JPH06295063A - 化学線感応性重合体組成物 - Google Patents
化学線感応性重合体組成物Info
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- JPH06295063A JPH06295063A JP8325493A JP8325493A JPH06295063A JP H06295063 A JPH06295063 A JP H06295063A JP 8325493 A JP8325493 A JP 8325493A JP 8325493 A JP8325493 A JP 8325493A JP H06295063 A JPH06295063 A JP H06295063A
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、ポリイミド前駆体と下記一般式
［２］で表される光アミン発生剤とを含むことを特徴と
する化学線感応性重合体組成物に関する。 【化１】 【効果】本発明によると、有機溶媒を用いず、アルカリ
水溶液などで現像できる新規な感光性ポリイミド組成物
を得ることができる。
［２］で表される光アミン発生剤とを含むことを特徴と
する化学線感応性重合体組成物に関する。 【化１】 【効果】本発明によると、有機溶媒を用いず、アルカリ
水溶液などで現像できる新規な感光性ポリイミド組成物
を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感光性ポリイミドコー
ティング剤組成物に関するものであり、さらに詳しく
は、新規な感光性ポリイミド組成物に関するものであ
る。
ティング剤組成物に関するものであり、さらに詳しく
は、新規な感光性ポリイミド組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】感光性ポリイミド組成物としては、ポリ
アミド酸に化学線により２量化または重合可能な炭素−
炭素２重結合およびアミノ基またはその４級化塩を含む
化合物を添加した組成物（例えば特公昭５９−５２８２
２号公報）やポリアミド酸にエステル基で感光性を導入
したポリイミド前駆体組成物（例えばＵＳＰ３９５７５
１２号明細書、ＵＳＰ４０４０８３１号明細書）が知ら
れている。
アミド酸に化学線により２量化または重合可能な炭素−
炭素２重結合およびアミノ基またはその４級化塩を含む
化合物を添加した組成物（例えば特公昭５９−５２８２
２号公報）やポリアミド酸にエステル基で感光性を導入
したポリイミド前駆体組成物（例えばＵＳＰ３９５７５
１２号明細書、ＵＳＰ４０４０８３１号明細書）が知ら
れている。
【０００３】しかしながら、かかる従来の組成物におい
て、通常、現像液としては、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンなどの極性溶媒とメタノール、エタノールやトルエ
ン、キシレンなどの有機溶媒を組み合わせて用いてい
た。このため、現像液の引火点が低く、防爆などの処置
をとる必要があった。
て、通常、現像液としては、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンなどの極性溶媒とメタノール、エタノールやトルエ
ン、キシレンなどの有機溶媒を組み合わせて用いてい
た。このため、現像液の引火点が低く、防爆などの処置
をとる必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、有機溶媒を現像液に用いず、アルカリ水溶液な
どで現像することのできる新規な感光性ポリイミド組成
物を提供することにある。
目的は、有機溶媒を現像液に用いず、アルカリ水溶液な
どで現像することのできる新規な感光性ポリイミド組成
物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
下記一般式［１］で表される構造単位を有するポリマー
と、下記一般式［２］で表される光アミン発生剤とを含
むことを特徴とする化学線感応性重合体組成物により達
成される。
下記一般式［１］で表される構造単位を有するポリマー
と、下記一般式［２］で表される光アミン発生剤とを含
むことを特徴とする化学線感応性重合体組成物により達
成される。
【０００６】
【化３】 （Ｒ1 は、２個以上の炭素原子を有する３価または４価
の有機基、Ｒ2 は、２個以上の炭素原子を有する２価の
有機基、Ｒ3 は、水素、アルカリ金属イオン、アンモニ
ウムイオンまたは炭素数１〜３０の有機基を表す。ｎは
１または２である。）
の有機基、Ｒ2 は、２個以上の炭素原子を有する２価の
有機基、Ｒ3 は、水素、アルカリ金属イオン、アンモニ
ウムイオンまたは炭素数１〜３０の有機基を表す。ｎは
１または２である。）
【化４】 （Ｒ4 、Ｒ6 は、炭素数１〜２０の有機基を表す。Ｒ5
は、炭素数１以上の１〜４価の有機基を表す。ｍは１〜
４の整数である。）本発明における一般式［１］で表さ
れる構造単位を有するポリマーとしては、前記一般式で
示される構造を有し、加熱あるいは適当な触媒によりイ
ミド環や、その他環状構造を有するポリマー（以後、
「ポリイミド系ポリマー」と呼ぶ）となり得るものを挙
げることができる。
は、炭素数１以上の１〜４価の有機基を表す。ｍは１〜
４の整数である。）本発明における一般式［１］で表さ
れる構造単位を有するポリマーとしては、前記一般式で
示される構造を有し、加熱あるいは適当な触媒によりイ
ミド環や、その他環状構造を有するポリマー（以後、
「ポリイミド系ポリマー」と呼ぶ）となり得るものを挙
げることができる。
【０００７】上記一般式［１］中、Ｒ1 は２個以上の炭
素原子を有する３価または４価の有機基である。ポリイ
ミド系ポリマーの耐熱性から、Ｒ1 は芳香族環または芳
香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３０の３価または
４価の基が好ましい。Ｒ1 の好ましい具体的な例として
は、ピロメリット酸残基、３，３´，４，４´−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸残基、３，３´，４，４´−
ビフェニルテトラカルボン酸残基、３，３´，４，４´
−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸残基、３，３
´，４，４´−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸残
基、ブタンテトラカルボン酸残基、シクロペンタンテト
ラカルボン酸残基などが挙げられるが、これらに限定さ
れない。
素原子を有する３価または４価の有機基である。ポリイ
ミド系ポリマーの耐熱性から、Ｒ1 は芳香族環または芳
香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３０の３価または
４価の基が好ましい。Ｒ1 の好ましい具体的な例として
は、ピロメリット酸残基、３，３´，４，４´−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸残基、３，３´，４，４´−
ビフェニルテトラカルボン酸残基、３，３´，４，４´
−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸残基、３，３
´，４，４´−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸残
基、ブタンテトラカルボン酸残基、シクロペンタンテト
ラカルボン酸残基などが挙げられるが、これらに限定さ
れない。
【０００８】本発明におけるポリマーは、Ｒ1 がこれら
のうちの１種から構成されていても良いし、２種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
のうちの１種から構成されていても良いし、２種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
【０００９】上記一般式［１］中、Ｒ2 は２個以上の炭
素原子を有する２価の有機基である。Ｒ1 と同様、ポリ
イミド系ポリマーの耐熱性から、Ｒ2 は芳香族環または
芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３０の２価の基
が好ましい。Ｒ2 の好ましい具体的な例としては、ジア
ミノジフェニルエーテル残基、ジアミノジフェニルスル
フィド残基、ジアミノジフェニルメタン残基、ジアミノ
ジフェニルスルホン残基、フェニレンジアミン残基、ベ
