JPS589140A - フオトレジストの付着性を改善する方法 - Google Patents
フオトレジストの付着性を改善する方法Info
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- JPS589140A JPS589140A JP57081730A JP8173082A JPS589140A JP S589140 A JPS589140 A JP S589140A JP 57081730 A JP57081730 A JP 57081730A JP 8173082 A JP8173082 A JP 8173082A JP S589140 A JPS589140 A JP S589140A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、更に詳細には、
下側基板特に半導体基体に対するフォトレジストの付着
性を改善する方法に関する。
下側基板特に半導体基体に対するフォトレジストの付着
性を改善する方法に関する。
半導体装置の製造においては、二酸化シリコン層を有す
る半導体基板の選択された領域を選択的に露出又は被覆
する手段としてフォトレジストが用いられる。フォトレ
ジストには、露光された領域が不容性になるネガ型フォ
トレジスト及赫露光された領域が溶解性になるポジ型フ
ォトレジストがあるが、フォトレジスト・パターンの現
像の際に残されるべきフォトレジストの縁部が持ち上が
り、あるいは取れてしまい下側基板領域を余分に露出し
てしまう場合がある。従って、当初予定していたパター
ンからずれ症パターンが形成され、パターン形成の解像
度、精度が悪くなるだけでなく、場合によっては短絡回
路を形成する問題がある。
る半導体基板の選択された領域を選択的に露出又は被覆
する手段としてフォトレジストが用いられる。フォトレ
ジストには、露光された領域が不容性になるネガ型フォ
トレジスト及赫露光された領域が溶解性になるポジ型フ
ォトレジストがあるが、フォトレジスト・パターンの現
像の際に残されるべきフォトレジストの縁部が持ち上が
り、あるいは取れてしまい下側基板領域を余分に露出し
てしまう場合がある。従って、当初予定していたパター
ンからずれ症パターンが形成され、パターン形成の解像
度、精度が悪くなるだけでなく、場合によっては短絡回
路を形成する問題がある。
この問題に関連し、ネガ型フォトレジストを用いた技術
では、エツチングの前にフォトレジストをボストΦベー
キングなどにより加熱し基板上の二酸化シリコン表面と
レジストの間の結合を強固にしようとする方法が提案さ
れた。しかしその有効性は特定の酸化物表面、又はその
酸化物が不純物あるいは湿気を含むかなどの表面状態に
よって左右されるため、ポスト・ベーキング方法は完全
に満足的ではなかった。また、酸化物の厚さが変われば
、酸化物のエツチングのＡめにエツチング溶液にさらさ
れる時間が変わるから、レジストリ持ち上がりあるいは
ゆがみが多様に変わり、同じ基板であってもある領域を
他の領域よりも強くポスト・ベーキングする必要が生じ
る。′更に、ポスト・箋−キングされたフォトレジスト
はポスト・ベーキングされないものよりも除去しにくく
なりやすい。従ってポスト・ベーキング方法は十分に満
足的な方法とはいえない。
では、エツチングの前にフォトレジストをボストΦベー
キングなどにより加熱し基板上の二酸化シリコン表面と
レジストの間の結合を強固にしようとする方法が提案さ
れた。しかしその有効性は特定の酸化物表面、又はその
酸化物が不純物あるいは湿気を含むかなどの表面状態に
よって左右されるため、ポスト・ベーキング方法は完全
に満足的ではなかった。また、酸化物の厚さが変われば
、酸化物のエツチングのＡめにエツチング溶液にさらさ
れる時間が変わるから、レジストリ持ち上がりあるいは
ゆがみが多様に変わり、同じ基板であってもある領域を
他の領域よりも強くポスト・ベーキングする必要が生じ
る。′更に、ポスト・箋−キングされたフォトレジスト
はポスト・ベーキングされないものよりも除去しにくく
