主上面
電極１３ａの上面のうち前記露出する部分の表面に、前
記金属メッキ層１３ｄを、当該金属メッキ層１３ｄが側
面電極１３ｃの表面から連続するように形成するのであ
る。
【００１５】このように構成することにより、金属メッ
キ層１３ｄを、前記した先行技術のように、補助上面電
極１３ｂを介することなく、主上面電極１３ａに対して
直接的に接続することができるから、両端子電極１３の
上面とカバーコート１４の上面との間における段差を小
さくするか無くするための前記補助上面電極１３ｂの抵
抗が、前記抵抗膜１２における抵抗に加算されることを
回避できる。
キ層１３ｄを、前記した先行技術のように、補助上面電
極１３ｂを介することなく、主上面電極１３ａに対して
直接的に接続することができるから、両端子電極１３の
上面とカバーコート１４の上面との間における段差を小
さくするか無くするための前記補助上面電極１３ｂの抵
抗が、前記抵抗膜１２における抵抗に加算されることを
回避できる。
【００１６】前記構成のチップ型抵抗器は、以下に述べ
る順序の方法にて製造される。 ．先づ、図６に示すように、チップ型絶縁基板１１の
上面における左右両側に、主上面電極１３ａを、ペース
トの塗布及び乾燥・焼成にて形成する。 ．図７に示すように、前記絶縁基板１１の上面に、抵
抗膜１２を、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて、当該
抵抗膜１２の両端が前記両主上面電極１３ａに導通する
ように形成し、この抵抗膜１２に対して一次カバーコー
ト１４ａを施したのち、前記両主上面電極１３ａに対し
て通電用のプローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜
１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及び一次カ
バーコート１４ａに対してレーザー光線等にてトリミン
グ溝１５を刻設することにより、前記抵抗膜１２におけ
る抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内に入るようにトリミ
ング調節する。 ．次いで、図８に示すように、前記絶縁基板１１の上
面に、二次カバーコート１４ｂを形成する。 ．そして、図９に示すように、絶縁基板１１の上面の
うち前記主上面電極１３ａの左右両側の部分に、補助上
面電極１３ｂを、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて、
その間に主上面電極１３ａの一部が露出するように、肉
厚状に形成する。 ．次いで、図１０に示すように、前記絶縁基板１１に
おける左右両端に側面電極１３ｃを、ペーストの塗布及
び乾燥・焼成にて形成する。 ．そして、メッキ処理工程に移行して、ニッケルメッ
キを施したのち、半田メッキ又は錫メッキを行うことに
より、前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表
面、並びに、前記主上面電極１３ａの表面のうち前記露
出部分に対して金属メッキ層１３ｄを形成することによ
り、完成品にする。
る順序の方法にて製造される。 ．先づ、図６に示すように、チップ型絶縁基板１１の
上面における左右両側に、主上面電極１３ａを、ペース
トの塗布及び乾燥・焼成にて形成する。 ．図７に示すように、前記絶縁基板１１の上面に、抵
抗膜１２を、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて、当該
抵抗膜１２の両端が前記両主上面電極１３ａに導通する
ように形成し、この抵抗膜１２に対して一次カバーコー
ト１４ａを施したのち、前記両主上面電極１３ａに対し
て通電用のプローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜
１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及び一次カ
バーコート１４ａに対してレーザー光線等にてトリミン
グ溝１５を刻設することにより、前記抵抗膜１２におけ
る抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内に入るようにトリミ
ング調節する。 ．次いで、図８に示すように、前記絶縁基板１１の上
面に、二次カバーコート１４ｂを形成する。 ．そして、図９に示すように、絶縁基板１１の上面の
うち前記主上面電極１３ａの左右両側の部分に、補助上
面電極１３ｂを、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて、
その間に主上面電極１３ａの一部が露出するように、肉
厚状に形成する。 ．次いで、図１０に示すように、前記絶縁基板１１に
おける左右両端に側面電極１３ｃを、ペーストの塗布及
び乾燥・焼成にて形成する。 ．そして、メッキ処理工程に移行して、ニッケルメッ
キを施したのち、半田メッキ又は錫メッキを行うことに
より、前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表
面、並びに、前記主上面電極１３ａの表面のうち前記露
出部分に対して金属メッキ層１３ｄを形成することによ
り、完成品にする。
【００１７】このような製造によると、両主上面電極１
３ａの上面に補助上面電極１３ｂを形成したとによっ
て、トリミング調節したあとの抵抗膜１２における抵抗
値が変わることがない状態で、チップ型抵抗器を製造す
ることができるから、抵抗値が所定抵抗値の許容範囲か
ら外れると言う不良品の発生率を大幅に低減できる。な
お、前記の説明は、両主上面電極１３ａの左右両側に補
助上面電極１３ｂを形成して、その間に前記主上面電極
１３ａの一部が露出するように構成した場合を示した
が、本発明は、これに限らず、図１１及び図１２に示す
ように、主上面電極１３ａの全体を覆うように形成した
補助上面電極１３ｂに、切り込み部１３ｂ′を設けて、
この切り込み部１３ｂ′内に、前記主上面電極１３ａの
一部を露出するように構成しても良いのである。
３ａの上面に補助上面電極１３ｂを形成したとによっ
て、トリミング調節したあとの抵抗膜１２における抵抗
値が変わることがない状態で、チップ型抵抗器を製造す
ることができるから、抵抗値が所定抵抗値の許容範囲か
ら外れると言う不良品の発生率を大幅に低減できる。な
お、前記の説明は、両主上面電極１３ａの左右両側に補
助上面電極１３ｂを形成して、その間に前記主上面電極
１３ａの一部が露出するように構成した場合を示した
