JP3815413B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に導電膜のパターン形成工程の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
各種半導体装置の製造工程において、導電膜をパターン形成する際にフォトリソグラフィが利用される。導電膜上に塗布したレジストを露光現像して所望のレジストパターンを形成する際に、導電膜が高反射率の金属であって露光光の反射があると、微細なレジストパターンを得ることができない。このため導電膜上に予め反射防止膜を形成して、レジストを塗布し露光現像することが行われる。
【0003】
上述の反射防止膜には例えば、CVDやPVDによるTiN,TiON等の金属窒化物膜やスパッタによるシリコン膜等が用いられる。これらの反射防止膜は一般にボンディング性が悪い。従ってパターン形成された導電膜の少なくともボンディングパッド部分については、最終的に反射防止膜を除去することが必要になる。
【0004】
導電膜上の反射防止膜を除去するには、次の2通り方法がある。一つは、レジストパターンを用いて導電膜エッチングを行い、レジストアッシングを行った後、ケミカルエッチングを利用して導電膜パターン上全面の反射防止膜を除去する方法である。もう一つは、導電膜パターン上の反射防止膜を残したまま最終的な保護絶縁膜を堆積し、そのボンディングパッド部に開口を開けた後、その開口部に露出する反射防止膜をエッチング除去する方法である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、導電膜上の反射防止膜をCVDやPVDによる金属窒化物膜としたときには、スピンコート系の膜と異なってアッシング時に同時に除去することができず、これを除去するために専用の工程と装置を必要とした。
【0006】
この発明は上記事情を考慮してなされたもので、反射防止膜除去のための専用の工程及び装置を省いて工程簡略化を図った半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を介してAl膜を形成する工程と、前記Al膜上に反射防止膜として、ターゲット材にTiを用い、O 2 /N 2 比で10〜20%のO 2 を混入したPVD法によりTiON膜を形成する工程と、前記反射防止膜上にレジストを塗布して露光現像する工程と、現像されたレジストをマスクとして前記Al膜をアッシャー一体型ドライエッチング装置の第1チャンバ内でエッチングしてパターン形成する工程と、前記ドライエッチング装置の第2チャンバに基板を移して前記レジストをO2ガスでアッシング除去した後、同じ第2チャンバ内でCHF3ガスを追加して導入し、前記O2ガス流量50SCCMに対して前記CHF3ガス添加量が10〜20SCCMとして前記反射防止膜をエッチング除去する工程とを有することを特徴としている。
【0008】
この発明によると、Al膜をパターニングするドライエッチング装置として、ドライエッチング用の第1チャンバとレジストアッシング用の第2チャンバとが一体化された装置を用いて、この装置内でAl膜のエッチングからレジストアッシング、その後の反射防止膜エッチングまでが連続的に行われる。特にレジストアッシングとその後の反射防止膜エッチングは、同じ第2チャンバ内で導入ガスを変更するのみで連続的に行われる。従って、従来法に比べて半導体装置製造工程の簡略化、時間短縮が可能になる。
【0009】
特に、反射防止膜として、ターゲット材にTiを用い、O 2 /N 2 比で10〜20%のO 2 を混入したPVD法により形成したTiON膜を用いているので、第2チャンバ内でO2ガスによりレジストアッシングを行った後、引き続き導入ガスを追加して、常温より高い温度雰囲気でエッチングすることにより、短時間で簡単に反射防止膜をエッチングすることができる。このとき、添加するガスはCHF3ガスであり、その流量をO2ガス流量50SCCMに対して前記CHF3ガス添加量が10〜20SCCMとすることにより、既にパターニングされている導電膜のサイドエッチングや導電膜の下地絶縁膜のエッチングを最小限に抑えて、速やかに反射防止膜エッチングを行うことが可能である。
【0010】
【実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施例を説明する。
図1及び図2は、この発明の一実施例の半導体装置製造工程を示す。図1(a)に示すように、所望の素子拡散層等が形成されたシリコン基板1にCVDシリコン酸化膜等の絶縁膜2を堆積し、この絶縁膜2に必要なコンタクト孔(図示せず)を形成した後、導電膜として高反射率金属であるAl膜3を堆積し、引き続きAl膜3上に反射防止膜4を堆積形成する。
【0011】
反射防止膜4は具体的には、CVD又はPVD法によるTiN,TiON等の金属窒化物膜である。好ましくは酸素を導入したTiON膜とする。反射防止膜4は、膜厚管理のためにシート抵抗測定ができ、且つ必要な反射防止機能を発揮できる範囲でできるだけ薄くする。この点を考慮して、好ましいTiON膜の成膜条件は例えばPVD法の場合、ターゲット材料としてTiを用い、基板温度を150℃にセットし、O2/N2比で10〜20%のO2を混入して成膜する。
【0012】
この後、図1(b)に示すように、反射防止膜4上にレジスト5を全面塗布する。そして露光,現像を行って、図1(c)に示すようにレジスト5をパターン形成する。
その後、図2(a)〜(c)に示すAl膜エッチング、レジストアッシング及び反射防止膜エッチングは、一つのドライエッチング装置内で連続的に行う。
【0013】
図3は、この実施例に用いたドライエッチング装置の上から見た概略構成を示す。図に示すようにこの装置は、ドライエッチングを行うための第1チャンバ (エッチング室)11と、レジストアッシングを行うための第2チャンバ(アッシング室)12とが一体化されている。
【0014】