なりやすい。従ってポスト・ベーキング方法は十分に満
足的な方法とはいえない。
フォトレジストの結合を改善する付着性組成物で二酸化
シリコン層を予備被覆する方法も提案された。種々の付
着性組成物が提案されたが十分に満足しうるものではな
かった。適当な結合力を持ってはいるが、大抵は有毒で
あり、空気及び湿気に対して高い反応性を示し、更に、
しばしばある程度のポスト・ベーキングを必要とする。
シリコン層を予備被覆する方法も提案された。種々の付
着性組成物が提案されたが十分に満足しうるものではな
かった。適当な結合力を持ってはいるが、大抵は有毒で
あり、空気及び湿気に対して高い反応性を示し、更に、
しばしばある程度のポスト・ベーキングを必要とする。
この問題を軽減するためのより一般的な方法の１つはフ
ォトレジストの付着の前に基板上に液体のヘキサアルキ
ルジシラザン接着剤を設けることである。ヘキサアルキ
ルジシラザンは付着性を改善するが、形成されるフォト
レジスト・ストリップが非常に狭い場合あるいは・処理
中の湿度が比較的高い場合（大体４０％以上の場合）は
効果がかなり薄れる。
ォトレジストの付着の前に基板上に液体のヘキサアルキ
ルジシラザン接着剤を設けることである。ヘキサアルキ
ルジシラザンは付着性を改善するが、形成されるフォト
レジスト・ストリップが非常に狭い場合あるいは・処理
中の湿度が比較的高い場合（大体４０％以上の場合）は
効果がかなり薄れる。
本発明によれば、例えば２ミクロン又はそれより小さな
非常に狭いレジスト・ストリップを形成した場合でも且
つ大体４０％以上の比較的高い湿度の中でも、前述の付
着不良の問題を解決することができる。本発明によれば
、フォトレジストと所望の基体表面との間の付着性は、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、又はその酸化物例
えば二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、あるいはそれ
らの混合物からなる群から選択された物質の層をフォト
レジストと付着表面との間に設けることによって改善さ
れる。この付着促進層、特に二酸化チタンは緩衝された
ＨＦ溶液又は加熱されたりん酸溶液で容易にエッチ可能
であり、通常のエツチング処理と適合する。
非常に狭いレジスト・ストリップを形成した場合でも且
つ大体４０％以上の比較的高い湿度の中でも、前述の付
着不良の問題を解決することができる。本発明によれば
、フォトレジストと所望の基体表面との間の付着性は、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、又はその酸化物例
えば二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、あるいはそれ
らの混合物からなる群から選択された物質の層をフォト
レジストと付着表面との間に設けることによって改善さ
れる。この付着促進層、特に二酸化チタンは緩衝された
ＨＦ溶液又は加熱されたりん酸溶液で容易にエッチ可能
であり、通常のエツチング処理と適合する。
次に図面を参照して本発明の良好な実施例について説明
する。第１．１図において、単結晶シリコン・ウェハ基
゛板２上に二酸化シリコン層１が設けられる。二酸化シ
リコン層は二酸化シリコンの蒸着、シリコン表面の熱酸
化、シロ・キサンの熱分解等の任意の周知の技術で形成
できる。酸化物の厚さは酸化ステップあるいは酸化物形
成の目的に応じて数百Ｘ〜数十万Ｘで変わりうる。
する。第１．１図において、単結晶シリコン・ウェハ基
゛板２上に二酸化シリコン層１が設けられる。二酸化シ
リコン層は二酸化シリコンの蒸着、シリコン表面の熱酸
化、シロ・キサンの熱分解等の任意の周知の技術で形成
できる。酸化物の厚さは酸化ステップあるいは酸化物形
成の目的に応じて数百Ｘ〜数十万Ｘで変わりうる。
本実施例では二酸化シリコン層を用いるものとして説明
されるが、本発明は一般には、シリコンを含む基板ある
いはフォトレジスト付着の問題を生じる任意の基板に適
用可能である。勿論、このような問題を生じないサファ
