JPH06275511A - ポリイミドパターンの形成方法 - Google Patents
ポリイミドパターンの形成方法Info
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- JPH06275511A JPH06275511A JP5896993A JP5896993A JPH06275511A JP H06275511 A JPH06275511 A JP H06275511A JP 5896993 A JP5896993 A JP 5896993A JP 5896993 A JP5896993 A JP 5896993A JP H06275511 A JPH06275511 A JP H06275511A
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- Japan
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- polyimide precursor
- film
- positive photoresist
- coating
- polyimide
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- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、ポジ型フォトレジストを用いてポリ
イミド前駆体被膜をパターン化する場合において、ポリ
イミド前駆体被膜をパターン化した後、ポジ型フォトレ
ジストを剥離する前に、両被膜が形成された基板を加熱
することを特徴とするポリイミドパターンの形成方法に
関する。 【効果】本発明によると、ポジ型フォトレジスト被膜の
剥離前に該被膜の形成された基板を加熱するという簡単
な処理により、ポリイミド前駆体被膜上のポジ型フォト
レジスト被膜の剥離性を大幅に改善することができる。
従って、ポリイミド前駆体被膜のパターン化からポジ型
フォトレジスト被膜の剥離まで長時間を要する場合であ
っても、従来のように各プロセスを変更（例えば、剥離
液の変更や剥離時間の変更）する必要がないので、半導
体の信頼性に影響を及ぼすことがないどころか信頼性の
向上に寄与できるものである。
イミド前駆体被膜をパターン化する場合において、ポリ
イミド前駆体被膜をパターン化した後、ポジ型フォトレ
ジストを剥離する前に、両被膜が形成された基板を加熱
することを特徴とするポリイミドパターンの形成方法に
関する。 【効果】本発明によると、ポジ型フォトレジスト被膜の
剥離前に該被膜の形成された基板を加熱するという簡単
な処理により、ポリイミド前駆体被膜上のポジ型フォト
レジスト被膜の剥離性を大幅に改善することができる。
従って、ポリイミド前駆体被膜のパターン化からポジ型
フォトレジスト被膜の剥離まで長時間を要する場合であ
っても、従来のように各プロセスを変更（例えば、剥離
液の変更や剥離時間の変更）する必要がないので、半導
体の信頼性に影響を及ぼすことがないどころか信頼性の
向上に寄与できるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミドパターンの
形成方法に関するものである。さらに詳しくは、ポジ型
フォトレジストを用いた場合のポリイミドパターンの形
成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。さらに詳しくは、ポジ型
フォトレジストを用いた場合のポリイミドパターンの形
成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子などの用途に用いられるポリ
イミドには、上部配線と下部配線、または外部リードと
下部配線との導通のために絶縁層にスルーホール（接続
孔）を形成する必要があり、そのためには、ポリイミド
パターンの形成が不可欠である。通常ポリイミドは、ポ
リイミド前駆体の形で供与され、このポリイミド前駆体
のパターンを形成した後、熱処理を行いポリイミドのパ
ターンを形成する。
イミドには、上部配線と下部配線、または外部リードと
下部配線との導通のために絶縁層にスルーホール（接続
孔）を形成する必要があり、そのためには、ポリイミド
パターンの形成が不可欠である。通常ポリイミドは、ポ
リイミド前駆体の形で供与され、このポリイミド前駆体
のパターンを形成した後、熱処理を行いポリイミドのパ
ターンを形成する。
【０００３】このパターン形成方法としては、フォトレ
ジストをマスクとしてポリイミド前駆体またはこれを加
熱処理した膜をエッチングする方法、あるいは感光性を
付与したポリイミド前駆体を用いて直接パターンを形成
する方法（例えば、特開昭５４−１４５７９４号公報）
