JPH06120645A - ポリイミド・パターンの形成方法 - Google Patents
ポリイミド・パターンの形成方法Info
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- JPH06120645A JPH06120645A JP7208093A JP7208093A JPH06120645A JP H06120645 A JPH06120645 A JP H06120645A JP 7208093 A JP7208093 A JP 7208093A JP 7208093 A JP7208093 A JP 7208093A JP H06120645 A JPH06120645 A JP H06120645A
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- copper wiring
- pattern
- coating
- polyimide precursor
- forming
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】この発明は、非感光性ポリイミド前駆体を用い
ポリイミド・パターンを形成するに際して、銅配線上に
有機ケイ素化合物被膜または酸化銅の被膜を形成する
か、あるいは酸化銅被膜の形成に続いて有機ケイ素化合
物被膜を形成した後、この被膜上に非感光性ポリイミド
前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパ
ターン加工することを特徴とするポリイミド・パターン
の形成方法である。 【効果】この発明によれば、銅配線上に非感光性ポリイ
ミドを用いパターン加工する際、耐熱性および銅配線と
の接着性の低下の少ないポリイミド・パターンを銅配線
上に確実に形成することができる。また付随的な効果と
して、銅配線を平坦化する効果をも有するので、非感光
性ポリイミドのパターン加工精度が向上する。
ポリイミド・パターンを形成するに際して、銅配線上に
有機ケイ素化合物被膜または酸化銅の被膜を形成する
か、あるいは酸化銅被膜の形成に続いて有機ケイ素化合
物被膜を形成した後、この被膜上に非感光性ポリイミド
前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパ
ターン加工することを特徴とするポリイミド・パターン
の形成方法である。 【効果】この発明によれば、銅配線上に非感光性ポリイ
ミドを用いパターン加工する際、耐熱性および銅配線と
の接着性の低下の少ないポリイミド・パターンを銅配線
上に確実に形成することができる。また付随的な効果と
して、銅配線を平坦化する効果をも有するので、非感光
性ポリイミドのパターン加工精度が向上する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミド・パターン
の形成方法に関するものであり、さらに詳しくは非感光
性ポリイミド前駆体を用い銅配線上にポリイミド・パタ
ーンを形成する方法の改良に関するものである。
の形成方法に関するものであり、さらに詳しくは非感光
性ポリイミド前駆体を用い銅配線上にポリイミド・パタ
ーンを形成する方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドはその熱的、機械的、および
電気的に優れた特性を有することなどから電子デバイス
実装基板における多層配線の層間絶縁膜、および半導体
における保護膜やα線遮蔽膜などに用いられている。こ
れらの用途に用いられるポリイミドは、上部配線と下部
配線、または外部リードと下部配線の導通のために絶縁
層にスルーホール（接続孔）を形成する必要がある。そ
のためには、ポリイミドのパターン加工が不可欠とな
る。ポリイミドをパターン加工する方法としては、フォ
トレジストをマスクとして非感光性ポリイミド前駆体ま
たはこれを加熱処理した膜を、エッチングする方法、お
よび感光性の付与されたポリイミド前駆体を用い直接パ
ターンを形成する方法（例えば、特開昭５４−１４５７
９４号公報）などが挙げられる。
電気的に優れた特性を有することなどから電子デバイス
実装基板における多層配線の層間絶縁膜、および半導体
における保護膜やα線遮蔽膜などに用いられている。こ
れらの用途に用いられるポリイミドは、上部配線と下部
配線、または外部リードと下部配線の導通のために絶縁
層にスルーホール（接続孔）を形成する必要がある。そ
のためには、ポリイミドのパターン加工が不可欠とな
る。ポリイミドをパターン加工する方法としては、フォ
トレジストをマスクとして非感光性ポリイミド前駆体ま
たはこれを加熱処理した膜を、エッチングする方法、お
よび感光性の付与されたポリイミド前駆体を用い直接パ
ターンを形成する方法（例えば、特開昭５４−１４５７
９４号公報）などが挙げられる。
【０００３】このうち非感光性ポリイミド前駆体を用い
てポリイミド・パターンを形成する方法は、例えばポジ
レジストをマスクとしてポジレジストの現像と同時に非
感光性ポリイミド前駆体をエッチングする方法（例え
ば、Ｒ．Ａ．Ｄｉｎｅ−Ｈａｒｔ．他，Ｂｒ．Ｐｏｌｙ
ｍ．Ｊ．３，２２２（１９７１））、ネガレジストをマ
スクにし、ネガレジストの現像後にポリイミドをヒドラ
ジンのような有機アルカリでエッチングする方法（例え
ば、特開昭５３−４９７０１号公報）などが挙げられ
る。
てポリイミド・パターンを形成する方法は、例えばポジ
レジストをマスクとしてポジレジストの現像と同時に非
感光性ポリイミド前駆体をエッチングする方法（例え
ば、Ｒ．Ａ．Ｄｉｎｅ−Ｈａｒｔ．他，Ｂｒ．Ｐｏｌｙ
ｍ．Ｊ．３，２２２（１９７１））、ネガレジストをマ
スクにし、ネガレジストの現像後にポリイミドをヒドラ
ジンのような有機アルカリでエッチングする方法（例え
ば、特開昭５３−４９７０１号公報）などが挙げられ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、非感光
性ポリイミド前駆体を用い、従来の方法で銅配線上にス
ルーホールを形成しようとすると、銅がポリイミド前駆
体中に著しく溶解拡散し、バルクにおける銅とポリイミ
ド前駆体との反応、および銅配線とポリイミド前駆体と
の界面における反応のために、得られるポリイミド・パ
ターンの耐熱性および銅配線との接着性が著しく低下す
るという事態に遭遇した。そこで従来では、予め銅配線
上に、銅のポリイミド前駆体中への溶解拡散を防止する
ため、スパッタリングなどにより、金属クロムなどの薄
膜を設け、これをエッチング除去する方法が一般的に採
用されている。しかし、かかる従来の方法は、工程が煩
雑でコストが高くなるという問題があった。
性ポリイミド前駆体を用い、従来の方法で銅配線上にス
ルーホールを形成しようとすると、銅がポリイミド前駆
体中に著しく溶解拡散し、バルクにおける銅とポリイミ
ド前駆体との反応、および銅配線とポリイミド前駆体と
の界面における反応のために、得られるポリイミド・パ
ターンの耐熱性および銅配線との接着性が著しく低下す
るという事態に遭遇した。そこで従来では、予め銅配線
上に、銅のポリイミド前駆体中への溶解拡散を防止する
ため、スパッタリングなどにより、金属クロムなどの薄
膜を設け、これをエッチング除去する方法が一般的に採