この様なアッシャー一体型のドライエッチング装置を用いて、レジストパターンが形成された基板をまず第1チャンバ11にセットし、BCl3とCCl2とCH2F2ガスを用いて反射防止膜4及びAl膜3のエッチングを行う。次いで基板を第2チャンバ12に転送し、ここでO2ガスを用いたレジストアッシングと反射防止膜エッチングを連続的に行う。
【0015】
具体的に反射防止膜4がTiON膜である場合には、O2アッシングを行った後、
引き続きO2ガスにCHF3ガスを追加して供給して、TiON膜エッチングを行う。このとき、CHF3ガスの添加量は、Al膜3の下地の絶縁膜2が削られることなく、またAl膜3に大きなサイドエッチングが入ることなく、速やかに反射防止膜4が除去できるように最適設定することが必要である。そのための好ましい条件としては、O2ガス流量50SCCMに対して、CHF3ガス添加量を10〜20SCCM程度とする。
【0016】
また、反射防止膜4が例えば、酸素を含まないTiNの場合には、O2アッシング後のTiNエッチング工程は、常温よりも高い温度雰囲気であれば、TiONと同じガス条件でよい。
【0017】
以上のようにこの実施例よれば、Al膜のドライエッチング工程から、レジストアッシング、更に反射防止膜エッチング工程までがアッシャー一体型のドライエッチング装置内で行われ、レジストアッシングと反射防止膜エッチングは同じチャンバ内で導入ガスを変更するだけで連続的に行われる。従って反射防止膜除去のための専用の工程や装置が不要となる。
特に、反射防止膜として酸素を含む金属窒化物膜を用いて、反射防止膜除去の工程ではO2ガスにCHF3ガスを添加することにより、サイドエッチング等を最小限に抑えて、速やかに反射防止膜をエッチング除去することができる。
【0018】
【発明の効果】
以上述べたようにこの発明によれば、導電膜をパターニングするドライエッチング装置として、ドライエッチング用の第1チャンバとレジストアッシング用の第2チャンバとが一体化された装置を用いて、第2チャンバ内でレジストアッシングと反射防止膜エッチングを連続的に行うことにより、半導体装置製造工程の簡略化、時間短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施例に係る半導体装置の製造工程を示す。
【図2】 同実施例の製造工程を示す。
【図3】 同実施例に用いたドライエッチング装置の構成を示す。
【符号の説明】
1…シリコン基板、2…絶縁膜、3…Al膜、4…反射防止膜、5…レジスト、11…第1チャンバ(エッチング室)、12…第2チャンバ(アッシング室)。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を介してAl膜を形成する工程と、
前記Al膜上に反射防止膜として、ターゲット材にTiを用い、O 2 /N 2 比で10〜20%のO 2 を混入したPVD法によりTiON膜を形成する工程と、
前記反射防止膜上にレジストを塗布して露光現像する工程と、
現像されたレジストをマスクとして前記Al膜をアッシャー一体型ドライエッチング装置の第1チャンバ内でエッチングしてパターン形成する工程と、
前記ドライエッチング装置の第2チャンバに基板を移して前記レジストをO2ガスでアッシング除去した後、同じ第2チャンバ内でCHF3ガスを追加して導入し、前記O2ガス流量50SCCMに対して前記CHF3ガス添加量が10〜20SCCMとして前記反射防止膜をエッチング除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002262783A JP3815413B2 (ja) | 2002-09-09 | 2002-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002262783A JP3815413B2 (ja) | 2002-09-09 | 2002-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29793094A Division JPH08139078A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003100711A JP2003100711A (ja) | 2003-04-04 |
JP3815413B2 true JP3815413B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=19196769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002262783A Expired - Fee Related JP3815413B2 (ja) | 2002-09-09 | 2002-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3815413B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7727902B2 (en) * | 2003-12-26 | 2010-06-01 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming nitride coating film for hard mask |
-
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---|---|
JP2003100711A (ja) | 2003-04-04 |
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A072 | Dismissal of procedure |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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