が、本発明は、これに限らず、図１１及び図１２に示す
ように、主上面電極１３ａの全体を覆うように形成した
補助上面電極１３ｂに、切り込み部１３ｂ′を設けて、
この切り込み部１３ｂ′内に、前記主上面電極１３ａの
一部を露出するように構成しても良いのである。
【００１８】また、前記補助上面電極１３ｂに対して金
属メッキ層１３ｃをメッキ処理によって形成する場合に
は、前記補助上面電極１３ｂの左右両側にメッキバリが
発生することになる。そこで、前記補助上面電極１３ｂ
を、図１３及び図１４に示すように、絶縁基板１１の上
面のうち、当該絶縁基板１１における左右両側面１１
ａ，１１ｂから適宜寸法Ｓだけ内側の領域の部分に形成
することにより、この補助上面電極１３ｂに対して金属
メッキ層１３ｄを形成するときに、当該補助上面電極１
３ｂにおける左右両側面に発生するメッキバリが、絶縁
基板１１の左右両側面１１ａ，１１ｂから突出しないよ
うにすることができるから、チップ型抵抗器を、チュー
ブ内に出し入れするときに、当該チップ型抵抗器がチュ
ーブ内に引っ掛かることを回避できる。
属メッキ層１３ｃをメッキ処理によって形成する場合に
は、前記補助上面電極１３ｂの左右両側にメッキバリが
発生することになる。そこで、前記補助上面電極１３ｂ
を、図１３及び図１４に示すように、絶縁基板１１の上
面のうち、当該絶縁基板１１における左右両側面１１
ａ，１１ｂから適宜寸法Ｓだけ内側の領域の部分に形成
することにより、この補助上面電極１３ｂに対して金属
メッキ層１３ｄを形成するときに、当該補助上面電極１
３ｂにおける左右両側面に発生するメッキバリが、絶縁
基板１１の左右両側面１１ａ，１１ｂから突出しないよ
うにすることができるから、チップ型抵抗器を、チュー
ブ内に出し入れするときに、当該チップ型抵抗器がチュ
ーブ内に引っ掛かることを回避できる。
【図１】本発明によるチップ型抵抗器の斜視図である。
【図２】図１のII−II視拡大断面図である。
【図３】図１のIII −III 視拡大断面図である。
【図４】図１のIV−IV視拡大断面図である。
【図５】本発明によるチップ型抵抗器の一部切欠平面図
である。
である。
【図６】本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第１
の状態を示す斜視図である。
の状態を示す斜視図である。
【図７】本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第２
の状態を示す斜視図である。
の状態を示す斜視図である。
【図８】本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第３
の状態を示す斜視図である。
の状態を示す斜視図である。
【図９】本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第４
の状態を示す斜視図である。
の状態を示す斜視図である。
【図１０】本発明のチップ型抵抗器の製造に際しての第
５の状態を示す斜視図である。
５の状態を示す斜視図である。
【図１１】本発明の別の例を示す斜視図である。
【図１２】本発明の別の例を示す斜視図である。
【図１３】本発明の別の例を示す斜視図である。
【図１４】本発明の別の例を示す斜視図である。
【図１５】従来におけるチップ型抵抗器の斜視図であ
る。
る。
【図１６】図１４のXVI −XVI 視拡大断面図である。
【図１７】従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第１
の状態を示す斜視図である。
の状態を示す斜視図である。
【図１８】従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第２
の状態を示す斜視図である。
の状態を示す斜視図である。
【図１９】従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第３
の状態を示す斜視図である。
の状態を示す斜視図である。
【図２０】従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第４
の状態を示す斜視図である。
の状態を示す斜視図である。
１１ 絶縁基板 １２ 抵抗膜 １３ 端子電極 １３ａ 主上面電極 １３ｂ 補助上面電極 １３ｃ 側面電極 １３ｄ 金属メッキ層 １４ カバーコート １４ａ 一次カバーコート １４ｂ 二次カバーコート １５ トリミング溝
Claims (3)
- 【請求項１】上面にカバーコートで被覆した抵抗膜を形
成したチップ型絶縁基板の左右両端部に、前記抵抗膜に
導通するように形成した主上面電極と、この主上面電極
の上面にこれを覆うように厚く形成した補助上面電極
と、絶縁基板の端面に形成した側面電極と、これら補助
上面電極及び側面電極の表面に形成した金属メッキ層と
で構成した端子電極を形成して成るチップ型抵抗器にお
いて、前記各端子電極における補助上面電極に、主上面
電極の一部が露出する部分を設けて、この露出部分にお
ける主上面電極の表面にも、前記金属メッキ層を形成し
たことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 【請求項２】前記「請求項１」において、前記補助上面
電極を、前記絶縁基板における左右両側面から内側に入
った領域に形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の
構造。 - 【請求項３】チップ型絶縁基板の上面における左右両端
部に主上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面
に抵抗膜を形成する工程と、前記抵抗膜にカバーコート
を形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う
工程と、前記主上面電極に対してこれを覆う補助上面電
極を主上面電極の一部が露出するように形成する工程
と、前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を形成する工
程と、前記補助上面電極及び側面電極並びに主上面電極
の露出部分に金属メッキ層を形成する工程とを有するこ
とを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
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