用されている。しかし、かかる従来の方法は、工程が煩
雑でコストが高くなるという問題があった。
【０００５】本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑み創
案されたもので、その目的とするところは、銅配線上に
非感光性ポリイミドを用いパターン加工する際に、耐熱
性および銅配線との接着性の低下の少ないポリイミド・
パターンを銅配線上に形成する方法を提供するものであ
る。
案されたもので、その目的とするところは、銅配線上に
非感光性ポリイミドを用いパターン加工する際に、耐熱
性および銅配線との接着性の低下の少ないポリイミド・
パターンを銅配線上に形成する方法を提供するものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
非感光性ポリイミド前駆体を用いポリイミド・パターン
を形成する方法において、 （１）非感光性ポリイミド前駆体を用い銅配線上にポリ
イミド・パターンを形成するに際し、該銅配線上に有機
ケイ素化合物を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケ
イ素化合物被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポ
リイミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスク
としてパターン加工することを特徴とするポリイミド・
パターンの形成方法。
非感光性ポリイミド前駆体を用いポリイミド・パターン
を形成する方法において、 （１）非感光性ポリイミド前駆体を用い銅配線上にポリ
イミド・パターンを形成するに際し、該銅配線上に有機
ケイ素化合物を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケ
イ素化合物被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポ
リイミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスク
としてパターン加工することを特徴とするポリイミド・
パターンの形成方法。
【０００７】（２）非感光性ポリイミド前駆体を用い銅
配線上にポリイミド・パターンを形成するに際して、該
銅配線を酸素中で加熱処理することにより銅配線上に酸
化銅の被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイ
ミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとし
てパターン加工することを特徴とするポリイミド・パタ
ーンの形成方法。
配線上にポリイミド・パターンを形成するに際して、該
銅配線を酸素中で加熱処理することにより銅配線上に酸
化銅の被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイ
ミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとし
てパターン加工することを特徴とするポリイミド・パタ
ーンの形成方法。
【０００８】（３）非感光性ポリイミド前駆体を用い銅
配線上にポリイミド・パターンを形成するに際して、該
銅配線を酸素プラズマ処理することにより銅配線上に酸
化銅の被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイ
ミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとし
てパターン加工することを特徴とするポリイミド・パタ
ーンの形成方法。
配線上にポリイミド・パターンを形成するに際して、該
銅配線を酸素プラズマ処理することにより銅配線上に酸
化銅の被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイ
ミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとし
てパターン加工することを特徴とするポリイミド・パタ
ーンの形成方法。
【０００９】（４）非感光性ポリイミド前駆体を用い銅
配線上にポリイミド・パターンを形成するに際して、該
銅配線を酸素中で加熱処理することにより銅配線上に酸
化銅の被膜を形成した後、該被膜上に有機ケイ素化合物
を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素化合物被
膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前駆
体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパター
ン加工することを特徴とするポリイミド・パターンの形
成方法。
配線上にポリイミド・パターンを形成するに際して、該
銅配線を酸素中で加熱処理することにより銅配線上に酸
化銅の被膜を形成した後、該被膜上に有機ケイ素化合物
を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素化合物被
膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前駆
体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパター
ン加工することを特徴とするポリイミド・パターンの形
成方法。
【００１０】（５）非感光性ポリイミド前駆体を用い銅
配線上にポリイミド・パターンを形成するに際して、該
銅配線を酸素プラズマ処理することにより銅配線上に酸
化銅の被膜を形成した後、該被膜上に有機ケイ素化合物
を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素化合物被
膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前駆
体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパター
ン加工することを特徴とするポリイミド・パターンの形
成方法。
配線上にポリイミド・パターンを形成するに際して、該
銅配線を酸素プラズマ処理することにより銅配線上に酸
化銅の被膜を形成した後、該被膜上に有機ケイ素化合物
を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素化合物被
膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前駆
体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパター
ン加工することを特徴とするポリイミド・パターンの形
成方法。
【００１１】（６）非感光性ポリイミド前駆体を用いポ
リイミド・パターンを形成するに際して、該銅配線を酸
素プラズマ処理および酸素中での加熱処理を施して銅配
線上に酸化銅の被膜を形成した後、該被膜上に有機ケイ
素化合物を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素
