JPS6242858A - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの製造方法Info
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- JPS6242858A JPS6242858A JP60182552A JP18255285A JPS6242858A JP S6242858 A JPS6242858 A JP S6242858A JP 60182552 A JP60182552 A JP 60182552A JP 18255285 A JP18255285 A JP 18255285A JP S6242858 A JPS6242858 A JP S6242858A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- membrane
- heat generating
- thermal head
- metal film
- Prior art date
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- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はサーマルヘッド、特に薄膜型サーマルヘッド
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来より、感熱紙を発色させて感熱紙にドツトのモザイ
クを作ることにより絵、文字等の印字をするための種々
の構造のサーマルヘッド及びその製造方法が提案されて
いる。このようなサーマルヘッドは、用いている発熱抵
抗体の種類により、薄膜型と厚膜型との二つに大別出来
る。しかしながら、Ｗ成型のサーマルヘウドｔ１低価格
化は可能であるが、高精細化が困酋であるため、最近で
は、高精細化、高性能化が可能な薄膜型サーマルヘッド
が主流となりつつある。このようなサーマルヘッドは例
えば特開昭５４−１９７５６号公報に開ン工（されてい
る。
クを作ることにより絵、文字等の印字をするための種々
の構造のサーマルヘッド及びその製造方法が提案されて
いる。このようなサーマルヘッドは、用いている発熱抵
抗体の種類により、薄膜型と厚膜型との二つに大別出来
る。しかしながら、Ｗ成型のサーマルヘウドｔ１低価格
化は可能であるが、高精細化が困酋であるため、最近で
は、高精細化、高性能化が可能な薄膜型サーマルヘッド
が主流となりつつある。このようなサーマルヘッドは例
えば特開昭５４−１９７５６号公報に開ン工（されてい
る。
第２図はドＶ膜型サーマルへ・ンドの−・般゛的な構造
を示すサーマルヘッドの要部を示す断面図であり、この
場合、絶縁基板上に多数設けられた発熱抵抗体のうちの
一つの発熱抵抗体に着目して示した断面図である。
を示すサーマルヘッドの要部を示す断面図であり、この
場合、絶縁基板上に多数設けられた発熱抵抗体のうちの
一つの発熱抵抗体に着目して示した断面図である。
この薄膜型サーマルヘッドの構造につき図面を参照して
簡ｉ１１に説明する。
簡ｉ１１に説明する。
第２図において、１１は絶縁基板を示し、この絶縁基板
１１上に薄膜の発熱抵抗体１３が設けられている。この
発熱抵抗体１３−トの離間した位置に給電体１５及び１
７が設けられていて、これら給電体１５及び１７の間の
発熱抵抗体１３の部分（図中、斜線で示す部分）が発熱
部１９となる。さらに、給電体１５及び１７と発熱部１
９との上には順次に、耐酸化膜２１と耐摩耗膜２３とが
設けられて、薄膜型サーマルヘッドは構成されている。
１１上に薄膜の発熱抵抗体１３が設けられている。この
発熱抵抗体１３−トの離間した位置に給電体１５及び１
７が設けられていて、これら給電体１５及び１７の間の
発熱抵抗体１３の部分（図中、斜線で示す部分）が発熱
部１９となる。さらに、給電体１５及び１７と発熱部１
９との上には順次に、耐酸化膜２１と耐摩耗膜２３とが
設けられて、薄膜型サーマルヘッドは構成されている。
このような構造の薄膜型サーマルヘッドの従来の製造方
法につき第３図（Ａ）〜（Ｄ）に示した製造工程図を参
照して説明する。
法につき第３図（Ａ）〜（Ｄ）に示した製造工程図を参
照して説明する。
絶縁基板としてのグレーズドアルミナ基板ｌｌ上にスパ
