JPS62167869A - 金属膜のパタ−ン化方法 - Google Patents
金属膜のパタ−ン化方法Info
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- JPS62167869A JPS62167869A JP1055586A JP1055586A JPS62167869A JP S62167869 A JPS62167869 A JP S62167869A JP 1055586 A JP1055586 A JP 1055586A JP 1055586 A JP1055586 A JP 1055586A JP S62167869 A JPS62167869 A JP S62167869A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属膜のパターニング方法に関する。
金属膜のパターニング方法は、エレクトロニクス素子の
製造あるいは超精密加工の分野で重要な技術となってい
る。それらの金属膜は蒸着やスパッタリングなどドライ
プロセスで形成されることが多（、そして腐食しにくい
金属膜または膜厚が大きい金属膜のパターニングも必要
になっている。
製造あるいは超精密加工の分野で重要な技術となってい
る。それらの金属膜は蒸着やスパッタリングなどドライ
プロセスで形成されることが多（、そして腐食しにくい
金属膜または膜厚が大きい金属膜のパターニングも必要
になっている。
金属膜をパターン化する場合まず考えられるのはウェッ
トエツチング法である。１１ｔｍ以上の厚膜なエツチン
グするとき、レジスト材料の耐エツチャント性あるいは
密着性などは常に問題となり、厚膜°のパターン化には
適さない。またＴｉ、Ｔａあるいはその化合物など一部
の危険な酸のみに溶解するもの、難溶解性の金属に対し
ては対応するのは難しい。これに対してドライエツチン
グでは難溶解性の膜でもパターン化できる。しかし厚膜
ではマスクとのエツチング選択比の問題、基板へ与える
ダメージの大きさ、さらに装置自体が犬がかりである問
題がある。金属膜を全面に形成してからパターン化する
以上の方法に対し、蒸着時にパターンを作る方法として
、リフトオフ法、マスク蒸着法などが考えられる。リフ
トオフ法はフォトレジストを用いているために長時間の
蒸着では耐熱性が問題になり、またスパッタリングなど
回り込みの大きい金属膜形成法には用いられなし・。
トエツチング法である。１１ｔｍ以上の厚膜なエツチン
グするとき、レジスト材料の耐エツチャント性あるいは
密着性などは常に問題となり、厚膜°のパターン化には
適さない。またＴｉ、Ｔａあるいはその化合物など一部
の危険な酸のみに溶解するもの、難溶解性の金属に対し
ては対応するのは難しい。これに対してドライエツチン
グでは難溶解性の膜でもパターン化できる。しかし厚膜
ではマスクとのエツチング選択比の問題、基板へ与える
ダメージの大きさ、さらに装置自体が犬がかりである問
題がある。金属膜を全面に形成してからパターン化する
以上の方法に対し、蒸着時にパターンを作る方法として
、リフトオフ法、マスク蒸着法などが考えられる。リフ
トオフ法はフォトレジストを用いているために長時間の
蒸着では耐熱性が問題になり、またスパッタリングなど
回り込みの大きい金属膜形成法には用いられなし・。
またマスク蒸着のマスクは微細パターンを作り出すのは
難しく、基板とマスクを密着させるのが困難であるため
、回り込みが大きくなってしまう。
難しく、基板とマスクを密着させるのが困難であるため
、回り込みが大きくなってしまう。
本発明の目的は、酸などのエッチャントには溶解しにく
く、かつドライプロセスで形成した膜厚が１μｍ以上の
厚い膜を、比較的簡便な方法で精度良クパターン化する
ことである。上記の目的のため本発明においては、炭化
水素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ重合処理によ
り形成されるｉ−カーボン膜を、基板表面−の特定の部
分を除く残りの部分にパターン状に被覆し、これをマス
クとして目的とする金属膜を前記基板の特定の部分のみ
に被覆することにより金属膜をパターン化した。
く、かつドライプロセスで形成した膜厚が１μｍ以上の
厚い膜を、比較的簡便な方法で精度良クパターン化する
ことである。上記の目的のため本発明においては、炭化
水素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ重合処理によ
り形成されるｉ−カーボン膜を、基板表面−の特定の部
分を除く残りの部分にパターン状に被覆し、これをマス