化合物被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイ
ミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとし
てパターン加工することを特徴とするポリイミド・パタ
ーンの形成方法、などの方法により達成できる。
リイミド・パターンを形成するに際して、該銅配線を酸
素プラズマ処理および酸素中での加熱処理を施して銅配
線上に酸化銅の被膜を形成した後、該被膜上に有機ケイ
素化合物を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素
化合物被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイ
ミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとし
てパターン加工することを特徴とするポリイミド・パタ
ーンの形成方法、などの方法により達成できる。
【００１２】本発明でいう銅配線とは、基板上に設けら
れた金属銅または銅の合金からなるパターン状または全
面に形成された層を意味する。基板上への銅層の形成は
通常、電界鍍金、スパッタリング、真空蒸着などにより
行われ、またパターン層の形成はフォトリソグラフィ方
式など公知の方法により行なうことができる。
れた金属銅または銅の合金からなるパターン状または全
面に形成された層を意味する。基板上への銅層の形成は
通常、電界鍍金、スパッタリング、真空蒸着などにより
行われ、またパターン層の形成はフォトリソグラフィ方
式など公知の方法により行なうことができる。
【００１３】本発明においては銅配線に対する処理方法
としては、代表的なものとして有機ケイ素化合物被膜形
成処理、酸素中加熱処理、プラズマ処理、酸素中加熱処
理と有機ケイ素化合物被膜形成処理との組み合わせ、酸
素プラズマ処理と有機ケイ素化合物被膜形成処理との組
み合わせ、および酸素プラズマ処理と酸素中加熱処理お
よび有機ケイ素化合物被膜形成処理との組み合わせ、の
６つの処理方法を挙げられる。
としては、代表的なものとして有機ケイ素化合物被膜形
成処理、酸素中加熱処理、プラズマ処理、酸素中加熱処
理と有機ケイ素化合物被膜形成処理との組み合わせ、酸
素プラズマ処理と有機ケイ素化合物被膜形成処理との組
み合わせ、および酸素プラズマ処理と酸素中加熱処理お
よび有機ケイ素化合物被膜形成処理との組み合わせ、の
６つの処理方法を挙げられる。
【００１４】まず有機ケイ素化合物被膜形成処理を説明
する。
する。
【００１５】本発明における有機ケイ素化合物として
は、次式で表される化合物が挙げられる。
は、次式で表される化合物が挙げられる。
【００１６】ＲX Ｓｉ（ＯＲ´）4-X ここでＸは０〜３の整数である。またＲ、Ｒ´は一価の
炭化水素基を表す。一価の炭化水素基としては水素基、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ビニル基あるいはアリル基などのアルケニル
基、フェニル基、あるいはトリル基などのアリ−ル基も
しくは、これらの基の水素原子の一部ないしは全部がア
ミノ基などの有機基で置換された基などが挙げられる。
ただし、Ｘまたは（４−Ｘ）が２以上の場合に、Ｒおよ
びＲ´は分子中、互いに同一であっても異なっていても
よい。また有機ケイ素化合物としては上述の化合物の縮
重合体をも含む。
炭化水素基を表す。一価の炭化水素基としては水素基、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ビニル基あるいはアリル基などのアルケニル
基、フェニル基、あるいはトリル基などのアリ−ル基も
しくは、これらの基の水素原子の一部ないしは全部がア
ミノ基などの有機基で置換された基などが挙げられる。
ただし、Ｘまたは（４−Ｘ）が２以上の場合に、Ｒおよ
びＲ´は分子中、互いに同一であっても異なっていても
よい。また有機ケイ素化合物としては上述の化合物の縮
重合体をも含む。
【００１７】有機ケイ素化合物の好ましい具体例として
は、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、
テトラメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン及び
これらの混合物、縮重合体などを挙げることができるが
これらに限定されない。これらの有機ケイ素化合物は有
機溶剤に溶解され、必要に応じて水を加えて塗布液とし
て調製されるが、使用される有機溶剤としては、アルコ
ール類、エステル類、ケトン類および芳香族炭化水素類
など公知のもが単独または併用して使用できる。
は、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、
テトラメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン及び
これらの混合物、縮重合体などを挙げることができるが
これらに限定されない。これらの有機ケイ素化合物は有
機溶剤に溶解され、必要に応じて水を加えて塗布液とし
て調製されるが、使用される有機溶剤としては、アルコ
ール類、エステル類、ケトン類および芳香族炭化水素類
など公知のもが単独または併用して使用できる。
【００１８】有機ケイ素化合物を含む塗布液としては、
市販の塗布液を利用することができる。例えばＡＰ−４
２０（東レ製）、ＶＭ−６５１（Ｄｕ Ｐｏｎｔ製）、
“アトロン”ＮＳｉ−５００（日曹化成製）、ＯＣＤ−
ＴＹＰＥ２（東京応化製）を利用することができる。必
要によっては同種のまたは異種の有機ケイ素化合物塗布
液の重ね塗りを行なうこともできる。
市販の塗布液を利用することができる。例えばＡＰ−４
２０（東レ製）、ＶＭ−６５１（Ｄｕ Ｐｏｎｔ製）、
“アトロン”ＮＳｉ−５００（日曹化成製）、ＯＣＤ−
ＴＹＰＥ２（東京応化製）を利用することができる。必
要によっては同種のまたは異種の有機ケイ素化合物塗布
液の重ね塗りを行なうこともできる。
【００１９】塗布方法としてはスピナー法、スプレー
法、浸漬法など公知の方法によればよい。また乾燥条件
としては１０℃〜４００℃で１０秒〜６０分間の乾燥が
適当である。有機ケイ素化合物は必要に応じて、加熱す
ることによって、二酸化ケイ素被膜に変換することがで
きる。加熱温度としては、３００〜５００℃が適当であ
る。
法、浸漬法など公知の方法によればよい。また乾燥条件
としては１０℃〜４００℃で１０秒〜６０分間の乾燥が
適当である。有機ケイ素化合物は必要に応じて、加熱す
ることによって、二酸化ケイ素被膜に変換することがで
きる。加熱温度としては、３００〜５００℃が適当であ
る。
【００２０】有機ケイ素化合物被膜の膜厚としては０．
００１〜５μｍが好ましく、より好ましくは０．００５
〜１μｍである。
００１〜５μｍが好ましく、より好ましくは０．００５
〜１μｍである。
【００２１】ついで、得られた有機ケイ素化合物被膜の
上に非感光性ポリイミド前駆体を塗布する。
上に非感光性ポリイミド前駆体を塗布する。
【００２２】酸素中加熱処理を次に説明する。
【００２３】本発明において銅配線を酸素中で加熱処理
を施すとは、銅配線を酸素の存在する雰囲気中で加熱処
理を行い、銅配線上に酸化銅の被膜を形成することを意