がある。
ジストをマスクとしてポリイミド前駆体またはこれを加
熱処理した膜をエッチングする方法、あるいは感光性を
付与したポリイミド前駆体を用いて直接パターンを形成
する方法（例えば、特開昭５４−１４５７９４号公報）
がある。
【０００４】フォトレジストを用いてポリイミドのパタ
ーン形成を行う方法は、例えばポジ型フォトレジストを
マスクとして、ポジ型フォトレジストの現像と同時にポ
リイミド前駆体をエッチングする方法（例えば、R.A.Di
ne-Hart.他.Br.Polym.J.3,222(1971) ）、ネガ型フォト
レジストをマスクとして、ネガ型フォトレジストの現像
後にポリイミドをヒドラジンなどの有機アルカリでエッ
チングする方法（例えば、特開昭５３−４９７０１号公
報）がある。
ーン形成を行う方法は、例えばポジ型フォトレジストを
マスクとして、ポジ型フォトレジストの現像と同時にポ
リイミド前駆体をエッチングする方法（例えば、R.A.Di
ne-Hart.他.Br.Polym.J.3,222(1971) ）、ネガ型フォト
レジストをマスクとして、ネガ型フォトレジストの現像
後にポリイミドをヒドラジンなどの有機アルカリでエッ
チングする方法（例えば、特開昭５３−４９７０１号公
報）がある。
【０００５】通常、ポジ型フォトレジストを用いてポリ
イミド前駆体のパターンを形成するには、次のように行
われる。
イミド前駆体のパターンを形成するには、次のように行
われる。
【０００６】（１）ポリイミド前駆体被膜を基板上に形
成する。
成する。
【０００７】（２）ポジ型フォトレジスト被膜を形成し
た後に露光し、ポジ型フォトレジストの現像後または現
像と同時にそれをマスクとして該ポリイミド前駆体被膜
のエッチングを行いパターン化する。
た後に露光し、ポジ型フォトレジストの現像後または現
像と同時にそれをマスクとして該ポリイミド前駆体被膜
のエッチングを行いパターン化する。
【０００８】（３）該ポジ型フォトレジスト被膜を剥離
する。
する。
【０００９】（４）パターンの形成されたポリイミド前
駆体被膜を加熱処理しポリイミドのパターンに変換す
る。
駆体被膜を加熱処理しポリイミドのパターンに変換す
る。
【００１０】しかし、何らかの問題、例えばポジ型フォ
トレジスト剥離装置の故障などで、上記の工程（２）か
ら（３）までの時間、つまりポジ型フォトレジストの現
像後または現像と同時にそれをマスクとして該ポリイミ
ド前駆体被膜のエッチングを行いパターン化してから、
ポジ型フォトレジスト被膜を剥離するまでの放置時間が
長くなると、剥離が困難になるという事態にしばしば遭
遇した。このような場合の対策としては、例えば、剥離
性の高い剥離液に変更する、または、剥離時間を長くす
ることにより解決できるが、コストアップやスループッ
トの低下という問題がある。また、ポジ型フォトレジス
トの剥離が不充分な場合には、ポリイミドを層間絶縁膜
や保護膜として用いる半導体素子の信頼性に影響を及ぼ
す。
トレジスト剥離装置の故障などで、上記の工程（２）か
ら（３）までの時間、つまりポジ型フォトレジストの現
像後または現像と同時にそれをマスクとして該ポリイミ
ド前駆体被膜のエッチングを行いパターン化してから、
ポジ型フォトレジスト被膜を剥離するまでの放置時間が
長くなると、剥離が困難になるという事態にしばしば遭
遇した。このような場合の対策としては、例えば、剥離
性の高い剥離液に変更する、または、剥離時間を長くす
ることにより解決できるが、コストアップやスループッ
トの低下という問題がある。また、ポジ型フォトレジス
トの剥離が不充分な場合には、ポリイミドを層間絶縁膜
や保護膜として用いる半導体素子の信頼性に影響を及ぼ
す。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
ところは、ポリイミド前駆体被膜のパターン化から剥離
まで長時間を要する場合であっても、ポジ型フォトレジ
スト被膜の剥離性が良好なポリイミドパターンの形成方
法を提供することにある。
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
ところは、ポリイミド前駆体被膜のパターン化から剥離
まで長時間を要する場合であっても、ポジ型フォトレジ
スト被膜の剥離性が良好なポリイミドパターンの形成方
法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
下記の（Ａ）〜（Ｇ）の工程を経て形成されることを特
徴とするポリイミドパターンの形成方法により達成され
る。
下記の（Ａ）〜（Ｇ）の工程を経て形成されることを特
徴とするポリイミドパターンの形成方法により達成され
る。
【００１３】（Ａ）基板上にポリイミド前駆体を塗布し