ンジジン残基、ビスアミノフェノキシプロパン残基など
が挙げられるが、これらに限定されない。
素原子を有する２価の有機基である。Ｒ1 と同様、ポリ
イミド系ポリマーの耐熱性から、Ｒ2 は芳香族環または
芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３０の２価の基
が好ましい。Ｒ2 の好ましい具体的な例としては、ジア
ミノジフェニルエーテル残基、ジアミノジフェニルスル
フィド残基、ジアミノジフェニルメタン残基、ジアミノ
ジフェニルスルホン残基、フェニレンジアミン残基、ベ
ンジジン残基、ビスアミノフェノキシプロパン残基など
が挙げられるが、これらに限定されない。
【００１０】本発明におけるポリマーは、Ｒ2 がこれら
のうちの１種から構成されていても良いし、２種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
のうちの１種から構成されていても良いし、２種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
【００１１】さらに、ポリイミド系ポリマーの接着性を
向上させるために、耐熱性を低下させない範囲でＲ2 と
して、シロキサン結合を有する脂肪族性の基を共重合す
ることも可能である。好ましい具体例としては、ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなど
が挙げられる。
向上させるために、耐熱性を低下させない範囲でＲ2 と
して、シロキサン結合を有する脂肪族性の基を共重合す
ることも可能である。好ましい具体例としては、ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなど
が挙げられる。
【００１２】上記一般式［１］中、Ｒ3 は水素、アルカ
リ金属イオン、アンモニウムイオンまたは炭素数１〜３
０の有機基を表す。Ｒ3 の好ましい例としては、水素、
メチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、メタ
クリル酸エチル基、アクリル酸エチル基、Ｏ−ニトロベ
ンジル基などがあげられる。アルカリ水溶液などで現像
できる点から、水素が特に好ましい。また、ｎは１また
は２である。
リ金属イオン、アンモニウムイオンまたは炭素数１〜３
０の有機基を表す。Ｒ3 の好ましい例としては、水素、
メチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、メタ
クリル酸エチル基、アクリル酸エチル基、Ｏ−ニトロベ
ンジル基などがあげられる。アルカリ水溶液などで現像
できる点から、水素が特に好ましい。また、ｎは１また
は２である。
【００１３】本発明におけるポリマーは、Ｒ3 がこれら
のうちの１種から構成されていても良いし、２種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
のうちの１種から構成されていても良いし、２種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
【００１４】本発明におけるポリマーは、一般式［１］
で表される構造単位のみから成るものであっても良い
し、他の構造単位との共重合体あるいはブレンド体であ
っても良い。その際、一般式［１］で表される構造単位
を９０％以上含有していることが好ましい。共重合また
はブレンドに用いられる構造単位の種類、量は最終加熱
処理によって得られるポリイミド系ポリマーの耐熱性を
著しく損なわない範囲で選択するのが望ましい。
で表される構造単位のみから成るものであっても良い
し、他の構造単位との共重合体あるいはブレンド体であ
っても良い。その際、一般式［１］で表される構造単位
を９０％以上含有していることが好ましい。共重合また
はブレンドに用いられる構造単位の種類、量は最終加熱
処理によって得られるポリイミド系ポリマーの耐熱性を
著しく損なわない範囲で選択するのが望ましい。
【００１５】本発明におけるポリマーの具体的な例とし
ては、ピロメリット酸２無水物と４，４´−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３´，４，４´−ビフェニルテト
ラカルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニル
エーテル、ピロメリット酸２無水物と３，３´（または
４，４´）−ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリッ
ト酸２無水物および３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸２無水物と３，３´（または４，４
´）−ジアミノジフェニルスルホン、３，３´，４，４
´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水物と３，３
´（または４，４´）−ジアミノジフェニルスルホン、
３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸２無
水物と３，３´（または４，４´）−ジアミノジフェニ
ルスルホン、ピロメリット酸２無水物と４，４´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸２無水物と４，４´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジア
ミン、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン
酸２無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリット酸
２無水物および３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジアミン、ピ
ロメリット酸２無水物および３，３´，４，４´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジア
ミン、３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテトラ
カルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテト
ラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジアミン、ブタ
ンテトラカルボン酸２無水物と１，３−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニルメタン、
ピロメリット酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニ
ルエーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサンなどから合成されたポリアミド酸が好
ましく用いられる。
ては、ピロメリット酸２無水物と４，４´−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３´，４，４´−ビフェニルテト
ラカルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニル
エーテル、ピロメリット酸２無水物と３，３´（または
４，４´）−ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリッ
ト酸２無水物および３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸２無水物と３，３´（または４，４
´）−ジアミノジフェニルスルホン、３，３´，４，４
´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水物と３，３
´（または４，４´）−ジアミノジフェニルスルホン、
３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸２無
水物と３，３´（または４，４´）−ジアミノジフェニ
ルスルホン、ピロメリット酸２無水物と４，４´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸２無水物と４，４´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジア
ミン、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン
酸２無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリット酸
２無水物および３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジアミン、ピ
ロメリット酸２無水物および３，３´，４，４´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジア
ミン、３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテトラ
カルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテト
ラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジアミン、ブタ
ンテトラカルボン酸２無水物と１，３−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニルメタン、
ピロメリット酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニ
ルエーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサンなどから合成されたポリアミド酸が好
ましく用いられる。
【００１６】本発明における化学線重合体組成物は、下
記一般式［２］で表される光アミン発生剤を必須成分と
して含む。光アミン発生剤とは、光照射を受けアミンが
発生する化合物のことを表す。光照射によりアミンが系
内に生成されると、イミド化が促進される、ポリマ中の
カルボン酸とアミンが反応して架橋が生成することなど
により不溶化するなどの顕著な効果が得られる。
記一般式［２］で表される光アミン発生剤を必須成分と
して含む。光アミン発生剤とは、光照射を受けアミンが
発生する化合物のことを表す。光照射によりアミンが系
内に生成されると、イミド化が促進される、ポリマ中の
カルボン酸とアミンが反応して架橋が生成することなど
により不溶化するなどの顕著な効果が得られる。
【００１７】
【化５】 （Ｒ4 、Ｒ6 は、炭素数１〜２０の有機基を表す。Ｒ5
は、炭素数１以上の１〜４価の有機基を表す。ｍは１〜
４の整数である。）上記一般式［２］中、Ｒ4 、Ｒ
6 は、炭素数１〜２０の有機基である。Ｒ4 、Ｒ6 の好
ましい具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ベ
ンジル基、フェニル基、メチルフェニル基、ナフチル
基、フルオレン基などがあげられる。Ｒ4 、Ｒ6 がニト
ロ基、アルコキシ基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲ
ン基、シアノ基、カルボキシル基などを含有していても
よい。Ｒ4 、Ｒ6 は互いに同一であっても、異なってい
てもよい。
は、炭素数１以上の１〜４価の有機基を表す。ｍは１〜
４の整数である。）上記一般式［２］中、Ｒ4 、Ｒ
6 は、炭素数１〜２０の有機基である。Ｒ4 、Ｒ6 の好
ましい具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ベ
ンジル基、フェニル基、メチルフェニル基、ナフチル
基、フルオレン基などがあげられる。Ｒ4 、Ｒ6 がニト
ロ基、アルコキシ基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲ
ン基、シアノ基、カルボキシル基などを含有していても
よい。Ｒ4 、Ｒ6 は互いに同一であっても、異なってい
てもよい。
【００１８】Ｒ5 は、炭素数１以上の１〜４価の有機基
であり、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン化アル
キル基、フェニル基、アルケニル基、フェニルビニル
基、ナフチル基、アンスリル基、ベンジル基、メチレン
基、ポリ（メチレン）基、フェニレン基、メチルフェニ
レン基、メタンジフェニレン基、トリフェニルメタン基
などが挙げられる。ｍは１〜４の整数である。
であり、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン化アル
キル基、フェニル基、アルケニル基、フェニルビニル
基、ナフチル基、アンスリル基、ベンジル基、メチレン
基、ポリ（メチレン）基、フェニレン基、メチルフェニ
レン基、メタンジフェニレン基、トリフェニルメタン基
などが挙げられる。ｍは１〜４の整数である。
【００１９】一般式［２］で表される化合物の具体的な
例としては、以下の（ａ）〜（ｈ）などが挙げられる。
例としては、以下の（ａ）〜（ｈ）などが挙げられる。
【００２０】（ａ）Ｏ−アシルアセトンオキシム、Ｏ−
アシルアセトフェノンオキシム、Ｏ−アシルベンゾフェ
ノンオキシム、Ｏ−アシルアセナフトンオキシム、Ｏ−
アシルシクロヘキサノンオキシム、Ｏ−アシルフルオレ
ノンオキシム、Ｏ−アシル（ニトロベンゾフェノン）オ
キシム、Ｏ−アシル（ニトロフルオレノン）オキシム、
Ｏ−アシル（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−ア
シル（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
アシルアセトフェノンオキシム、Ｏ−アシルベンゾフェ
ノンオキシム、Ｏ−アシルアセナフトンオキシム、Ｏ−
アシルシクロヘキサノンオキシム、Ｏ−アシルフルオレ
ノンオキシム、Ｏ−アシル（ニトロベンゾフェノン）オ
キシム、Ｏ−アシル（ニトロフルオレノン）オキシム、
Ｏ−アシル（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−ア
シル（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
【００２１】（ｂ）Ｏ−バレロイルアセトンオキシム、
Ｏ−バレロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−バレロイ
ルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−バレロイルアセナフト
ンオキシム、Ｏ−バレロイルシクロヘキサノンオキシ
ム、Ｏ−バレロイルフルオレノンオキシム、Ｏ−バレロ
イル（ニトロベンゾフェノン）オキシム、Ｏ−バレロイ
ル（ニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−バレロイル
（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−バレロイル
（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
Ｏ−バレロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−バレロイ
ルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−バレロイルアセナフト
ンオキシム、Ｏ−バレロイルシクロヘキサノンオキシ
ム、Ｏ−バレロイルフルオレノンオキシム、Ｏ−バレロ
イル（ニトロベンゾフェノン）オキシム、Ｏ−バレロイ
ル（ニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−バレロイル
（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−バレロイル
（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
【００２２】（ｃ）Ｏ−ピバロイルアセトンオキシム、
Ｏ−ピバロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−ピバロイ
ルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−ピバロイルアセナフト
ンオキシム、Ｏ−ピバロイルシクロヘキサノンオキシ
ム、Ｏ−ピバロイルフルオレノンオキシム、Ｏ−ピバロ
イル（ニトロベンゾフェノン）オキシム、Ｏ−ピバロイ
ル（ニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−ピバロイル
（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−ピバロイル
（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