味し、必ずしも１００％酸素雰囲気で加熱処理を行う必
要はない。好ましい雰囲気の例として空気中での加熱処
理を挙げることができる。加熱処理温度としては、１０
０〜４００℃が好ましい。より好ましくは、１００〜３
００℃である。さらに好ましくは１５０〜２５０℃であ
る。加熱処理時間としては、５〜１２０分が好ましい。
より好ましくは１５〜６０分である。さらに好ましく
は、２０〜４０分である。加熱手段としては、市販のオ
ーブン、炉などを利用できる。ついで加熱処理後、銅配
線上に非感光性ポリイミド前駆体を塗布する。
を施すとは、銅配線を酸素の存在する雰囲気中で加熱処
理を行い、銅配線上に酸化銅の被膜を形成することを意
味し、必ずしも１００％酸素雰囲気で加熱処理を行う必
要はない。好ましい雰囲気の例として空気中での加熱処
理を挙げることができる。加熱処理温度としては、１０
０〜４００℃が好ましい。より好ましくは、１００〜３
００℃である。さらに好ましくは１５０〜２５０℃であ
る。加熱処理時間としては、５〜１２０分が好ましい。
より好ましくは１５〜６０分である。さらに好ましく
は、２０〜４０分である。加熱手段としては、市販のオ
ーブン、炉などを利用できる。ついで加熱処理後、銅配
線上に非感光性ポリイミド前駆体を塗布する。
【００２４】次に酸素プラズマ処理を説明する。
【００２５】本発明における酸素プラズマ処理とは、銅
配線の形成された基板を酸素プラズマ中にさらすことに
より、酸化銅の被膜を銅配線上に形成するものである。
本発明における酸素プラズマとは、酸素分子および原子
のプラズマを含むプラズマのことを意味し、他の分子や
原子のプラズマとの混合状態にあるプラズマをも含むも
のである。
配線の形成された基板を酸素プラズマ中にさらすことに
より、酸化銅の被膜を銅配線上に形成するものである。
本発明における酸素プラズマとは、酸素分子および原子
のプラズマを含むプラズマのことを意味し、他の分子や
原子のプラズマとの混合状態にあるプラズマをも含むも
のである。
【００２６】本発明におけるプラズマとは、正電気を帯
びた粒子と、負電気を帯びた電子とがほぼ同じ密度で、
ほぼ電気的中性を保って分布している粒子集団を言う。
このとき電離しない原子や分子、すなわち中性粒子がそ
の中に混じっていてもさしつかえない。
びた粒子と、負電気を帯びた電子とがほぼ同じ密度で、
ほぼ電気的中性を保って分布している粒子集団を言う。
このとき電離しない原子や分子、すなわち中性粒子がそ
の中に混じっていてもさしつかえない。
【００２７】酸素プラズマ処理装置としては、市販のプ
ラズマリアクターを用いることができる。酸素プラズマ
処理時間としては１〜６０分が好ましく、より好ましく
は５〜３０分である。高周波出力としては、１００〜５
００Ｗが好ましい。酸素流量としては、１０〜２００ｍ
ｌ／ｍｉｎが好ましい。ついで酸素プラズマ処理後、銅
配線上に非感光性ポリイミド前駆体を塗布する。
ラズマリアクターを用いることができる。酸素プラズマ
処理時間としては１〜６０分が好ましく、より好ましく
は５〜３０分である。高周波出力としては、１００〜５
００Ｗが好ましい。酸素流量としては、１０〜２００ｍ
ｌ／ｍｉｎが好ましい。ついで酸素プラズマ処理後、銅
配線上に非感光性ポリイミド前駆体を塗布する。
【００２８】酸素中加熱処理と有機ケイ素化合物処理と
の組み合わせる処理方法では、前述の酸素中加熱処理
後、有機ケイ素化合物処理を続けて行う処理方法であ
る。また酸素プラズマ処理と有機ケイ素化合物処理との
組み合わせる処理方法では、前述の酸素プラズマ処理
後、有機ケイ素化合物処理を続けて行う処理方法であ
る。酸素プラズマ処理と酸素中加熱処理および有機ケイ
素化合物処理との組み合わせる処理方法では、酸素プラ
ズマ処理後、酸素中加熱処理を行いさらに有機ケイ素化
合物処理を行う、または、酸素中加熱処理後、酸素プラ
ズマ処理を行いさらに有機ケイ素化合物処理を行う方法
である。
の組み合わせる処理方法では、前述の酸素中加熱処理
後、有機ケイ素化合物処理を続けて行う処理方法であ
る。また酸素プラズマ処理と有機ケイ素化合物処理との
組み合わせる処理方法では、前述の酸素プラズマ処理
後、有機ケイ素化合物処理を続けて行う処理方法であ
る。酸素プラズマ処理と酸素中加熱処理および有機ケイ
素化合物処理との組み合わせる処理方法では、酸素プラ
ズマ処理後、酸素中加熱処理を行いさらに有機ケイ素化
合物処理を行う、または、酸素中加熱処理後、酸素プラ
ズマ処理を行いさらに有機ケイ素化合物処理を行う方法
である。
【００２９】次に、上記のごとき処理を施した銅配線上
に非感光性ポリイミド前駆体を塗布し、フォトレジスト
を用いポリイミド・パターンを得る方法を説明する。
に非感光性ポリイミド前駆体を塗布し、フォトレジスト
を用いポリイミド・パターンを得る方法を説明する。
【００３０】本発明における非感光性ポリイミド前駆体
としては、ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４
´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３
´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物などのテト
ラカルボン酸二無水物と、４，４´−ジアミノジフェニ
ルエーテル、３，３´−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４´−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン、メタフェニレ
ンジアミン、パラフェニレンジアミンなどのジアミンと
を非プロトン性極性溶媒中で反応させ得られるポリアミ
ド酸およびそのエステルが挙げられるが、これらに限定
されない。非プロトン性極性溶媒の好ましい例として
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが挙げ
られるが、これらに限定されない。
としては、ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４
´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３
´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物などのテト
ラカルボン酸二無水物と、４，４´−ジアミノジフェニ
ルエーテル、３，３´−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４´−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン、メタフェニレ
ンジアミン、パラフェニレンジアミンなどのジアミンと
を非プロトン性極性溶媒中で反応させ得られるポリアミ
ド酸およびそのエステルが挙げられるが、これらに限定
されない。非プロトン性極性溶媒の好ましい例として
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが挙げ
られるが、これらに限定されない。
【００３１】非感光性ポリイミド前駆体を塗布する方法
としては、公知の塗布形成方法が採用できる。たとえば