た後、プリベークを行いポリイミド前駆体被膜を形成す
る工程、（Ｂ）該被膜上にポジ型フォトレジストを塗布
した後、プリベークを行いポジ型フォトレジスト被膜を
形成する工程、（Ｃ）該ポジ型フォトレジスト被膜を選
択的に露光する工程、（Ｄ）該ポジ型フォトレジスト被
膜の現像後または現像と同時に、下層のポリイミド前駆
体被膜を選択的に除去しパターン化する工程、（Ｅ）該
ポジ型フォトレジスト被膜および該ポリイミド前駆体被
膜の形成された基板を加熱する工程、（Ｆ）該ポジ型フ
ォトレジスト被膜を剥離する工程、（Ｇ）該基板上のパ
ターン化されたポリイミド前駆体被膜を熱処理する工
程。
た後、プリベークを行いポリイミド前駆体被膜を形成す
る工程、（Ｂ）該被膜上にポジ型フォトレジストを塗布
した後、プリベークを行いポジ型フォトレジスト被膜を
形成する工程、（Ｃ）該ポジ型フォトレジスト被膜を選
択的に露光する工程、（Ｄ）該ポジ型フォトレジスト被
膜の現像後または現像と同時に、下層のポリイミド前駆
体被膜を選択的に除去しパターン化する工程、（Ｅ）該
ポジ型フォトレジスト被膜および該ポリイミド前駆体被
膜の形成された基板を加熱する工程、（Ｆ）該ポジ型フ
ォトレジスト被膜を剥離する工程、（Ｇ）該基板上のパ
ターン化されたポリイミド前駆体被膜を熱処理する工
程。
【００１４】以下、本発明の各工程を順に説明する。
【００１５】まず、基板上にポリイミド前駆体を塗布し
た後、プリベークを行いポリイミド前駆体被膜を形成す
る。
た後、プリベークを行いポリイミド前駆体被膜を形成す
る。
【００１６】基板としては、シリコンウェハーやガラス
基板、セラミックス基板などが挙げられるが、これらに
限定されない。
基板、セラミックス基板などが挙げられるが、これらに
限定されない。
【００１７】ポリイミド前駆体としては、ピロメリット
酸二無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、３，３´，４，４´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカ
ルボン酸二無水物などのテトラカルボン酸二無水物と、
４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、３，３´−ジ
アミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノジフェ
ニルメタン、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレ
ンジアミンなどのジアミンとを非プロトン性極性溶媒中
で反応させて得られるポリイミド前駆体などが挙げられ
るが、これらに限定されない。
酸二無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、３，３´，４，４´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカ
ルボン酸二無水物などのテトラカルボン酸二無水物と、
４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、３，３´−ジ
アミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノジフェ
ニルメタン、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレ
ンジアミンなどのジアミンとを非プロトン性極性溶媒中
で反応させて得られるポリイミド前駆体などが挙げられ
るが、これらに限定されない。
【００１８】ポリイミド前駆体を塗布する方法として
は、公知の方法が使用できるが、回転法によることが好
ましい。膜厚としては、通常、プリベーク後の膜厚が、
２〜１３μｍとなるように塗布される。
は、公知の方法が使用できるが、回転法によることが好
ましい。膜厚としては、通常、プリベーク後の膜厚が、
２〜１３μｍとなるように塗布される。
【００１９】プリベークの方法としては、ホットプレー
トやオーブンなどを用いる公知の方法が使用できる。ホ
ットプレートを用いた場合は、９０〜１４０℃、より好
ましくは１２０〜１３０℃の温度で、２〜４分間行うの
が好ましい。また、オーブンを用いた場合は、８０〜１
４０℃、より好ましくは１２０〜１３０℃の温度で、３
０〜６０分間行うのが好ましい。
トやオーブンなどを用いる公知の方法が使用できる。ホ
ットプレートを用いた場合は、９０〜１４０℃、より好
ましくは１２０〜１３０℃の温度で、２〜４分間行うの
が好ましい。また、オーブンを用いた場合は、８０〜１
４０℃、より好ましくは１２０〜１３０℃の温度で、３
０〜６０分間行うのが好ましい。