Ｏ−ピバロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−ピバロイ
ルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−ピバロイルアセナフト
ンオキシム、Ｏ−ピバロイルシクロヘキサノンオキシ
ム、Ｏ−ピバロイルフルオレノンオキシム、Ｏ−ピバロ
イル（ニトロベンゾフェノン）オキシム、Ｏ−ピバロイ
ル（ニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−ピバロイル
（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−ピバロイル
（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
【００２３】（ｄ）Ｏ−アクロイルアセトンオキシム、
Ｏ−アクロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−アクロイ
ルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−アクロイルアセナフト
ンオキシム、Ｏ−アクロイルシクロヘキサノンオキシ
ム、Ｏ−アクロイルフルオレノンオキシム、Ｏ−アクロ
イル（ニトロベンゾフェノン）オキシム、Ｏ−アクロイ
ル（ニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−アクロイル
（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−アクロイル
（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
Ｏ−アクロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−アクロイ
ルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−アクロイルアセナフト
ンオキシム、Ｏ−アクロイルシクロヘキサノンオキシ
ム、Ｏ−アクロイルフルオレノンオキシム、Ｏ−アクロ
イル（ニトロベンゾフェノン）オキシム、Ｏ−アクロイ
ル（ニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−アクロイル
（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−アクロイル
（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
【００２４】（ｅ）Ｏ−メタクロイルアセトンオキシ
ム、Ｏ−メタクロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−メ
タクロイルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−メタクロイル
アセナフトンオキシム、Ｏ−メタクロイルシクロヘキサ
ノンオキシム、Ｏ−メタクロイルフルオレノンオキシ
ム、Ｏ−メタクロイル（ニトロベンゾフェノン）オキシ
ム、Ｏ−メタクロイル（ニトロフルオレノン）オキシ
ム、Ｏ−メタクロイル（ジニトロフルオレノン）オキシ
ム、Ｏ−メタクロイル（トリニトロフルオレノン）オキ
シムなど。
ム、Ｏ−メタクロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−メ
タクロイルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−メタクロイル
アセナフトンオキシム、Ｏ−メタクロイルシクロヘキサ
ノンオキシム、Ｏ−メタクロイルフルオレノンオキシ
ム、Ｏ−メタクロイル（ニトロベンゾフェノン）オキシ
ム、Ｏ−メタクロイル（ニトロフルオレノン）オキシ
ム、Ｏ−メタクロイル（ジニトロフルオレノン）オキシ
ム、Ｏ−メタクロイル（トリニトロフルオレノン）オキ
シムなど。
【００２５】（ｆ）Ｏ−シンナモイルアセトンオキシ
ム、Ｏ−シンナモイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−シ
ンナモイルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−シンナモイル
アセナフトンオキシム、Ｏ−シンナモイルシクロヘキサ
ノンオキシム、Ｏ−シンナモイルフルオレノンオキシ
ム、Ｏ−シンナモイル（ニトロベンゾフェノン）オキシ
ム、Ｏ−シンナモイル（ニトロフルオレノン）オキシ
ム、Ｏ−シンナモイル（ジニトロフルオレノン）オキシ
ム、Ｏ−シンナモイル（トリニトロフルオレノン）オキ
シムなど。
ム、Ｏ−シンナモイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−シ
ンナモイルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−シンナモイル
アセナフトンオキシム、Ｏ−シンナモイルシクロヘキサ
ノンオキシム、Ｏ−シンナモイルフルオレノンオキシ
ム、Ｏ−シンナモイル（ニトロベンゾフェノン）オキシ
ム、Ｏ−シンナモイル（ニトロフルオレノン）オキシ
ム、Ｏ−シンナモイル（ジニトロフルオレノン）オキシ
ム、Ｏ−シンナモイル（トリニトロフルオレノン）オキ
シムなど。
【００２６】（ｇ）Ｏ−フェニルアセチルアセトンオキ
シム、Ｏ−フェニルアセチルアセトフェノンオキシム、
Ｏ−フェニルアセチルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−フ
ェニルアセチルアセナフトンオキシム、Ｏ−フェニルア
セチルシクロヘキサノンオキシム、Ｏ−フェニルアセチ
ルフルオレノンオキシム、Ｏ−フェニルアセチル（ニト
ロベンゾフェノン）オキシム、Ｏ−フェニルアセチル
（ニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−フェニルアセチ
ル（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−フェニルア
セチル（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
シム、Ｏ−フェニルアセチルアセトフェノンオキシム、
Ｏ−フェニルアセチルベンゾフェノンオキシム、Ｏ−フ
ェニルアセチルアセナフトンオキシム、Ｏ−フェニルア
セチルシクロヘキサノンオキシム、Ｏ−フェニルアセチ
ルフルオレノンオキシム、Ｏ−フェニルアセチル（ニト
ロベンゾフェノン）オキシム、Ｏ−フェニルアセチル
（ニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−フェニルアセチ
ル（ジニトロフルオレノン）オキシム、Ｏ−フェニルア
セチル（トリニトロフルオレノン）オキシムなど。
【００２７】（ｈ）Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスアセトン
オキシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスアセトフェノンオ
キシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスベンゾフェノンオキ
シム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスアセナフトンオキシ
ム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスシクロヘキサノンオキシ
ム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスフルオレノンオキシム、
Ｏ，Ｏ´−アジポイルビス（ニトロベンゾフェノン）オ
キシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビス（ニトロフルオレノ
ン）オキシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビス（ジニトロフ
ルオレノン）オキシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビス（ト
リニトロフルオレノン）オキシムなど。
オキシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスアセトフェノンオ
キシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスベンゾフェノンオキ
シム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスアセナフトンオキシ
ム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスシクロヘキサノンオキシ
ム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビスフルオレノンオキシム、
Ｏ，Ｏ´−アジポイルビス（ニトロベンゾフェノン）オ
キシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビス（ニトロフルオレノ
ン）オキシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビス（ジニトロフ
ルオレノン）オキシム、Ｏ，Ｏ´−アジポイルビス（ト
リニトロフルオレノン）オキシムなど。
【００２８】このような一般式［２］で表される光アミ
ン発生剤は、通常オキシム化合物誘導体とカルボン酸ハ
ロゲン化物との縮合反応によって合成することができ
る。
ン発生剤は、通常オキシム化合物誘導体とカルボン酸ハ
ロゲン化物との縮合反応によって合成することができ
る。
【００２９】光アミン発生剤は、ポリマに対して１〜２
００重量％、好ましくは３〜１００重量％添加するのが
良い。この範囲を外れると像が形成できなくなったり、
膜の機械的性質が悪化する恐れがあるので注意を要す
る。
００重量％、好ましくは３〜１００重量％添加するのが
良い。この範囲を外れると像が形成できなくなったり、
膜の機械的性質が悪化する恐れがあるので注意を要す
る。
【００３０】本発明の組成物には、必要に応じて光開始
剤や増感剤を添加することもできる。
剤や増感剤を添加することもできる。
【００３１】本発明に適した光開始剤としては、Ｎ−フ
ェニルジエタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシン、ミ
ヒラーケトンなどの芳香族アミン、３−フェニル−５−
イソオキサゾロンに代表される環状オキシム化合物、１
−フェニルプロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボ
ニル）オキシムに代表される鎖環状オキシム化合物など
が挙げられるがこれらに限定されない。
ェニルジエタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシン、ミ
ヒラーケトンなどの芳香族アミン、３−フェニル−５−
イソオキサゾロンに代表される環状オキシム化合物、１
−フェニルプロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボ
ニル）オキシムに代表される鎖環状オキシム化合物など
が挙げられるがこれらに限定されない。
【００３２】本発明に適した増感剤としては、アジドア
ントラキノン、アジドベンザルアセトフェノンなどの芳
香族モノアジド、３，３´−カルボニルビス（ジエチル
アミノクマリン）などのクマリン化合物、ベンズアント
ロン、フェナントレンキノンなどの芳香族ケトンなど一
般に光硬化性樹脂に使用されるようなもの、その他電子
写真の電荷移動剤として使用されるものであれば好まし
く使用できることもある。
ントラキノン、アジドベンザルアセトフェノンなどの芳
香族モノアジド、３，３´−カルボニルビス（ジエチル
アミノクマリン）などのクマリン化合物、ベンズアント
ロン、フェナントレンキノンなどの芳香族ケトンなど一
般に光硬化性樹脂に使用されるようなもの、その他電子
写真の電荷移動剤として使用されるものであれば好まし
く使用できることもある。
【００３３】光開始剤および増感剤はポリマに対してそ
れぞれ０．１〜５重量％の範囲で添加するのが好まし
い。この範囲を外れると感光性が低下したり、ポリマの
機械特性が低下したりするので注意を要する。これらの
光開始剤や増感剤は、単独で、あるいは二種以上混合し
て用いることができる。
れぞれ０．１〜５重量％の範囲で添加するのが好まし
い。この範囲を外れると感光性が低下したり、ポリマの
機械特性が低下したりするので注意を要する。これらの
光開始剤や増感剤は、単独で、あるいは二種以上混合し
て用いることができる。
【００３４】本発明の組成物の塗膜または加熱処理後の
ポリイミド被膜と支持体との接着性を向上させるために
適宜接着助剤を用いることもできる。
ポリイミド被膜と支持体との接着性を向上させるために
適宜接着助剤を用いることもできる。
【００３５】接着助剤としては、オキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランなどの有
機ケイ素化合物、あるいはアルミニウムモノエチルアセ
トアセテートジイソプロピレート、アルミニウムトリス
（アセチルアセトネート）などのアルミニウムキレート
化合物あるいはチタニウムビス（アセチルアセネート）
などのチタニウムキレート化合物などが好ましく用いら
れる。
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランなどの有
機ケイ素化合物、あるいはアルミニウムモノエチルアセ
トアセテートジイソプロピレート、アルミニウムトリス
（アセチルアセトネート）などのアルミニウムキレート
化合物あるいはチタニウムビス（アセチルアセネート）
などのチタニウムキレート化合物などが好ましく用いら
れる。
【００３６】他の添加剤としては、共重合モノマあるい
は基板との接着改良剤を感度と耐熱性が大幅に低下しな
い範囲で含んでいても良い。
は基板との接着改良剤を感度と耐熱性が大幅に低下しな
い範囲で含んでいても良い。
【００３７】本発明の組成物の製造方法の一例について
説明する。まず溶媒中でジアミン化合物と酸２無水物を
反応させ、一般式［１］で表される構造単位を主成分と
するポリマーを得る。次にこの溶液に一般式［２］で表
される光アミン発生剤および必要に応じてその他の添加
剤を溶解調合することにより組成物を得る。なお、上記
のポリマーとして、固体状のポリアミド酸ポリマーある
いは、反応後に溶液から分離精製したポリマーを再溶解
して用いても差し支えない。
説明する。まず溶媒中でジアミン化合物と酸２無水物を
反応させ、一般式［１］で表される構造単位を主成分と
するポリマーを得る。次にこの溶液に一般式［２］で表
される光アミン発生剤および必要に応じてその他の添加
剤を溶解調合することにより組成物を得る。なお、上記
のポリマーとして、固体状のポリアミド酸ポリマーある
いは、反応後に溶液から分離精製したポリマーを再溶解
して用いても差し支えない。
【００３８】上記製造方法でもちいる溶媒としてはポリ
マーの溶解性の面から極性溶媒が好ましく用いられ、特
に非プロトン性極性溶媒が好適である。非プロトン性極
性溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリ
アミド、γ−ブチロラクトンなどが好ましく用いられ
る。
マーの溶解性の面から極性溶媒が好ましく用いられ、特
に非プロトン性極性溶媒が好適である。非プロトン性極
性溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリ
アミド、γ−ブチロラクトンなどが好ましく用いられ
る。
【００３９】次に、本発明の組成物の使用方法について
説明をする。本発明の組成物は化学線を用いた周知の微
細加工技術でパターン加工が可能である。
説明をする。本発明の組成物は化学線を用いた周知の微
細加工技術でパターン加工が可能である。
【００４０】まず本発明の組成物を適当な支持体の上に
塗布する。支持体の材質としては、例えば、金属、ガラ
ス、半導体、金属酸化絶縁体、窒化ケイ素などが挙げら
れる。
塗布する。支持体の材質としては、例えば、金属、ガラ
ス、半導体、金属酸化絶縁体、窒化ケイ素などが挙げら
れる。
【００４１】塗布方法としては、スピンナーを用いた回
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度によって調
節することができるが、通常１〜３０μｍの範囲になる
ように塗布される。
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度によって調
節することができるが、通常１〜３０μｍの範囲になる
ように塗布される。
【００４２】次に上記支持体上で塗膜となった本発明の
組成物に所望のパターン状に化学線を照射する。化学線
としてはＸ線、電子線、紫外線、可視光線などが例とし