ッタリング法等により窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）等の薄
膜抵抗体層２５を形成する（第３図（Ａ）〕。次に、フ
ォトリソグラフ技術及びエツチングによりＴａ２ Ｎ薄
膜を所定の大きさにバターニングして発熱抵抗体１３を
得る（第３図（Ｂ））。次に、スバ・ンタリンクが、或
は蒸着法によりニクロム（Ｎ ｉ Ｃｒ）膜２７と金（
Ａｕ）膜２８とを、パターニングした発熱抵抗体を含む
基板１１上に、連続的に成膜し、その後、このＡｕ膜−
ヒにさらに電解めっきによりＡｕ成膜１を所望とする厚
さで形成する（第３図（Ｃ））。次に、先に所定の大き
さにバターニング１．た発熱抵抗体１３上に給電体１５
及び１７と発熱部１９とを形成するため、電解めっきで
成膜したＡｕ膜上にフォトリングラフ技術を用いてレジ
ストパターンを形成する。このパターンによりＡｕ膜及
びＮ ｉ Ｃｒ ＩＩ！Ｊの不要部分を除去して、給電
体１５及び１７と発熱部１８とを形成する（第３図（Ｄ
））。続いて、スパッタリング法等により、給電体１５
及び１７と発熱部１９とのトに、＃酸化膜２１としての
５ｉ０７膜等と、耐摩耗膜２３としてのＴａ２０５膜等
とを順次に形成して、第２図に示す薄膜型サーマルヘッ
ドを製造していた。
ッタリング法等により窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）等の薄
膜抵抗体層２５を形成する（第３図（Ａ）〕。次に、フ
ォトリソグラフ技術及びエツチングによりＴａ２ Ｎ薄
膜を所定の大きさにバターニングして発熱抵抗体１３を
得る（第３図（Ｂ））。次に、スバ・ンタリンクが、或
は蒸着法によりニクロム（Ｎ ｉ Ｃｒ）膜２７と金（
Ａｕ）膜２８とを、パターニングした発熱抵抗体を含む
基板１１上に、連続的に成膜し、その後、このＡｕ膜−
ヒにさらに電解めっきによりＡｕ成膜１を所望とする厚
さで形成する（第３図（Ｃ））。次に、先に所定の大き
さにバターニング１．た発熱抵抗体１３上に給電体１５
及び１７と発熱部１９とを形成するため、電解めっきで
成膜したＡｕ膜上にフォトリングラフ技術を用いてレジ
ストパターンを形成する。このパターンによりＡｕ膜及
びＮ ｉ Ｃｒ ＩＩ！Ｊの不要部分を除去して、給電
体１５及び１７と発熱部１８とを形成する（第３図（Ｄ
））。続いて、スパッタリング法等により、給電体１５
及び１７と発熱部１９とのトに、＃酸化膜２１としての
５ｉ０７膜等と、耐摩耗膜２３としてのＴａ２０５膜等
とを順次に形成して、第２図に示す薄膜型サーマルヘッ
ドを製造していた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来のサーマルヘッドの製造方法では、
その製造工程中に７オトリソグラフ下程を多く設けであ
るため、マスク合わせの手間や高価な設備が必要となる
。又、真空機器による成膜工程も多用しているため、真
空排気時間や真空機器への基板の収容能力等の真空機器
の処理能力により、サーマルヘッドの生産性は制約を受
けていた。従って、製造コストの安い、低価格のサーマ
ルヘッドを提供することが出来ないという問題点があっ
た。
その製造工程中に７オトリソグラフ下程を多く設けであ
るため、マスク合わせの手間や高価な設備が必要となる
。又、真空機器による成膜工程も多用しているため、真
空排気時間や真空機器への基板の収容能力等の真空機器
の処理能力により、サーマルヘッドの生産性は制約を受
けていた。従って、製造コストの安い、低価格のサーマ
ルヘッドを提供することが出来ないという問題点があっ
た。
この発明の目的は、上述した問題点を解決し、製造コス
トを低減することが出来る製造方法を実現して、低価格
のサーマルヘッドを提供することにある。
トを低減することが出来る製造方法を実現して、低価格
のサーマルヘッドを提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明によれば、絶縁基
板りに発熱部を有する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に
設けた給電体とを有するサーマルヘッドを製造するに当
り、 発熱抵抗体と、この発熱抵抗体りに金属膜を有する積層
体を形成する工程と、この金属膜上に電解めっきにより
給電体を形成する工程と、前述した発熱抵抗体の発熱部
上の前述した金属膜を除去する工程とを具えることを特
徴とする。
