JPH1039510A - ネガ型フォトレジスト組成物及びその利用 - Google Patents
ネガ型フォトレジスト組成物及びその利用Info
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- JPH1039510A JPH1039510A JP8198746A JP19874696A JPH1039510A JP H1039510 A JPH1039510 A JP H1039510A JP 8198746 A JP8198746 A JP 8198746A JP 19874696 A JP19874696 A JP 19874696A JP H1039510 A JPH1039510 A JP H1039510A
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- photoresist composition
- negative
- polyamic acid
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】1,４−ジヒドロピリジン誘導体を感光剤として
ポリアミド酸に配合してなるネガ型フォトレジスト組成
物であって、感度、解像度共にすぐれるのみならず、ア
ルカリ水溶液によって容易に現像することができる感光
性ポリアミド酸からなる耐熱性フォトレジスト組成物を
提供することにある。 【解決手段】本発明によるネガ型フォトレジスト組成物
は、ポリアミド酸と一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ａｒは、オルソ位にニトロ基を有する芳香族基
を示し、Ｒ1 は炭素数１〜５のアルキレン基、Ｒ2 、Ｒ
3 、Ｒ4 及びＲ5 は、水素原子又は炭素数１〜４のアル
キル基を示す。）で表わされる1,４−ジヒドロピリジン
誘導体とを含むことを特徴とする。
ポリアミド酸に配合してなるネガ型フォトレジスト組成
物であって、感度、解像度共にすぐれるのみならず、ア
ルカリ水溶液によって容易に現像することができる感光
性ポリアミド酸からなる耐熱性フォトレジスト組成物を
提供することにある。 【解決手段】本発明によるネガ型フォトレジスト組成物
は、ポリアミド酸と一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ａｒは、オルソ位にニトロ基を有する芳香族基
を示し、Ｒ1 は炭素数１〜５のアルキレン基、Ｒ2 、Ｒ
3 、Ｒ4 及びＲ5 は、水素原子又は炭素数１〜４のアル
キル基を示す。）で表わされる1,４−ジヒドロピリジン
誘導体とを含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ネガ型フォトレジ
スト組成物とその利用に関し、特に、感光性ポリアミド
酸からなるネガ型フォトレジスト組成物と、これを用い
るネガ型パターンの形成方法と回路基板の製造方法とに
関する。
スト組成物とその利用に関し、特に、感光性ポリアミド
酸からなるネガ型フォトレジスト組成物と、これを用い
るネガ型パターンの形成方法と回路基板の製造方法とに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、感光性ポリイミド又はその前駆体
であるポリアミド酸からなるフォトレジスト組成物とし
ては、これを基材に塗布し、所定のフォトマスクを介し
て活性光線を照射し、露光させることによって、露光部
分の現象液に対する溶解性を低減させ、現像剤によって
未露光部分を溶解、除去し、かくして、その基材上に目
的とするネガ型パターンを形成するものが主に実用され
ている。
であるポリアミド酸からなるフォトレジスト組成物とし
ては、これを基材に塗布し、所定のフォトマスクを介し
て活性光線を照射し、露光させることによって、露光部
分の現象液に対する溶解性を低減させ、現像剤によって
未露光部分を溶解、除去し、かくして、その基材上に目
的とするネガ型パターンを形成するものが主に実用され
ている。
【０００３】このように、基材上に活性光線の露光部分
を残存させる感光性ポリイミド又はその前駆体を用いる
フォトレジスト組成物は、得られるパターンが耐熱性に
すぐれる利点を有することもあって、従来より、種々の
ものが提案されている。例えば、ポリイミド前駆体にエ
ステル結合やイオン結合を介してメタクリロイル基を導
入する方法（特開昭４９−１１５４１号公報、特開昭５
０−４０９２２号公報、特開昭５４−１４５７９４号公
報、特開昭５６−３８０３８号公報等）や、また、ベン
ゾフェノン骨格を有し、且つ窒素原子が結合するオルソ
位にアルキル基を有する自己増感型ポリイミド（特開昭
５９−２１９３３０号公報、特開昭５９−２３１５３３
号公報等）等が提案されている。
を残存させる感光性ポリイミド又はその前駆体を用いる
フォトレジスト組成物は、得られるパターンが耐熱性に
すぐれる利点を有することもあって、従来より、種々の
ものが提案されている。例えば、ポリイミド前駆体にエ
ステル結合やイオン結合を介してメタクリロイル基を導
入する方法（特開昭４９−１１５４１号公報、特開昭５
０−４０９２２号公報、特開昭５４−１４５７９４号公
報、特開昭５６−３８０３８号公報等）や、また、ベン
ゾフェノン骨格を有し、且つ窒素原子が結合するオルソ
位にアルキル基を有する自己増感型ポリイミド（特開昭
５９−２１９３３０号公報、特開昭５９−２３１５３３
号公報等）等が提案されている。
【０００４】しかしながら、従来のこのような感光性ポ
リイミド又はその前駆体からなるネガ型フォトレジスト
組成物では、現像時、フォトレジスト膜が膨潤したり、
フォトマスクを用いる露光時に光の廻り込みによって未
露光部にフォトレジストの溶解残渣が生じる等の問題が
あり、また、従来のものは、加熱硬化時の膜の収縮率が
５０％程度と大きく、得られるパターンの寸法安定性に
も問題があった。更に、従来のものは、現像液として、
有機溶剤を含むものを用いることから、作業環境や廃液
処理等の面でも問題があった。
リイミド又はその前駆体からなるネガ型フォトレジスト
組成物では、現像時、フォトレジスト膜が膨潤したり、
フォトマスクを用いる露光時に光の廻り込みによって未
露光部にフォトレジストの溶解残渣が生じる等の問題が
あり、また、従来のものは、加熱硬化時の膜の収縮率が
５０％程度と大きく、得られるパターンの寸法安定性に
も問題があった。更に、従来のものは、現像液として、