イア基板のような基板も少しは存在するが、適当な半導
体基板の例はひ化ガリウム、シリコン及びポリシリコン
であり、シリコンを含む基板の例はガラス、二酸化シリ
コン及び窒化シリコンである。 。
されるが、本発明は一般には、シリコンを含む基板ある
いはフォトレジスト付着の問題を生じる任意の基板に適
用可能である。勿論、このような問題を生じないサファ
イア基板のような基板も少しは存在するが、適当な半導
体基板の例はひ化ガリウム、シリコン及びポリシリコン
であり、シリコンを含む基板の例はガラス、二酸化シリ
コン及び窒化シリコンである。 。
二酸化シリコン表面を形成する１つの適当な方法は酸素
又は蒸気雰囲気中で数分〜４時間の間８００°Ｃ〜１０
００℃の温度でシリコン基板を酸化することである。酸
化物層が形成された後、薄い付着促進被覆層３が設けら
れる。
又は蒸気雰囲気中で数分〜４時間の間８００°Ｃ〜１０
００℃の温度でシリコン基板を酸化することである。酸
化物層が形成された後、薄い付着促進被覆層３が設けら
れる。
本発明で用いられる被覆層６はチタン、ジルコニウム、
ハフニウム、その酸化物例えば二酸化チタン、二酸化ジ
ルコニウム、二酸化ノ・フニウム、又は以上の任意のも
のの混合物である。好ましい被覆は二酸化チタンである
。
ハフニウム、その酸化物例えば二酸化チタン、二酸化ジ
ルコニウム、二酸化ノ・フニウム、又は以上の任意のも
のの混合物である。好ましい被覆は二酸化チタンである
。
被覆層３＆主普通の被覆技術の任意のもので付着できる
。このような技術はスパッタリング及び電子ビーム蒸着
を含む。二酸化チタンは、スノ（ツタリング、Ｔｉｃｌ
の加水分解、テトラｌプロポキシドＱチタンＴｉ （
ＯＣ３Ｔ（７）’４の加水−熱分解により簡単に形成で
きる。良好な方法はＴｉｃｌ４の加水分解である。
。このような技術はスパッタリング及び電子ビーム蒸着
を含む。二酸化チタンは、スノ（ツタリング、Ｔｉｃｌ
の加水分解、テトラｌプロポキシドＱチタンＴｉ （
ＯＣ３Ｔ（７）’４の加水−熱分解により簡単に形成で
きる。良好な方法はＴｉｃｌ４の加水分解である。
Ｔｉｃｌ４の加水分解方法は第２図に示されている。Ｔ
ｉｃｌ４は室温でフラスコ１００に入れられ、ビトン管
１０１及びガラス・ノズル１０２を介して運ばれる。ビ
トン（Ｖｉｔｏｎ ）はへキサフルオロプロピレン及び
１．１−ジフルオロエチレンの共重合体である。Ｎ２．
０２又はＨｅのようなガスが管、１０３を介してフ・ラ
スコ１．００に入れられ、フラスコ内の液体Ｔｉｅ１４
の上を通され、管１０１及びガラス・ノズル１０２を介
してＴｉ、ｃ１４を運ぶ。ガスの流れは容器１０６のウ
エノ・又は基板′１０６から約５ｃｍの距離でガラス・
ノズルから出る。基板は室温〜約３００℃、好ましくは
室温〜１００℃の温度にされる。必要ならば、基板は加
熱器１０５により加熱される。二酸化チタンＴｉＯ２の
厚さは約１０〜６０００Ｘ°、好ましくは約２５Ｘ′で
ある。被覆に用いられる時間は３Ｘ３ｃｍのウェハでは
約１００℃の温度で２〜′５秒、室温で約５秒である。
ｉｃｌ４は室温でフラスコ１００に入れられ、ビトン管
１０１及びガラス・ノズル１０２を介して運ばれる。ビ
トン（Ｖｉｔｏｎ ）はへキサフルオロプロピレン及び
１．１−ジフルオロエチレンの共重合体である。Ｎ２．
０２又はＨｅのようなガスが管、１０３を介してフ・ラ
スコ１．００に入れられ、フラスコ内の液体Ｔｉｅ１４
の上を通され、管１０１及びガラス・ノズル１０２を介
してＴｉ、ｃ１４を運ぶ。ガスの流れは容器１０６のウ
エノ・又は基板′１０６から約５ｃｍの距離でガラス・
ノズルから出る。基板は室温〜約３００℃、好ましくは
室温〜１００℃の温度にされる。必要ならば、基板は加
熱器１０５により加熱される。二酸化チタンＴｉＯ２の
厚さは約１０〜６０００Ｘ°、好ましくは約２５Ｘ′で
ある。被覆に用いられる時間は３Ｘ３ｃｍのウェハでは
約１００℃の温度で２〜′５秒、室温で約５秒である。
被覆層３はテスライソプロポキシド・チタンの加水−熱
分解によって同様に付着できるが、この゛場合フラスコ
１００内のテトライソプロポキシド・チタンは約６５〜