【００２０】次に、ポリイミド前駆体被膜上にポジ型フ
ォトレジストを塗布した後、プリベークを行いポジ型フ
ォトレジスト被膜を形成する。
ォトレジストを塗布した後、プリベークを行いポジ型フ
ォトレジスト被膜を形成する。
【００２１】ポジ型フォトレジストとしては、例えば、
クレゾール・ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化
合物を主成分として含有しているものなどがあげられる
が、これらに限定されない。
クレゾール・ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化
合物を主成分として含有しているものなどがあげられる
が、これらに限定されない。
【００２２】ポジ型フォトレジストを塗布する方法とし
ては、公知の方法が使用できるが、回転法によることが
好ましい。膜厚としては、通常、プリベーク後の膜厚
が、２．０〜４．０μｍとなるように塗布される。
ては、公知の方法が使用できるが、回転法によることが
好ましい。膜厚としては、通常、プリベーク後の膜厚
が、２．０〜４．０μｍとなるように塗布される。
【００２３】プリベークの方法としては、ホットプレー
トやオーブンなどを用いる公知の方法が使用できる。ホ
ットプレートを用いた場合は、１００〜１１０℃、より
好ましくは１０５〜１１０℃の温度で、１．５〜２．５
分間行うのが好ましい。また、オーブンを用いた場合
は、８５〜９０℃の温度で、２０〜４０分間行うのが好
ましい。
トやオーブンなどを用いる公知の方法が使用できる。ホ
ットプレートを用いた場合は、１００〜１１０℃、より
好ましくは１０５〜１１０℃の温度で、１．５〜２．５
分間行うのが好ましい。また、オーブンを用いた場合
は、８５〜９０℃の温度で、２０〜４０分間行うのが好
ましい。
【００２４】次に、ポジ型フォトレジスト被膜を選択的
に露光する。露光方法としては、例えば、ポジ型フォト
レジストの被膜上に所望のパターンを有するマスクを置
き、紫外線などの化学線を照射する方法があげられる
が、これに限定されない。
に露光する。露光方法としては、例えば、ポジ型フォト
レジストの被膜上に所望のパターンを有するマスクを置
き、紫外線などの化学線を照射する方法があげられる
が、これに限定されない。
【００２５】次に、ポジ型フォトレジストを現像する。
現像することによって、ポジ型フォトレジストの露光部
が除去される。現像は、例えば現像液を用いて行うこと
ができるが、これに限定されない。現像液としては、テ
トラメチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド系など
のアルカリ水溶液があげられる。
現像することによって、ポジ型フォトレジストの露光部
が除去される。現像は、例えば現像液を用いて行うこと
ができるが、これに限定されない。現像液としては、テ
トラメチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド系など
のアルカリ水溶液があげられる。
【００２６】ポジ型フォトレジスト被膜の現像後または
現像と同時に、該ポジ型フォトレジスト被膜をマスクと
して下層のポリイミド前駆体被膜を選択的に除去しパタ
ーン化する。すなわち、上記ポジ型フォトレジストの現
像によって選択的に除去される部分の下層のポリイミド
前駆体被膜が選択的に除去される。その方法としては、
エッチングが一般的である。上記のポジ型フォトレジス
トの現像液は、ポリイミド前駆体のエッチング液として
も好ましく使用できる。
現像と同時に、該ポジ型フォトレジスト被膜をマスクと
して下層のポリイミド前駆体被膜を選択的に除去しパタ
ーン化する。すなわち、上記ポジ型フォトレジストの現
像によって選択的に除去される部分の下層のポリイミド
前駆体被膜が選択的に除去される。その方法としては、
エッチングが一般的である。上記のポジ型フォトレジス
トの現像液は、ポリイミド前駆体のエッチング液として
も好ましく使用できる。
【００２７】次に、ポジ型フォトレジスト被膜およびポ
リイミド前駆体被膜の形成された基板を加熱することが
重要である。この加熱によって、ポジ型フォトレジスト
の剥離性が改善される。この効果は、ポリイミド前駆体
被膜のパターン化からポジ型フォトレジスト被膜の剥離
まで長時間を要する場合に特に顕著である。すなわち、
長時間経過すると、ポジ型フォトレジスト被膜のポリイ
ミド前駆体被膜との界面は、溶剤が蒸発して乾燥するた
め剥離性が低下するが、加熱することによってポジ型フ
ォトレジスト膜中の残留溶剤が均一化され、ポジ型フォ
トレジスト膜の表層の剥離液に対する濡れ性が向上、あ
るいは、剥離液に対する溶解性が向上するなどの要因に
よるものと推定される。
リイミド前駆体被膜の形成された基板を加熱することが