有機溶剤を含むものを用いることから、作業環境や廃液
処理等の面でも問題があった。
【０００５】これらのほか、上記したうちの後者におい
ては、ポリマーの骨格構造が限定されるために、最終的
に得られる被膜の物性が制限されることとなり、多種多
様な要求特性に対して、柔軟に対応できなかった。そこ
で、既に、本発明者らは、活性光線の照射によってピリ
ジン骨格を有する塩基を形成するある種の1,４−ジヒド
ロピリジン誘導体を感光剤としてポリイミド前駆体であ
るポリアミド酸に配合することによって、従来の感光性
ポリアミド酸からなるネガ型フォトレジスト組成物にお
ける上述した種々の問題を解決して、高感度のネガ型フ
ォトレジスト組成物を得ることができることを明らかに
した（特開平６−７５３７６号公報）。
ては、ポリマーの骨格構造が限定されるために、最終的
に得られる被膜の物性が制限されることとなり、多種多
様な要求特性に対して、柔軟に対応できなかった。そこ
で、既に、本発明者らは、活性光線の照射によってピリ
ジン骨格を有する塩基を形成するある種の1,４−ジヒド
ロピリジン誘導体を感光剤としてポリイミド前駆体であ
るポリアミド酸に配合することによって、従来の感光性
ポリアミド酸からなるネガ型フォトレジスト組成物にお
ける上述した種々の問題を解決して、高感度のネガ型フ
ォトレジスト組成物を得ることができることを明らかに
した（特開平６−７５３７６号公報）。
【０００６】しかし、そのネガ型フォトレジスト組成物
においても、感光剤として用いる上記1,４−ジヒドロピ
リジン誘導体がアルカリ水溶液に不溶性であるので、現
像剤として、アルカリ物質のアルコール／水混合溶液が
用いられるが、それでも、現像剤の成分組成や現像の温
度によっては、基材上や現像剤中に上記感光剤の結晶が
析出することがあった。このように、基材上に感光剤の
結晶が析出すれば、正確なパターンの現像を阻害し、ま
た、現像された微細なパターンを部分的に埋めて、解像
性を低下させるおそれがある。更には、現像剤中に析出
した結晶が現像中のフォトレジスト膜に付着し、リンス
後も付着したままであるときは、加熱硬化後の膜特性に
有害な影響を及ぼすことがある。また、半導体の製造等
のクリーン工程においては、パーティクルとしてクリー
ン度を低下させる一因ともなり得る。
においても、感光剤として用いる上記1,４−ジヒドロピ
リジン誘導体がアルカリ水溶液に不溶性であるので、現
像剤として、アルカリ物質のアルコール／水混合溶液が
用いられるが、それでも、現像剤の成分組成や現像の温
度によっては、基材上や現像剤中に上記感光剤の結晶が
析出することがあった。このように、基材上に感光剤の
結晶が析出すれば、正確なパターンの現像を阻害し、ま
た、現像された微細なパターンを部分的に埋めて、解像
性を低下させるおそれがある。更には、現像剤中に析出
した結晶が現像中のフォトレジスト膜に付着し、リンス
後も付着したままであるときは、加熱硬化後の膜特性に
有害な影響を及ぼすことがある。また、半導体の製造等
のクリーン工程においては、パーティクルとしてクリー
ン度を低下させる一因ともなり得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、感光性ポリ
アミド酸からなる従来のネガ型フォトレジスト組成物に
おける上述したような問題を解決するためになされたも
のであって、耐熱性レジスト形成物質としてのポリアミ
ド酸の構造が比較的制限されず、しかも、感度や解像度
にもすぐれ、実用的な製造プロセスに好適に用いること
ができる耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物を提供する
ことを目的とする。
アミド酸からなる従来のネガ型フォトレジスト組成物に
おける上述したような問題を解決するためになされたも
のであって、耐熱性レジスト形成物質としてのポリアミ
ド酸の構造が比較的制限されず、しかも、感度や解像度
にもすぐれ、実用的な製造プロセスに好適に用いること
ができる耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物を提供する
ことを目的とする。
【０００８】特に、本発明は、前記1,４−ジヒドロピリ
ジン誘導体を感光剤としてポリアミド酸に配合してなる
従来のネガ型フォトレジスト組成物における上述したよ
う問題を解決するためになされたものであって、感度、
解像度共にすぐれるのみならず、アルカリ水溶液によっ
て容易に現像することができる感光性ポリアミド酸から
なる耐熱性フォトレジスト組成物を提供することを目的
とする。更に、本発明は、かかるフォトレジスト組成物
を用いるネガ型パターンの形成方法と回路基板の製造方
法を提供することを目的とする。
ジン誘導体を感光剤としてポリアミド酸に配合してなる
従来のネガ型フォトレジスト組成物における上述したよ
う問題を解決するためになされたものであって、感度、
解像度共にすぐれるのみならず、アルカリ水溶液によっ
て容易に現像することができる感光性ポリアミド酸から
なる耐熱性フォトレジスト組成物を提供することを目的
とする。更に、本発明は、かかるフォトレジスト組成物
を用いるネガ型パターンの形成方法と回路基板の製造方
法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるネガ型フォ
トレジスト組成物は、ポリアミド酸と一般式（Ｉ）
トレジスト組成物は、ポリアミド酸と一般式（Ｉ）
【００１０】
【化２】
【００１１】（式中、Ａｒは、オルソ位にニトロ基を有
する芳香族基を示し、Ｒ1 は炭素数１〜５のアルキレン
基、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は、水素原子又は炭素数
１〜４のアルキル基を示す。）で表わされる1,４−ジヒ
ドロピリジン誘導体とを含むことを特徴とする。本発明
によるネガ型パターンの形成方法は、上記ネガ型フォト
レジスト組成物を基材上に塗布し、乾燥し、フォトマス
クを介して活性光線を照射し、露光させた後、１２０〜
２００℃の範囲の温度に加熱し、次いで、アルカリ性現
像液にて未露光部分を溶解、除去して、現像することを
特徴とする。
する芳香族基を示し、Ｒ1 は炭素数１〜５のアルキレン
基、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は、水素原子又は炭素数
１〜４のアルキル基を示す。）で表わされる1,４−ジヒ
ドロピリジン誘導体とを含むことを特徴とする。本発明