スピナによる方法が好例として挙げられる。
としては、公知の塗布形成方法が採用できる。たとえば
スピナによる方法が好例として挙げられる。
【００３２】本発明におけるフォトレジストとしては、
公知のポジ型フォトレジストおよびネガ型フォトレジス
トを利用できる。例えばポジ型フォトレジストの例とし
ては、クレゾ−ルノボラックとナフトキノンジアジドと
の混合物を挙げることができる。またネガ型フォトレジ
ストの例としては環化ゴム−ビスアジド系ネガ型フォト
レジスト、フェノール樹脂−アジド系ネガ型フォトレジ
スト、化学増幅系ネガ型フォトレジストなどを挙げるこ
とができる。市販品のポジ型フォトレジストの例として
は、ＰＲ−α１２１０（東レ（株）製）、ＯＦＰＲ−８
００（東京応化（株）製）などを挙げることができ、ネ
ガ型フォトレジストの例としては、ＯＭＲ−８３（東京
応化（株）製）、ＯＭＲ−８５（東京応化（株）製）な
どを挙げることができる。
公知のポジ型フォトレジストおよびネガ型フォトレジス
トを利用できる。例えばポジ型フォトレジストの例とし
ては、クレゾ−ルノボラックとナフトキノンジアジドと
の混合物を挙げることができる。またネガ型フォトレジ
ストの例としては環化ゴム−ビスアジド系ネガ型フォト
レジスト、フェノール樹脂−アジド系ネガ型フォトレジ
スト、化学増幅系ネガ型フォトレジストなどを挙げるこ
とができる。市販品のポジ型フォトレジストの例として
は、ＰＲ−α１２１０（東レ（株）製）、ＯＦＰＲ−８
００（東京応化（株）製）などを挙げることができ、ネ
ガ型フォトレジストの例としては、ＯＭＲ−８３（東京
応化（株）製）、ＯＭＲ−８５（東京応化（株）製）な
どを挙げることができる。
【００３３】本発明におけるフォトレジストをマスクと
して非感光性ポリイミド前駆体をパターン加工する方法
としては、公知の方法を利用できる。一般的なフォトレ
ジストを用いたポリイミドのパターン加工方法の例を次
に説明する。
して非感光性ポリイミド前駆体をパターン加工する方法
としては、公知の方法を利用できる。一般的なフォトレ
ジストを用いたポリイミドのパターン加工方法の例を次
に説明する。
【００３４】ポジ型フォトレジストを用いる場合では、
（１）非感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、
（２）ポジ型フォトレジストの膜を形成し、露光後、ポ
ジ型フォトレジストの現像と同時にそれをマスクとして
非感光性ポリイミド前駆体をエッチングする、（３）ポ
ジ型フォトレジストの膜を剥離する、（４）パターンの
形成されたポリイミド前駆体を加熱処理しポリイミド・
パターンに変換する。
（１）非感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、
（２）ポジ型フォトレジストの膜を形成し、露光後、ポ
ジ型フォトレジストの現像と同時にそれをマスクとして
非感光性ポリイミド前駆体をエッチングする、（３）ポ
ジ型フォトレジストの膜を剥離する、（４）パターンの
形成されたポリイミド前駆体を加熱処理しポリイミド・
パターンに変換する。
【００３５】またネガ型フォトレジストを用いる場合で
は、（１）非感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、
（２）非感光性ポリイミド前駆体の膜を加熱処理するこ
とによりイミド化を促進する、（３）ネガ型フォトレジ
ストの膜を形成し、露光、現像を行いレジストパターン
を形成する、（４）レジストパターンをマスクとして下
層のポリイミド前駆体をエッチングする、（５）ネガ型
フォトレジストの膜を剥離する、（６）パターンの形成
されたポリイミドをさらに加熱処理し完全なポリイミド
・パターンに変換する。
は、（１）非感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、
（２）非感光性ポリイミド前駆体の膜を加熱処理するこ
とによりイミド化を促進する、（３）ネガ型フォトレジ
ストの膜を形成し、露光、現像を行いレジストパターン
を形成する、（４）レジストパターンをマスクとして下
層のポリイミド前駆体をエッチングする、（５）ネガ型
フォトレジストの膜を剥離する、（６）パターンの形成
されたポリイミドをさらに加熱処理し完全なポリイミド
・パターンに変換する。
【００３６】以上のパターン加工例は一例であり、これ
らに限定されない。
らに限定されない。
【００３７】フォトレジストを塗布する方法としては、
公知の塗布形成方法が採用できる。たとえばスピナによ
る方法が好例として挙げられる。
公知の塗布形成方法が採用できる。たとえばスピナによ
る方法が好例として挙げられる。
【００３８】フォトレジストに対する露光方法として
は、フォトレジストの上方にマスクを置き、光を照射す
る公知の方法が例として挙げられる。通常光源として
は、紫外光が用いられる。
は、フォトレジストの上方にマスクを置き、光を照射す
る公知の方法が例として挙げられる。通常光源として
は、紫外光が用いられる。
【００３９】フォトレジストの現像方法としては、市販
の現像液を用いることができる。ポジ型フォトレジスト
の現像液の例としては、ＮＭＤ−３（東京応化（株）
製）、ネガ型フォトレジストの現像液の例としてはＯＭ
Ｒ用現像液（東京応化（株）製）などを挙げることがで
きる。
の現像液を用いることができる。ポジ型フォトレジスト
の現像液の例としては、ＮＭＤ−３（東京応化（株）
製）、ネガ型フォトレジストの現像液の例としてはＯＭ
Ｒ用現像液（東京応化（株）製）などを挙げることがで
きる。
【００４０】非感光性ポリイミド前駆体をエッチングす
る方法としては、公知の方法を利用できる。例えばポジ
型フォトレジストを用いた場合、ポジ型フォトレジスト
の現像の際にその現像液で同時にエッチングする方法、
またネガ型フォトレジストを用いた場合、ヒドラジンな
どの有機アルカリでエッチングするポジ方法などを挙げ
ることができる。またプラズマエッチングなどのドライ
エッチングを行っても構わない。
る方法としては、公知の方法を利用できる。例えばポジ
型フォトレジストを用いた場合、ポジ型フォトレジスト
の現像の際にその現像液で同時にエッチングする方法、
またネガ型フォトレジストを用いた場合、ヒドラジンな
どの有機アルカリでエッチングするポジ方法などを挙げ
ることができる。またプラズマエッチングなどのドライ
エッチングを行っても構わない。
【００４１】フォトレジストの剥離方法としては、市販
の剥離液を用いることができる。例えば、ポジ型ネガ型
両用剥離液として、ＯＭＲ用剥離液５０２（東京応化
（株）製）などを挙げることができる。
の剥離液を用いることができる。例えば、ポジ型ネガ型
両用剥離液として、ＯＭＲ用剥離液５０２（東京応化
（株）製）などを挙げることができる。
【００４２】パターン形成後、完全なポリイミド・パタ
ーンに変換するための加熱処理温度としては、１５０〜
５５０℃が好ましい。より好ましくは２５０〜４５０℃
である。加熱処理雰囲気は不活性ガスが好ましい。熱処
理は単一温度で行ってもよいし、段階的に、あるいは連
続的に昇温しながら行ってもよい。変換温度すなわち１
５０〜５００℃における熱処理時間は５分から６０分く
らいで良い。熱処理中に生ずる酸化銅被膜によりスルー
ホール部の接触抵抗が大きくなるので、過硫酸アンモニ
