JPH05198561A - ポリイミド・パタ−ンの形成方法 - Google Patents
ポリイミド・パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPH05198561A JPH05198561A JP951492A JP951492A JPH05198561A JP H05198561 A JPH05198561 A JP H05198561A JP 951492 A JP951492 A JP 951492A JP 951492 A JP951492 A JP 951492A JP H05198561 A JPH05198561 A JP H05198561A
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- Japan
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- pattern
- polyimide precursor
- copper
- film
- copper wiring
- Prior art date
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- Pending
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆体を用
い、銅配線上にポリイミド・パタ−ンを形成する方法に
おいて、Ａ．銅配線上にオゾン処理をする、Ｂ．銅配線
上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、Ｃ．パタ
−ン状の光を照射し、ついで現像する、Ｄ．得られたポ
リイミド前駆体のパタ−ンを加熱することにより、ポリ
イミド・パタ−ンに変換する、の各工程から成るポリイ
ミド・パタ−ンの形成方法である。 【効果】この発明によれば、銅配線上にポリイミド・パ
タ−ンを形成する場合に、現像残膜の無いポリイミド・
パタ−ンを確実に形成でき、銅配線上に形成されるスル
−ホ−ルにおける電気的接続の導通不良の問題を解決し
得る。
い、銅配線上にポリイミド・パタ−ンを形成する方法に
おいて、Ａ．銅配線上にオゾン処理をする、Ｂ．銅配線
上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、Ｃ．パタ
−ン状の光を照射し、ついで現像する、Ｄ．得られたポ
リイミド前駆体のパタ−ンを加熱することにより、ポリ
イミド・パタ−ンに変換する、の各工程から成るポリイ
ミド・パタ−ンの形成方法である。 【効果】この発明によれば、銅配線上にポリイミド・パ
タ−ンを形成する場合に、現像残膜の無いポリイミド・
パタ−ンを確実に形成でき、銅配線上に形成されるスル
−ホ−ルにおける電気的接続の導通不良の問題を解決し
得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感光性ポリイミドを用
いて、現像残膜のないポリイミド・パタ−ンを銅配線上
に形成する方法に関するものである。
いて、現像残膜のないポリイミド・パタ−ンを銅配線上
に形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミド前駆体に感光性を付与した感
光性ポリイミド前駆体を用いてポリイミド・パタ−ンを
形成することは、例えば特公昭５９−５２８２２号公報
の記載の通り公知である。かかる感光性材料は、電子デ
バイス実装基板において、多層配線の層間絶縁層として
有用である。この用途では、下部配線と外部リ−ドの導
通のために絶縁層にスル−ホ−ル（接続孔）を形成する
必要がある。
光性ポリイミド前駆体を用いてポリイミド・パタ−ンを
形成することは、例えば特公昭５９−５２８２２号公報
の記載の通り公知である。かかる感光性材料は、電子デ
バイス実装基板において、多層配線の層間絶縁層として
有用である。この用途では、下部配線と外部リ−ドの導
通のために絶縁層にスル−ホ−ル（接続孔）を形成する
必要がある。
【０００３】スル−ホ−ルは、通常次の４つの工程を経
て形成される。
て形成される。
【０００４】（１）下部配線形成済みの基板に感光性ポ
リイミド前駆体の膜を形成する、（２）スル−ホ−ル部
をマスクして露光する、（３）現像液でスル−ホ−ル部
（未露光部）の感光性ポリイミド前駆体を溶解除去す
る、（４）熱処理することによりイミド化する。
リイミド前駆体の膜を形成する、（２）スル−ホ−ル部
をマスクして露光する、（３）現像液でスル−ホ−ル部
（未露光部）の感光性ポリイミド前駆体を溶解除去す
る、（４）熱処理することによりイミド化する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリア
ミド酸型感光性ポリイミド前駆体を用い、この方法で銅
配線上にスル−ホ−ルを形成しようとすると、銅と感光