によるネガ型パターンの形成方法は、上記ネガ型フォト
レジスト組成物を基材上に塗布し、乾燥し、フォトマス
クを介して活性光線を照射し、露光させた後、１２０〜
２００℃の範囲の温度に加熱し、次いで、アルカリ性現
像液にて未露光部分を溶解、除去して、現像することを
特徴とする。
【００１２】特に、本発明に従って、上述したようにし
て、ネガ型パターンを形成した後、これを３００℃以上
の温度に加熱して、ポリアミド酸をイミド化することに
よって、ポリイミド樹脂からなる耐熱性ネガ型パターン
を形成することができる。更に、本発明によれば、上記
ネガ型フォトレジスト組成物を金属箔基材上に塗布し、
乾燥し、フォトマスクを介して活性光線を照射し、露光
させた後、１２０〜２００℃の範囲の温度に加熱し、次
いで、アルカリ性現像液にて未露光部分を溶解、除去
し、現像して、ネガ型パターンを形成した後、これを３
００℃以上の温度に加熱して、ポリアミド酸をイミド化
することによって、ポリイミド樹脂からなる耐熱性ネガ
型パターンを絶縁層として有する回路基板を得ることが
できる。
て、ネガ型パターンを形成した後、これを３００℃以上
の温度に加熱して、ポリアミド酸をイミド化することに
よって、ポリイミド樹脂からなる耐熱性ネガ型パターン
を形成することができる。更に、本発明によれば、上記
ネガ型フォトレジスト組成物を金属箔基材上に塗布し、
乾燥し、フォトマスクを介して活性光線を照射し、露光
させた後、１２０〜２００℃の範囲の温度に加熱し、次
いで、アルカリ性現像液にて未露光部分を溶解、除去
し、現像して、ネガ型パターンを形成した後、これを３
００℃以上の温度に加熱して、ポリアミド酸をイミド化
することによって、ポリイミド樹脂からなる耐熱性ネガ
型パターンを絶縁層として有する回路基板を得ることが
できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明によるネガ型フォトレジス
ト組成物は、ポリアミド酸と前記一般式（Ｉ）で表わさ
れる1,４−ジヒドロピリジン誘導体とを含み、ここに、
上記ポリアミド酸としては、加熱によってポリイミドを
生成することが知られているものであれば、特に、限定
されるものではないが、通常、一般式（II）
ト組成物は、ポリアミド酸と前記一般式（Ｉ）で表わさ
れる1,４−ジヒドロピリジン誘導体とを含み、ここに、
上記ポリアミド酸としては、加熱によってポリイミドを
生成することが知られているものであれば、特に、限定
されるものではないが、通常、一般式（II）
【００１４】
【化３】
【００１５】（式中、Ｒ6 は４価の炭化水素基を示し、
Ｒ7 は２価の炭化水素基を示す。）で表わされる構造単
位を有する。上記構造単位において、４価の基であるＲ
6 の具体例としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、
ペリレン、ジフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニ
ルスルホン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフ
ルオロプロパン、ベンゾフェノン、ブタン、シクロブタ
ン等の骨格を有する芳香族、脂肪族又は脂環族炭化水素
の４価基を挙げることができるが、これらのなかでも、
特に、ベンゼン、ジフェニル、ジフェニルヘキサフルオ
ロプロパン又はベンゾフェノンの骨格を有する４価基が
好ましい。しかし、これらに限定されるものではない。
Ｒ7 は２価の炭化水素基を示す。）で表わされる構造単
位を有する。上記構造単位において、４価の基であるＲ
6 の具体例としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、
ペリレン、ジフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニ
ルスルホン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフ
ルオロプロパン、ベンゾフェノン、ブタン、シクロブタ
ン等の骨格を有する芳香族、脂肪族又は脂環族炭化水素
の４価基を挙げることができるが、これらのなかでも、
特に、ベンゼン、ジフェニル、ジフェニルヘキサフルオ
ロプロパン又はベンゾフェノンの骨格を有する４価基が
好ましい。しかし、これらに限定されるものではない。
【００１６】また、前記構造単位において、２価の基で
あるＲ7 の具体例としては、例えば、ジフェニルエーテ
ル、ベンゾフェノン、ジフェニルメタン、ジフェニルプ
ロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパン、ジフェニ
ルスルホキシド、ジフェニルスルホン、ビフェニル、ベ
ンゼン、ジフェノキシベンゼン等の骨格を有する芳香
族、脂肪族又は脂環族炭化水素の２価基を挙げることが
できるが、なかでも、特に、ジフェニルエーテル、ベン
ゼン又はジフェノキシベンゼンの骨格を有する２価基が
好ましい。しかし、これらに限定されるものではない。
あるＲ7 の具体例としては、例えば、ジフェニルエーテ
ル、ベンゾフェノン、ジフェニルメタン、ジフェニルプ
ロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパン、ジフェニ
ルスルホキシド、ジフェニルスルホン、ビフェニル、ベ
ンゼン、ジフェノキシベンゼン等の骨格を有する芳香
族、脂肪族又は脂環族炭化水素の２価基を挙げることが
できるが、なかでも、特に、ジフェニルエーテル、ベン
ゼン又はジフェノキシベンゼンの骨格を有する２価基が
好ましい。しかし、これらに限定されるものではない。
【００１７】前記構造単位を有するポリアミド酸は、前
記４価基を骨格として有するテトラカルボン酸無水物と
前記２価基を骨格として有するジアミンとをほぼ等モル
比にて、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホルアミド等の適宜の有機溶媒中
にて反応させることによって得ることができる。
記４価基を骨格として有するテトラカルボン酸無水物と
前記２価基を骨格として有するジアミンとをほぼ等モル
比にて、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホルアミド等の適宜の有機溶媒中
にて反応させることによって得ることができる。
【００１８】また、前記一般式（Ｉ）で表わされる1,４