ウム水溶液、硫酸水溶液、酢酸水溶液など酸で表面をエ
ッチングするか、プラズマ処理などの手法で除去するの
が望ましい。過硫酸アンモニウム水溶液表面をエッチン
グする際の過硫酸アンモニウム濃度としては特に限定し
ないが１〜４０％が好ましく、より好ましくは３〜２０
％である。エッチング時間としては特に限定しないが５
秒〜３分が好ましい。
ーンに変換するための加熱処理温度としては、１５０〜
５５０℃が好ましい。より好ましくは２５０〜４５０℃
である。加熱処理雰囲気は不活性ガスが好ましい。熱処
理は単一温度で行ってもよいし、段階的に、あるいは連
続的に昇温しながら行ってもよい。変換温度すなわち１
５０〜５００℃における熱処理時間は５分から６０分く
らいで良い。熱処理中に生ずる酸化銅被膜によりスルー
ホール部の接触抵抗が大きくなるので、過硫酸アンモニ
ウム水溶液、硫酸水溶液、酢酸水溶液など酸で表面をエ
ッチングするか、プラズマ処理などの手法で除去するの
が望ましい。過硫酸アンモニウム水溶液表面をエッチン
グする際の過硫酸アンモニウム濃度としては特に限定し
ないが１〜４０％が好ましく、より好ましくは３〜２０
％である。エッチング時間としては特に限定しないが５
秒〜３分が好ましい。
【００４３】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。
るが、本発明はこれらに限定されない。
【００４４】実施例１ シリコンウエハー上に、スパッタリングにより３．０μ
ｍの銅層を形成させた後、フォトエッチングにより、所
望の銅配線パターンを得た。次に有機ケイ素化合物被膜
形成用塗布液“ＡＰ−４２０”（東レ（株）製）を、銅
配線パターンが形成されたシリコーンウエハー上に、ス
ピナにより塗布し、有機ケイ素化合物被膜を形成した。
その後２０℃で１分間乾燥を行った。
ｍの銅層を形成させた後、フォトエッチングにより、所
望の銅配線パターンを得た。次に有機ケイ素化合物被膜
形成用塗布液“ＡＰ−４２０”（東レ（株）製）を、銅
配線パターンが形成されたシリコーンウエハー上に、ス
ピナにより塗布し、有機ケイ素化合物被膜を形成した。
その後２０℃で１分間乾燥を行った。
【００４５】一方、４，４´−ジアミノジフェニルエー
テル２０．０ｇを２００ｃｃのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解し、室温（約１８℃）で撹拌しながら、ピロ
メリット酸二無水物２１．８ｇを粉体で仕込み、室温で
１時間撹拌し、更に５５℃で２時間撹拌を続け非感光性
ポリイミド前駆体を得た。
テル２０．０ｇを２００ｃｃのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解し、室温（約１８℃）で撹拌しながら、ピロ
メリット酸二無水物２１．８ｇを粉体で仕込み、室温で
１時間撹拌し、更に５５℃で２時間撹拌を続け非感光性
ポリイミド前駆体を得た。
【００４６】得られた非感光性ポリイミド前駆体の溶液
を、スピナにより有機ケイ素化合物被膜が形成されたシ
リコンウエハー上に塗布した。２５０℃で１時間熱処理
を行った後、ネガ型フォトレジストＯＭＲ−８３（東京
応化（株）製）をスピナにより塗布した。８０℃で３０
分乾燥を行った後、露光を行い、ついで専用現像液を用
いてフォトレジストのパターン加工を行った後１４５℃
で３０分熱処理を行った。次にヒドラジン系溶液を用い
非感光性ポリイミド前駆体をエッチングした後、ＯＭＲ
用剥離液−５０２（東京応化（株）製）を用いフォトレ
ジストの剥離を行った。その後３５０℃で３０分熱処理
を行いポリイミド・パターンを得た。
を、スピナにより有機ケイ素化合物被膜が形成されたシ
リコンウエハー上に塗布した。２５０℃で１時間熱処理
を行った後、ネガ型フォトレジストＯＭＲ−８３（東京
応化（株）製）をスピナにより塗布した。８０℃で３０
分乾燥を行った後、露光を行い、ついで専用現像液を用
いてフォトレジストのパターン加工を行った後１４５℃
で３０分熱処理を行った。次にヒドラジン系溶液を用い
非感光性ポリイミド前駆体をエッチングした後、ＯＭＲ
用剥離液−５０２（東京応化（株）製）を用いフォトレ
ジストの剥離を行った。その後３５０℃で３０分熱処理
を行いポリイミド・パターンを得た。
【００４７】得られたポリイミド・パターンの耐湿接着
性をプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）により調べ
た結果、１４日後でさえも接着性は良好であった。また
得られたポリイミド・パターンを銅配線パターンから剥
がし熱重量分析（ＴＧＡ）を行い、５％減量時の温度を
測定した結果５２０℃であった。
性をプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）により調べ
た結果、１４日後でさえも接着性は良好であった。また
得られたポリイミド・パターンを銅配線パターンから剥
がし熱重量分析（ＴＧＡ）を行い、５％減量時の温度を
測定した結果５２０℃であった。
【００４８】実施例２ 実施例１において銅配線パターン上に有機ケイ素化合物
被膜形成用塗布液“ＡＰ−４２０”（東レ（株）製）
を、銅配線パターンが形成されたシリコーンウエハー上
に、スピナにより塗布し、有機ケイ素化合物被膜を形成
し、さらに２０℃で１分間乾燥を行なった後、非感光性
ポリイミド前駆体の溶液を、その上に塗布する代わり
に、オーブンを用い空気中２００℃で１時間銅配線パタ
ーンを加熱処理した後、非感光性ポリイミド前駆体の溶
液を、その上に塗布したこと以外は全く実施例１と同様
にポリイミド・パターンを得た。
被膜形成用塗布液“ＡＰ−４２０”（東レ（株）製）
を、銅配線パターンが形成されたシリコーンウエハー上
に、スピナにより塗布し、有機ケイ素化合物被膜を形成
し、さらに２０℃で１分間乾燥を行なった後、非感光性
ポリイミド前駆体の溶液を、その上に塗布する代わり
に、オーブンを用い空気中２００℃で１時間銅配線パタ
ーンを加熱処理した後、非感光性ポリイミド前駆体の溶
液を、その上に塗布したこと以外は全く実施例１と同様
にポリイミド・パターンを得た。
【００４９】得られたポリイミド・パターンの耐湿接着
性をＰＣＴにより調べた結果、１４日後でさえも接着性
は良好であった。また得られたポリイミド・パターンを
銅配線パターンから剥がしＴＧＡを行い、５％減量時の
温度を測定した結果５１５℃であった。
性をＰＣＴにより調べた結果、１４日後でさえも接着性
は良好であった。また得られたポリイミド・パターンを
銅配線パターンから剥がしＴＧＡを行い、５％減量時の
温度を測定した結果５１５℃であった。
【００５０】実施例３ 実施例１において銅配線パターン上に有機ケイ素化合物
被膜形成用塗布液“ＡＰ−４２０”（東レ（株）製）
を、銅配線パターンが形成されたシリコーンウエハー上
に、スピナにより塗布し、有機ケイ素化合物被膜を形成
し、さらに２０℃で１分間乾燥を行なった後、非感光性
ポリイミド前駆体の溶液を、その上に塗布する代わり
に、プラズマリアクターを用い銅配線パターンを１０分
間酸素プラズマ処理した後、非感光性ポリイミド前駆体
の溶液を、その上に塗布したこと以外は全く実施例１と
同様にポリイミド・パターンを得た。
被膜形成用塗布液“ＡＰ−４２０”（東レ（株）製）
を、銅配線パターンが形成されたシリコーンウエハー上
