JP2717991B2

JP2717991B2 - 感光性ポリイミド組成物及びその現像法

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Publication number: JP2717991B2
Application number: JP2228387A
Authority: JP
Inventors: 元造吉清
Original assignee: Ube Industries Ltd
Current assignee: Ube Corp
Priority date: 1990-08-31
Filing date: 1990-08-31
Publication date: 1998-02-25
Anticipated expiration: 2013-02-25
Also published as: JPH04110348A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、有機溶媒に対して溶解性を有する、シリ
ルオキシ基を側鎖に有する特定な芳香族ポリイミドと感
光性発生剤とが配合されている感光性ポリイミド組成
物、ならびに、銅張り基板、シリコンウエハーなどの基
板上にその組成物の薄膜を形成し、光、Ｘ線、電子線な
どの活性エネルギー線を照射して、酸を発生させ、照射
部分のポリマーをヒドロキシル化された芳香族ポリイミ
ドとなし、そのポリイミドをアルカリ性現像液で溶解し
除去して、前記基板上にパターン状の芳香族ポリイミド
被膜を形成する現像法に係わる。

〔従来技術の説明〕

近年、耐熱性、耐薬品性、機械的特性及び卓越した電
気絶縁性が要求される工業材料の分野において、耐熱性
高分子（芳香族ポリイミドなど）と呼ばれる一連の新規
ポリマーが採用されるようになってきた。特に、半導体
工業における固体素子への絶縁膜やパッシベーション膜
の形成材料、及び半導体集積回路や多層プリント配線板
などの層間絶縁材料は、耐熱性及び絶縁性に富むことが
要請される。かかる観点から、上記のパッシベーション
膜等を、絶縁性と共に耐熱性の高いポリイミドで形成す
ることが種々提案されている。

一方、有機溶媒に可溶性のポリイミドに光硬化性基を
有する単量体を混合して、光硬化させることができる耐
熱性フォトレジスト組成物（特開昭54−109828号公報等
参照）が提案されている。

また、テトラカルボン酸二無水物と光架橋性不飽和二
重結合を含むジアミン化合物、例えばジアミノカルコン
とを反応させて、感光性及び耐熱性等に優れたポリイミ
ドを得ること事が提案されている（特開昭57−131227号
公報参照）。

更に、近年、溶媒可溶性のポリイミドを用い、レリー
フパターン形成を行う試み（特開昭58−19821号公報参
照）もなされている。

前記耐熱性フォトレジスト組成物（特開昭54−109828
号）は、光硬化性が劣り、しかも光硬化後のポリイミド
の耐熱性も充分ではない。また、耐熱性に優れている芳
香族ポリイミド（特開昭57−131227号）は、一般に溶媒
に対する溶解性が劣るので、光硬化後に未露光部を有機
溶媒に溶解させる工程を含むパターンの形成には適さな
い。

公知の感光性組成物は、一般に、ネガ型感光性を有す
るものであり、高解像度化、極細線の開孔部の形成など
にはポジ型感光性レジストが望まれている。

近年、感光性を有する可溶性ポリイミドにおいても特
開昭64−60630号公報にポジ型レジストが報告されてい
るが、現像処理されたポリイミド膜を永久被膜として利
用するには、その膜の電気的性質と共に、基板への接着
性が重要な因子であり、前記のポジ型ジレストはこれら
因子を充分満足するものではなかった。

〔解決しようとする問題点〕

本願の発明者らは、上述の現状に鑑み、耐熱性、耐吸
湿性、電気的及び機械的性質を高いレベルに保持してい
ると共に、基材上に被膜を形成した場合にその被膜の接
着性が厳しい環境下でも長期間保持される可溶性芳香族
ポリイミドを提供することを目的として、種々検討した
結果、シリルオキシ基（好ましくはトリエチルシリルオ
キシ基）を側鎖に多数有する芳香族ポリイミドに感光性
の酸発生剤を加えた組成物が、光透過性に優れ、高い感
光性を有すると共に、広い範囲の有機溶媒に可溶性であ
り、上記の目的を達成しうることを知見した。