重要である。この加熱によって、ポジ型フォトレジスト
の剥離性が改善される。この効果は、ポリイミド前駆体
被膜のパターン化からポジ型フォトレジスト被膜の剥離
まで長時間を要する場合に特に顕著である。すなわち、
長時間経過すると、ポジ型フォトレジスト被膜のポリイ
ミド前駆体被膜との界面は、溶剤が蒸発して乾燥するた
め剥離性が低下するが、加熱することによってポジ型フ
ォトレジスト膜中の残留溶剤が均一化され、ポジ型フォ
トレジスト膜の表層の剥離液に対する濡れ性が向上、あ
るいは、剥離液に対する溶解性が向上するなどの要因に
よるものと推定される。
【００２８】このときの加熱方法としては、ホットプレ
ートやオーブンなどを用いることができるが、これに限
定されない。好ましいのは、ホットプレートを用いる方
法である。また、加熱条件としては、ポジ型フォトレジ
ストのプリベーク温度よりも低い温度で行うことが好ま
しい。具体的には、ホットプレートを用いた場合は、５
０〜９０℃、より好ましくは６０〜８０℃で、３０秒〜
５分、オーブンを用いた場合は、５０〜８０℃、より好
ましくは６０〜７０℃で５〜２０分行うのが好ましい。
ートやオーブンなどを用いることができるが、これに限
定されない。好ましいのは、ホットプレートを用いる方
法である。また、加熱条件としては、ポジ型フォトレジ
ストのプリベーク温度よりも低い温度で行うことが好ま
しい。具体的には、ホットプレートを用いた場合は、５
０〜９０℃、より好ましくは６０〜８０℃で、３０秒〜
５分、オーブンを用いた場合は、５０〜８０℃、より好
ましくは６０〜７０℃で５〜２０分行うのが好ましい。
【００２９】次に、ポジ型フォトレジスト被膜を剥離す
る。
る。
【００３０】剥離は、通常、剥離液を用いたウェットプ
ロセスで通常行われる。例えば、酢酸ｎ−ブチルなどの
有機溶剤中に、該パターン化された被膜が形成された基
板を浸漬することにより行われる。
ロセスで通常行われる。例えば、酢酸ｎ−ブチルなどの
有機溶剤中に、該パターン化された被膜が形成された基
板を浸漬することにより行われる。
【００３１】次に、基板上のパターン化されたポリイミ
ド前駆体被膜を熱処理し、ポリイミドパターンに変換す
る。この熱処理の温度としては、２００〜４５０℃が好
ましい。熱処理は単一温度で行っても良いし、段階的
に、あるいは連続的に昇温しながら行っても良い。変換
温度すなわち２００℃〜４５０℃における熱処理時間は
５〜６０分程度で良い。
ド前駆体被膜を熱処理し、ポリイミドパターンに変換す
る。この熱処理の温度としては、２００〜４５０℃が好
ましい。熱処理は単一温度で行っても良いし、段階的
に、あるいは連続的に昇温しながら行っても良い。変換
温度すなわち２００℃〜４５０℃における熱処理時間は
５〜６０分程度で良い。
【００３２】
実施例 （１）４インチのシリコン基板（信越化学製）上にピロ
メリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジ
フェニルエーテル、ビス（３−アミノプロピル）テトラ
メチルジシロキサンからなる非感光性のポリイミド前駆
体溶液（粘度３６ｐｓ／２５℃、固形分濃度１５．６ｗ
ｔ％）を約３ｇ滴下した後、７００ｒｐｍで１０秒、次
に１６００ｒｐｍで３０秒スピンコーティングして、そ
の後ホットプレート（大日本スクリーン製）上で９５℃
で９０秒、次に１２０℃で９０秒間プリベークを行いポ
リイミド前駆体被膜を形成した。このときのポリイミド
前駆体被膜の膜厚を光学式の膜厚測定機器（大日本スク
リーン製）で測定すると、１１μｍであった。
メリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジ
フェニルエーテル、ビス（３−アミノプロピル）テトラ
メチルジシロキサンからなる非感光性のポリイミド前駆
体溶液（粘度３６ｐｓ／２５℃、固形分濃度１５．６ｗ
ｔ％）を約３ｇ滴下した後、７００ｒｐｍで１０秒、次
に１６００ｒｐｍで３０秒スピンコーティングして、そ
の後ホットプレート（大日本スクリーン製）上で９５℃
で９０秒、次に１２０℃で９０秒間プリベークを行いポ
リイミド前駆体被膜を形成した。このときのポリイミド
前駆体被膜の膜厚を光学式の膜厚測定機器（大日本スク
リーン製）で測定すると、１１μｍであった。
【００３３】（２）（１）で作成したポリイミド前駆体
被膜上に、ポジ型フォトレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ
−８００）を１ｇ滴下した後、５００ｒｐｍで２秒、次
に２６００ｒｐｍで３０秒スピンコーティングして、そ
の後ホットプレート（大日本スクリーン製）上で１０５
℃で１２０秒間プリベークを行いポジ型フォトレジスト