−ジヒドロピリジン誘導体において、Ａｒは、オルソ位
にニトロ基を有する芳香族基、好ましくは、ｏ−ニトロ
フェニル基を示し、Ｒ1 は炭素数１〜５のアルキレン
基、好ましくは、メチレン基、エチレン基又はプロピレ
ン基を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は、水素原子又
は炭素数１〜４のアルキル基を示し、好ましくは、水素
原子、メチル基又はエチル基を示す。
−ジヒドロピリジン誘導体において、Ａｒは、オルソ位
にニトロ基を有する芳香族基、好ましくは、ｏ−ニトロ
フェニル基を示し、Ｒ1 は炭素数１〜５のアルキレン
基、好ましくは、メチレン基、エチレン基又はプロピレ
ン基を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は、水素原子又
は炭素数１〜４のアルキル基を示し、好ましくは、水素
原子、メチル基又はエチル基を示す。
【００１９】従って、本発明において、前記一般式
（Ｉ）で表わされる1,４−ジヒドロピリジン誘導体の好
ましい具体例としては、例えば、１−カルボキシプロピ
ル−3,５−メトキシカルボニル−４−（２−ニトロフェ
ニル）−1,４−ジヒドロピリジン、１−カルボキシメチ
ル−2,６−ジメチル−3,５−メトキシカルボニル−４−
（２−ニトロフェニル）−1,4 −ジヒドロピリジン、１
−カルボキシメチル−3,５−エトキシカルボニル−４−
（２−ニトロフェニル）−1,４−ジヒドロピリジン等を
挙げることができる。
（Ｉ）で表わされる1,４−ジヒドロピリジン誘導体の好
ましい具体例としては、例えば、１−カルボキシプロピ
ル−3,５−メトキシカルボニル−４−（２−ニトロフェ
ニル）−1,４−ジヒドロピリジン、１−カルボキシメチ
ル−2,６−ジメチル−3,５−メトキシカルボニル−４−
（２−ニトロフェニル）−1,4 −ジヒドロピリジン、１
−カルボキシメチル−3,５−エトキシカルボニル−４−
（２−ニトロフェニル）−1,４−ジヒドロピリジン等を
挙げることができる。
【００２０】このような1,４−ジヒドロピリジン誘導体
は、例えば、置換ベンズアルデヒドとその２倍モル量の
アルキルプロピオレート（プロパルギル酸アルキルエス
テル）と相当する第１級アミンとを氷酢酸中で還流下に
反応させたり（Khim. Gete-rotsikl. Soed., pp. 1067-
1071, 1982)、４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−ジメト
キシカルボニル−2,６−ジメチル−1,４−ジヒドロピリ
ジン（ニフェジピン）等の相当する1,４−ジヒドロピリ
ジン誘導体へのＮ−アルキル化によるエステル基の導入
とその選択的加水分解によって得ることができる。
は、例えば、置換ベンズアルデヒドとその２倍モル量の
アルキルプロピオレート（プロパルギル酸アルキルエス
テル）と相当する第１級アミンとを氷酢酸中で還流下に
反応させたり（Khim. Gete-rotsikl. Soed., pp. 1067-
1071, 1982)、４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−ジメト
キシカルボニル−2,６−ジメチル−1,４−ジヒドロピリ
ジン（ニフェジピン）等の相当する1,４−ジヒドロピリ
ジン誘導体へのＮ−アルキル化によるエステル基の導入
とその選択的加水分解によって得ることができる。
【００２１】本発明によれば、このような1,４−ジヒド
ロピリジン誘導体は、前記ポリアミド酸１００重量部に
対して、通常、５〜５０重量部、好ましくは、１０〜３
０重量部の範囲で配合される。前記ポリアミド酸１００
重量部に対して、1,４−ジヒドロピリジン誘導体の配合
量が５重量部よりも少ないときは、得られるフォトレジ
スト組成物に活性光線を照射したときに、アルカリ性現
像剤に対する露光部の溶解性の低減効果が乏しく、形成
されるパターンが不鮮明になりやすい。しかし、1,４−
ジヒドロピリジン誘導体の配合量が５０重量部よりも多
いときは、得られるフォトレジスト組成物を溶液として
保存する際に固形分が析出し、保存性やパターン形成性
に悪影響を与え、更に、ネガ型パターンの形成後に熱処
理を施すとき、膜の重量減少が大きく、機械的強度を低
下させることがある。
ロピリジン誘導体は、前記ポリアミド酸１００重量部に
対して、通常、５〜５０重量部、好ましくは、１０〜３
０重量部の範囲で配合される。前記ポリアミド酸１００
重量部に対して、1,４−ジヒドロピリジン誘導体の配合
量が５重量部よりも少ないときは、得られるフォトレジ
スト組成物に活性光線を照射したときに、アルカリ性現
像剤に対する露光部の溶解性の低減効果が乏しく、形成
されるパターンが不鮮明になりやすい。しかし、1,４−
ジヒドロピリジン誘導体の配合量が５０重量部よりも多
いときは、得られるフォトレジスト組成物を溶液として
保存する際に固形分が析出し、保存性やパターン形成性
に悪影響を与え、更に、ネガ型パターンの形成後に熱処
理を施すとき、膜の重量減少が大きく、機械的強度を低
下させることがある。
【００２２】本発明のフォトレジスト組成物は、これを
適宜の基材上に塗布し、乾燥させ、これに活性光線を照
射して露光させた後、加熱（露光後加熱）することによ
って、ネガ型の潜像を形成し、これを現像して、ネガ型
の画像、即ち、所要のパターンを得る。そこで、これを
最終的に高温に加熱して、ポリアミド酸をイミド化すれ
ば、ポリイミド樹脂からなるパターン画像を得ることが
できる。上記活性光線としては、通常、紫外線が好まし
く用いられる。
適宜の基材上に塗布し、乾燥させ、これに活性光線を照
射して露光させた後、加熱（露光後加熱）することによ
って、ネガ型の潜像を形成し、これを現像して、ネガ型
の画像、即ち、所要のパターンを得る。そこで、これを
最終的に高温に加熱して、ポリアミド酸をイミド化すれ
ば、ポリイミド樹脂からなるパターン画像を得ることが
できる。上記活性光線としては、通常、紫外線が好まし
く用いられる。
【００２３】より詳細には、用いる感光剤の種類によっ
て幾らか異なるものの、露光後加熱を約１５０℃以上の
温度で行なうことによって、アルカリ水溶液からなる現
像液に対する露光部分の溶解性を低減させ、相対的に未
露光部分の現像剤に対する溶解性を増大させ、かくし
て、現像によって、ネガ型画像を形成することができ
る。上述したように、フォトレジスト組成物を露光させ