クとして目的とする金属膜を前記基板の特定の部分のみ
に被覆することにより金属膜をパターン化した。
本発明の実施例を第１図を用いて説明する。第１図（ａ
ｌより第１図（Ｃ１はそれぞれ本発明の方法における工
程を説明するための薄膜素子の要部断面図であり、第１
図（ａｔに示すように、ガラスなどの基板１０上にフォ
トレジスト２０によってパターンを形成し、つづいてシ
リコン（Ｓｉ）膜６０を蒸着によって形成する。フォト
レジスト２０は専用の剥離液で除去すればシリコン膜３
０はリフトオフされ、シリコン膜３０のパターンが作ら
れる。
ｌより第１図（Ｃ１はそれぞれ本発明の方法における工
程を説明するための薄膜素子の要部断面図であり、第１
図（ａｔに示すように、ガラスなどの基板１０上にフォ
トレジスト２０によってパターンを形成し、つづいてシ
リコン（Ｓｉ）膜６０を蒸着によって形成する。フォト
レジスト２０は専用の剥離液で除去すればシリコン膜３
０はリフトオフされ、シリコン膜３０のパターンが作ら
れる。
次にシリコン膜のパターン化された基板１０に、メタン
（ＣＨ４）を導入ガスとしてプラズマ重合を行ないｉ−
カーボン４０を約０．５μｍ形成する。
（ＣＨ４）を導入ガスとしてプラズマ重合を行ないｉ−
カーボン４０を約０．５μｍ形成する。
ｉ −ｆｙ −ホンはシリコン、ゲルマニウム＜（３ｅ
）とは非常に密着性が良いが、ガラスや他の金属元素の
上には密着せず膜形成ができないため、第１図（ｂ）に
示した様に、シリコン膜６０のパターン通りにｉ−カー
ボン４０もパターン化される。次の段階として、第１図
（Ｃ）に示す様にまず金属膜５０のガラスへの密着層と
してクロム（Ｃｒ）を約１０００人魚着しく図示せず）
、その後パターン化する金属膜５０にニッケル（Ｎｉ）
を用いて約１μｍ蒸着する。りＰムはガラスと密着が良
いため、基板表面１１には当然クロムそしてニッケル膜
が堆積する。ｉ−カーボン表面４１は、クロム、ニッケ
ル両者に対し密着力が非常に弱いため、蒸着直後は堆積
するが空気中保持によってしだいに剥離してしまう。以
上により第１図（ｃ）に示すように、金属膜５０は露出
していた基板表面１１のみにパターン形成される。
）とは非常に密着性が良いが、ガラスや他の金属元素の
上には密着せず膜形成ができないため、第１図（ｂ）に
示した様に、シリコン膜６０のパターン通りにｉ−カー
ボン４０もパターン化される。次の段階として、第１図
（Ｃ）に示す様にまず金属膜５０のガラスへの密着層と
してクロム（Ｃｒ）を約１０００人魚着しく図示せず）
、その後パターン化する金属膜５０にニッケル（Ｎｉ）
を用いて約１μｍ蒸着する。りＰムはガラスと密着が良
いため、基板表面１１には当然クロムそしてニッケル膜
が堆積する。ｉ−カーボン表面４１は、クロム、ニッケ
ル両者に対し密着力が非常に弱いため、蒸着直後は堆積
するが空気中保持によってしだいに剥離してしまう。以
上により第１図（ｃ）に示すように、金属膜５０は露出
していた基板表面１１のみにパターン形成される。
上記の実施例においては、基板にガラスを用いているが
、シリコン、ゲルマニウムなどを除いた他の材料で、用
いようとする金属膜とある程度の密着力を有しておれば
、使用可能である。さらにシリコンウェハーなどを基板
に用いたい時は、１−カーボンをフォトレジストを用い
て直接リフトオフによりパターン化すれば良（、シリコ
ン、ゲルマニウムも使用できることになる。金属膜は一
例としてニッケルを用いただけであり、はとんどの金属
はｉ−カーボンと密着しないため、用いることカー゛で
きる。また、ここではクロムを密着層として入れである
力ｔ、基板とパターン化したい金属膜の密着が良ければ
用いる必要はない。
、シリコン、ゲルマニウムなどを除いた他の材料で、用
いようとする金属膜とある程度の密着力を有しておれば
、使用可能である。さらにシリコンウェハーなどを基板
に用いたい時は、１−カーボンをフォトレジストを用い
て直接リフトオフによりパターン化すれば良（、シリコ
ン、ゲルマニウムも使用できることになる。金属膜は一
例としてニッケルを用いただけであり、はとんどの金属
はｉ−カーボンと密着しないため、用いることカー゛で
きる。また、ここではクロムを密着層として入れである
力ｔ、基板とパターン化したい金属膜の密着が良ければ
用いる必要はない。
実施例より明らかなように、本発明によればほとんどす
べての金属膜を蒸着などのドライプロセスで１μｍ以上
の厚みで形成し、比較的簡単に精度良くパターン化する
ことができる。これにより基板損傷やダメージなくして
、品質の良いエレクトロニクス材料あるいは精密材料を
作り出すことができる。