〔問題点を解決する手段〕

この出願の第１の発明は、（ａ）2,3,3′,4′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸あるいは酸二無水物と、１−ヒ
ドロキシ−2,5−ジアミノベンゼン、１−ヒドロキシ−
3,5−ジアミノベンゼン、3,3′−ジヒドロキシ−4,4′
−ジアミノビフェニル、2,2′−ジヒドロキシ−4,4′−
ジアミノビフェニル、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジ
アミノビフェニル、3,3′−ジヒドロキシ−4,4′−ジア
ミノジフェニルエーテル、2,2′−ジヒドロキシ−4,4′
−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジヒドロキシ
−3,3′−ジアミノジフェニルエーテル、1,4−ビス（３
−ヒドロキシ−４−アミノフェノキシ）ベンゼン、1,4
−ビス（４−ヒドロキシ−３−アミノフェノキシ）ベン
ゼン、あるいは1,3−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミ
ノフェノキシ）ベンゼンである芳香族ジアミンとを、重
合およびイミド化した後、シリル化して得られる、対数
粘度（濃度;0.5g/100ml溶媒、溶媒;N−メチル−２−ピ
ロリドン、測定温度;30℃）が0.2〜５であるシリルオキ
シ基含有の可溶性芳香族ポリイミド、および、（ｂ）35
0〜450nmに吸収波長を持ちその波長の光、Ｘ線あるいは
電子線などの活性エネルギー線の照射によって酸を発生
する感光性の酸発生剤が配合されていることを特徴とす
る感光性ポリイミド組成物に関する。

また、この出願の第２の発明は、前記の感光性ポリイ
ミド組成物の薄膜を基板上に形成し、その薄膜上に活性
エネルギー線を照射し、照射部分に酸を発生させて、照
射部分の芳香族ポリイミドのシリルオキシ基をヒドロキ
シ基に変え、ヒドロキシル化された芳香族ポリイミドを
アルカリ性現像液で溶解し除去して、パターン状被膜を
基板上に形成することを特徴とする感光性ポリイミド組
成物の現像法に関する。

以下に、この発明の感光性ポリイミド組成物、並び
に、その現像法を詳述する。

この発明の組成物において使用される可溶性芳香族ポ
リイミドは、高分子量のポリマーであり、例えば、0.5g
/100m溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）の濃度のポ
リマー溶液で、30℃の測定温度で測定した対数粘度（ポ
リマーの重合度の程度を示す。）が、好ましくは約0.3
〜４、特に約0.5〜３程度であり、また、赤外線吸収ス
ペクトル分析で測定されたイミド化効率が約90％以上、
特に95〜100％であることが好ましい。

前記の可溶性芳香族ポリイミドは、広い範囲の溶媒、
例えば、シクロヘキサノン、クロロホルム、ジクロロメ
タン、ジメチルホルムアミド（DM Ｆ）、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン（NMP）、ジメチルスルホキシド（DMS
O）等に溶解し、特にシクロヘキサノン、クロロホルム
等の吸湿性の低い溶媒中では、保存安定性が非常に高
い。

前記の可溶性芳香族ポリイミドは、分子主鎖の反復単
位当たり、１〜２個のシリルオキシ基（シリルエーテル
基）を有している。

前記のシリルオキシ基は、一般式 RO− 〔但しＲは、（Ｒ′）₃Siまたは（Ｒ′Ｏ）₃Siを示
す。〕（Ｒ′は、芳香族基、アルキル基などを示す）などで示
されるシリルオキシ基であればよく、例えば、トリメチ
ルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプ
ロピルシリルオキシ基などのトリ低級アルキルシリルオ
キシ基、トリメトキシシリルオキシ基、トリエトキシシ
リルオキシ基などのトリアルコキシシリルオキシ基など
を好適に挙げることができる。

前記の芳香族ポリイミドは、そのポリマー主鎖を形成
しているベンゼン環などの芳香環にシリルオキシ基を多
数有しているけれども、前記の芳香環には水酸基などの
他の官能基を実質的に有していないことが、耐熱性、耐
薬品性などの点から好ましい。