板りに発熱部を有する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に
設けた給電体とを有するサーマルヘッドを製造するに当
り、 発熱抵抗体と、この発熱抵抗体りに金属膜を有する積層
体を形成する工程と、この金属膜上に電解めっきにより
給電体を形成する工程と、前述した発熱抵抗体の発熱部
上の前述した金属膜を除去する工程とを具えることを特
徴とする。
この発明の実施に当り、金属膜をクロ１１（Ｃｒ）、−
クロム（Ｎ ｉ Ｃｒ） 、 ニッケル（Ｎｉ）及びチ
タン（Ｔｉ）の群から選ばれた一種又は二種以上の金属
とするのが好適である。
クロム（Ｎ ｉ Ｃｒ） 、 ニッケル（Ｎｉ）及びチ
タン（Ｔｉ）の群から選ばれた一種又は二種以上の金属
とするのが好適である。
（作用）
このような構成によれば、電解めっきにより発熱抵抗体
上の金属膜が露出された領域に、給電体を構成するに好
適な金属例えばＣｒ、Ｃｕ。
上の金属膜が露出された領域に、給電体を構成するに好
適な金属例えばＣｒ、Ｃｕ。
ＮＪＣｒ及びＡｕ等の金属を一種又はニ一種以ｊ−形成
することが出来る。従って、蒸着法又はスパッタ法等に
より給電体を構成する金属層を形成しなくて良く、この
ため、真空機器の使用回数を少なく出来る。
することが出来る。従って、蒸着法又はスパッタ法等に
より給電体を構成する金属層を形成しなくて良く、この
ため、真空機器の使用回数を少なく出来る。
さらに、電解めっきによれば必要な個所のみに厚い膜厚
でも金属を電着させることが出来る。
でも金属を電着させることが出来る。
従って、蒸着法等により同じ膜厚の金属薄膜を得る場合
より、材才゛）費の節約が出来る。
より、材才゛）費の節約が出来る。
又、発熱抵抗体−１ｘに設ける金属膜を、Ｃｒ、ＮｉＣ
ｒ、Ｎｉ及びＴｉのうちの少なくとも一種又は二種風ｌ
−の金属としである。このような金属を用いると、下地
としての発熱抵抗体と金属膜との密着及びこの金属Ｈ！
Ｊと、電解めっきによりこの金属膜Ｉ−に電着する金属
との密着は何れも良好となる。従って、発熱抵抗体と給
電体との密着は良好となる。
ｒ、Ｎｉ及びＴｉのうちの少なくとも一種又は二種風ｌ
−の金属としである。このような金属を用いると、下地
としての発熱抵抗体と金属膜との密着及びこの金属Ｈ！
Ｊと、電解めっきによりこの金属膜Ｉ−に電着する金属
との密着は何れも良好となる。従って、発熱抵抗体と給
電体との密着は良好となる。
（′５：施例）
以下、第１図（Ａ）〜（Ｄ）に示した製造丁程図と第２
図とを参照して、この発明のサーマルヘッドの製造方法
の−・例につき説明する。尚、これらの図はこの発明が
理解出来る程度に概略的に示しであるにすぎず、各構成
成分の寸法、形状及び配置関係は図示例に限定されるも
のではない。
図とを参照して、この発明のサーマルヘッドの製造方法
の−・例につき説明する。尚、これらの図はこの発明が
理解出来る程度に概略的に示しであるにすぎず、各構成
成分の寸法、形状及び配置関係は図示例に限定されるも
のではない。
又、従来と同一の構成成分については同一・の符号を付
して示しである。
して示しである。
先ず、スパッタリング法により、絶縁基板１１としての
グレーズドアルミナ基板１１Ｆに、薄膜抵抗体であるＴ
ａ２Ｎ薄膜と、金属膜４１としてのＣｒ薄膜とをスパッ
タ装置の真空破壊をせずに連続的に成膜する（第１図（
Ａ））。ここで金属膜４１として成膜するＣｒの膜厚は
、後工程で行う電解めっきにおいて、電解液からの金属
がＣｒに′市着呵能な膜厚、換言すれば電導性が得られ
る膜厚であれば良く、本実施例ではこのＣｒの膜厚を０
．５ｐｍとした。次に、フォトリングラフ技術とＣＦＩ
ＩガスによるドライエツチングとによりＣｒ薄膜及びＴ
ａ２Ｎ薄膜を選択的に除去して、表面にＣｒ層を有する
所定形状の発熱抵抗体１３を形成する（第１図（Ｂ））
。続いて、スクリーン印刷により、給電体１５及び１７
を形成する以外の発熱抵抗体１３の部分領域に１／シス
トｌＩ！２４３を形成し、このｌ／シスト膜４３により
この領域のＣｒ薄膜部分を覆う。次に、希塩酸によりレ
ジス）・で覆った以外の発熱抵抗体１３の表面に形成し
であるＣｒ薄膜の表面処理を行った後、このＣｒ薄膜１
−に、電解めっきにより０．５１Ｌｍの膜厚のＣｒを、
１．２ｐｍの膜厚のＣｕを、０．４メＬｍの膜厚のＮｉ
を、０．８ｐ１ｍの膜厚のＡｕを順次に形成して、給電