べての金属膜を蒸着などのドライプロセスで１μｍ以上
の厚みで形成し、比較的簡単に精度良くパターン化する
ことができる。これにより基板損傷やダメージなくして
、品質の良いエレクトロニクス材料あるいは精密材料を
作り出すことができる。
第１図（ａｌより第１図（ｃｌはそれぞれ本発明の方法
における工程を説明するための薄膜素子の要部断面図で
ある。 １０・・・・・・基板、１１・・・・・・基板表面、２
０・・・・・・フォトレジスト、６０・・・・・・シリ
コン膜、４０・・・・・・ｉ−カーボン、 ４１・・・・・・ｉ−カーボン表面、 ５０・・・・・・金属膜。
における工程を説明するための薄膜素子の要部断面図で
ある。 １０・・・・・・基板、１１・・・・・・基板表面、２
０・・・・・・フォトレジスト、６０・・・・・・シリ
コン膜、４０・・・・・・ｉ−カーボン、 ４１・・・・・・ｉ−カーボン表面、 ５０・・・・・・金属膜。
Claims (1)
- 炭化水素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ重合処理
により形成されるｉ−カーボン膜を、基板表面の特定の
部分を除く残りの部分にパターン状に被覆し、これをマ
スクとして目的とする金属膜を前記基板の特定の部分の
みに被覆することを特徴とする金属膜のパターン化方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055586A JPH0653922B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 金属膜のパタ−ン化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055586A JPH0653922B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 金属膜のパタ−ン化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62167869A true JPS62167869A (ja) | 1987-07-24 |
| JPH0653922B2 JPH0653922B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=11753498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055586A Expired - Lifetime JPH0653922B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 金属膜のパタ−ン化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653922B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7341825B2 (en) | 2006-05-25 | 2008-03-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for producing high resolution nano-imprinting masters |
| CN105088325A (zh) * | 2015-07-20 | 2015-11-25 | 中国船舶重工集团公司第十二研究所 | 一种磁控溅射类石墨碳膜的退镀方法 |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP1055586A patent/JPH0653922B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7341825B2 (en) | 2006-05-25 | 2008-03-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for producing high resolution nano-imprinting masters |
| CN105088325A (zh) * | 2015-07-20 | 2015-11-25 | 中国船舶重工集团公司第十二研究所 | 一种磁控溅射类石墨碳膜的退镀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0653922B2 (ja) | 1994-07-20 |
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