て挙げられるが、紫外線および短波長の可視光線、すな
わち波長範囲で２００〜５００ｎｍが好ましい。
組成物に所望のパターン状に化学線を照射する。化学線
としてはＸ線、電子線、紫外線、可視光線などが例とし
て挙げられるが、紫外線および短波長の可視光線、すな
わち波長範囲で２００〜５００ｎｍが好ましい。
【００４３】露光後、ベーク処理をすることでイミド化
反応、架橋反応を行う。この温度としては６０〜１６０
℃の範囲が好ましい。この範囲を外れると、反応が進行
しなかったり、全ての領域が溶解しなくなるのどの恐れ
があるので注意を要する。
反応、架橋反応を行う。この温度としては６０〜１６０
℃の範囲が好ましい。この範囲を外れると、反応が進行
しなかったり、全ての領域が溶解しなくなるのどの恐れ
があるので注意を要する。
【００４４】ついで未照射部を現像液で溶解除去するこ
とによりレリーフ・パターンを得る。現像液はポリマの
構造に合わせて適当なものを選択することができるが、
アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、ジエタノールアミンなどのアルカリ水溶液などを
好ましく使用することができる。また、本組成物の溶媒
であるＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホルトリアミドなどを単独あるいはメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、水、メチ
ルカルビトール、エチルカルビトール、トルエン、キシ
レンなどの組成物の非溶媒との混合液も好ましく使用す
ることができる。
とによりレリーフ・パターンを得る。現像液はポリマの
構造に合わせて適当なものを選択することができるが、
アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、ジエタノールアミンなどのアルカリ水溶液などを
好ましく使用することができる。また、本組成物の溶媒
であるＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホルトリアミドなどを単独あるいはメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、水、メチ
ルカルビトール、エチルカルビトール、トルエン、キシ
レンなどの組成物の非溶媒との混合液も好ましく使用す
ることができる。
【００４５】現像は上記の現像液を塗膜面にスプレーす
る、現像液中に浸漬する、あるいは浸漬しながら超音波
をかけるなどの方法によって行うことができる。
る、現像液中に浸漬する、あるいは浸漬しながら超音波
をかけるなどの方法によって行うことができる。
【００４６】ついでリンス液により、現像によって形成
したレリーフパターンを洗浄することが望ましい。リン
ス液としてはアルカリ水溶液で現像を行う場合、水が好
ましく用いられる。また、有機溶媒でリンスをする場
合、現像液との混和性の良いメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、酢酸ブチルなどが好ましく用
いられる。
したレリーフパターンを洗浄することが望ましい。リン
ス液としてはアルカリ水溶液で現像を行う場合、水が好
ましく用いられる。また、有機溶媒でリンスをする場
合、現像液との混和性の良いメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、酢酸ブチルなどが好ましく用
いられる。
【００４７】上記の処理によって得られたレリーフ・パ
ターンのポリマーは耐熱性を有するポリイミド系ポリマ
ーの前駆体であり、加熱処理によりイミド環やその他の
環状構造を有する耐熱ポリマーとなる。熱処理温度とし
ては、１３５〜４００℃で行うのが好ましい。熱処理は
通常、段階的にあるいは連続的に昇温しながら行われ
る。
ターンのポリマーは耐熱性を有するポリイミド系ポリマ
ーの前駆体であり、加熱処理によりイミド環やその他の
環状構造を有する耐熱ポリマーとなる。熱処理温度とし
ては、１３５〜４００℃で行うのが好ましい。熱処理は
通常、段階的にあるいは連続的に昇温しながら行われ
る。
【００４８】本発明の化学線感応性重合体組成物は、半
導体のパッシベーション膜、パッシベーション膜のバッ
ファーコート膜、多層集積回路の層間絶縁膜、混成集積
回路の層間絶縁膜や表面保護膜、プリント回路の半田付
け保護膜、液晶用配向膜、実装基板の層間絶縁膜などの
形成に供せられる。さらに高耐熱性のフォトレジストと
して金属付着や、ドライエッチングプロセスへの応用も
可能である。その他ポリイミドの公知の用途へ適用でき
る。
導体のパッシベーション膜、パッシベーション膜のバッ
ファーコート膜、多層集積回路の層間絶縁膜、混成集積
回路の層間絶縁膜や表面保護膜、プリント回路の半田付
け保護膜、液晶用配向膜、実装基板の層間絶縁膜などの
形成に供せられる。さらに高耐熱性のフォトレジストと
して金属付着や、ドライエッチングプロセスへの応用も
可能である。その他ポリイミドの公知の用途へ適用でき
る。
【００４９】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されない。
明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００５０】＜光アミン発生剤の合成＞ Ｏ−メタクロイルアセトフェノンオキシムの合成 アセトフェノンオキシム１３．５ｇ、メタクロイルクロ
リド１１．５ｇをクロロホルム１００ｍＬに溶解させ
た。これを氷水で冷却した後、クロロホルム３０ｍＬで
希釈したトリエチルアミン１２．１ｇを滴下した。室温
で１時間攪拌した後、反応溶液を３回水洗した。有機層
を硫酸マグネシウムで脱水した後濾過し、エバポレート
によって濾液からクロロホルムを除き、Ｏ−メタクロイ
ルアセトフェノンオキシムを得た。これを光アミン発生
剤（１）とする。
リド１１．５ｇをクロロホルム１００ｍＬに溶解させ
た。これを氷水で冷却した後、クロロホルム３０ｍＬで
希釈したトリエチルアミン１２．１ｇを滴下した。室温
で１時間攪拌した後、反応溶液を３回水洗した。有機層
を硫酸マグネシウムで脱水した後濾過し、エバポレート
によって濾液からクロロホルムを除き、Ｏ−メタクロイ
ルアセトフェノンオキシムを得た。これを光アミン発生
剤（１）とする。
【００５１】Ｏ−フェニルアセチルベンゾフェノンオ
キシムの合成 ベンゾフェノンオキシム１９．７ｇ、フェニルアセチル
クロリド１７．０ｇをクロロホルム１００ｍＬに溶解さ
せた。これを氷水で冷却した後、クロロホルム３０ｍＬ
で希釈したトリエチルアミン１２．１ｇを滴下した。室
温で１時間攪拌した後、反応溶液を３回水洗した。有機
層を硫酸マグネシウムで脱水した後濾過し、エバポレー
トによって濾液からクロロホルムを除き、Ｏ−フェニル
アセチルベンゾフェノンオキシムを得た。これを光アミ
ン発生剤（２）とする。
キシムの合成 ベンゾフェノンオキシム１９．７ｇ、フェニルアセチル
クロリド１７．０ｇをクロロホルム１００ｍＬに溶解さ
せた。これを氷水で冷却した後、クロロホルム３０ｍＬ
で希釈したトリエチルアミン１２．１ｇを滴下した。室
温で１時間攪拌した後、反応溶液を３回水洗した。有機
層を硫酸マグネシウムで脱水した後濾過し、エバポレー
トによって濾液からクロロホルムを除き、Ｏ−フェニル
アセチルベンゾフェノンオキシムを得た。これを光アミ
ン発生剤（２）とする。
【００５２】Ｏ，Ｏ´−アジポイルビス（アセナフト
ンオキシム）の合成 アセトナフトン１８．５ｇ、アジポイルクロリド１０．
１ｇをクロロホルム１００ｍＬに溶解させた。これを氷
水で冷却した後、クロロホルム３０ｍＬで希釈したトリ
エチルアミン１２．１ｇを滴下した。室温で１時間攪拌
した後、反応溶液を３回水洗した。有機層を硫酸マグネ
シウムで脱水した後濾過し、エバポレートによって濾液
からクロロホルムを除き、Ｏ−フェニルアセチルベンゾ
フェノンオキシムを得た。これを光アミン発生剤（３）
とする。
ンオキシム）の合成 アセトナフトン１８．５ｇ、アジポイルクロリド１０．
１ｇをクロロホルム１００ｍＬに溶解させた。これを氷
水で冷却した後、クロロホルム３０ｍＬで希釈したトリ
エチルアミン１２．１ｇを滴下した。室温で１時間攪拌
した後、反応溶液を３回水洗した。有機層を硫酸マグネ
シウムで脱水した後濾過し、エバポレートによって濾液
からクロロホルムを除き、Ｏ−フェニルアセチルベンゾ
フェノンオキシムを得た。これを光アミン発生剤（３）
とする。
【００５３】＜ポリイミド原液の合成＞ ４，４´−ジアミノジフェニルエーテル１００．１ｇ