この発明の組成物において使用する感光性の酸発生剤
としては、350〜450nmに吸収波長を持ち、その波長の
光、あるいは、Ｘ線、電子線などの活性エネルギー線の
照射によって、好ましくはブレンステッド酸を発生する
ものが好ましく、例えば、（前記の一般式において、Ｒ、Ｒ′、及び、R₁〜R₅はア
ルキル基、フェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリ
ルなどの芳香族基であり、X^-は蔭イオンである。）など
を挙げることができる。

前記の可溶性芳香族ポリイミドは、例えば、芳香族テ
トラカルボン酸又はその酸無水物、あるいはその酸誘導
体と、水酸基が芳香環に直接結合している芳香族ジアミ
ン化合物とから、重合及びイミド化して、側鎖に水酸基
を有する高分子量の芳香族ポリイミドを生成させ、次い
で、該芳香族ポリイミドの溶液にシリルクロライドを添
加して脱塩酸剤の存在下に反応させて、該芳香族ポリイ
ミドの水酸基をシリル化することによって製造すること
ができる。

前記の可溶性の芳香族ポリイミドの製造に使用される
芳香族テトラカルボン酸類としては、2,3,3′,4′−ビ
フェニルテトラカルボン酸またはその酸二無水物が挙げ
られる。

前記の水酸基が芳香環に直接結合している芳香族ジア
ミン化合物としては、１−ヒドロキシ−2,5−ジアミノ
ベンゼン、１−ヒドロキシ−3,5−ジアミノベンゼン、
3,3′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェニル、2,
2′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェニル、4,
4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジアミノビフェニル、3,
3′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、2,2′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、1,4−ビス（３−ヒドロキシ−４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、1,4−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−アミノフェノキシ）ベンゼン、あるいは1,3−
ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェノキシ）ベンゼ
ンが使用される。

前記の可溶性芳香族ポリイミドの製法の好適な例とし
ては、3,3′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェニ
ル（HAB）などの水酸基をベンゼン環に有する芳香族ジ
アミン化合物と、2,3,3′,4′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物（ａ−BPDA）などの芳香族テトラカルボ
ン酸成分とを、略等モル、有機極性溶媒中、高温下（好
ましくは100〜300℃、特に約140〜250℃の高温度下）
で、一段で重合反応及びイミド化反応させて高分子量の
可溶性芳香族ポリイミド（対数粘度;0.2〜５程度）を生
成させ、次いで、該ポリイミドにトリアリルキルシリル
クロライド類（特にトリメチルシリルクロライド、トリ
エチルシリルクロライド、トリイソプロピルシリルクロ
ライド）などのシリル化剤と、イミダゾール、トリエチ
ルアミン、ピリジンなどの脱塩酸剤とを加えて、該ポリ
イミドの水酸基を実質的に全部シリル化して、『シリル
オキシ基を多数有する可溶性芳香族ポリイミド』を製造
する方法を挙げることができる。

また、前記の可溶性芳香族ポリイミドは、前述の酸成
分とジアミン成分との二成分を、略等モル、有機極性溶
媒中、80℃以下の低温下（特に０〜60℃の低温下）で重
合して、高分子量の芳香族ポリアミック酸（芳香族ポリ
イミドの前駆体、対数粘度;0.2〜５程度）を生成し、次
いで、該芳香族ポリアミック酸を適当な条件でイミド化
して可溶性芳香族ポリイミドを製造し、さらに、該ポリ
イミドの溶液に、トリアルキルシリルクロライド類など
のシリル化剤と、イミダゾールなどの脱塩酸剤とを加え
て、該ポリイミドの水酸基をシリル化して、『シリルオ
キシ基含有の可溶性芳香族ポリイミド』を製造すること
ができる。

前記の触媒としては、特に、イミダゾールなどの脱塩
酸剤を好適に挙げることができ、その使用割合は、シリ
ル化剤１モルに対して、１〜10モル程度であることが好
ましい。

さらに、水酸基を有する芳香族ポリイミドをシリル化
する温度は、０〜60℃程度であることが好ましい。

なお、前述の製法において、シリルオキシ基を多数有
する芳香族ポリイミドが生成した溶液を、多量のメタノ
ール、エタノールなどの低級アルコール、水などの溶媒
中に、添加して、ポリマーを粉末状に析出させ、濾別
し、さらに、必要であれば、前述の低級アルコールで充
分に洗浄して、精製された粉末状の芳香族ポリイミドと
して回収することが好ましい。

前述のシリル化された可溶性芳香族ポリイミドは、ア
ルカリ水溶液、例えば、炭酸ナトリウム、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイドの水溶液には全く溶解
しないが、そのシリルオキシ化前、或いは、そのポリマ
ーが加水分解されて、側鎖に水酸基を多数有するポリイ
ミドであれば、２％程度のアルカリ水溶液などにも容易
に溶解する。

この発明の組成物において使用する感光性の酸発生剤
の含有割合については、可溶性ポリイミド100重量部に
対し、0.01〜20重量部、好ましくは0.05〜10重量部で含
有させることが望ましい。その酸発生剤の含有量が多す
ぎる場合はパターン精度に悪影響をもたらすので好まし
くない。

この発明の組成物は、有機溶媒に可溶性であり、集積
回路の製作等に使用する場合には、通常、溶液（レジス
ト溶液組成物）の形で用いられる。この場合、前記溶液
組成物は、前述の有機溶媒に、１〜50重量％、好ましく
は５〜30重量％の割合で前記組成物が溶解していればよ
く、その溶液組成物は、回転粘度で示される溶液粘度
が、20〜10000センチポアズ、特に50〜5000センチポア
ズであることが好ましく、そのような濃度および粘度と
なるように調製することが好ましい。この場合に用いる
溶媒としては、前記の可溶性芳香族ポリイミド、酸発生
剤などを均一に溶解し、かつ、シリコン、アルミニウム
などの基板表面に塗布後、該有機溶媒を蒸発させること
により、均一で平滑な塗膜が形成され得るものであるこ
とが好ましく、可溶性芳香族ポリイミドを溶解させるこ
とができる溶媒としてすでに例示したものを好適に使用
することができる。

また、この発明の組成物には、上記成分の他に、必要
に応じて増感剤、染料、可塑剤、その他の樹脂、熱反応
禁止剤等、各種防止剤、接着性改良剤等を添加すること
ができる。

以下に、このレジストパターンの形成する現像法につ
いて説明する。

まず、前述のようにして調製したこの発明の組成物の
溶液を基板に塗布する。この基板への塗布は、例えば、
スピンナーで行うことができる。次いで、塗膜を有する
基板を、温度60〜160℃、好ましくは80〜120℃で、20〜
60分間乾燥して、厚さ約0.1〜50μｍの感光性ポリイミ
ド組成物の薄膜を形成する。

その乾燥後に、この基板上の薄膜に対し、ポジ型フォ
トマスクチャートを通して、Ｘ線、電子線、紫外線など
の活性エネルギー線を照射すると共に、必要であれば、
照射部分を水で湿らせた濾紙等で覆ったり、水蒸気リッ
チの雰囲気に充分に曝して湿潤状態とした後、80〜160
℃で20〜60分間乾燥させて、露光部分をアルカリ性現像
液で洗い出すことによりレリーフパターンを形成する。

上記アルカリ性現像液としては、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、メタケイ酸ソーダ、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド等の例えば５重量％以下の
濃度の弱アルカリ水溶液を用いることができる。