性ポリイミド前駆体構造中のカルボキシル基との反応の
ため、本来現像液で感光性ポリイミド前駆体が除去され
るべきスル−ホ−ル部に、現像残膜が生じ、上・下配線
間の導通が不良となる問題があった。この現像残膜は、
ポリイミドのエッチング剤もしくはプラズマで処理を行
っても、容易に除去できないため、予め銅配線上に、銅
と感光性ポリイミドとの反応を防止するため、スパッタ
リングなどにより、金属クロムなどの薄膜を設け、これ
をエッチング除去する方法が一般的に採用されている。
しかし、かかる従来の方法は、工程が煩雑でコストが高
くなるという問題があった。本発明は、かかる従来技術
の欠点に鑑み創案されたもので、その目的とするところ
は、銅配線上における現像残膜の発生を確実に防止する
ことのできるポリイミド・パタ−ンの形成方法を提供す
ることにある。
ミド酸型感光性ポリイミド前駆体を用い、この方法で銅
配線上にスル−ホ−ルを形成しようとすると、銅と感光
性ポリイミド前駆体構造中のカルボキシル基との反応の
ため、本来現像液で感光性ポリイミド前駆体が除去され
るべきスル−ホ−ル部に、現像残膜が生じ、上・下配線
間の導通が不良となる問題があった。この現像残膜は、
ポリイミドのエッチング剤もしくはプラズマで処理を行
っても、容易に除去できないため、予め銅配線上に、銅
と感光性ポリイミドとの反応を防止するため、スパッタ
リングなどにより、金属クロムなどの薄膜を設け、これ
をエッチング除去する方法が一般的に採用されている。
しかし、かかる従来の方法は、工程が煩雑でコストが高
くなるという問題があった。本発明は、かかる従来技術
の欠点に鑑み創案されたもので、その目的とするところ
は、銅配線上における現像残膜の発生を確実に防止する
ことのできるポリイミド・パタ−ンの形成方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
ポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆体を用い、銅配線
上にポリイミド・パタ−ンを形成する方法において、
Ａ．銅配線上にオゾン処理を施す、Ｂ．銅配線上に感光
性ポリイミド前駆体の膜を形成する、Ｃ．パタ−ン状の
光を照射し、ついで現像する、Ｄ．得られたポリイミド
前駆体のパタ−ンを加熱することにより、ポリイミド・
パタ−ンに変換する、の各工程から成ることを特徴とす
るポリイミド・パタ−ンの形成方法により達成される。
ポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆体を用い、銅配線
上にポリイミド・パタ−ンを形成する方法において、
Ａ．銅配線上にオゾン処理を施す、Ｂ．銅配線上に感光
性ポリイミド前駆体の膜を形成する、Ｃ．パタ−ン状の
光を照射し、ついで現像する、Ｄ．得られたポリイミド
前駆体のパタ−ンを加熱することにより、ポリイミド・
パタ−ンに変換する、の各工程から成ることを特徴とす
るポリイミド・パタ−ンの形成方法により達成される。
【０００７】本発明でいう銅配線とは、基板上に設けら
れた金属銅または銅の合金からなるパタ−ン状または全
面に形成された層を意味する。基板上への銅層の形成は
通常、電界鍍金、スパッタリング、真空蒸着などにより
行われ、またパタ−ン層の形成はフォトリソグラフィ方
式など公知の方法により行なうことができる。
れた金属銅または銅の合金からなるパタ−ン状または全
面に形成された層を意味する。基板上への銅層の形成は
通常、電界鍍金、スパッタリング、真空蒸着などにより
行われ、またパタ−ン層の形成はフォトリソグラフィ方
式など公知の方法により行なうことができる。
【０００８】本発明におけるオゾン処理とは、銅配線の
形成された基板をオゾン中にさらすことにより、酸化銅
の被膜を銅配線上に形成するものである。
形成された基板をオゾン中にさらすことにより、酸化銅
の被膜を銅配線上に形成するものである。
【０００９】本発明におけるオゾンとは、構造式Ｏ3 で
表されるオゾン分子を主として含む気体を意味し、他の
分子や原子の気体が混入していても構わない。オゾン処
理装置としては、例えば市販のオゾン洗浄装置を用いる
ことができる。オゾン処理時間としては特に限定はしな
いが、１〜１２０分が好ましく、より好ましくは１０〜
９０分である。
表されるオゾン分子を主として含む気体を意味し、他の
分子や原子の気体が混入していても構わない。オゾン処
理装置としては、例えば市販のオゾン洗浄装置を用いる
ことができる。オゾン処理時間としては特に限定はしな
いが、１〜１２０分が好ましく、より好ましくは１０〜
９０分である。
【００１０】本発明におけるポリイミド前駆体として
は、ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，
２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、シ
