JPS62119057A - サ−マルヘツド及びその製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62119057A JPS62119057A JP60258708A JP25870885A JPS62119057A JP S62119057 A JPS62119057 A JP S62119057A JP 60258708 A JP60258708 A JP 60258708A JP 25870885 A JP25870885 A JP 25870885A JP S62119057 A JPS62119057 A JP S62119057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- heating resistor
- thermal head
- gold
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は感熱記録装置等に用いられるサーマルヘッド及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
（従来の技術）
従来のこの種のサーマルヘッドの構成を第２図に示す。
この第２図に示す如き従来のサーマルヘッドは次の如く
して作られていた。ｉ！ず基板１上に全面に発熱抵抗体
層２をス・ぐツタ法により成膜シタ後、ホトリソエラ、
チングにより所望の形状にパターン化する。その後ニク
ロム（ＮｉＣｒ）層３．金（Ａｕ）層４を電子ビーム（
ＥＢ）蒸着法、ス・フッタ法等によシ全面に順次積層し
た後、ホトリソエツチングにより所望の形状にパターン
化しこれらを給電体層とする。
して作られていた。ｉ！ず基板１上に全面に発熱抵抗体
層２をス・ぐツタ法により成膜シタ後、ホトリソエラ、
チングにより所望の形状にパターン化する。その後ニク
ロム（ＮｉＣｒ）層３．金（Ａｕ）層４を電子ビーム（
ＥＢ）蒸着法、ス・フッタ法等によシ全面に順次積層し
た後、ホトリソエツチングにより所望の形状にパターン
化しこれらを給電体層とする。
次いで、保護膜５、耐摩耗膜６を設けている。
ここでＮ ｉ Ｃｒ層３を設けるのは発熱抵抗体層２上
に直接はＡｕが密着よく成膜できないためである。なお
、このＮｉＣｒ層に代えてＣｒ層を設ける場合もある。
に直接はＡｕが密着よく成膜できないためである。なお
、このＮｉＣｒ層に代えてＣｒ層を設ける場合もある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしいずれの場合でもエツチングの際、Ａｕをエツチ
ングした後ＮｉＣｒ 、あるい（ｒｉｃｒをエツチング
するためＮｉＣｒ 、あるいはＣｒのオーバーエッチが
起こりやすく、特にＮｉＣｒ、Ｃｒはそのエツチング速
度がＡｕ存在下では局部電池の作用により始めはおそい
が加速度的に速くなる特徴があシ適正なエツチングが非
常に困難であシ第３図に示すように大きなサイドエッチ
が起りやすいという欠点があった。これは従来のような
あまシ高精細用向きでないサーマルヘッドを製造する上
では問題となることが少なかったが、印字品質の向上、
フルカラー化などの要請からよυ高精細用のサーマルヘ
ッドが求められる時、そのツヤターンの微細化によりこ
のＡｕ層下のＮｉＣｒ 、あるいはＣｒ層のオーバーエ
ッチは、Ａｕ給電体の剥離等を生じることから大きな問
題となってきた。
ングした後ＮｉＣｒ 、あるい（ｒｉｃｒをエツチング
するためＮｉＣｒ 、あるいはＣｒのオーバーエッチが
起こりやすく、特にＮｉＣｒ、Ｃｒはそのエツチング速
度がＡｕ存在下では局部電池の作用により始めはおそい
が加速度的に速くなる特徴があシ適正なエツチングが非
常に困難であシ第３図に示すように大きなサイドエッチ
が起りやすいという欠点があった。これは従来のような
あまシ高精細用向きでないサーマルヘッドを製造する上
では問題となることが少なかったが、印字品質の向上、
フルカラー化などの要請からよυ高精細用のサーマルヘ
ッドが求められる時、そのツヤターンの微細化によりこ
のＡｕ層下のＮｉＣｒ 、あるいはＣｒ層のオーバーエ
ッチは、Ａｕ給電体の剥離等を生じることから大きな問
題となってきた。
この発明の目的は、以上述べたＮ ｉ ＣｒあるいはＣ
ｒ層のオーバーエツチングによる歩留りの低下の問題を
除去し高精細用サーマルヘッドを歩留シよく製造する方
法及び高精細用に適したサーマルヘッドを提供すること
にある。
ｒ層のオーバーエツチングによる歩留りの低下の問題を
除去し高精細用サーマルヘッドを歩留シよく製造する方
法及び高精細用に適したサーマルヘッドを提供すること
にある。
（問題点を解決するための手段）
第１のこの発明は、基板上に発熱抵抗体層、給電体層が
形成されたサーマルヘッドにおいて、前記給電体層が金
のみからなるようにしたものである。また第２のこの発
明のサーマルヘッドの製造方法は、真空中で基板上に発
熱抵抗層と第１の金層とを連続的に形成する工程と、前
記第１の金層をパターン化する工程と、前記第１の金層
のパターンをマスクとして前記発熱抵抗体層をｉ？ター
ン化する工程と、全面に第２のＡｕ層を被着した後、前
記発熱抵抗体層の発熱部上の前記第１の金層及び前記第
２の金層を除去すると共に前記第１の金層及び前記第２
の金層からなる給電体層のパターンを形成する工程とを
含むようにしたものである。
形成されたサーマルヘッドにおいて、前記給電体層が金
のみからなるようにしたものである。また第２のこの発
明のサーマルヘッドの製造方法は、真空中で基板上に発
熱抵抗層と第１の金層とを連続的に形成する工程と、前
記第１の金層をパターン化する工程と、前記第１の金層
のパターンをマスクとして前記発熱抵抗体層をｉ？ター
ン化する工程と、全面に第２のＡｕ層を被着した後、前
記発熱抵抗体層の発熱部上の前記第１の金層及び前記第
２の金層を除去すると共に前記第１の金層及び前記第２
の金層からなる給電体層のパターンを形成する工程とを
含むようにしたものである。
（作用）
金（Ａｕ）が発熱抵抗体層上に密着よく成膜しないのは
、Ａｕが酸素等と結合しにくい金属であシ、酸素等の存
在する表面とは密着性がとれないからであると考えられ
、一度真空を破り大気中での工程をへた発熱抵抗体層表
面には物理的、化学的な吸着によシ酸素、水等が存在す
るため１．また工程を経る間に抵抗体表面にごく薄い酸
化膜等が形成されているからであると考えられる。
、Ａｕが酸素等と結合しにくい金属であシ、酸素等の存
在する表面とは密着性がとれないからであると考えられ
、一度真空を破り大気中での工程をへた発熱抵抗体層表
面には物理的、化学的な吸着によシ酸素、水等が存在す
るため１．また工程を経る間に抵抗体表面にごく薄い酸
化膜等が形成されているからであると考えられる。
本発明によれば、真空中で連続的に発熱抵抗体層と第１
のＡｕ層を形成しているため、ＮｉＣｒ層等の密着層を
設けることなく、第１のＡｕ層を密着よく発熱抵抗体層
上に形成することができる。またこの第１のＡｕ層の上
に第２のＡｕ層を形成することによシ適正な厚みの給電
体層とすることができる。
のＡｕ層を形成しているため、ＮｉＣｒ層等の密着層を
設けることなく、第１のＡｕ層を密着よく発熱抵抗体層
上に形成することができる。またこの第１のＡｕ層の上
に第２のＡｕ層を形成することによシ適正な厚みの給電
体層とすることができる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例としてのサーマルヘッドの構
造を示す断面図である。この第１図において、第２図と
同一部分には同一番号を付している。この第１図の構造
のサーマルヘッドは次の如き工程によシ作られる。
造を示す断面図である。この第１図において、第２図と
同一部分には同一番号を付している。この第１図の構造
のサーマルヘッドは次の如き工程によシ作られる。
まず、真空中でグレーズドセラミックス基板等の基板１
上にスノ？ツタ法により発熱抵抗体層２を設け、同一真
空中で連続して下部給電体層とじての第１のＡｕ層７を
成膜する。本実施例では抵抗体としてばＴ ａ ２ Ｎ
を用い、第１ Ａｕ層の厚さは０．３μｍ程度としてい
る。次にホトリンエツチングにょシ第１ Ａｕ層７を所
望の形状にパターン化し、次いでこれをマスクとしてＣ
Ｆ４ガスによるドライエツチングにより発熱抵抗体層２
を所望の形状に・母ターン化する。この時点では発熱抵
抗体層２の発熱部２ａ上にも第１ Ａｕ層が残っている
。
上にスノ？ツタ法により発熱抵抗体層２を設け、同一真
空中で連続して下部給電体層とじての第１のＡｕ層７を
成膜する。本実施例では抵抗体としてばＴ ａ ２ Ｎ
を用い、第１ Ａｕ層の厚さは０．３μｍ程度としてい
る。次にホトリンエツチングにょシ第１ Ａｕ層７を所
望の形状にパターン化し、次いでこれをマスクとしてＣ
Ｆ４ガスによるドライエツチングにより発熱抵抗体層２
を所望の形状に・母ターン化する。この時点では発熱抵
抗体層２の発熱部２ａ上にも第１ Ａｕ層が残っている
。
次にレジストを完全に除去した後、さらに第２のＡｕ層
を電子ビーム（ＥＢ）蒸着によシ全面に１．２μｍ厚に
被着させ、ホトリソエツチングにより発熱抵抗体層２の
発熱部２ａ上の第１ Ａｕ層、第２金層を除去すると共
に所望の形状にＡ’ターン化された第１ Ａｕ層７、第
２ Ａｕ層８からなる給電体層を形成する。この第１
Ａｕ層７と第２ Ａｕ層８とを合わせた給電体層の厚み
は１．５μｍ程度となる。
を電子ビーム（ＥＢ）蒸着によシ全面に１．２μｍ厚に
被着させ、ホトリソエツチングにより発熱抵抗体層２の
発熱部２ａ上の第１ Ａｕ層、第２金層を除去すると共
に所望の形状にＡ’ターン化された第１ Ａｕ層７、第
２ Ａｕ層８からなる給電体層を形成する。この第１
Ａｕ層７と第２ Ａｕ層８とを合わせた給電体層の厚み
は１．５μｍ程度となる。
そしてさらに８１０２等の保護膜５が発熱抵抗体層２０
発熱部２ａ及び第２ Ａｕ層層上上２μｍ厚程度に被着
される。次にＴａ２０５等の耐摩耗膜６が保護膜５上に
４μｍ厚程度に被着される。このようにして作られたサ
ーマルヘッドは給電体層２がＡｕのみからなっている。
発熱部２ａ及び第２ Ａｕ層層上上２μｍ厚程度に被着
される。次にＴａ２０５等の耐摩耗膜６が保護膜５上に
４μｍ厚程度に被着される。このようにして作られたサ
ーマルヘッドは給電体層２がＡｕのみからなっている。
なお、本実施例で用いた基板抵抗体、保護膜。
耐摩耗膜の材質、成膜方法、膜厚等はこれに限定される
ものではない。またＡｕの成膜方法も、他のス・９ツタ
法等真空成膜方法におきかえることができる。
ものではない。またＡｕの成膜方法も、他のス・９ツタ
法等真空成膜方法におきかえることができる。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば第１ Ａｕ層を発熱抵
抗体層を形成した後真空と破らずに形成したため発熱抵
抗体層上に密着よく形成することができる。これを密着
層として第２ Ａｕ層と形成する方法により ＮｉＣｒ
、Ｃｒ等の適正なエツチングが困難な密着層の使用を回
避することができ゛、高精細なサーマルヘッドでも歩留
りよく製造することを可能となる。同時に第１ Ａｕ層
を発熱抵抗体層のエツチングのマスクとして用いること
ができることからドライエツチングの速度がおそ〈従来
のレノストをマスクとする方法ではエツチングが困難で
あった発熱抵抗体を使用することも可能となる。
抗体層を形成した後真空と破らずに形成したため発熱抵
抗体層上に密着よく形成することができる。これを密着
層として第２ Ａｕ層と形成する方法により ＮｉＣｒ
、Ｃｒ等の適正なエツチングが困難な密着層の使用を回
避することができ゛、高精細なサーマルヘッドでも歩留
りよく製造することを可能となる。同時に第１ Ａｕ層
を発熱抵抗体層のエツチングのマスクとして用いること
ができることからドライエツチングの速度がおそ〈従来
のレノストをマスクとする方法ではエツチングが困難で
あった発熱抵抗体を使用することも可能となる。
第１図は本発明の一実施例の方法により作られたサーマ
ルヘッドの構成を示す断面図、第２図は従来のサーマル
ヘッドの構成を示す断面図、第３図はＮ ｉ Ｃｒ層の
オーバエッチを示す断面図である。 １・・・基板、２・・・発熱抵抗体層、２ａ・・・発熱
部、５・・・保護膜、６・・・耐摩耗膜、７・・・第１
Ａｕ層、８・・・第２ Ａｕ層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 、半、発明１て係うサーマルヘッドあ断面図第１図 覆友木０寸−マ１い−、 ）゛、１斤徴目ム第２図 Ｎ ｒ Ｃｒ −ＡＵ 配縁ｆ１ｆｔｆｒ ｍ ’Ｗ第
３図 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和６０年 特 許 願第２５８７０８号２、発明の名
称 サーマルヘッド及びその製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人住 所（
〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号４代
理人
ルヘッドの構成を示す断面図、第２図は従来のサーマル
ヘッドの構成を示す断面図、第３図はＮ ｉ Ｃｒ層の
オーバエッチを示す断面図である。 １・・・基板、２・・・発熱抵抗体層、２ａ・・・発熱
部、５・・・保護膜、６・・・耐摩耗膜、７・・・第１
Ａｕ層、８・・・第２ Ａｕ層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 、半、発明１て係うサーマルヘッドあ断面図第１図 覆友木０寸−マ１い−、 ）゛、１斤徴目ム第２図 Ｎ ｒ Ｃｒ −ＡＵ 配縁ｆ１ｆｔｆｒ ｍ ’Ｗ第
３図 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和６０年 特 許 願第２５８７０８号２、発明の名
称 サーマルヘッド及びその製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人住 所（
〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号４代
理人
Claims (2)
- （１）基板上に発熱抵抗体層、給電体層が形成されたサ
ーマルヘッドにおいて、 前記給電体層が金のみからなることを特徴とするサーマ
ルヘッド。 - （２）真空中で基板上に発熱抵抗体層と第１の金層とを
連続的に形成する工程と、 前記第１の金層をパターン化する工程と、 前記第１の金層のパターンをマスクとして前記発熱抵抗
体層をパターン化する工程と、 全面に第２のＡｕ層を被着した後、前記発熱抵抗体層の
発熱部上の前記第１の金層及び前記第２の金層を除去す
ると共に前記第１の金層及び前記第２の金層からなる給
電体層のパターンを形成する工程とを含むことを特徴と
するサーマルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258708A JPS62119057A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258708A JPS62119057A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119057A true JPS62119057A (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=17323990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60258708A Pending JPS62119057A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02147254A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーマルヘッドの製造方法 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60258708A patent/JPS62119057A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02147254A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーマルヘッドの製造方法 |
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