ることによって、露光部分がアルカリ現像剤に対して溶
解性が低減するのは、前記1,４−ジヒドロピリジン誘導
体が分子内転移を経て、ピリジン誘導体又は第４級アン
モニウムハイドロオキサイド誘導体等に変化し、更に、
その後の熱処理によって化学反応が進行して、その結
果、前記ポリアミド酸との間で何らかの相互作用が生じ
て、ポリアミド酸のアルカリ溶解性が低下し、ネガ型パ
ターンを形成するものとみられる。
て幾らか異なるものの、露光後加熱を約１５０℃以上の
温度で行なうことによって、アルカリ水溶液からなる現
像液に対する露光部分の溶解性を低減させ、相対的に未
露光部分の現像剤に対する溶解性を増大させ、かくし
て、現像によって、ネガ型画像を形成することができ
る。上述したように、フォトレジスト組成物を露光させ
ることによって、露光部分がアルカリ現像剤に対して溶
解性が低減するのは、前記1,４−ジヒドロピリジン誘導
体が分子内転移を経て、ピリジン誘導体又は第４級アン
モニウムハイドロオキサイド誘導体等に変化し、更に、
その後の熱処理によって化学反応が進行して、その結
果、前記ポリアミド酸との間で何らかの相互作用が生じ
て、ポリアミド酸のアルカリ溶解性が低下し、ネガ型パ
ターンを形成するものとみられる。
【００２４】更に、本発明によれば、フォトレジスト膜
の未露光部の溶解促進剤をフォトレジスト組成物に配合
することができる。このような溶解促進剤として、ニト
ロベンズアルデヒド類、ジニトロベンズアルデヒド類、
シアノベンズアルデヒド類、イソフタルアルデヒド等の
芳香族アルデヒドや、グリオキサール等の高沸点の脂肪
族アルデヒドを挙げることができる。これらのなかで
も、特に、ｏ−、ｍ−又はｐ−ニトロベンズアルデヒド
が好ましい。これらは、単独で、又は２種以上の混合物
として用いられる。これらの溶解促進剤は、ポリアミド
酸（固形分）１００重量部に対して、通常、1.５〜２０
重量部の範囲で用いられる。フォトレジスト組成物への
配合量が多すぎるときは、得られるポリイミド樹脂膜が
物性に劣ることがあり、また、露光後加熱後や現像時、
現像後の乾燥時、高温加熱時等にクラックが生じること
がある。
の未露光部の溶解促進剤をフォトレジスト組成物に配合
することができる。このような溶解促進剤として、ニト
ロベンズアルデヒド類、ジニトロベンズアルデヒド類、
シアノベンズアルデヒド類、イソフタルアルデヒド等の
芳香族アルデヒドや、グリオキサール等の高沸点の脂肪
族アルデヒドを挙げることができる。これらのなかで
も、特に、ｏ−、ｍ−又はｐ−ニトロベンズアルデヒド
が好ましい。これらは、単独で、又は２種以上の混合物
として用いられる。これらの溶解促進剤は、ポリアミド
酸（固形分）１００重量部に対して、通常、1.５〜２０
重量部の範囲で用いられる。フォトレジスト組成物への
配合量が多すぎるときは、得られるポリイミド樹脂膜が
物性に劣ることがあり、また、露光後加熱後や現像時、
現像後の乾燥時、高温加熱時等にクラックが生じること
がある。
【００２５】本発明によるフォトレジスト組成物は、例
えば、前述したようにして、適宜の有機溶媒中にてテト
ラカルボン酸二無水物とジアミンとからポリアミド酸を
調製した後、これに前述した1,４−ジヒドロピリジン誘
導体と、必要に応じて、前記溶解促進剤を配合すること
によって得ることができる。本発明によれば、このよう
なフォトレジスト組成物を適宜の基材上に乾燥膜厚が１
〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍとなるように
塗布した後、５０〜１００℃の範囲の温度に加熱して、
乾燥し、次いで、所要のパターンに応じて、適宜のフォ
トマスクを通して活性光線を照射して、露光させ、この
後、１２０〜２００℃、好ましくは、１３０〜１８０℃
の範囲の温度にて加熱（露光後加熱）した後、浸積法や
スプレー法等を用いて、現像剤による現像処理を行なっ
て、未露光部分を除去すれば、ネガ型パターンを得るこ
とができる。
えば、前述したようにして、適宜の有機溶媒中にてテト
ラカルボン酸二無水物とジアミンとからポリアミド酸を
調製した後、これに前述した1,４−ジヒドロピリジン誘
導体と、必要に応じて、前記溶解促進剤を配合すること
によって得ることができる。本発明によれば、このよう
なフォトレジスト組成物を適宜の基材上に乾燥膜厚が１
〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍとなるように
塗布した後、５０〜１００℃の範囲の温度に加熱して、
乾燥し、次いで、所要のパターンに応じて、適宜のフォ
トマスクを通して活性光線を照射して、露光させ、この
後、１２０〜２００℃、好ましくは、１３０〜１８０℃
の範囲の温度にて加熱（露光後加熱）した後、浸積法や
スプレー法等を用いて、現像剤による現像処理を行なっ
て、未露光部分を除去すれば、ネガ型パターンを得るこ
とができる。
【００２６】本発明によれば、上記現像剤としては、例
えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アル
カリ水溶液を用いることができる。しかし、必要に応じ
て、プロピルアミン、ブチルアミン、モノエタノールア
ミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、
コリン等の有機アルカリ性水溶液を用いることもでき
る。これらのアルカリ性溶液に、必要に応じて、アルコ
ール類等の有機溶剤や種々の界面活性剤を含有させても
よい。本発明によれば、このような現像剤を用いること
によって、フォトレジスト膜の未露光部分を実用的な時
間内に完全に溶解除去することができる。このようにし
て、フォトレジスト膜を露光させ、現像した後、水で洗
浄することによって、所望のネガ型パターンを有する樹
脂被膜を得ることができる。
えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アル
カリ水溶液を用いることができる。しかし、必要に応じ
て、プロピルアミン、ブチルアミン、モノエタノールア
ミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、
コリン等の有機アルカリ性水溶液を用いることもでき
る。これらのアルカリ性溶液に、必要に応じて、アルコ
ール類等の有機溶剤や種々の界面活性剤を含有させても
よい。本発明によれば、このような現像剤を用いること
によって、フォトレジスト膜の未露光部分を実用的な時