をＮ−メチル−２−ピロリドン６７０ｇに室温で溶解さ
せ、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸無水物１５７．５ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン
１０３ｇとともに加え、激しく攪拌を行った。この時液
温は急激に上昇し５０℃にまでなるがその後定常状態に
なる。このまま３０℃で１時間反応させ、さらに６０℃
に液温を上昇させ４時間反応を行い、ポリアミド酸溶液
（Ａ）を得た。
をＮ−メチル−２−ピロリドン６７０ｇに室温で溶解さ
せ、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸無水物１５７．５ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン
１０３ｇとともに加え、激しく攪拌を行った。この時液
温は急激に上昇し５０℃にまでなるがその後定常状態に
なる。このまま３０℃で１時間反応させ、さらに６０℃
に液温を上昇させ４時間反応を行い、ポリアミド酸溶液
（Ａ）を得た。
【００５４】４，４´−ジアミノジフェニルエーテル
１００．１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン６７０ｇに
室温で溶解させ、ピロメリット酸無水物１０８．２ｇを
Ｎ−メチル−２−ピロリドン８０ｇとともに加え、激し
く攪拌を行った。この時液温は急激に上昇し５０℃にま
でなるがその後定常状態になる。このまま３０℃で１時
間反応させ、さらに６０℃に液温を上昇させ４時間反応
を行い、ポリアミド酸溶液（Ｂ）を得た。
１００．１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン６７０ｇに
室温で溶解させ、ピロメリット酸無水物１０８．２ｇを
Ｎ−メチル−２−ピロリドン８０ｇとともに加え、激し
く攪拌を行った。この時液温は急激に上昇し５０℃にま
でなるがその後定常状態になる。このまま３０℃で１時
間反応させ、さらに６０℃に液温を上昇させ４時間反応
を行い、ポリアミド酸溶液（Ｂ）を得た。
【００５５】３，３´−ジアミノジフェニルスルホン
１２４．３ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン６００ｇに
室温で溶解させ、３，３´，４，４´−ビフェニルテト
ラカルボン酸無水物１４６．５ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン１００ｇとともに加え、激しく攪拌を行った。
この時液温は急激に上昇し５０℃にまでなるがその後定
常状態になる。このまま３０℃で１時間反応させ、さら
に６０℃に液温を上昇させ４時間反応を行い、ポリアミ
ド酸溶液（Ｃ）を得た。
１２４．３ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン６００ｇに
室温で溶解させ、３，３´，４，４´−ビフェニルテト
ラカルボン酸無水物１４６．５ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン１００ｇとともに加え、激しく攪拌を行った。
この時液温は急激に上昇し５０℃にまでなるがその後定
常状態になる。このまま３０℃で１時間反応させ、さら
に６０℃に液温を上昇させ４時間反応を行い、ポリアミ
ド酸溶液（Ｃ）を得た。
【００５６】実施例１ 光アミン発生剤（１）５ｇ、ミヒラーケトン０．５ｇと
ポリアミド酸溶液（Ａ）を混合した。この溶液を４イン
チシリコンウエハー上にスピンコートした。次いでホッ
トプレート（大日本スクリーン製造製ＳＣＷ−６３６）
を用いて１２０℃２分の加熱処理を行った。このときの
膜厚は５μｍであった。
ポリアミド酸溶液（Ａ）を混合した。この溶液を４イン
チシリコンウエハー上にスピンコートした。次いでホッ
トプレート（大日本スクリーン製造製ＳＣＷ−６３６）
を用いて１２０℃２分の加熱処理を行った。このときの
膜厚は５μｍであった。
【００５７】加熱処理後、コンタクトアライナー（キャ
ノン製ＰＬＡ−５０１）を用いてグレースケールをマス
クにして８００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍでの測定値）
の露光を行った。
ノン製ＰＬＡ−５０１）を用いてグレースケールをマス
クにして８００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍでの測定値）
の露光を行った。
【００５８】露光後、１３０℃、２分の加熱処理を行っ
た。このときの膜厚は４．３μｍであった。
た。このときの膜厚は４．３μｍであった。
【００５９】続いてアルカリ現像液（東京応化製ＮＭＤ
−３）を用いて１分間浸漬し、現像を行った。
−３）を用いて１分間浸漬し、現像を行った。
【００６０】露光量が３６０ｍＪ／ｃｍ2 以上のところ
で像が残った。また、８００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量のと
ころの膜厚は３．９μｍであった。
で像が残った。また、８００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量のと
ころの膜厚は３．９μｍであった。
【００６１】実施例２ 光アミン発生剤（２）５ｇ、Ｎ−フェニルグリシン０．
５ｇ、ベンズアントロン０．２ｇとポリアミド酸溶液
（Ａ）を混合した。この溶液を４インチシリコンウエハ
ー上にスピンコートした。次いでホットプレート（大日
本スクリーン製造製ＳＣＷ−６３６）を用いて１２０℃
２分の加熱処理を行った。このときの膜厚は５μｍであ
った。
５ｇ、ベンズアントロン０．２ｇとポリアミド酸溶液
（Ａ）を混合した。この溶液を４インチシリコンウエハ
ー上にスピンコートした。次いでホットプレート（大日
本スクリーン製造製ＳＣＷ−６３６）を用いて１２０℃
２分の加熱処理を行った。このときの膜厚は５μｍであ
った。
【００６２】加熱処理後、コンタクトアライナー（キャ
ノン製ＰＬＡ−５０１）を用いてグレースケールをマス
クにして６００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍでの測定値）
の露光を行った。
ノン製ＰＬＡ−５０１）を用いてグレースケールをマス
クにして６００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍでの測定値）
の露光を行った。
【００６３】露光後、１３０℃、２分の加熱処理を行っ
た。このときの膜厚は４．３μｍであった。
た。このときの膜厚は４．３μｍであった。
【００６４】続いてアルカリ現像液（東京応化製ＮＭＤ
−３）を用いて１分間浸漬し、現像を行った。
−３）を用いて１分間浸漬し、現像を行った。
【００６５】露光量が２４０ｍＪ／ｃｍ2 以上のところ
で像が残った。また、６００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量のと
ころの膜厚は３．８μｍであった。
で像が残った。また、６００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量のと
ころの膜厚は３．８μｍであった。
【００６６】実施例３ 光アミン発生剤（３）５ｇ、３，３´−カルボニルビス
（ジエチルアミノクマリン）０．３ｇとポリアミド酸溶
液（Ａ）を混合した。この溶液を４インチシリコンウエ
ハー上にスピンコートした。次いでホットプレート（大
日本スクリーン製造製ＳＣＷ−６３６）を用いて１２０
℃、２分の加熱処理を行った。このときの膜厚は５μｍ
であった。
（ジエチルアミノクマリン）０．３ｇとポリアミド酸溶
液（Ａ）を混合した。この溶液を４インチシリコンウエ
ハー上にスピンコートした。次いでホットプレート（大
日本スクリーン製造製ＳＣＷ−６３６）を用いて１２０
℃、２分の加熱処理を行った。このときの膜厚は５μｍ
であった。
【００６７】加熱処理後、コンタクトアライナー（キャ
ノン製ＰＬＡ−５０１）を用いてグレースケールをマス
クにして６００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍでの測定値）
の露光を行った。
ノン製ＰＬＡ−５０１）を用いてグレースケールをマス
クにして６００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍでの測定値）
の露光を行った。
【００６８】露光後、１３０℃、２分の加熱処理を行っ
た。このときの膜厚は４．３μｍであった。