８５℃の温度に加熱される。
分解によって同様に付着できるが、この゛場合フラスコ
１００内のテトライソプロポキシド・チタンは約６５〜
８５℃の温度に加熱される。
加えて、基板温度は約３５０℃にされる。
スパッタリングは例えばチタン・ターゲット及び約１０
０％酸素のガスを用い１．２０”ＯＯＶのカソード電圧
、−５０ｖの基板、３３ｍｍの間隔で行なうことができ
る。基板温度は約ｉｓｏ’ｃにされ、このとき４５λ゛
／分の成襄速度を与える。
０％酸素のガスを用い１．２０”ＯＯＶのカソード電圧
、−５０ｖの基板、３３ｍｍの間隔で行なうことができ
る。基板温度は約ｉｓｏ’ｃにされ、このとき４５λ゛
／分の成襄速度を与える。
付着促進層乙の付着の後、その上に適当なフォトレジス
ト層４が付着される。種々のフォトレジスト材を使用し
うるが、特に適当なものはフェノール・ホルムアルデヒ
ド・ノボラック重合体に基づく組成物である。その−例
はＳｈｉ、ｐｌｅｙＡＺ−１６５０である。これはｍ−
りルゾール・ホルムアルデヒド・ノボラック重合体組成
物でもって、ポジ型レジストであり、２−ジアゾ−１−
ナフトール−５−スルホン酸エステルのようなジアゾケ
トンを含む。このような組成物では、オルトージアゾケ
、トンは光化学反応の期間にカルボン酸に変えられる。
ト層４が付着される。種々のフォトレジスト材を使用し
うるが、特に適当なものはフェノール・ホルムアルデヒ
ド・ノボラック重合体に基づく組成物である。その−例
はＳｈｉ、ｐｌｅｙＡＺ−１６５０である。これはｍ−
りルゾール・ホルムアルデヒド・ノボラック重合体組成
物でもって、ポジ型レジストであり、２−ジアゾ−１−
ナフトール−５−スルホン酸エステルのようなジアゾケ
トンを含む。このような組成物では、オルトージアゾケ
、トンは光化学反応の期間にカルボン酸に変えられる。
そして、これは中性の有機可溶性分子（フェノール重合
体）を弱アルカ゛りの現像水溶液に容易に溶解する分子
に変える。組成物は通常１５重量％程度のジアゾケトン
化合物を含む。
体）を弱アルカ゛りの現像水溶液に容易に溶解する分子
に変える。組成物は通常１５重量％程度のジアゾケトン
化合物を含む。
フォトレジストは１〜２μ程度の厚さに付着される。勿
論、フォトレジストの厚さは用いられるフォトレジスト
及びその使用目的によって変わりうる。フォトレジスト
層４は第１．２図のソース−ドレイン−パターン５に対
応する光パターンで露光され、露光された領域はアルカ
リ水溶液のよシな適当な溶剤で除去される。
論、フォトレジストの厚さは用いられるフォトレジスト
及びその使用目的によって変わりうる。フォトレジスト
層４は第１．２図のソース−ドレイン−パターン５に対
応する光パターンで露光され、露光された領域はアルカ
リ水溶液のよシな適当な溶剤で除去される。
付着促進層乙の露出された領域が次に適当なエッチ剤に
より除去される。例えば、二酸化チタンの場合は、緩衝
されたＨＦ溶液が使用できる。濃塩酸又は５０％の塩酸
水溶液も二酸化チタンをゆっくりエッチする。しかし、
二酸化チタンがスパッタリング又はテトライソプロポキ
シドにより付着された場合は下側のＳ ｉ Ｏ２塩酸に
よって除去されることがわかった。
より除去される。例えば、二酸化チタンの場合は、緩衝
されたＨＦ溶液が使用できる。濃塩酸又は５０％の塩酸
水溶液も二酸化チタンをゆっくりエッチする。しかし、
二酸化チタンがスパッタリング又はテトライソプロポキ
シドにより付着された場合は下側のＳ ｉ Ｏ２塩酸に
よって除去されることがわかった。
これに対し、Ｔ ｉ ｃ Ｌ ４で付着された場合、下
側の５ｊ０２は塩酸によって除去されない。緩衝された
ＨＦ溶液のエツチングにより、二酸化シリコン層１にソ
ース、ドレイン開孔５Ａ（第１．３図）が形成される。
側の５ｊ０２は塩酸によって除去されない。緩衝された
ＨＦ溶液のエツチングにより、二酸化シリコン層１にソ
ース、ドレイン開孔５Ａ（第１．３図）が形成される。
フォトレジストを適当な溶剤例えばＩＮＤＵＳＴ−ＲＩ
−ＣＨＥＭ ＬＡＢＯＲＡＴＯＲＹ社製のＩＲＣＬ
Ｊｌｏｏによりはがし、残っている被覆層６を除去し