体Ｉ５及び１７を形成する（第１図（Ｃ））。続いて、
発熱部１９七のレジスト膜４３を除去した後、レジスト
膜４′：Ｊの下層のＣｒ薄膜をエツチングして、発熱部
１９となる発熱抵抗体１３の部分領域を露出する（第１
図（Ｄ））。ここで、給電体１５及び１７の下地にある
Ｃｒ薄膜４１は給電体１５及び１７の−・部として機能
する。
グレーズドアルミナ基板１１Ｆに、薄膜抵抗体であるＴ
ａ２Ｎ薄膜と、金属膜４１としてのＣｒ薄膜とをスパッ
タ装置の真空破壊をせずに連続的に成膜する（第１図（
Ａ））。ここで金属膜４１として成膜するＣｒの膜厚は
、後工程で行う電解めっきにおいて、電解液からの金属
がＣｒに′市着呵能な膜厚、換言すれば電導性が得られ
る膜厚であれば良く、本実施例ではこのＣｒの膜厚を０
．５ｐｍとした。次に、フォトリングラフ技術とＣＦＩ
ＩガスによるドライエツチングとによりＣｒ薄膜及びＴ
ａ２Ｎ薄膜を選択的に除去して、表面にＣｒ層を有する
所定形状の発熱抵抗体１３を形成する（第１図（Ｂ））
。続いて、スクリーン印刷により、給電体１５及び１７
を形成する以外の発熱抵抗体１３の部分領域に１／シス
トｌＩ！２４３を形成し、このｌ／シスト膜４３により
この領域のＣｒ薄膜部分を覆う。次に、希塩酸によりレ
ジス）・で覆った以外の発熱抵抗体１３の表面に形成し
であるＣｒ薄膜の表面処理を行った後、このＣｒ薄膜１
−に、電解めっきにより０．５１Ｌｍの膜厚のＣｒを、
１．２ｐｍの膜厚のＣｕを、０．４メＬｍの膜厚のＮｉ
を、０．８ｐ１ｍの膜厚のＡｕを順次に形成して、給電
体Ｉ５及び１７を形成する（第１図（Ｃ））。続いて、
発熱部１９七のレジスト膜４３を除去した後、レジスト
膜４′：Ｊの下層のＣｒ薄膜をエツチングして、発熱部
１９となる発熱抵抗体１３の部分領域を露出する（第１
図（Ｄ））。ここで、給電体１５及び１７の下地にある
Ｃｒ薄膜４１は給電体１５及び１７の−・部として機能
する。
さらに、従来と同様に、スパッタリング法により、給電
体１５及び１７と発熱部１９との１−に、耐酸化膜２１
としてＳｉＯ２を２ｐＬｍの膜厚で、耐摩耗膜２３とし
てＴ ａ ２０５を４ｐｍの膜厚で順次に形成して、第
２図に示す薄膜型サーマルヘッドを製造することが出来
る。
体１５及び１７と発熱部１９との１−に、耐酸化膜２１
としてＳｉＯ２を２ｐＬｍの膜厚で、耐摩耗膜２３とし
てＴ ａ ２０５を４ｐｍの膜厚で順次に形成して、第
２図に示す薄膜型サーマルヘッドを製造することが出来
る。
尚、この発明のサーマルヘッドの製造方法は上述した実
施例に限定されるものではない。例えば、実施例では、
Ｔａ２Ｎ及びＣｒの成膜を連続したスパッタＤ：により
行ったが、各々の成膜を別工程で行っても良く、又、そ
れらの成膜方法もスパッタ法には限定されず、他の好適
な方法、例えば電子ビーム蒸着法等の方法でも良い。
施例に限定されるものではない。例えば、実施例では、
Ｔａ２Ｎ及びＣｒの成膜を連続したスパッタＤ：により
行ったが、各々の成膜を別工程で行っても良く、又、そ
れらの成膜方法もスパッタ法には限定されず、他の好適
な方法、例えば電子ビーム蒸着法等の方法でも良い。
又、薄膜抵抗体−Ｌに形成した電解めっきの下地となる
金属膜を、実施例ではＣｒとしたが、この金属膜は、Ｔ
ａ、＋Ｎ等の薄膜抵抗体にに密着良く形成出来、かつ、
電解めっきにより形成する給電体材料が密着良く電着す
ることが出来る金属であれば良い。このような金属とし
ては、Ｃｒ以外には例えば、ＮｆＣｒ、Ｎｉ及びＴｉ等
がある。さらに、この金属膜は一層とは限らず、二種類
似ｌ−の金属を用いた多層構造と１７でも良い。
金属膜を、実施例ではＣｒとしたが、この金属膜は、Ｔ
ａ、＋Ｎ等の薄膜抵抗体にに密着良く形成出来、かつ、
電解めっきにより形成する給電体材料が密着良く電着す
ることが出来る金属であれば良い。このような金属とし
ては、Ｃｒ以外には例えば、ＮｆＣｒ、Ｎｉ及びＴｉ等
がある。さらに、この金属膜は一層とは限らず、二種類
似ｌ−の金属を用いた多層構造と１７でも良い。
又、この実施例では、給電体１５及び１７を、Ｃｒ−Ｃ
ｕ−Ｎｉ−Ａｕの四層からなる積層体で構成した。この
構造とした理由は、ワイヤボンディングのために最−１
一層をＡ １１とする構造を得るためであり、従って、
ＣｕとＡｕとの間の相１ｉ拡散を防止するためにＣｕと
Ａｕとの間にＮｉ層を介在させたのである。このように
、この給電体形成のための電解めっきの材料は、例えば