た。このときの膜厚は４．３μｍであった。
【００６９】続いてアルカリ現像液（東京応化製ＮＭＤ
−３）を用いて１分間浸漬し、現像を行った。
−３）を用いて１分間浸漬し、現像を行った。
【００７０】露光量が１５０ｍＪ／ｃｍ2 以上のところ
で像が残った。また、６００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量のと
ころの膜厚は３．７μｍであった。
で像が残った。また、６００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量のと
ころの膜厚は３．７μｍであった。
【００７１】比較例 トリエチルアミン５ｇとポリアミド酸溶液（Ａ）を混合
した。この溶液を４インチシリコンウエハー上にスピン
コートした。次いでホットプレート（大日本スクリーン
製造製ＳＣＷ−６３６）を用いて１２０℃、２分の加熱
処理を行った。このときの膜厚は５μｍであった。
した。この溶液を４インチシリコンウエハー上にスピン
コートした。次いでホットプレート（大日本スクリーン
製造製ＳＣＷ−６３６）を用いて１２０℃、２分の加熱
処理を行った。このときの膜厚は５μｍであった。
【００７２】加熱処理後、コンタクトアライナー（キャ
ノン製ＰＬＡ−５０１）を用いてグレースケールをマス
クにして６００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍでの測定値）
の露光を行った。
ノン製ＰＬＡ−５０１）を用いてグレースケールをマス
クにして６００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍでの測定値）
の露光を行った。
【００７３】露光後、１３０℃、２分の加熱処理を行っ
た。このときの膜厚は４．３μｍであった。
た。このときの膜厚は４．３μｍであった。
【００７４】続いてアルカリ現像液（東京応化製ＮＭＤ
−３）を用いて１分間浸漬し、現像を行ったが、全く溶
解しなかった。
−３）を用いて１分間浸漬し、現像を行ったが、全く溶
解しなかった。
【００７５】
【発明の効果】本発明によると、有機溶媒を現像液に用
いず、アルカリ水溶液などで現像できる新規な感光性ポ
リイミド組成物を得ることができる。
いず、アルカリ水溶液などで現像できる新規な感光性ポ
リイミド組成物を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/312 Ｂ 7352−4Ｍ Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｄ 7511−4Ｅ 3/46 Ｔ 6921−4Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】下記一般式［１］で表される構造単位を有
するポリマーと、下記一般式［２］で表される光アミン
発生剤とを含むことを特徴とする化学線感応性重合体組
成物。 【化１】 （Ｒ1 は、２個以上の炭素原子を有する３価または４価
の有機基、Ｒ2 は、２個以上の炭素原子を有する２価の
有機基、Ｒ3 は、水素、アルカリ金属イオン、アンモニ
ウムイオンまたは炭素数１〜３０の有機基を表す。ｎは
１または２である。） 【化２】 （Ｒ4 、Ｒ6 は、炭素数１〜２０の有機基を表す。Ｒ5
は、炭素数１以上の１〜４価の有機基を表す。ｍは１〜
４の整数である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8325493A JPH06295063A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 化学線感応性重合体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8325493A JPH06295063A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 化学線感応性重合体組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295063A true JPH06295063A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13797207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8325493A Pending JPH06295063A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 化学線感応性重合体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06295063A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003084435A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
| JP2006036895A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Asahi Kasei Corp | 光反応性化合物およびそれを用いた光硬化性組成物 |
| JP2007086763A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-04-05 | Asahi Kasei Corp | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた回路基板 |
| JP2007249013A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 感光性樹脂組成物、物品、及びネガ型パターン形成方法 |
| JP2007249017A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 感光性樹脂組成物、物品、及びネガ型パターン形成方法 |
| JP2010250059A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた回路基板 |
| JP2012001612A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 光硬化型樹脂組成物、パターン形成された基板の製造方法及び電子部品 |
| US8304164B2 (en) | 2010-01-12 | 2012-11-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition |
| US8426106B2 (en) | 2009-10-15 | 2013-04-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP8325493A patent/JPH06295063A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4687938B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2011-05-25 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
| JP2006036895A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Asahi Kasei Corp | 光反応性化合物およびそれを用いた光硬化性組成物 |
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| US8426106B2 (en) | 2009-10-15 | 2013-04-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition |
| US8304164B2 (en) | 2010-01-12 | 2012-11-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition |
| JP2012001612A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 光硬化型樹脂組成物、パターン形成された基板の製造方法及び電子部品 |
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