た後、りん、ひ素又はアンチモンを用いてＮ型拡散が行
なわれ、ソース６及びドレイン７（第１，３図）が形成
される。次に１０００〜５０’００ Ｘの厚さ□に第２
の二酸化シリコン層ＩＡ（第１．４図）が形成される。
−ＣＨＥＭ ＬＡＢＯＲＡＴＯＲＹ社製のＩＲＣＬ
Ｊｌｏｏによりはがし、残っている被覆層６を除去し
た後、りん、ひ素又はアンチモンを用いてＮ型拡散が行
なわれ、ソース６及びドレイン７（第１，３図）が形成
される。次に１０００〜５０’００ Ｘの厚さ□に第２
の二酸化シリコン層ＩＡ（第１．４図）が形成される。
二酸化シリコン層１及び１Ａは実際には７体であるが、
説明のため別々の層として示されてい−る。二酸化シリ
コン層の上には二酸化チタン層８が（第１．５図）再び
付着される。付着促進層８の上には５ｈｉｐｌｅｙ Ａ
Ｚ １３’５０のようなフォトレジスト層９が形成さ
れる。フォトレジスト層９の開孔部分の二酸化チタン層
８が除去され、二酸化シリコンは緩衝されたＨＦ溶液に
よりエッチされ、次に、残っているフォトレジスト及び
二酸化チタンが除去されて、第１．６図の構造が得られ
る。
説明のため別々の層として示されてい−る。二酸化シリ
コン層の上には二酸化チタン層８が（第１．５図）再び
付着される。付着促進層８の上には５ｈｉｐｌｅｙ Ａ
Ｚ １３’５０のようなフォトレジスト層９が形成さ
れる。フォトレジスト層９の開孔部分の二酸化チタン層
８が除去され、二酸化シリコンは緩衝されたＨＦ溶液に
よりエッチされ、次に、残っているフォトレジスト及び
二酸化チタンが除去されて、第１．６図の構造が得られ
る。
アルミニウムのような相互接続導電体層１０が全面に蒸
着される・。相互接続導電体はドープ・ボ ”リシリコ
ン又は珪化物のようなものでもよい。次にフォトレジス
ト層）１が付着されるが、この場合導電体層１０とフォ
トレジスト層１１０間に上述の付着促進層１２を介在さ
せてもよい。フォトレジスト層１１及び下側の付着促進
層（存在する場合）は第１．８図のように現像される。
着される・。相互接続導電体はドープ・ボ ”リシリコ
ン又は珪化物のようなものでもよい。次にフォトレジス
ト層）１が付着されるが、この場合導電体層１０とフォ
トレジスト層１１０間に上述の付着促進層１２を介在さ
せてもよい。フォトレジスト層１１及び下側の付着促進
層（存在する場合）は第１．８図のように現像される。
フォトレジストの現像の後、フォトレジスト層１１０開
孔部分１１’Ａのアルミニウムは水酸化物溶液でエッチ
さ些、第１９図の構造が得られる。′本明細書では半導
体装置を製造する例を用いて説明したが、本発明は下側
基板にフォトレジスト材を付着する任意のプロセスに適
用可能であり、特に半導採基板、金属基板あるいはシリ
コン含有基板に適用しうる。例えば本発明はプリント回
路板、薄膜を酸化物表面で保護する。薄膜少モリ、酸化
物基体を用いるグラビア印刷、フォトマスクの製造など
で使用しうる。
孔部分１１’Ａのアルミニウムは水酸化物溶液でエッチ
さ些、第１９図の構造が得られる。′本明細書では半導
体装置を製造する例を用いて説明したが、本発明は下側
基板にフォトレジスト材を付着する任意のプロセスに適
用可能であり、特に半導採基板、金属基板あるいはシリ
コン含有基板に適用しうる。例えば本発明はプリント回
路板、薄膜を酸化物表面で保護する。薄膜少モリ、酸化
物基体を用いるグラビア印刷、フォトマスクの製造など
で使用しうる。
７、ｔトレジストとして５ｈｉｐｌｅｙ ＡＺ−１３
５０を用い、５ｈｉｐｌｅｙ ＡＺ現像液を用い約４４
％の相対湿度で現像するテストを行なった。このテスト
では、（Ａ）熱成長二酸化シリコン層を有するシリコン
基板、（Ｂつ裸のシリコン基板、（Ｃ）裸のひ化ガリウ
ム基板及び（Ｄ）ガラス基板に夫々１．５μ巾のレジ哀
ト・ストリップを形成するテスト、並びに（Ｅ）窒化シ
リコン層を有するシリコン基板及び（Ｆ）二酸化シリコ
ン層を有するひ化ガリウム基板に２．５μ巾のレジスト
・ストリップを形成するテストを行ない、夫々、基板の
表面処理を行なわない場合、米国特許第３５４９３６８
号に示されて゛いるようにヘキサメチルジシラザンで表