に、スピナにより塗布し、有機ケイ素化合物被膜を形成
し、さらに２０℃で１分間乾燥を行なった後、非感光性
ポリイミド前駆体の溶液を、その上に塗布する代わり
に、プラズマリアクターを用い銅配線パターンを１０分
間酸素プラズマ処理した後、非感光性ポリイミド前駆体
の溶液を、その上に塗布したこと以外は全く実施例１と
同様にポリイミド・パターンを得た。
【００５１】得られたポリイミド・パターンの耐湿接着
性をＰＣＴにより調べた結果、１４日後でさえも接着性
は良好であった。また得られたポリイミド・パターンを
銅配線パターンから剥がしＴＧＡを行い、５％減量時の
温度を測定した結果５１８℃であった。
性をＰＣＴにより調べた結果、１４日後でさえも接着性
は良好であった。また得られたポリイミド・パターンを
銅配線パターンから剥がしＴＧＡを行い、５％減量時の
温度を測定した結果５１８℃であった。
【００５２】実施例４ 実施例１において銅配線パターン上に有機ケイ素化合物
被膜形成を行う前にまずオーブンを用い空気中２００℃
で１時間銅配線パターンを加熱処理したこと以外は全く
実施例１と同様にポリイミド・パターンを得た。
被膜形成を行う前にまずオーブンを用い空気中２００℃
で１時間銅配線パターンを加熱処理したこと以外は全く
実施例１と同様にポリイミド・パターンを得た。
【００５３】得られたポリイミド・パターンの耐湿接着
性を同様に調べた結果、１４日後でさえも接着性は良好
であった。また得られたポリイミド・パターンを銅配線
パターンの５％減量時の温度は５２７℃であった。
性を同様に調べた結果、１４日後でさえも接着性は良好
であった。また得られたポリイミド・パターンを銅配線
パターンの５％減量時の温度は５２７℃であった。
【００５４】実施例５ 実施例１において銅配線パターン上に有機ケイ素化合物
被膜形成を行う前にまずプラズマリアクターを用い銅配
線パターンを１０分間酸素プラズマ処理したこと以外は
全く実施例１と同様にポリイミド・パターンを得た。
被膜形成を行う前にまずプラズマリアクターを用い銅配
線パターンを１０分間酸素プラズマ処理したこと以外は
全く実施例１と同様にポリイミド・パターンを得た。
【００５５】得られたポリイミド・パターンの耐湿接着
性は実施例１〜４の場合と同様、良好であった。また得
られたポリイミド・パターンの５％減量時の温度は５２
５℃であった。
性は実施例１〜４の場合と同様、良好であった。また得
られたポリイミド・パターンの５％減量時の温度は５２
５℃であった。
【００５６】実施例６ 実施例１において銅配線パターン上に有機ケイ素化合物
被膜形成を行う前にまずプラズマリアクターを用い銅配
線パターンを１０分間酸素プラズマ処理し、続いてオー
ブンを用い空気中で２００℃１時間銅配線パターンを加
熱処理したこと以外は全く実施例１と同様にポリイミド
・パターンを得た。
被膜形成を行う前にまずプラズマリアクターを用い銅配
線パターンを１０分間酸素プラズマ処理し、続いてオー
ブンを用い空気中で２００℃１時間銅配線パターンを加
熱処理したこと以外は全く実施例１と同様にポリイミド
・パターンを得た。
【００５７】得られたポリイミド・パターンの耐湿接着
性は同様に良好であった。また得られたポリイミド・パ
ターンの５％減量時の温度は５３０℃であった。
性は同様に良好であった。また得られたポリイミド・パ
ターンの５％減量時の温度は５３０℃であった。
【００５８】実施例７ 実施例１において銅配線パターン上に有機ケイ素化合物
被膜形成を行う前にまずオーブンを用い空気中で２００
℃１時間銅配線パターンを加熱処理し続いてプラズマリ
アクターを用い銅配線パターンを１０分間酸素プラズマ
処理したこと以外は全く実施例１と同様にポリイミド・
パターンを得た。
被膜形成を行う前にまずオーブンを用い空気中で２００
℃１時間銅配線パターンを加熱処理し続いてプラズマリ
アクターを用い銅配線パターンを１０分間酸素プラズマ
処理したこと以外は全く実施例１と同様にポリイミド・
パターンを得た。
【００５９】得られたポリイミド・パターンの耐湿接着
性は同様に良好であった。また得られたポリイミド・パ
ターンの５％減量時の温度は５３３℃であった。
性は同様に良好であった。また得られたポリイミド・パ
ターンの５％減量時の温度は５３３℃であった。
【００６０】実施例８ 実施例１において有機ケイ素化合物被膜形成用塗布液と
して銅配線パターン上に“ＡＰ−４２０”（東レ（株）
製）を用いる代わりに、“アトロン”ＮＳｉ−５００
（日曹化成製）を用いたこと、および有機ケイ素化合物
被膜に２０℃で１分間乾燥を行なう代わりに２５０℃で
３０分間乾燥を行なったこと以外は全く実施例１と同様
にポリイミド・パターンを得た。
して銅配線パターン上に“ＡＰ−４２０”（東レ（株）
製）を用いる代わりに、“アトロン”ＮＳｉ−５００
（日曹化成製）を用いたこと、および有機ケイ素化合物
被膜に２０℃で１分間乾燥を行なう代わりに２５０℃で
３０分間乾燥を行なったこと以外は全く実施例１と同様
にポリイミド・パターンを得た。
【００６１】得られたポリイミド・パターンの耐湿接着
性をＰＣＴにより調べた結果、１４日後でさえも接着性
は良好であった。また得られたポリイミド・パターンを
銅配線パターンから剥がしＴＧＡを行い、５％減量時の
温度を測定した結果５１５℃であった。また銅配線が平
坦化され、ポリイミド・パターンの形成が良好にでき
た。
性をＰＣＴにより調べた結果、１４日後でさえも接着性
は良好であった。また得られたポリイミド・パターンを
銅配線パターンから剥がしＴＧＡを行い、５％減量時の
温度を測定した結果５１５℃であった。また銅配線が平
坦化され、ポリイミド・パターンの形成が良好にでき
た。
【００６２】比較例１ 実施例１において銅配線パターン上に有機ケイ素化合物
被膜を形成せず銅配線パターン上に直接非感光性ポリイ
ミド前駆体の溶液を塗布したこと以外は実施例１と同様
にポリイミド・パターンを得た。得られたポリイミド・
パターンを銅配線パターンから剥がし同様に５％減量時
の温度を測定した結果４１５℃であった。また耐湿接着
性を同様に調べた結果、５日後接着性が低下し銅配線パ
ターンから剥離し始めた。また銅配線の凹凸のため得ら
れたポリイミド・パターンは所々でスルーホールパター
ンが歪んでいた。
被膜を形成せず銅配線パターン上に直接非感光性ポリイ
ミド前駆体の溶液を塗布したこと以外は実施例１と同様
にポリイミド・パターンを得た。得られたポリイミド・
パターンを銅配線パターンから剥がし同様に５％減量時
の温度を測定した結果４１５℃であった。また耐湿接着
性を同様に調べた結果、５日後接着性が低下し銅配線パ
ターンから剥離し始めた。また銅配線の凹凸のため得ら
れたポリイミド・パターンは所々でスルーホールパター
ンが歪んでいた。
【００６３】
【発明の効果】この発明によれば、銅配線上に非感光性
ポリイミドを用いパターン加工する際、耐熱性および銅
配線との接着性の低下の少ないポリイミド・パターンを
銅配線上に確実に形成することができる。また付随的な
効果として、銅配線を平坦化する効果をも有するので、
非感光性ポリイミドのパターン加工精度が向上する。
ポリイミドを用いパターン加工する際、耐熱性および銅
配線との接着性の低下の少ないポリイミド・パターンを
銅配線上に確実に形成することができる。また付随的な
効果として、銅配線を平坦化する効果をも有するので、