クロブタンテトラカルボン酸二無水物などのテトラカル
ボン酸二無水物と、４，４´−ジアミノジフェニルエ−
テル、３，３´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４
´−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン、メタフェニレンジア
ミン、パラフェニレンジアミンなどのジアミンとを非プ
ロトン性極性溶媒中で反応させて得られるポリアミド酸
が挙げられるが、これらに限定されない。
は、ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，
２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、シ
クロブタンテトラカルボン酸二無水物などのテトラカル
ボン酸二無水物と、４，４´−ジアミノジフェニルエ−
テル、３，３´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４
´−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン、メタフェニレンジア
ミン、パラフェニレンジアミンなどのジアミンとを非プ
ロトン性極性溶媒中で反応させて得られるポリアミド酸
が挙げられるが、これらに限定されない。
【００１１】非プロトン性極性溶媒の好ましい例として
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが挙げ
られるが、これらに限定されない。
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが挙げ
られるが、これらに限定されない。
【００１２】本発明で用いるポリアミド酸型感光性ポリ
イミド前駆体とは、前記のごときポリアミド酸に感光性
化合物を導入したものをいう。ポリイミド前駆体を感光
化するために使用される感光性化合物としては、アクリ
ルエステル化合物、アクリルアミド化合物、ビスアジ
ド、ビニル基を有するアミノ化合物などが例として挙げ
られる。具体的な感光性ポリイミド前駆体の組成として
は、たとえば特公昭５９−５２８２２号公報に記載され
ているものを挙げることができる。
イミド前駆体とは、前記のごときポリアミド酸に感光性
化合物を導入したものをいう。ポリイミド前駆体を感光
化するために使用される感光性化合物としては、アクリ
ルエステル化合物、アクリルアミド化合物、ビスアジ
ド、ビニル基を有するアミノ化合物などが例として挙げ
られる。具体的な感光性ポリイミド前駆体の組成として
は、たとえば特公昭５９−５２８２２号公報に記載され
ているものを挙げることができる。
【００１３】オゾン処理された銅配線上に感光性ポリイ
ミド前駆体の膜を形成する方法としては、公知の塗布形
成方法が採用できる。たとえばスピナによる方法が好例
として挙げられる。この際、接着性を改良する目的で、
処理された銅配線上にアミノシランなどの有機ケイ素化
合物を含有する溶液を感光性ポリイミド前駆体の膜を形
成する前に予め塗布しておくことも有効である。
ミド前駆体の膜を形成する方法としては、公知の塗布形
成方法が採用できる。たとえばスピナによる方法が好例
として挙げられる。この際、接着性を改良する目的で、
処理された銅配線上にアミノシランなどの有機ケイ素化
合物を含有する溶液を感光性ポリイミド前駆体の膜を形
成する前に予め塗布しておくことも有効である。
【００１４】パタ−ン状の光を照射する方法としては、
感光性ポリイミド前駆体の膜上にマスクを置き、光を照
射する公知の方法が例として挙げられる。感光性ポリイ
ミドの感光性の面から、通常光源としては、紫外光が用
いられる。
感光性ポリイミド前駆体の膜上にマスクを置き、光を照
射する公知の方法が例として挙げられる。感光性ポリイ
ミドの感光性の面から、通常光源としては、紫外光が用
いられる。
【００１５】現像は感光性ポリイミド前駆体の組成に応
じた最適の現像液で行うのが好ましい。通常、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのポリイミド前駆体
の溶媒か、あるいはこれらの溶媒と、メタノ−ル、エタ
ノ−ルなどのポリイミド前駆体の非溶媒との混合溶媒
を、現像液として用いることができる。
じた最適の現像液で行うのが好ましい。通常、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのポリイミド前駆体
の溶媒か、あるいはこれらの溶媒と、メタノ−ル、エタ
ノ−ルなどのポリイミド前駆体の非溶媒との混合溶媒
を、現像液として用いることができる。
【００１６】ポリイミド前駆体のポリイミドへの変換
は、２００〜４５０℃で熱処理することにより行うこと
がでる。熱処理は単一温度で行ってもよいし、段階的
に、あるいは連続的に昇温しながら行ってもよい。変換
温度すなわち２００〜４５０℃に置ける熱処理時間は５
分から６０分くらいで良い。スル−ホ−ル部の酸化銅被
膜は、熱処理すると接触抵抗が大きくなるので、過硫酸
アンモニウム水溶液などで表面をエッチングするか、プ
ラズマ処理などの手法で除去するのが望ましい。
は、２００〜４５０℃で熱処理することにより行うこと
がでる。熱処理は単一温度で行ってもよいし、段階的
に、あるいは連続的に昇温しながら行ってもよい。変換
温度すなわち２００〜４５０℃に置ける熱処理時間は５
分から６０分くらいで良い。スル−ホ−ル部の酸化銅被
膜は、熱処理すると接触抵抗が大きくなるので、過硫酸
アンモニウム水溶液などで表面をエッチングするか、プ
ラズマ処理などの手法で除去するのが望ましい。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。
るが、本発明はこれらに限定されない。
【００１８】実施例１ シリコンウエハ−上に、スパッタリングにより３．０μ
ｍの銅層を形成させた後、フォトエッチンッグにより、
所望の配線パタ−ンを得た。次にこの配線パタ−ンの形
成されたシリコンウエハ−をオゾン洗浄装置（４０１０
−Ｓ 岩崎電気（株）製）に入れ、６０分間オゾン処理
を行ない、銅配線パタ−ン上に酸化銅被膜を形成した。
ｍの銅層を形成させた後、フォトエッチンッグにより、
所望の配線パタ−ンを得た。次にこの配線パタ−ンの形
成されたシリコンウエハ−をオゾン洗浄装置（４０１０
−Ｓ 岩崎電気（株）製）に入れ、６０分間オゾン処理
を行ない、銅配線パタ−ン上に酸化銅被膜を形成した。
【００１９】一方４，４´−ジアミノジフェニルエ−テ
ル２０．０ｇを２００ｃｃのＮ−メチル−２−ピロリド
ンに溶解し、室温（約１８℃）で撹拌しながら、３，３
´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物３２．２ｇを粉体で仕込み、室温で１時間撹拌し、更
に５５℃で２時間撹拌を続けた。この溶液に、ジメチル
アミノエチルメタクリレ−ト３１．４ｇおよびミヒラ−
ズ・ケトン０．９４ｇを８５ｇのＮ−メチル−２−ピロ
リドンに溶解した溶液を添加、混合することにより、感
光性ポリイミド前駆体の溶液を得た。得られた感光性ポ
リイミド前駆体の溶液を、オゾン処理した銅配線パタ−
ン上にスピナにより塗布した。８０℃で１時間乾燥を行
った後、露光量３００ｍｊ／ｃｍ2 で露光し、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、キシレンおよび水の７：３：１の
混合液で現像を行った後、イソプロピルアルコ−ルでリ
ンスしポリイミド前駆体パタ−ンを形成した。このと
き、スル−ホ−ル部に現像残膜の形成は無かった。その
後１２０℃で１時間キュアし、さらに４００℃まで５℃
／ｍｉｎで昇温し４００℃で３０分保ちポリイミド・パ
タ−ンを得た。その後１０％の過硫酸アンモニウム水溶
液でスル−ホ−ル部の酸化銅被膜をエッチングした。こ
のようにして得られたポリイミド・パタ−ンの膜厚は１
０μｍであった。またスル−ホ−ル部の電気伝導性を調
べたところ、導通良好であった。
ル２０．０ｇを２００ｃｃのＮ−メチル−２−ピロリド
ンに溶解し、室温（約１８℃）で撹拌しながら、３，３
´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物３２．２ｇを粉体で仕込み、室温で１時間撹拌し、更
に５５℃で２時間撹拌を続けた。この溶液に、ジメチル
アミノエチルメタクリレ−ト３１．４ｇおよびミヒラ−
ズ・ケトン０．９４ｇを８５ｇのＮ−メチル−２−ピロ
リドンに溶解した溶液を添加、混合することにより、感
光性ポリイミド前駆体の溶液を得た。得られた感光性ポ
リイミド前駆体の溶液を、オゾン処理した銅配線パタ−
ン上にスピナにより塗布した。８０℃で１時間乾燥を行
った後、露光量３００ｍｊ／ｃｍ2 で露光し、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、キシレンおよび水の７：３：１の
混合液で現像を行った後、イソプロピルアルコ−ルでリ
ンスしポリイミド前駆体パタ−ンを形成した。このと
き、スル−ホ−ル部に現像残膜の形成は無かった。その
後１２０℃で１時間キュアし、さらに４００℃まで５℃
／ｍｉｎで昇温し４００℃で３０分保ちポリイミド・パ
タ−ンを得た。その後１０％の過硫酸アンモニウム水溶
液でスル−ホ−ル部の酸化銅被膜をエッチングした。こ
のようにして得られたポリイミド・パタ−ンの膜厚は１
０μｍであった。またスル−ホ−ル部の電気伝導性を調
べたところ、導通良好であった。
【００２０】比較例１ シリコンウエハ−上に、実施例１と同様に配線パタ−ン
を得た後、実施例１と同じ感光性ポリイミド前駆体を、
スピナにより塗布した。その後、実施例１と同じ条件で
乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミド前駆体パタ
−ンを形成した。このとき、スル−ホ−ル部に現像残膜
の形成が見られた。その後１２０℃で１時間キュアし、
さらに４００℃まで５℃／ｍｉｎで昇温し４００℃で３
０分保ちポリイミド・パタ−ンを得た。このようにして
得られたポリイミド・パタ−ンの膜厚は１０μｍであ
り、スル−ホ−ル部の現像残膜の膜厚は約０．５μｍで
あった。またスル−ホ−ル部の電気伝導性を調べたとこ
ろ、導通不良であった。
を得た後、実施例１と同じ感光性ポリイミド前駆体を、
スピナにより塗布した。その後、実施例１と同じ条件で
乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミド前駆体パタ
−ンを形成した。このとき、スル−ホ−ル部に現像残膜
の形成が見られた。その後１２０℃で１時間キュアし、
さらに４００℃まで５℃／ｍｉｎで昇温し４００℃で３
０分保ちポリイミド・パタ−ンを得た。このようにして
得られたポリイミド・パタ−ンの膜厚は１０μｍであ
り、スル−ホ−ル部の現像残膜の膜厚は約０．５μｍで
あった。またスル−ホ−ル部の電気伝導性を調べたとこ
ろ、導通不良であった。
【００２１】実施例２ シリコンウエハ−上に、真空蒸着により０．２μｍの銅
層を形成させ、さらに電解鍍金により２．８μｍの銅層
を形成させた後、フォトエッチンッグにより所望の配線
パタ−ンを得た。次にこの配線パタ−ンの形成されたシ
リコンウエハ−を実施例１と全く同様にオゾン処理を施
した。、実施例１と同じ条件で乾燥、露光、現像、リン
スを行いポリイミド前駆体パタ−ンを形成した。このと
き、スル−ホ−ル部に現像残膜の形成は無かった。その
後１２０℃で１時間キュアし、さらに４００℃まで５℃
／ｍｉｎで昇温し４００℃で３０分保ちポリイミド・パ
タ−ンを得た。その後１０％の過硫酸アンモニウム水溶
液でスル−ホ−ル部の酸化銅被膜をエッチングした。こ
のようにして得られたポリイミド・パタ−ンの膜厚は１
０μｍであった。またスル−ホ−ル部の電気伝導性を調
べたところ、導通良好であった。
層を形成させ、さらに電解鍍金により２．８μｍの銅層
を形成させた後、フォトエッチンッグにより所望の配線
パタ−ンを得た。次にこの配線パタ−ンの形成されたシ
リコンウエハ−を実施例１と全く同様にオゾン処理を施
した。、実施例１と同じ条件で乾燥、露光、現像、リン
スを行いポリイミド前駆体パタ−ンを形成した。このと
き、スル−ホ−ル部に現像残膜の形成は無かった。その
後１２０℃で１時間キュアし、さらに４００℃まで５℃
／ｍｉｎで昇温し４００℃で３０分保ちポリイミド・パ
タ−ンを得た。その後１０％の過硫酸アンモニウム水溶
液でスル−ホ−ル部の酸化銅被膜をエッチングした。こ
のようにして得られたポリイミド・パタ−ンの膜厚は１
０μｍであった。またスル−ホ−ル部の電気伝導性を調
べたところ、導通良好であった。
【００２２】比較例２ シリコンウエハ−上に、実施例２と全く同様に配線パタ
−ンを得た後、実施例１と同じ感光性ポリイミド前駆体
を、スピナにより塗布した。その後、実施例１と同じ条
件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミド前駆体
パタ−ンを形成した。このとき、スル−ホ−ル部に現像
残膜の形成が見られた。その後１２０℃で１時間キュア
し、さらに４００℃まで５℃／ｍｉｎで昇温し４００℃
で３０分保った。このようにして得られたポリイミド・
パタ−ンの膜厚は１０μｍであり、スル−ホ−ル部の現
像残膜の膜厚は約０．５μｍであった。またスル−ホ−
ル部の電気伝導性を調べたところ、導通不良であった。
−ンを得た後、実施例１と同じ感光性ポリイミド前駆体
を、スピナにより塗布した。その後、実施例１と同じ条
件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミド前駆体
パタ−ンを形成した。このとき、スル−ホ−ル部に現像
残膜の形成が見られた。その後１２０℃で１時間キュア
し、さらに４００℃まで５℃／ｍｉｎで昇温し４００℃
で３０分保った。このようにして得られたポリイミド・
パタ−ンの膜厚は１０μｍであり、スル−ホ−ル部の現
像残膜の膜厚は約０．５μｍであった。またスル−ホ−
ル部の電気伝導性を調べたところ、導通不良であった。
【００２３】実施例３ シリコンウエハ−上に、実施例２と全く同様に配線パタ
−ンを得た後、実施例１と全く同様にオゾン処理を施し
た。
−ンを得た後、実施例１と全く同様にオゾン処理を施し
た。
【００２４】一方４，４´−ジアミノジフェニルエ−テ
ル２０．０ｇを２００ｃｃのＮ−メチル−２−ピロリド
ンに溶解し、室温（約１８℃）で撹拌しながら、３，３
´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２
９．４ｇを粉体で仕込み、室温で１時間撹拌し、更に５
５℃で３時間撹拌を続けた。この溶液に、ジメチルアミ
ノメタクリレ−ト３１．４ｇおよびミヒラ−ズ・ケトン
０．９４ｇを８５ｇのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶
解した溶液を添加、混合することにより、感光性ポリイ
ミド前駆体の溶液を得た。得られた感光性ポリイミド前
駆体の溶液を、オゾン処理を施した銅配線上に、スピナ
により塗布した。その後、実施例１と同じ条件で乾燥、
露光、現像、リンスを行いポリイミド前駆体パタ−ンを
形成した。このとき、スル−ホ−ル部に現像残膜の形成
は無かった。その後１２０℃で１時間キュアし、さらに
４００℃まで５℃／ｍｉｎで昇温し４００℃で３０分保
ちポリイミド・パタ−ンを得た。その後１０％の過硫酸
アンモニウム水溶液でスル−ホ−ル部の酸化銅被膜をエ
ッチングした。このようにして得られたポリイミド・パ
タ−ンの膜厚は１０μｍであった。またスル−ホ−ル部
の電気伝導性を調べたところ、導通良好であった。
ル２０．０ｇを２００ｃｃのＮ−メチル−２−ピロリド
ンに溶解し、室温（約１８℃）で撹拌しながら、３，３
´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２
９．４ｇを粉体で仕込み、室温で１時間撹拌し、更に５
５℃で３時間撹拌を続けた。この溶液に、ジメチルアミ
ノメタクリレ−ト３１．４ｇおよびミヒラ−ズ・ケトン
０．９４ｇを８５ｇのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶
解した溶液を添加、混合することにより、感光性ポリイ
ミド前駆体の溶液を得た。得られた感光性ポリイミド前
駆体の溶液を、オゾン処理を施した銅配線上に、スピナ
により塗布した。その後、実施例１と同じ条件で乾燥、
露光、現像、リンスを行いポリイミド前駆体パタ−ンを
形成した。このとき、スル−ホ−ル部に現像残膜の形成
は無かった。その後１２０℃で１時間キュアし、さらに
４００℃まで５℃／ｍｉｎで昇温し４００℃で３０分保
ちポリイミド・パタ−ンを得た。その後１０％の過硫酸
アンモニウム水溶液でスル−ホ−ル部の酸化銅被膜をエ
ッチングした。このようにして得られたポリイミド・パ
タ−ンの膜厚は１０μｍであった。またスル−ホ−ル部
の電気伝導性を調べたところ、導通良好であった。
【００２５】比較例３ シリコンウエハ−上に、実施例２と全く同様に配線パタ
−ンを得た後、実施例３と同じ感光性ポリイミド前駆体
を、スピナにより塗布した。その後、実施例１と同じ条
件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミド前駆体
パタ−ンを形成した。このとき、スル−ホ−ル部に現像
残膜の形成が見られた。その後１２０℃で１時間キュア
し、さらに４００℃まで５℃／ｍｉｎで昇温し４００℃
で３０分保った。このようにして得られたポリイミド・
パタ−ンの膜厚は１０μｍであり、スル−ホ−ル部の現
像残膜の膜厚は約０．５μｍであった。またスル−ホ−
ル部の電気伝導性を調べたところ、導通不良であった。
−ンを得た後、実施例３と同じ感光性ポリイミド前駆体
を、スピナにより塗布した。その後、実施例１と同じ条
件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミド前駆体
パタ−ンを形成した。このとき、スル−ホ−ル部に現像
残膜の形成が見られた。その後１２０℃で１時間キュア
し、さらに４００℃まで５℃／ｍｉｎで昇温し４００℃
で３０分保った。このようにして得られたポリイミド・
パタ−ンの膜厚は１０μｍであり、スル−ホ−ル部の現
像残膜の膜厚は約０．５μｍであった。またスル−ホ−
ル部の電気伝導性を調べたところ、導通不良であった。
【００２６】
【発明の効果】本発明の形成方法によれば、銅配線上に
ポリイミド・パタ−ンを形成する場合に、現像残膜の無
いポリイミド・パタ−ンを確実に形成でき、銅配線上に
形成されるスル−ホ−ルにおける電気的接続の導通不良
の問題を解決し得る。
ポリイミド・パタ−ンを形成する場合に、現像残膜の無
いポリイミド・パタ−ンを確実に形成でき、銅配線上に
形成されるスル−ホ−ルにおける電気的接続の導通不良
の問題を解決し得る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/027 ５１４ 7/038 ５０４ Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｄ 7511−4Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】ポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆体を
用い、銅配線上にポリイミド・パタ−ンを形成する方法
において、 Ａ．銅配線上にオゾン処理を施す、 Ｂ．銅配線上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成す
る、 Ｃ．パタ−ン状の光を照射し、ついで現像する、 Ｄ．得られたポリイミド前駆体のパタ−ンを加熱するこ
とにより、ポリイミド・パタ−ンに変換する、 の各工程から成ることを特徴とするポリイミド・パタ−
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP951492A JPH05198561A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | ポリイミド・パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP951492A JPH05198561A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | ポリイミド・パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198561A true JPH05198561A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11722369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP951492A Pending JPH05198561A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | ポリイミド・パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198561A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010056862A (ko) * | 1999-12-17 | 2001-07-04 | 이형도 | 연성기판의 비아홀 형성방법 |
| WO2001084615A1 (fr) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Zeon Corporation | Procede de production de substrat a utiliser dans des pieces electroniques et solvant de nettoyage |
| KR100622603B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2006-09-19 | 엘에스전선 주식회사 | 연성회로기판의 절연층용 수지 조성물, 이를 이용한연성금속적층판 및 연성금속적층판 제조방법 |
| US7947428B2 (en) | 2004-09-28 | 2011-05-24 | Tdk Corporation | Method for forming photosensitive polyimide pattern and electronic devices having the pattern |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP951492A patent/JPH05198561A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010056862A (ko) * | 1999-12-17 | 2001-07-04 | 이형도 | 연성기판의 비아홀 형성방법 |
| WO2001084615A1 (fr) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Zeon Corporation | Procede de production de substrat a utiliser dans des pieces electroniques et solvant de nettoyage |
| KR100622603B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2006-09-19 | 엘에스전선 주식회사 | 연성회로기판의 절연층용 수지 조성물, 이를 이용한연성금속적층판 및 연성금속적층판 제조방법 |
| US7947428B2 (en) | 2004-09-28 | 2011-05-24 | Tdk Corporation | Method for forming photosensitive polyimide pattern and electronic devices having the pattern |
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