面処理をした場合、及び上二酸化チタシ処理をした場合
についてレジスト・ストリップの状態を検査した。表面
処理をしない場合は（Ａ）、（Ｄ）及び（Ｅ）ではほぼ
。
５０を用い、５ｈｉｐｌｅｙ ＡＺ現像液を用い約４４
％の相対湿度で現像するテストを行なった。このテスト
では、（Ａ）熱成長二酸化シリコン層を有するシリコン
基板、（Ｂつ裸のシリコン基板、（Ｃ）裸のひ化ガリウ
ム基板及び（Ｄ）ガラス基板に夫々１．５μ巾のレジ哀
ト・ストリップを形成するテスト、並びに（Ｅ）窒化シ
リコン層を有するシリコン基板及び（Ｆ）二酸化シリコ
ン層を有するひ化ガリウム基板に２．５μ巾のレジスト
・ストリップを形成するテストを行ない、夫々、基板の
表面処理を行なわない場合、米国特許第３５４９３６８
号に示されて゛いるようにヘキサメチルジシラザンで表
面処理をした場合、及び上二酸化チタシ処理をした場合
についてレジスト・ストリップの状態を検査した。表面
処理をしない場合は（Ａ）、（Ｄ）及び（Ｅ）ではほぼ
。
１００％のレジストが基板表面から取れてしまい、（Ｂ
）では約９０％、（Ｃ）では約１０％、（Ｆ）では約６
５％が取れ、ヘキサメチルジシラザンで表面処理をした
場合は（Ｄ）で及び（Ｅ）でほぼ１００％のレジストが
取れ、（Ａ）で約８５％、（Ｂ）で約８０％、（Ｃ）で
はストリップ状に相当残ってはいるが、輪郭がくずれ且
つ随所に小さな切れ目が生じ、（Ｆ）では約３０％のレ
ジストが取れた。しかも、残っているレジく、かな゛り
基板表面から剥れていた。二酸化チタン処理をした場合
はどの場合でも連続したレジスト・ストリップを形成す
ることができた。
）では約９０％、（Ｃ）では約１０％、（Ｆ）では約６
５％が取れ、ヘキサメチルジシラザンで表面処理をした
場合は（Ｄ）で及び（Ｅ）でほぼ１００％のレジストが
取れ、（Ａ）で約８５％、（Ｂ）で約８０％、（Ｃ）で
はストリップ状に相当残ってはいるが、輪郭がくずれ且
つ随所に小さな切れ目が生じ、（Ｆ）では約３０％のレ
ジストが取れた。しかも、残っているレジく、かな゛り
基板表面から剥れていた。二酸化チタン処理をした場合
はどの場合でも連続したレジスト・ストリップを形成す
ることができた。
第１．１図〜第１．９図は本発明の方法に従って電界効
果トランジスタを製造する種々のステップを示す図、第
２図は本発明に従って付着促進層を被覆する装置例を示
す図である。 −１・・・・二酸化シリコン層、２
・・・・シリコシ基板、３・・・・付着促進被覆層、４
・・・・フォトレジスト層。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーＺズ
・コゴ丸トツタン代理人 弁理士 岡 １）
次 生（外１名）
果トランジスタを製造する種々のステップを示す図、第
２図は本発明に従って付着促進層を被覆する装置例を示
す図である。 −１・・・・二酸化シリコン層、２
・・・・シリコシ基板、３・・・・付着促進被覆層、４
・・・・フォトレジスト層。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーＺズ
・コゴ丸トツタン代理人 弁理士 岡 １）
次 生（外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フォトレジストを付着されるべき基本表面に、チタン、
ジルコニウム、ハフニウム、その酸化物、及びこれらの
混合物よりなる群から選択された物質の層を設け、その
上にフォトレジストを付着させることを特徴とする。 フォトレジストの付着性を改善する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US28015081A | 1981-06-30 | 1981-06-30 | |