被膜を形成した。このときのポジ型フォトレジスト被膜
の膜厚を光学式の膜厚測定機器（大日本スクリーン製）
で測定すると、３μｍであった。
被膜上に、ポジ型フォトレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ
−８００）を１ｇ滴下した後、５００ｒｐｍで２秒、次
に２６００ｒｐｍで３０秒スピンコーティングして、そ
の後ホットプレート（大日本スクリーン製）上で１０５
℃で１２０秒間プリベークを行いポジ型フォトレジスト
被膜を形成した。このときのポジ型フォトレジスト被膜
の膜厚を光学式の膜厚測定機器（大日本スクリーン製）
で測定すると、３μｍであった。
【００３４】（３）（２）の該ポジ型フォトレジスト被
膜をマスクを用いてキヤノン製の露光機（ＰＬＡ−５０
１Ｆ）で１２秒間露光した。露光の後、アルカリ水溶液
の現像液（東京応化製ＮＭＤ−３）でポジ型フォトレジ
スト被膜の現像を行い、同時にポリイミド前駆体被膜も
上層のポジ型フォトレジスト被膜をマスクとして、同じ
現像液で、エッチングを行ってパターンを形成した。
膜をマスクを用いてキヤノン製の露光機（ＰＬＡ−５０
１Ｆ）で１２秒間露光した。露光の後、アルカリ水溶液
の現像液（東京応化製ＮＭＤ−３）でポジ型フォトレジ
スト被膜の現像を行い、同時にポリイミド前駆体被膜も
上層のポジ型フォトレジスト被膜をマスクとして、同じ
現像液で、エッチングを行ってパターンを形成した。
【００３５】（４）（３）の工程から２日後、パターン
化した被膜が形成された基板を、ホットプレート上で７
０℃で１分間加熱した後、有機剥離液（酢酸ｎ−ブチ
ル）を用いて、室温でポリイミド前駆体被膜上のポジ型
フォトレジスト膜の剥離を行った。剥離後のポリイミド
前駆体被膜上を光学顕微鏡で観察したところ、ポリイミ
ド前駆体被膜上にポジ型フォトレジスト被膜は、見られ
なかった。
化した被膜が形成された基板を、ホットプレート上で７
０℃で１分間加熱した後、有機剥離液（酢酸ｎ−ブチ
ル）を用いて、室温でポリイミド前駆体被膜上のポジ型
フォトレジスト膜の剥離を行った。剥離後のポリイミド
前駆体被膜上を光学顕微鏡で観察したところ、ポリイミ
ド前駆体被膜上にポジ型フォトレジスト被膜は、見られ
なかった。
【００３６】比較例 実施例の（１）〜（３）までの工程と同様の操作をし
て、全く同じサンプルを作製した。２日後、パターン化
した被膜が形成された基板を、未処理のまま、実施例１
と同じ有機剥離液（酢酸ｎ−ブチル）を用いて、室温で
ポリイミド前駆体被膜上のポジ型フォトレジスト被膜の
剥離を行った。剥離後のポリイミド前駆体被膜上を光学
顕微鏡で観察したところ、ポリイミド前駆体被膜上にポ
ジ型フォトレジスト被膜の一部が残っており、完全に剥
離できていなかった。
て、全く同じサンプルを作製した。２日後、パターン化
した被膜が形成された基板を、未処理のまま、実施例１
と同じ有機剥離液（酢酸ｎ−ブチル）を用いて、室温で
ポリイミド前駆体被膜上のポジ型フォトレジスト被膜の
剥離を行った。剥離後のポリイミド前駆体被膜上を光学
顕微鏡で観察したところ、ポリイミド前駆体被膜上にポ
ジ型フォトレジスト被膜の一部が残っており、完全に剥
離できていなかった。
【００３７】
【発明の効果】本発明によると、ポジ型フォトレジスト
被膜の剥離前に該被膜の形成された基板を加熱するとい
う簡単な処理により、ポリイミド前駆体被膜上のポジ型
フォトレジスト被膜の剥離性を大幅に改善することがで
きる。従って、ポリイミド前駆体被膜のパターン化から
ポジ型フォトレジスト被膜の剥離まで長時間を要する場
合であっても、従来のように各プロセスを変更（例え
ば、剥離液の変更や剥離時間の変更）する必要がないの
で、半導体の信頼性に影響を及ぼすことがないどころか
信頼性の向上に寄与できるものである。
被膜の剥離前に該被膜の形成された基板を加熱するとい
う簡単な処理により、ポリイミド前駆体被膜上のポジ型
フォトレジスト被膜の剥離性を大幅に改善することがで
きる。従って、ポリイミド前駆体被膜のパターン化から
ポジ型フォトレジスト被膜の剥離まで長時間を要する場
合であっても、従来のように各プロセスを変更（例え
ば、剥離液の変更や剥離時間の変更）する必要がないの
で、半導体の信頼性に影響を及ぼすことがないどころか
信頼性の向上に寄与できるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ 7352−4Ｍ // Ｃ０８Ｇ 73/10 9285−4Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｇ）の工程を経て形成さ
れることを特徴とするポリイミドパターンの形成方法。 （Ａ）基板上にポリイミド前駆体を塗布した後、プリベ
ークを行いポリイミド前駆体被膜を形成する工程、
（Ｂ）該被膜上にポジ型フォトレジストを塗布した後、
プリベークを行いポジ型フォトレジスト被膜を形成する
工程、（Ｃ）該ポジ型フォトレジスト被膜を選択的に露
光する工程、（Ｄ）該ポジ型フォトレジスト被膜の現像
後または現像と同時に、下層のポリイミド前駆体被膜を
選択的に除去しパターン化する工程、（Ｅ）該ポジ型フ
ォトレジスト被膜および該ポリイミド前駆体被膜の形成
された基板を加熱する工程、（Ｆ）該ポジ型フォトレジ
スト被膜を剥離する工程、（Ｇ）該基板上のパターン化
されたポリイミド前駆体被膜を熱処理する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5896993A JPH06275511A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | ポリイミドパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5896993A JPH06275511A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | ポリイミドパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275511A true JPH06275511A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13099681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5896993A Pending JPH06275511A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | ポリイミドパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275511A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008076956A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | ポリイミドパターンの形成方法、物品、及びハードディスク用サスペンション |
| JP2008083181A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Dainippon Printing Co Ltd | ポリイミドパターンの形成方法、物品、及びハードディスク用サスペンション |
| JP2014530386A (ja) * | 2011-10-10 | 2014-11-17 | ブルーワー サイエンス アイ エヌシー． | リソグラフ処理のためのスピンオン炭素組成物 |
| CN110895382A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | 新应材股份有限公司 | 正型光阻组成物及图案化聚酰亚胺层的形成方法 |
-
1993
- 1993-03-18 JP JP5896993A patent/JPH06275511A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008076956A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | ポリイミドパターンの形成方法、物品、及びハードディスク用サスペンション |
| JP2008083181A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Dainippon Printing Co Ltd | ポリイミドパターンの形成方法、物品、及びハードディスク用サスペンション |
| JP2014530386A (ja) * | 2011-10-10 | 2014-11-17 | ブルーワー サイエンス アイ エヌシー． | リソグラフ処理のためのスピンオン炭素組成物 |
| USRE46841E1 (en) | 2011-10-10 | 2018-05-15 | Brewer Science, Inc. | Spin-on carbon compositions for lithographic processing |
| CN110895382A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | 新应材股份有限公司 | 正型光阻组成物及图案化聚酰亚胺层的形成方法 |
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