、Ｃｒ−Ｎｉ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｎｉ又はＣｒ−Ａｕ笠、給
電体に求められる性能に応じて変更することが出来る。
ｕ−Ｎｉ−Ａｕの四層からなる積層体で構成した。この
構造とした理由は、ワイヤボンディングのために最−１
一層をＡ １１とする構造を得るためであり、従って、
ＣｕとＡｕとの間の相１ｉ拡散を防止するためにＣｕと
Ａｕとの間にＮｉ層を介在させたのである。このように
、この給電体形成のための電解めっきの材料は、例えば
、Ｃｒ−Ｎｉ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｎｉ又はＣｒ−Ａｕ笠、給
電体に求められる性能に応じて変更することが出来る。
さらに、絶縁基板としたグレーズドアルミナ基板は、ガ
ラスノ、（板や樹脂基板等でも良く、又、膜薄膜抵抗体
としたＴａ２Ｎは、例えば、Ｔａ−３ｉ 、 Ｔａ−３
ｉ−０、又は、Ｃｒ−３ｉ−〇等でも良い。さらに、耐
酸化膜及び耐摩耗膜も他の好適な材料、例えば、ＳｉＣ
等でも良い。
ラスノ、（板や樹脂基板等でも良く、又、膜薄膜抵抗体
としたＴａ２Ｎは、例えば、Ｔａ−３ｉ 、 Ｔａ−３
ｉ−０、又は、Ｃｒ−３ｉ−〇等でも良い。さらに、耐
酸化膜及び耐摩耗膜も他の好適な材料、例えば、ＳｉＣ
等でも良い。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明によれば
、絶縁基板上に発熱抵抗体と給電体とを有するサーマル
ヘッドを製造するに当り、その製造工程は、発熱抵抗体
と、この発熱抵抗体Ｈに金属膜を有する積層体を形成す
る工程と、この金属膜上に電解めっきにより給電体を形
成する工程と、前述した発熱抵抗体の発熱部１−の前述
した金属膜を除去する工程とを具えている。
、絶縁基板上に発熱抵抗体と給電体とを有するサーマル
ヘッドを製造するに当り、その製造工程は、発熱抵抗体
と、この発熱抵抗体Ｈに金属膜を有する積層体を形成す
る工程と、この金属膜上に電解めっきにより給電体を形
成する工程と、前述した発熱抵抗体の発熱部１−の前述
した金属膜を除去する工程とを具えている。
従って、発熱抵抗体−にの金属膜を設けた領域に、電解
めっきにより給電体に要求される性能に応じた好適な金
属を−・種又は二種以上形成することが１１来る。従っ
て、蒸着法又はスパッタυ、笠で給電体を構成する金属
層を形成しなくて良く、このため、従来よりも真空機器
の使用回数を少なく出来る。
めっきにより給電体に要求される性能に応じた好適な金
属を−・種又は二種以上形成することが１１来る。従っ
て、蒸着法又はスパッタυ、笠で給電体を構成する金属
層を形成しなくて良く、このため、従来よりも真空機器
の使用回数を少なく出来る。
又、電解めっきの不要な領域のマスキングはスクリーン
印刷によりレジスト膜を形成することで行える。従って
、従来フォトリン技術を用いて行っていた作業を、簡易
なスクリーン印刷により行うことが出来る。
印刷によりレジスト膜を形成することで行える。従って
、従来フォトリン技術を用いて行っていた作業を、簡易
なスクリーン印刷により行うことが出来る。
さらに、電解めっきによれば必要な個所のみに厚い膜厚
でも金属を電着させることが出来る。
でも金属を電着させることが出来る。
従って、蒸着法等により同じ膜厚の金属薄膜を得る場合
より、材料費の節約が出来る。
より、材料費の節約が出来る。
これがため、従来の製造方法と比較して、簡易な方法に
よりサーマルヘッドの製造が行え、かつ、材料費の節約
が行えるから、低価格のサーマルヘッドが提供出来る。
よりサーマルヘッドの製造が行え、かつ、材料費の節約
が行えるから、低価格のサーマルヘッドが提供出来る。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の製造方法によりサー
マルヘッドを製造する際の製造工程図、第２図は薄膜型
サーマルヘッドの一般的な構造を示すサーマルヘッドの
要部を示す断面図、第３図（Ａ）〜（Ｄ）はサーマルヘ
ッドの従来の製造方法を説明するだめの製造工程図であ
る。 １１・・・絶縁基板、 １３川発熱抵抗体１５
．１７・・・給電体、 １８・・・発熱部２１・
・・耐酸化膜、 ２３・・・耐摩耗膜２５・・・
薄膜抵抗体層、 ４１・・・金属膜４３・・・レジス
ト膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社／ｌ紺林膓板