このようにして形成されたレリーフパターンは、解像
性、コントラストともに良好なものである。

更に、この発明の組成物を用いて、前述のようにして
形成したパターンをマスクとして、銅箔などの基板をエ
ッチングして配線を形成することができる。

〔実施例〕

次に実施例によりこの発明を更に詳細に説明するが、
この発明はこれらの例によってなんら限定されるもので
はない。

実施例１ 2,3,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
（ａ−BPDA）6.8g（23.1m mol）、3,3′−ジヒドロキシ
−4,4′−ジアミノビフェニル（HAB）5.0g（2.31m mo
l）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（NMP）400mlに加
え、室温で溶解させた後、No2の濾紙で濾過し、得られ
た溶液を窒素気流中180℃で11時間、加熱撹拌して、生
成水を含むNMP110mlを流出させて、重合およびイミド化
を１段で行って、水酸基を有する可溶性芳香族ポリイミ
ドを生成させた。得られた均一なポリマー溶液を室温に
戻した後、イミダゾール6.3g（92.5m mol）およびトリ
イソプロピルシリルクロライド19.76ml（92.5m mol）を
加え、室温で６時間撹拌を続けて、最後に、メタノール
1000ml中でポリマーを析出させた。得られたポリマー粉
末は、更に1000mlのメタノールで洗い、五酸化リンの存
在下に一晩真空乾燥して、17g（収率93％）の粉末状の
白色ポリマーを得た。

この芳香族ポリイミドはDMF、NMP、DMSOといった溶媒
から、クロロホルム、シクロヘキサノンまでの幅広い溶
媒に室温で10重量％以上の割合で均一に溶解し、そし
て、その対数粘度（濃度;0.5g/100ml溶媒、溶媒;NMP、
測定温度;30℃）が0.277である。『シリルオキシ基を多
数有する可溶性芳香族ポリイミド（イミド化率;100
％）』であった。

前述のようにして得られた芳香族ポリイミドの粉末の
熱重量分析の結果を第１図に示し、そして、芳香族ポリ
イミドのプロトンNMRの結果を第２図に示す。

前述のようにして得られた芳香族ポリイミドをシクロ
ヘキサノンに溶解して、ポリマー濃度10重量％の均一な
芳香族ポリイミド溶液を調製した。

更に、この芳香族ポリイミド溶液を、ドクターナイフ
を用いてガラス板上に塗布し、約80℃で30分間、続いて
200℃で30分間乾燥して、７μｍの厚さの芳香族ポリイ
ミド製の薄膜を形成させた。

この薄膜について、自記分光光度計（（株）日立製作
所製、380型）を使用して、560〜200nmの波長の光線の
光透過性を測定した。その結果、460〜560nmの波長の光
の透過率が75〜83％であり（400nmの波長の光で30％で
あった）、360nm以下の波長の紫外線の透過率が２％以
下であった。

実施例２ａ−BPDA4.54g（15.4m mol）、ｓ−BPDA2.27g（7.7m
mol）、HAB5.0g（23.1m mol）をNM0200mlに加え、窒素
気流中、180℃で３時間、加熱撹拌し、生成水を含むNMP
25mlを流出させた。室温まで冷却した後イミダゾール6.
3g（92.5m mol）、および、トリエチルシリルクロライ
ド15.6ml（92.5ml）を加え、室温で７時間撹拌した。得
られた均一溶液を水1000ml中に加えたポリマーを析出さ
せ、更にメタノール1000mlで２回洗浄し一晩真空乾燥し
14gの白色粉末を得た。（収率86.1％）得られたポリマーの熱重量分析（TGA）、プロトンNMR
の結果を、第３図、第４図にそれぞれ示す。

また、実施例１同様にして、前記の可溶性芳香族ポリ
イミド溶液から８μｍの薄膜を形成して、560〜200nmの
波長の光線の光透過性を測定した結果、460〜560nmの波
長の光の透過率が75〜83％であり（400nmの波長の光で3
0％であった）、360nm以下の波長の紫外線の透過率が２
％以下であった。

前述のようにして得られたシリルオキシ基を有する可
溶性芳香族ポリイミドの10重量％のシクロヘキサノン溶
液を2000rpmで基板上にスピンコートした試料を80℃で
乾燥させ、200℃で30分間熱処理した後、1mm間隔で100
個の枡目を付け、120℃水蒸気気流中20時間処理をし、
粘着テープでピール剥離試験をした。その結果、残膜率
は、99％以上であった。

なお、シリルオキシ化前の水酸基を有する可溶性芳香
族ポリイミド10重量％のNMP溶液を使用したほかは、前
述と同様のピール剥離試験を行った結果、残膜率は76％
であった。前述のようにして得られたシリルオキシ基を
多数有する可溶性芳香族ポリイミド0.62g、ｐ−ニトロ
ベンジル−9,10−ジエトキシアントラセン−２−スルホ
ネート（NBAS）0.062gをシクロヘキサノン6.2gに溶解
し、シリコンウエハーの上に1000rpm、60秒間、スピン
コートにより0.8μｍの塗膜を作成する。この塗膜を150
℃で10分で乾燥し、ポリイミドと酸発生剤との組成物の
薄膜をシリコンウエハー上に形成し、パターン状マスク
をその薄膜に重ね合わせ、400mj/cm²の強さの光を照射
できる超高圧水銀ランプに曝して、光照射を行うと共
に、さらに、水／メタノール＝１で湿らせた濾紙に覆い
一晩放置して光照射部分を湿潤化し、その後、光照射さ
れた薄膜を有するシリコンウエハーを、200℃で30分間
乾燥させて、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイ
ド２％の水溶液に２分浸し光照射部分を除去してパター
ン被膜を形成する現像を行う。さらに、パターン被膜の
形成されたシリコンウエハーを水で洗浄し乾燥すること
により、６μｍ間隔のパターン被膜がきれいに形成され
ているのが確認された。

〔本発明の作用効果〕

この発明における感光性ポリイミドと酸発生剤とを含
有する組成物は、既にイミド化されている芳香族ポリイ
ミドが使用されているので、イミド化のために高い熱処
理を必要とせず、また、電子線、Ｘ線、電磁波、紫外線
などの活性エネルギー線の照射部と未照射部との溶解度
差をつけることが容易に可能であり、この場合にも特別
の複雑な操作や高い温度を必要としないので、精密なパ
ターンを形成する現像を容易に行うことができるのであ
り、更に、前述の可溶性芳香族ポリイミドを含有してい
る組成物の膜（実質的のポリイミドからなる膜）は、そ
の側鎖の多数有しているシリルオキシ基によって高い接
着性で基板に接合されるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第３図は、ポリマーの熱重量分析の結果のチ
ャートを示す図面であり、第２図及び第４図は、ポリマ
ーのＨ−NMRスペクトルのチャートを示す図面である。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）2,3,3′,4′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸あるいは酸二無水物と、１−ヒドロキシ−2,5
−ジアミノベンゼン、１−ヒドロキシ−3,5−ジアミノ
ベンゼン、3,3′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフ
ェニル、2,2′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェ
ニル、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジアミノビフェニ
ル、3,3′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、2,2′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、1,4−ビス（３−ヒドロキシ−
４−アミノフェノキシ）ベンゼン、1,4−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−アミノフェノキシ）ベンゼン、あるいは
1,3−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェノキシ）
ベンゼンである芳香族ジアミンとを、重合およびイミド
化した後、シリル化して得られる、対数粘度（濃度;0.5
g/100ml溶媒、溶媒;N−メチル−２−ピロリドン、測定
温度;30℃）が0.2〜５であるシリルオキシ基含有の可溶
性芳香族ポリイミド、および、（ｂ）350〜450nmに吸収波長を持ちその波長の光、Ｘ線
あるいは電子線などの活性エネルギー線の照射によって
酸を発生する感光性の酸発生剤が配合されていることを
特徴とする感光性ポリイミド組成物。
【請求項２】請求項第１項記載の感光性ポリイミド組成
物の薄膜を基板上に形成し、その薄膜上に活性エネルギ
ー線を照射し、照射部分に酸を発生させて、照射部分の
芳香族ポリイミドのシリルオキシ基をヒドロキシ基に変
え、ヒドロキシル化された芳香族ポリイミドをアルカリ
性現像液で溶解し除去して、パターン状被膜を基板上に
形成することを特徴とする感光性ポリイミド組成物の現
像法。