| US280150 | 1981-06-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589140A true JPS589140A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=23071898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57081730A Pending JPS589140A (ja) | 1981-06-30 | 1982-05-17 | フオトレジストの付着性を改善する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0068098B1 (ja) |
| JP (1) | JPS589140A (ja) |
| CA (1) | CA1184321A (ja) |
| DE (1) | DE3275964D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006040956A1 (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 金属酸化物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3780387T2 (de) * | 1986-09-18 | 1993-01-28 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Herstellungsverfahren einer integrierten schaltung. |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3549368A (en) * | 1968-07-02 | 1970-12-22 | Ibm | Process for improving photoresist adhesion |
| US3586554A (en) * | 1969-01-15 | 1971-06-22 | Ibm | Process for increasing photoresist adhesion to a semiconductor by treating the semiconductor with a disilylamide |
| JPS5421073B2 (ja) * | 1974-04-15 | 1979-07-27 |
-
1982
- 1982-03-23 CA CA000399153A patent/CA1184321A/en not_active Expired
- 1982-04-27 DE DE8282103552T patent/DE3275964D1/de not_active Expired
- 1982-04-27 EP EP82103552A patent/EP0068098B1/en not_active Expired
- 1982-05-17 JP JP57081730A patent/JPS589140A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006040956A1 (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 金属酸化物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| JPWO2006040956A1 (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-15 | 日産化学工業株式会社 | 金属酸化物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0068098A3 (en) | 1983-09-28 |
| EP0068098A2 (en) | 1983-01-05 |
| CA1184321A (en) | 1985-03-19 |
| EP0068098B1 (en) | 1987-04-01 |
| DE3275964D1 (en) | 1987-05-07 |
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