４ｆ長膜 ／Ｊ 発ｙ騎Ｎ抗体 ４．３シシスト膵２５′
薄ｌｉ＆ｆ／’Ｅイイち−ｇこの発明の嘔正プ恢のｔ
遁、工且団 二の弁明の仮正方、去０製丘工仔ｍ 第１図 薄酸型サーマルヘッドの要名Ｐ吋面国 第２図 躾−士の＠伍力弘の恢伍、工程図 第３図
マルヘッドを製造する際の製造工程図、第２図は薄膜型
サーマルヘッドの一般的な構造を示すサーマルヘッドの
要部を示す断面図、第３図（Ａ）〜（Ｄ）はサーマルヘ
ッドの従来の製造方法を説明するだめの製造工程図であ
る。 １１・・・絶縁基板、 １３川発熱抵抗体１５
．１７・・・給電体、 １８・・・発熱部２１・
・・耐酸化膜、 ２３・・・耐摩耗膜２５・・・
薄膜抵抗体層、 ４１・・・金属膜４３・・・レジス
ト膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社／ｌ紺林膓板
４ｆ長膜 ／Ｊ 発ｙ騎Ｎ抗体 ４．３シシスト膵２５′
薄ｌｉ＆ｆ／’Ｅイイち−ｇこの発明の嘔正プ恢のｔ
遁、工且団 二の弁明の仮正方、去０製丘工仔ｍ 第１図 薄酸型サーマルヘッドの要名Ｐ吋面国 第２図 躾−士の＠伍力弘の恢伍、工程図 第３図
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に発熱部を有する発熱抵抗体と、該発
熱抵抗体上に設けた給電体とを有するサーマルヘッドを
製造するに当り、 発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に金属膜を有する積層体
を形成する工程と、 該金属膜上に電解めっきにより給電体を形成する工程と
、 前記発熱抵抗体の発熱部上の前記金属膜を除去する工程
と を具えることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。 - （２）下地金属膜をクロム（Ｃｒ）、ニクロム（ＮｉＣ
ｒ）、ニッケル（Ｎｉ）及びチタン（Ｔｉ）の群から選
ばれた一種又は二種以上の金属としたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のサーマルヘッドの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182552A JPS6242858A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182552A JPS6242858A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242858A true JPS6242858A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16120272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182552A Pending JPS6242858A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242858A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189101A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Tdk Corp | 抵抗器の製造方法 |
| KR980000911A (ko) * | 1996-06-12 | 1998-03-30 | 김광호 | 저항값을 재작업하는 방법 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182552A patent/JPS6242858A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189101A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Tdk Corp | 抵抗器の製造方法 |
| KR980000911A (ko) * | 1996-06-12 | 1998-03-30 | 김광호 | 저항값을 재작업하는 방법 |
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