非感光性ポリイミドのパターン加工精度が向上する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｚ 7511−4Ｅ // Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ 6921−4Ｅ
Claims (6)
- 【請求項１】非感光性ポリイミド前駆体を用い銅配線上
にポリイミド・パターンを形成するに際し、該銅配線上
に有機ケイ素化合物を含有する塗布液を塗布、乾燥して
有機ケイ素化合物被膜を形成し、ついで該被膜上に非感
光性ポリイミド前駆体を塗布した後、フォトレジストを
マスクとしてパターン加工することを特徴とするポリイ
ミド・パターンの形成方法。 - 【請求項２】非感光性ポリイミド前駆体を用い銅配線上
にポリイミド・パターンを形成するに際して、該銅配線
を酸素中で加熱処理することにより銅配線上に酸化銅の
被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前
駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパタ
ーン加工することを特徴とするポリイミド・パターンの
形成方法。 - 【請求項３】非感光性ポリイミド前駆体を用い銅配線上
にポリイミド・パターンを形成するに際して、該銅配線
を酸素プラズマ処理することにより銅配線上に酸化銅の
被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前
駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパタ
ーン加工することを特徴とするポリイミド・パターンの
形成方法。 - 【請求項４】非感光性ポリイミド前駆体を用い銅配線上
にポリイミド・パターンを形成するに際して、該銅配線
を酸素中で加熱処理することにより銅配線上に酸化銅の
被膜を形成した後、該被膜上に有機ケイ素化合物を含有
する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素化合物被膜を形
成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前駆体を塗
布した後、フォトレジストをマスクとしてパターン加工
することを特徴とするポリイミド・パターンの形成方
法。 - 【請求項５】非感光性ポリイミド前駆体を用い銅配線上
にポリイミド・パターンを形成するに際して、該銅配線
を酸素プラズマ処理することにより銅配線上に酸化銅の
被膜を形成した後、該被膜上に有機ケイ素化合物を含有
する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素化合物被膜を形
成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前駆体を塗
布した後、フォトレジストをマスクとしてパターン加工
することを特徴とするポリイミド・パターンの形成方
法。 - 【請求項６】非感光性ポリイミド前駆体を用いポリイミ
ド・パターンを形成するに際して、該銅配線を酸素プラ
ズマ処理および酸素中での加熱処理を施して銅配線上に
酸化銅の被膜を形成した後、該被膜上に有機ケイ素化合
物を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素化合物
被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前
駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパタ
ーン加工することを特徴とするポリイミド・パターンの
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7208093A JPH06120645A (ja) | 1992-03-31 | 1993-03-30 | ポリイミド・パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7726692 | 1992-03-31 | ||
| JP4-77266 | 1992-03-31 | ||
| JP7208093A JPH06120645A (ja) | 1992-03-31 | 1993-03-30 | ポリイミド・パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120645A true JPH06120645A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=26413212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7208093A Pending JPH06120645A (ja) | 1992-03-31 | 1993-03-30 | ポリイミド・パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120645A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003117452A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-22 | Ricoh Co Ltd | メタルマスク及び該メタルマスクの表面膜の製造方法 |
| JP2008076956A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | ポリイミドパターンの形成方法、物品、及びハードディスク用サスペンション |
| WO2022230790A1 (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-03 | 日産化学株式会社 | レジストパターン形成方法 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7208093A patent/JPH06120645A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003117452A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-22 | Ricoh Co Ltd | メタルマスク及び該メタルマスクの表面膜の製造方法 |
| JP2008076956A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | ポリイミドパターンの形成方法、物品、及びハードディスク用サスペンション |
| WO2022230790A1 (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-03 | 日産化学株式会社 | レジストパターン形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040511 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |