JP2924103B2 - ポリイミド・パターンの形成方法 - Google Patents
ポリイミド・パターンの形成方法Info
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- JP2924103B2 JP2924103B2 JP16310790A JP16310790A JP2924103B2 JP 2924103 B2 JP2924103 B2 JP 2924103B2 JP 16310790 A JP16310790 A JP 16310790A JP 16310790 A JP16310790 A JP 16310790A JP 2924103 B2 JP2924103 B2 JP 2924103B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ポリイミド・パターンの形成方法に関する
ものであり、さらに詳しくは感光性ポリイミドを用い
て、現像残膜のないポリイミド・パターンを銅配線上に
形成する方法に関するものである。
ものであり、さらに詳しくは感光性ポリイミドを用い
て、現像残膜のないポリイミド・パターンを銅配線上に
形成する方法に関するものである。
［従来の技術］ ポリイミド前駆体に感光性を付与した感光性ポリイミ
ド前駆体を用いてポリイミド・パターンを形成すること
は、例えば特公昭59−52822号公報の記載の通り公知で
ある。かかる感光性材料は、電子デバイス実装基板にお
いて、多層配線の層間絶縁層として有用である。この用
途では、下部配線と外部リードの導通のために絶縁層あ
るいは、パッシベーション層にスルーホール（接続孔）
を形成する必要がある。
ド前駆体を用いてポリイミド・パターンを形成すること
は、例えば特公昭59−52822号公報の記載の通り公知で
ある。かかる感光性材料は、電子デバイス実装基板にお
いて、多層配線の層間絶縁層として有用である。この用
途では、下部配線と外部リードの導通のために絶縁層あ
るいは、パッシベーション層にスルーホール（接続孔）
を形成する必要がある。
スルーホールは、通常 （１）下部配線形成済みの基板に感光性ポリイミド前駆
体の膜を形成する、 （２）スルーホール部をマスクして露光する、 （３）現像液でスルーホール部（未露光部）の感光性ポ
リイミド前駆体を溶解除去する、 （４）熱処理することによりイミド化する、 の各工程を経ることにより形成される。
体の膜を形成する、 （２）スルーホール部をマスクして露光する、 （３）現像液でスルーホール部（未露光部）の感光性ポ
リイミド前駆体を溶解除去する、 （４）熱処理することによりイミド化する、 の各工程を経ることにより形成される。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆
体を用い、この方法で銅配線上にスルーホールを形成し
ようとすると、銅と感光性ポリイミド前駆体構造中のカ
ルボキシル基との反応のため、本来現像液で感光性ポリ
イミド前駆体が除去されるべきスルーホール部に、現像
残膜が生じ、上・下配線間の導通が不良となる問題があ
った。この現像残膜は、ポリイミドのエッチング剤もし
くはプラズマで処理を行っても容易に除去できのいた
め、銅配線上にスパッタリングなどにより、金属クロム
などの薄膜を設け、これをエッチング除去する方法が一
般に採用されている。しかしかかる従来の方法は、工程
が煩雑でコストが高くなるという問題点があった。
体を用い、この方法で銅配線上にスルーホールを形成し
ようとすると、銅と感光性ポリイミド前駆体構造中のカ
ルボキシル基との反応のため、本来現像液で感光性ポリ
イミド前駆体が除去されるべきスルーホール部に、現像
残膜が生じ、上・下配線間の導通が不良となる問題があ
った。この現像残膜は、ポリイミドのエッチング剤もし
くはプラズマで処理を行っても容易に除去できのいた
め、銅配線上にスパッタリングなどにより、金属クロム
などの薄膜を設け、これをエッチング除去する方法が一
般に採用されている。しかしかかる従来の方法は、工程
が煩雑でコストが高くなるという問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑み創案されたも
ので、その目的とするところは、銅配線上における現像
残膜のないポリイミド・パターンを確実に形成する方法
を提供することにある。
ので、その目的とするところは、銅配線上における現像
残膜のないポリイミド・パターンを確実に形成する方法
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、ポリアミド酸型感光性ポリイ
ミド前駆体を用い、銅配線上にポリイミド・パターンを
形成する方法において、 A.銅配線上に有機ケイ素化合物を含有する塗布液を塗布
した後乾燥する、 B.得られた有機ケイ素化合物の被膜を加熱することによ
り、二酸化ケイ素被膜に変換する、 C.該二酸化ケイ素被膜上に感光性ポリイミド前駆体の膜
を形成する、 D.該感光性ポリイミド前駆体被膜を選択的に露光した
後、現像してパターンを形成する、 E.該感光性ポリイミド前駆体のパターンを加熱すること
により、ポリイミド・パターンに変換する、 F.該ポリイミド・パターンのスルーホール部の二酸化ケ
イ素被膜をエッチング剤またはプラズマで処理すること
により、該二酸化ケイ素被膜を除去する、 の各工程から成ることを特徴とするポリイミド・パター
ンの形成方法により達成される。
ミド前駆体を用い、銅配線上にポリイミド・パターンを
形成する方法において、 A.銅配線上に有機ケイ素化合物を含有する塗布液を塗布
した後乾燥する、 B.得られた有機ケイ素化合物の被膜を加熱することによ
り、二酸化ケイ素被膜に変換する、 C.該二酸化ケイ素被膜上に感光性ポリイミド前駆体の膜
を形成する、 D.該感光性ポリイミド前駆体被膜を選択的に露光した
後、現像してパターンを形成する、 E.該感光性ポリイミド前駆体のパターンを加熱すること
により、ポリイミド・パターンに変換する、 F.該ポリイミド・パターンのスルーホール部の二酸化ケ
イ素被膜をエッチング剤またはプラズマで処理すること
により、該二酸化ケイ素被膜を除去する、 の各工程から成ることを特徴とするポリイミド・パター
ンの形成方法により達成される。
本発明において銅配線とは、シリコーンウエハーなど
の基板上に設けられた金属銅または銅の合金からなるパ
ターン状または全面に形成された層を意味する。基板上
への銅層の形成は通常、電界鍍金、スパッタリングおよ
び真空蒸着などにより行われ、また前記パターン層の形
成はフオトリソグラフィ方式など公知の方法により行う
ことができる。
の基板上に設けられた金属銅または銅の合金からなるパ
ターン状または全面に形成された層を意味する。基板上
への銅層の形成は通常、電界鍍金、スパッタリングおよ
び真空蒸着などにより行われ、また前記パターン層の形
成はフオトリソグラフィ方式など公知の方法により行う
ことができる。
かかる銅配線上に有機ケイ素化合物を含有する塗布液
を塗布した後乾燥する。
を塗布した後乾燥する。
本発明で用いる有機ケイ素化合物としては、次式で表
される化合物が挙げられる。
される化合物が挙げられる。
ここでｎは１以上の整数である。またR1は一価の炭化
水素基またはアルコキシ基を表す。一価の炭化水素基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、ビニル基あるいはアリル基などのアル
ケニル基、フェニル基、あるいはトリル基などのアリー
ル基もしくは、これらの基の水素原子の一部ないしは全
部がアミノ基などの有機基で置換された基などが挙げら
れる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。また
R2は水素原子または一価の炭化水素基を表す。一価の炭
化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基などのアルキル基が挙げられる。
水素基またはアルコキシ基を表す。一価の炭化水素基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、ビニル基あるいはアリル基などのアル
ケニル基、フェニル基、あるいはトリル基などのアリー
ル基もしくは、これらの基の水素原子の一部ないしは全
部がアミノ基などの有機基で置換された基などが挙げら
れる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。また
R2は水素原子または一価の炭化水素基を表す。一価の炭
化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基などのアルキル基が挙げられる。
これらの有機ケイ素化合物は有機溶剤に溶解され、塗
布液として調製されるが、使用される有機溶剤として
は、アルコール類、エステル類、ケトン類および芳香族
炭化水素類などの公知のもが単独または併用して使用で
きる。
布液として調製されるが、使用される有機溶剤として
は、アルコール類、エステル類、ケトン類および芳香族
炭化水素類などの公知のもが単独または併用して使用で
きる。
有機ケイ素化合物を含む塗布液としては、市販の塗布
液を利用することができる。例えば“OCD Type−2"
（東京応化工業製）などを利用することができる。
液を利用することができる。例えば“OCD Type−2"
（東京応化工業製）などを利用することができる。
塗布方法としてはスピナー法、スプレー法、浸漬法な
ど公知の方法りよればよい。また乾燥条件としては100
℃未満、好ましくは50〜90℃で10〜40分間の乾燥が適当
である。
ど公知の方法りよればよい。また乾燥条件としては100
℃未満、好ましくは50〜90℃で10〜40分間の乾燥が適当
である。
有機ケイ素被膜は乾燥後、加熱処理されて二酸化ケイ
素被膜に変換される。加熱温度としては200〜450℃の範
囲が好ましく、より好ましくは300〜400℃である。また
二酸化ケイ素の膜厚としては、0.05〜0.5μｍが好まし
い。より好ましくは0.1〜0.2μｍである。
素被膜に変換される。加熱温度としては200〜450℃の範
囲が好ましく、より好ましくは300〜400℃である。また
二酸化ケイ素の膜厚としては、0.05〜0.5μｍが好まし
い。より好ましくは0.1〜0.2μｍである。
ついで、得られた二酸化ケイ素被膜の上に感光性ポリ
イミド前駆体を塗布した後、乾燥して感光性ポリイミド
前駆体被膜を形成する。
イミド前駆体を塗布した後、乾燥して感光性ポリイミド
前駆体被膜を形成する。
本発明において使用される感光性ポリイミド前駆体と
しては、ポリアミド酸に感光性化合物を導入したものを
いい、公知のものがすべて使用できる。
しては、ポリアミド酸に感光性化合物を導入したものを
いい、公知のものがすべて使用できる。
使用できるポリイミド前駆体としては、ピロメリット
酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物な
どのテトラカルボン酸二無水物と、4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、メタフェニ
レンジアミン、パラフェニレンジアミンなどのジアミン
とを非プロトン性極性溶媒中で反応させ得られるポリア
ミド酸が挙げられるが、これらに限定されない。非プロ
トン性極性溶媒の好ましい例としては、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメ
チルホルムアミドなどが挙げられるがこれらに限定され
ない。ポリイミド前駆体を感光化し得る感光性化合物と
しては、ビスアジト、ビニル基を有するアミノ化合物な
どが例として挙げられる。具体的な感光性ポリイミド前
駆体の組成としては、たとえば特公昭59−52822号公報
に記載されているものを挙げることができる。
酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物な
どのテトラカルボン酸二無水物と、4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、メタフェニ
レンジアミン、パラフェニレンジアミンなどのジアミン
とを非プロトン性極性溶媒中で反応させ得られるポリア
ミド酸が挙げられるが、これらに限定されない。非プロ
トン性極性溶媒の好ましい例としては、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメ
チルホルムアミドなどが挙げられるがこれらに限定され
ない。ポリイミド前駆体を感光化し得る感光性化合物と
しては、ビスアジト、ビニル基を有するアミノ化合物な
どが例として挙げられる。具体的な感光性ポリイミド前
駆体の組成としては、たとえば特公昭59−52822号公報
に記載されているものを挙げることができる。
二酸化ケイ素被膜上への感光性ポリイミド前駆体被膜
の形成は、公知の方法によって良い。例えばスピナによ
る方法が好例として挙げられる。また乾燥条件としては
通常50〜100℃で15分から数時間程度の乾燥を行えばよ
い。
の形成は、公知の方法によって良い。例えばスピナによ
る方法が好例として挙げられる。また乾燥条件としては
通常50〜100℃で15分から数時間程度の乾燥を行えばよ
い。
この感光性ポリイミド前駆体被膜はついで選択的に露
光された後、現像することにより未露光部（スルーホー
ル部のポリイミド前駆体皮膜を含む）が除去されて所定
パターンが形成される。
光された後、現像することにより未露光部（スルーホー
ル部のポリイミド前駆体皮膜を含む）が除去されて所定
パターンが形成される。
感光性ポリイミド前駆体被膜上に、パターン状の光を
照射する方法としては、感光性ポリイミド前駆体の膜上
にマスクを置き、光を照射する方法が例として挙げられ
る。感光性ポリイミド前駆体の感光性の面から、通常光
源としては、紫外光が用いられる。
照射する方法としては、感光性ポリイミド前駆体の膜上
にマスクを置き、光を照射する方法が例として挙げられ
る。感光性ポリイミド前駆体の感光性の面から、通常光
源としては、紫外光が用いられる。
現像は感光性ポリイミド前駆体の組成に応じた最適の
現像液で行うのが好ましい。通常、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミドなどのポリイミド前駆体の溶媒か、あるい
はこれらの溶媒と、メタノール、エタノールその他のポ
リイミド前駆体の非溶媒と現像液として用いられる。
現像液で行うのが好ましい。通常、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミドなどのポリイミド前駆体の溶媒か、あるい
はこれらの溶媒と、メタノール、エタノールその他のポ
リイミド前駆体の非溶媒と現像液として用いられる。
感光性ポリイミド前駆体のパターンはついで熱処理す
ることによりポリイミド・パターンに交換される。熱処
理は、通常200〜400℃の範囲で行われる。熱処理時間は
５分から30分くらいで良い。熱処理は単一温度で行って
もよいし、段階的に、あるいは連続的に昇温しながら行
ってもよい。
ることによりポリイミド・パターンに交換される。熱処
理は、通常200〜400℃の範囲で行われる。熱処理時間は
５分から30分くらいで良い。熱処理は単一温度で行って
もよいし、段階的に、あるいは連続的に昇温しながら行
ってもよい。
ついで、該ポリイミド・パターンのスルーホール部の
二酸化ケイ素被膜のみをエッチング剤またはプラズマで
処理することにより、該二酸化ケイ素被膜を除去する。
二酸化ケイ素被膜のみをエッチング剤またはプラズマで
処理することにより、該二酸化ケイ素被膜を除去する。
スルーホール部における二酸化ケイ素被膜のエッチン
グ剤としては、例えば弗化水素酸水溶液が挙げられる。
また弗素系ガスを用いてエッチングすることもできる。
スルーホール部の二酸化ケイ素被膜エッチング剤でエッ
チングする場合、ポリイミド・パターンの直下に存在す
る二酸化ケイ素層も次第にエッチングされるので、スル
ーホール部の二酸化ケイ素の膜のみをエッチング除去す
るのに必要かつ十分な程度にエッチングをとどめるのが
望ましい。弗化水素酸水溶液を使用する場合の処理条件
としては、例えば濃度0.5〜５モル％の弗化水素酸水溶
液を用いて２〜30秒の範囲で処理するのがよい。
グ剤としては、例えば弗化水素酸水溶液が挙げられる。
また弗素系ガスを用いてエッチングすることもできる。
スルーホール部の二酸化ケイ素被膜エッチング剤でエッ
チングする場合、ポリイミド・パターンの直下に存在す
る二酸化ケイ素層も次第にエッチングされるので、スル
ーホール部の二酸化ケイ素の膜のみをエッチング除去す
るのに必要かつ十分な程度にエッチングをとどめるのが
望ましい。弗化水素酸水溶液を使用する場合の処理条件
としては、例えば濃度0.5〜５モル％の弗化水素酸水溶
液を用いて２〜30秒の範囲で処理するのがよい。
［発明の効果］ 本発明の形成方法によれば、銅配線上にポリイミド・
パターンを形成する場合に、現像残膜の無いポリイミド
・パターンを確実に形成でき、銅配線上に形成されるス
ルーホールにおける電気的接続の導通不良の問題を解決
し得る。
パターンを形成する場合に、現像残膜の無いポリイミド
・パターンを確実に形成でき、銅配線上に形成されるス
ルーホールにおける電気的接続の導通不良の問題を解決
し得る。
実施例１ シリコンウエハー上に、スパッタリングにより3.0μ
ｍの銅層を形成させた後、フォトエッチングにより、所
望の銅配線パターンを得た。次に二酸化ケイ素被膜形成
用塗布液“OCD Type−2"（東京応化工業製）を、銅配
線パターンが形成されたシリコーンウエハー上に、スピ
ナにより塗布した。80℃で30分乾燥を行った後、400℃
で30分熱処理し、二酸化ケイ素被膜に変換した。二酸化
ケイ素の膜厚は0.1μｍであった。
ｍの銅層を形成させた後、フォトエッチングにより、所
望の銅配線パターンを得た。次に二酸化ケイ素被膜形成
用塗布液“OCD Type−2"（東京応化工業製）を、銅配
線パターンが形成されたシリコーンウエハー上に、スピ
ナにより塗布した。80℃で30分乾燥を行った後、400℃
で30分熱処理し、二酸化ケイ素被膜に変換した。二酸化
ケイ素の膜厚は0.1μｍであった。
一方、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル20.0gを20
0ccのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、室温（約1
8℃）で撹拌しながら、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物32.2gを粉体で仕込み、室温で
１時間撹拌し、更に55℃で２時間撹拌を続けた。この溶
液に、ジメチルアミノエチルメタクリレート31.4gおよ
びミヒラーズ・ケトン0.94gを85gのＮ−メチル−２−ピ
ロリドンに溶解した溶液を添加、混合することにより、
感光性ポリイミド前駆体の溶液を得た。
0ccのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、室温（約1
8℃）で撹拌しながら、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物32.2gを粉体で仕込み、室温で
１時間撹拌し、更に55℃で２時間撹拌を続けた。この溶
液に、ジメチルアミノエチルメタクリレート31.4gおよ
びミヒラーズ・ケトン0.94gを85gのＮ−メチル−２−ピ
ロリドンに溶解した溶液を添加、混合することにより、
感光性ポリイミド前駆体の溶液を得た。
得られた感光性ポリイミド前駆体の溶液を、スピナに
より二酸化ケイ素の膜が形成されたシリコンウエハー上
に塗布した。80℃で１時間乾燥を行った後、露光量300m
J/cm2で露光し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、キシレ
ンおよび水の7:3:1の混合液で現像を行った後、イソプ
ロピルアルコールでリンスしポリイミ前駆体のパターン
を形成した。このときスルーホール部に現像残膜の形成
は無かった。その後120℃で１時間キュアし、さらに400
℃まで５℃/minで昇温し１時間400℃に保った。このよ
うにして得られたポリイミド・パターンの膜厚（パター
ン直下の二酸化ケイ素層を含む）は10μｍであった。つ
いで得られたポリイミド・パターンを25℃で１モル％の
弗化水素酸水溶液で10秒間処理したところ、スルーホー
ル部の二酸化ケイ素被膜が完全に除去された。またポリ
イミド・パターンの膜厚（パターン直下の二酸化ケイ素
層を含む）は変化なかった。スルーホール部の電気伝導
性を調べたところ、導通は良好であった。
より二酸化ケイ素の膜が形成されたシリコンウエハー上
に塗布した。80℃で１時間乾燥を行った後、露光量300m
J/cm2で露光し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、キシレ
ンおよび水の7:3:1の混合液で現像を行った後、イソプ
ロピルアルコールでリンスしポリイミ前駆体のパターン
を形成した。このときスルーホール部に現像残膜の形成
は無かった。その後120℃で１時間キュアし、さらに400
℃まで５℃/minで昇温し１時間400℃に保った。このよ
うにして得られたポリイミド・パターンの膜厚（パター
ン直下の二酸化ケイ素層を含む）は10μｍであった。つ
いで得られたポリイミド・パターンを25℃で１モル％の
弗化水素酸水溶液で10秒間処理したところ、スルーホー
ル部の二酸化ケイ素被膜が完全に除去された。またポリ
イミド・パターンの膜厚（パターン直下の二酸化ケイ素
層を含む）は変化なかった。スルーホール部の電気伝導
性を調べたところ、導通は良好であった。
比較例１ シリコーンウエハー上に、実施例１と全く同様に銅配
線パターンを得た後、実施例１で用いたのと同じ感光性
ポリイミド前駆体の溶液をスピナにより塗布し、実施例
１と同条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミ
ド前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホール
部に現像残膜の形成がみられた。その後120℃で１時間
キュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時間400
℃に保った。このようにして得られたポリイミド・パタ
ーンの膜厚は10μｍであった。またスルーホール部に現
像残膜の形成がみられ、その膜厚は約0.5μｍであっ
た。またスルーホール部の電気伝導性を調べたところ導
通不良であった。
線パターンを得た後、実施例１で用いたのと同じ感光性
ポリイミド前駆体の溶液をスピナにより塗布し、実施例
１と同条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミ
ド前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホール
部に現像残膜の形成がみられた。その後120℃で１時間
キュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時間400
℃に保った。このようにして得られたポリイミド・パタ
ーンの膜厚は10μｍであった。またスルーホール部に現
像残膜の形成がみられ、その膜厚は約0.5μｍであっ
た。またスルーホール部の電気伝導性を調べたところ導
通不良であった。
実施例２ 実施例１においてスパッタリングにより銅層を形成さ
せる代わりに、真空蒸着により0.2μｍの銅層を形成さ
せ、さらに電解鍍金により2.8μｍの銅層を形成させた
こと以外は、全く実施例１と同様にポリイミド・パター
ンを得た。このようにして得られたポリイミド・パター
ンの膜厚（パターン直下の二酸化ケイ素層を含む）は10
μｍであった。ついで得られたポリイミド・パターンを
25℃で１モル％の弗化水素酸水溶液で10秒間処理したと
ころ、スルーホール部の二酸化ケイ素被膜が完全に除去
された。またポリイミド・パターンの膜厚（パターン直
下の二酸化ケイ素層を含む）は変化なかった。スルーホ
ール部の電気伝導性を調べたところ、導通は良好であっ
た。
せる代わりに、真空蒸着により0.2μｍの銅層を形成さ
せ、さらに電解鍍金により2.8μｍの銅層を形成させた
こと以外は、全く実施例１と同様にポリイミド・パター
ンを得た。このようにして得られたポリイミド・パター
ンの膜厚（パターン直下の二酸化ケイ素層を含む）は10
μｍであった。ついで得られたポリイミド・パターンを
25℃で１モル％の弗化水素酸水溶液で10秒間処理したと
ころ、スルーホール部の二酸化ケイ素被膜が完全に除去
された。またポリイミド・パターンの膜厚（パターン直
下の二酸化ケイ素層を含む）は変化なかった。スルーホ
ール部の電気伝導性を調べたところ、導通は良好であっ
た。
比較例２ 比較例１においてスパッタリングにより銅層を形成さ
せる代わりに、真空蒸着により0.2μｍの銅層を形成さ
せ、さらに電解鍍金により2.8μｍの銅層を形成させた
こと以外は、全く比較例１と同様にポリイミド・パター
ンを得た。このようにして得られたポリイミド・パター
ンの膜厚は10μｍであった。またスルーホール部に現像
残膜の形成がみられ、その膜厚は約0.5μｍであった。
またスルーホール部の電気伝導性を調べたところ導通不
良であった。
せる代わりに、真空蒸着により0.2μｍの銅層を形成さ
せ、さらに電解鍍金により2.8μｍの銅層を形成させた
こと以外は、全く比較例１と同様にポリイミド・パター
ンを得た。このようにして得られたポリイミド・パター
ンの膜厚は10μｍであった。またスルーホール部に現像
残膜の形成がみられ、その膜厚は約0.5μｍであった。
またスルーホール部の電気伝導性を調べたところ導通不
良であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−283699（ＪＰ，Ａ) 特公 昭62−43544（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭59−52822（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/40,7/038,7/11
Claims (1)
- 【請求項１】ポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆体を
用い、銅配線上にポリイミド・パターンを形成する方法
において、 A.銅配線上に有機ケイ素化合物を含有する塗布液を塗布
した後乾燥する、 B.得られた有機ケイ素化合物の被膜を加熱することによ
り、二酸化ケイ素被膜に変換する、 C.該二酸化ケイ素被膜上に感光性ポリイミド前駆体の膜
を形成する、 D.該感光性ポリイミド前駆体被膜を選択的に露光した
後、現像してパターンを形成する、 E.該感光性ポリイミド前駆体のパターンを加熱すること
により、ポリイミド・パターンに変換する、 F.該ポリイミド・パターンのスルーホール部の二酸化ケ
イ素被膜をエッチング剤またはプラズマで処理すること
により、該二酸化ケイ素被膜を除去する、 の各工程から成ることを特徴とするポリイミド・パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310790A JP2924103B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ポリイミド・パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310790A JP2924103B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ポリイミド・パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0452651A JPH0452651A (ja) | 1992-02-20 |
| JP2924103B2 true JP2924103B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=15767303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16310790A Expired - Lifetime JP2924103B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ポリイミド・パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924103B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3995253B2 (ja) | 2004-09-28 | 2007-10-24 | Ｔｄｋ株式会社 | 感光性ポリイミドパターンの形成方法及び該パターンを有する電子素子 |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP16310790A patent/JP2924103B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452651A (ja) | 1992-02-20 |
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