間内に完全に溶解除去することができる。このようにし
て、フォトレジスト膜を露光させ、現像した後、水で洗
浄することによって、所望のネガ型パターンを有する樹
脂被膜を得ることができる。
【００２７】この樹脂被膜を最終的に３００〜５００℃
程度の高温度に加熱すれば、ポリアミド酸が脱水閉環し
てイミド化し、耐熱性を有するポリイミド樹脂からなる
ネガ画像を得ることができる。従って、本発明によるフ
ォトレジスト組成物を銅、アルミニウム等からなる適宜
の金属箔基材上に塗布し、乾燥し、フォトマスクを介し
て活性光線を照射し、露光させた後、１２０〜２００℃
の範囲の温度に加熱し、次いで、アルカリ性現像液にて
未露光部分を溶解、除去し、現像して、ネガ型パターン
を形成した後、これを３００℃以上の温度に加熱して、
ポリアミド酸をイミド化すれば、所要のパターンからな
るポリイミド樹脂膜を絶縁層して有する回路基板を得る
ことができる。より具体的には、このように、金属箔基
材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成し、次い
で、この絶縁層の上に導体層からなる所定のパターン回
路を形成することによって、例えば、回路付きサスペン
ション基板を得ることができる。
程度の高温度に加熱すれば、ポリアミド酸が脱水閉環し
てイミド化し、耐熱性を有するポリイミド樹脂からなる
ネガ画像を得ることができる。従って、本発明によるフ
ォトレジスト組成物を銅、アルミニウム等からなる適宜
の金属箔基材上に塗布し、乾燥し、フォトマスクを介し
て活性光線を照射し、露光させた後、１２０〜２００℃
の範囲の温度に加熱し、次いで、アルカリ性現像液にて
未露光部分を溶解、除去し、現像して、ネガ型パターン
を形成した後、これを３００℃以上の温度に加熱して、
ポリアミド酸をイミド化すれば、所要のパターンからな
るポリイミド樹脂膜を絶縁層して有する回路基板を得る
ことができる。より具体的には、このように、金属箔基
材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成し、次い
で、この絶縁層の上に導体層からなる所定のパターン回
路を形成することによって、例えば、回路付きサスペン
ション基板を得ることができる。
【００２８】
【実施例】以下に実施例と共に参考例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定され
るものではない。
説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定され
るものではない。
【００２９】参考例１ （１−カルボキシプロピル−3,５−ジメトキシカルボニ
ル−４−（２−ニトロフェニル）−1,４−ジヒドロピリ
ジンの合成）酢酸２０ｇ中にｏ−ニトロベンズアルデヒ
ド7.５６ｇ（0.０５モル）とアミノ酪酸7.７３ｇ（0.０
７５モル）を溶解させた。この溶液を温度１００℃の油
浴上で加熱し、攪拌しながら、メチルプロピオレート8.
４１ｇ（0.１０モル）を１時間かけて滴下した。滴下
後、３０分間、加熱攪拌した後、室温まで冷却した。冷
却後、クロロホルム２００ｍＬを加えて反応生成物を溶
解し、１０％酢酸水溶液１００ｍＬで２回、水で３回洗
浄した後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
ル−４−（２−ニトロフェニル）−1,４−ジヒドロピリ
ジンの合成）酢酸２０ｇ中にｏ−ニトロベンズアルデヒ
ド7.５６ｇ（0.０５モル）とアミノ酪酸7.７３ｇ（0.０
７５モル）を溶解させた。この溶液を温度１００℃の油
浴上で加熱し、攪拌しながら、メチルプロピオレート8.
４１ｇ（0.１０モル）を１時間かけて滴下した。滴下
後、３０分間、加熱攪拌した後、室温まで冷却した。冷
却後、クロロホルム２００ｍＬを加えて反応生成物を溶
解し、１０％酢酸水溶液１００ｍＬで２回、水で３回洗
浄した後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
【００３０】この後、濾過によって溶液から無水硫酸マ
グネシウムを除去し、得られた濾液を減圧下、濃縮し
た。濃縮残渣に少量のメタノールを加え、溶解させた
後、冷蔵庫中で冷却した。析出した結晶を濾取し、冷メ
タノールで洗浄し、減圧下に乾燥した。更に、得られた
結晶を水／メタノール（１／２）から再結晶した。収量
9.５３ｇ（収率４７％）。 質量スペクトル： ｍ／ｚ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝４０５ プロトン核磁気共鳴スペクトル（ＳＭＳＯ−ｄ6 、δ
（ｐｐｍ））：
グネシウムを除去し、得られた濾液を減圧下、濃縮し
た。濃縮残渣に少量のメタノールを加え、溶解させた
後、冷蔵庫中で冷却した。析出した結晶を濾取し、冷メ
タノールで洗浄し、減圧下に乾燥した。更に、得られた
結晶を水／メタノール（１／２）から再結晶した。収量
9.５３ｇ（収率４７％）。 質量スペクトル： ｍ／ｚ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝４０５ プロトン核磁気共鳴スペクトル（ＳＭＳＯ−ｄ6 、δ
（ｐｐｍ））：
【００３１】
【表１】
【００３２】実施例１ ピロメリット酸無水物と4,4'−ジアミノジフェニルエー
テルとをほぼ等モル比にてＮ−メチル−２−ピロリドン
にモノマー合計濃度１５重量％となるように溶解させ、
室温下に２４時間反応させて、ポリアミド酸の溶液を得
た。この溶液をＮ−メチル−２−ピロリドンにて希釈し
た後、ポリアミド酸（固形分）１００重量部に対して、
１−カルボキシプロピル−3,５−ジメトキシカルボニル
−４−（２−ニトロフェニル）−1,４−ジヒドロピリジ
ン（以下、ＮＣＰという。）１５重量部とｏ−ニトロベ
ンズアルデヒド（溶解促進剤）7.５重量部とを加え、均
一に溶解させて、フォトレジスト組成物を得た。
テルとをほぼ等モル比にてＮ−メチル−２−ピロリドン
にモノマー合計濃度１５重量％となるように溶解させ、
室温下に２４時間反応させて、ポリアミド酸の溶液を得
た。この溶液をＮ−メチル−２−ピロリドンにて希釈し
た後、ポリアミド酸（固形分）１００重量部に対して、
１−カルボキシプロピル−3,５−ジメトキシカルボニル
−４−（２−ニトロフェニル）−1,４−ジヒドロピリジ
ン（以下、ＮＣＰという。）１５重量部とｏ−ニトロベ
ンズアルデヒド（溶解促進剤）7.５重量部とを加え、均
一に溶解させて、フォトレジスト組成物を得た。
【００３３】このフォトレジスト組成物をシリコンウエ
ハ上にスピンコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブ
ン中で２０分間予備乾燥し、乾燥膜厚約１５μｍの塗膜
を得た。この後、ガラスマスクを通して、２５０Ｗ超高
圧水銀灯で３０秒間コンタクト露光を行なった。この露
光後、１３５℃のホットプレートで３分間加熱した後、
2.３８重量％濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロ
オキシド水溶液を現像剤として用いて、フォトレジスト
膜の未露光部分を溶解させた後、水でリンスして、露光
部分のみが鮮明に基板上に残存する良好なネガ型パター
ンを得た。現像中、結晶の析出はなく、リンス後、現像
膜の表面に析出物と思われるパーティクルも確認されな
かった。現像時の残膜率は９０％であった。
ハ上にスピンコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブ
ン中で２０分間予備乾燥し、乾燥膜厚約１５μｍの塗膜
を得た。この後、ガラスマスクを通して、２５０Ｗ超高
圧水銀灯で３０秒間コンタクト露光を行なった。この露
光後、１３５℃のホットプレートで３分間加熱した後、
2.３８重量％濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロ
オキシド水溶液を現像剤として用いて、フォトレジスト
膜の未露光部分を溶解させた後、水でリンスして、露光
部分のみが鮮明に基板上に残存する良好なネガ型パター
ンを得た。現像中、結晶の析出はなく、リンス後、現像
膜の表面に析出物と思われるパーティクルも確認されな
かった。現像時の残膜率は９０％であった。
【００３４】実施例２ 実施例１において、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中、ビ
フェニルテトラカルボン酸無水物とｍ−フェニレンジア
ミン（モノマー合計濃度２０％）とからポリアミド酸の
溶液を調製し、露光後加熱を１５０℃で３分とした以外
は、実施例１と同様にして、ネガ型パターンを得た。こ
れを実施例１と同様に処理して、良好なパターンを得
た。
フェニルテトラカルボン酸無水物とｍ−フェニレンジア
ミン（モノマー合計濃度２０％）とからポリアミド酸の
溶液を調製し、露光後加熱を１５０℃で３分とした以外
は、実施例１と同様にして、ネガ型パターンを得た。こ
れを実施例１と同様に処理して、良好なパターンを得
た。
【００３５】実施例３ 実施例２において、有機溶媒として、ジメチルアセトア
ミドを用いた以外は、実施例１と同様にして、ネガ型パ
ターンを得た。これを実施例１と同様に処理して、良好
なパターンを得た。
ミドを用いた以外は、実施例１と同様にして、ネガ型パ
ターンを得た。これを実施例１と同様に処理して、良好
なパターンを得た。
【００３６】実施例４ 実施例１において、ピロメリット酸無水物／ビフェニル
テトラカルボン酸無水物混合物（モル比１／１）とジア
ミノジフェニルエーテルとからポリアミド酸の溶液を調
製した以外は、実施例１と同様にして、ネガ型パターン
を得た。これを実施例１と同様に処理して、良好なパタ
ーンを得た。
テトラカルボン酸無水物混合物（モル比１／１）とジア
ミノジフェニルエーテルとからポリアミド酸の溶液を調
製した以外は、実施例１と同様にして、ネガ型パターン
を得た。これを実施例１と同様に処理して、良好なパタ
ーンを得た。
【００３７】実施例５ 実施例１において、ピロメリット酸無水物／ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸無水物混合物（モル比１：１）と
ジアミノジフェニルエーテルとからポリアミド酸の溶液
を調製し、この溶液をＮ−メチル−２−ピロリドンにて
希釈した後、ポリアミド酸（固形分）１００重量部に対
して、ＮＣＰ１５重量部とｏ−ニトロベンズアルデヒド
（溶解促進剤）４重量部とを加え、均一に溶解させて、
フォトレジスト組成物を得た。
ノンテトラカルボン酸無水物混合物（モル比１：１）と
ジアミノジフェニルエーテルとからポリアミド酸の溶液
を調製し、この溶液をＮ−メチル−２−ピロリドンにて
希釈した後、ポリアミド酸（固形分）１００重量部に対
して、ＮＣＰ１５重量部とｏ−ニトロベンズアルデヒド
（溶解促進剤）４重量部とを加え、均一に溶解させて、
フォトレジスト組成物を得た。
【００３８】このフォトレジスト組成物をシリコンウエ
ハ上にスピンコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブ
ン中で２０分間予備乾燥し、乾燥膜厚約１５μｍの塗膜
を得た。この後、ガラスマスクを通して、２５０Ｗ超高
圧水銀灯で３０秒間コンタクト露光を行なった。この露
光後、１４０℃のホットプレートで2.５分間加熱した
後、実施例１と同様に処理して、良好なネガ型パターン
を得た。現像時の残膜率は９０％であった。更に、この
パターンを窒素雰囲気下、４００℃で１時間加熱して、
ポリアミド酸をイミド化したところ、膜の残存率は、加
熱硬化前の約７０％であった。このようにして最終的に
得られたポリイミド樹脂被膜は、褐色、透明であって、
２０％以上の伸びを有し、機械的強度、電気特性、耐熱
性等の実用的な諸特性を十分備えるものであった。
ハ上にスピンコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブ
ン中で２０分間予備乾燥し、乾燥膜厚約１５μｍの塗膜
を得た。この後、ガラスマスクを通して、２５０Ｗ超高
圧水銀灯で３０秒間コンタクト露光を行なった。この露
光後、１４０℃のホットプレートで2.５分間加熱した
後、実施例１と同様に処理して、良好なネガ型パターン
を得た。現像時の残膜率は９０％であった。更に、この
パターンを窒素雰囲気下、４００℃で１時間加熱して、
ポリアミド酸をイミド化したところ、膜の残存率は、加
熱硬化前の約７０％であった。このようにして最終的に
得られたポリイミド樹脂被膜は、褐色、透明であって、
２０％以上の伸びを有し、機械的強度、電気特性、耐熱
性等の実用的な諸特性を十分備えるものであった。
【００３９】比較例１ 実施例１において、ＮＣＰに代えて、４−ｏ−ニトロフ
ェニル−3,５−ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル
−１−メチル−1,４−ジヒドロピリジンを用いた以外
は、実施例１と同様にして、ネガ型パターンの形成を行
なった。しかしながら現像中、上記化合物と思われる結
晶が析出し、微細パターンを埋める等して、均一なパタ
ーンを得ることができず、更に、現像剤中に析出した結
晶が現像中の膜表面に再付着し、リンス、乾燥後も、一
部表面に残存した。また、現像剤も、現像処理を続ける
に従って、白濁した。
ェニル−3,５−ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル
−１−メチル−1,４−ジヒドロピリジンを用いた以外
は、実施例１と同様にして、ネガ型パターンの形成を行
なった。しかしながら現像中、上記化合物と思われる結
晶が析出し、微細パターンを埋める等して、均一なパタ
ーンを得ることができず、更に、現像剤中に析出した結
晶が現像中の膜表面に再付着し、リンス、乾燥後も、一
部表面に残存した。また、現像剤も、現像処理を続ける
に従って、白濁した。
【００４０】
【発明の効果】本発明によるフォトレジスト組成物によ
れば、高感度で高解像度のネガ型パターンを形成するこ
とができ、しかも、アルカリ水溶液を現像剤として用い
ることができる。更に、本発明のフォトレジスト組成物
を用いて、最終的に得られるポリイミド樹脂からなるネ
ガ型パターンは、耐熱性は勿論、電気的特性や機械的特
性にすぐれるので、半導体工業における個体素子や、回
路基板の保護、絶縁膜を形成するための材料として好適
に用いることができる。
れば、高感度で高解像度のネガ型パターンを形成するこ
とができ、しかも、アルカリ水溶液を現像剤として用い
ることができる。更に、本発明のフォトレジスト組成物
を用いて、最終的に得られるポリイミド樹脂からなるネ
ガ型パターンは、耐熱性は勿論、電気的特性や機械的特
性にすぐれるので、半導体工業における個体素子や、回
路基板の保護、絶縁膜を形成するための材料として好適
に用いることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】ポリアミド酸と一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ａｒは、オルソ位にニトロ基を有する芳香族基
を示し、Ｒ1 は炭素数１〜５のアルキレン基、Ｒ2 、Ｒ
3 、Ｒ4 及びＲ5 は、水素原子又は炭素数１〜４のアル
キル基を示す。）で表わされる1,４−ジヒドロピリジン
誘導体とを含むことを特徴とするネガ型フォトレジスト
組成物。 - 【請求項２】請求項１に記載のネガ型フォトレジスト組
成物を基材上に塗布し、乾燥し、フォトマスクを介して
活性光線を照射し、露光させた後、１２０〜２００℃の
範囲の温度に加熱し、次いで、アルカリ性現像液にて未
露光部分を溶解、除去して、現像することを特徴とする
ネガ型パターンの形成方法。 - 【請求項３】請求項１に記載のネガ型フォトレジスト組
成物を基材上に塗布し、乾燥し、フォトマスクを介して
活性光線を照射し、露光させた後、１２０〜２００℃の
範囲の温度に加熱し、次いで、アルカリ性現像液にて未
露光部分を溶解、除去し、現像して、ネガ型パターンを
形成した後、これを３００℃以上の温度に加熱して、ポ
リアミド酸をイミド化することを特徴とする耐熱性ネガ
型パターンの形成方法。 - 【請求項４】請求項１に記載のネガ型フォトレジスト組
成物を金属箔基材上に塗布し、乾燥し、フォトマスクを
介して活性光線を照射し、露光させた後、１２０〜２０
０℃の範囲の温度に加熱し、次いで、アルカリ性現像液
にて未露光部分を溶解、除去し、現像して、ネガ型パタ
ーンを形成した後、これを３００℃以上の温度に加熱し
て、ポリアミド酸をイミド化して、絶縁層とすることを
特徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198746A JPH1039510A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | ネガ型フォトレジスト組成物及びその利用 |
| PCT/JP1997/002605 WO1998004959A1 (fr) | 1996-07-29 | 1997-07-28 | Compositions de resine negative et leur application |
| EP97933042A EP0917001A4 (en) | 1996-07-29 | 1997-07-28 | NEGATIVE RESIN COMPOSITIONS AND THEIR APPLICATION |
| US09/230,583 US6048663A (en) | 1996-07-29 | 1997-07-28 | Negative-working photoresist compositions and and use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198746A JPH1039510A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | ネガ型フォトレジスト組成物及びその利用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1039510A true JPH1039510A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16396286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8198746A Pending JPH1039510A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | ネガ型フォトレジスト組成物及びその利用 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6048663A (ja) |
| EP (1) | EP0917001A4 (ja) |
| JP (1) | JPH1039510A (ja) |
| WO (1) | WO1998004959A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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