JPH03763A - ポジ型感光性ポリイミド組成物 - Google Patents

ポジ型感光性ポリイミド組成物

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JPH03763A
JPH03763A JP1342524A JP34252489A JPH03763A JP H03763 A JPH03763 A JP H03763A JP 1342524 A JP1342524 A JP 1342524A JP 34252489 A JP34252489 A JP 34252489A JP H03763 A JPH03763 A JP H03763A
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JP
Japan
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polyimide
hydrocarbon residue
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arom
positive type
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JP1342524A
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Tsugio Yamaoka
亜夫 山岡
Shu Mochizuki
周 望月
Kazumasa Igarashi
一雅 五十嵐
Toshihiko Omote
利彦 表
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はポジ型感光性ポリイミド組成物に関するもので
ある。
く従来の技術〉 ポリイミドは優れた特注である耐熱性や電気特性0機械
的特性の点から各種電子部品への重速展開に用iられて
hるが0作業工程の合理化の九めにポリイミドに感光性
1−付与する試みが従来からなされていAI。
特に、ポジ型感光性ポリイミドに関してはポリイミド前
駆体に感光性オルトナフトキノンジアジド化合物を混合
する方法(特開昭52−13315号公報)−?、可溶
性ポリイミドに感光性オルトナフト中ノンジアジド化合
物を混合する方法などが提案さnている。
上記感光性ポリイミド組6!i、物は6通常、浴液状態
で基材土にm布、乾燥し、フォトマスクを施したのち紫
外線などの活性光IIIIを照射する。次いで。
任意の現像液で露光部を溶解除去して目的とする画像を
形吠させる。
画像形成後、高温処理を行ないポリイミド環を閉環させ
、浴媒f閉埠水、ナフトキノンンアジド等を揮散除去せ
しめることによって耐熱性を有するポリイミドフィルム
を得るのである。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、一般に1把従来の感光性組収@は、ポリイミド
前駆体もしくはポリイミドに感光性化合物であるオルト
ナフトキノンジアジドを混合しているだけであり8元照
射によりオルトナフトキノンジアジドのみがアルカリ可
溶性となり、゛ポリマー骨格の檎f1は光によっては何
ら変化を主じないものである。
従って、未篇元部の現像液に対する溶解阻止能を向とす
るためにオルトナフトキノンジアジドを多く混合しなけ
れはならず、硬化後の体検収劇が生じ9寸法精度の低下
が着しいという問題がある。
本発明の目的に、ポリマー自体の溶解性を同上させて微
細パターンの形陽においても高感光性を有し、かつ寸法
M度にも優れtポジ鳳感元性ポリイミド組成物を提供す
ることにある。
〈課電を解決するための手段〉 本発明者らに鋭意検討を重ねた結果、特定の官能itイ
ミドポリマーの分子骨格中に導入することにより、上記
目的を達成できることを見い出し。
本発明を完成するに至った。
即ち1本発明のポジ塁感光注ポリイミド組収物は、下記
−数式。
(但し0式中Artに4価の芳香族炭化7X索残基。
AI”2に芳香環のオルソ位またにメタ位の少なくとも
1つの位置にアシルオキシムを有する2価の芳香族炭化
水素P!基、 Ars d 2価の芳香族炭化水素残基
である) で表わされる繰り返し単位を有し1価単位の含育貨が少
なくとも全体の20重景%であるポリイミドを金回する
ことを特徴とする。
上記−数式中のM!は4価の芳香族炭化水素残基であり
、+#4体的にはベンゼン珈fナフタレン環。
アントラセン環などの縮合多謝芳香族、下記−数式。
(但し0式中phはベンゼン環、pは0筐たはlであり
、Xに次の6基が好ましい。
CHs−I  C(CJis)s  t −CO−* 
−8−を−8O2−1−0−9−0−Ph−8−Ph−
0−9−C(CFs)*  、  OPh−8Ox−P
h  O+。
−0−Ph−C(CFs)怠−Ph−0−)lた。前記
−収式中のArc a芳香環のオルソ位またはメタ位の
少なくとも1つの位置にアシルオキシ基を有する2価の
芳香族炭化水素残基であり。
具体的には次の%基が好ましい。
−Ph(ORx)  Ph(OR鵞)−−Ph(ORx
)  C(CFs)*  Ph(ORt)−(但し、R
1およびR3は水素原子、 R5C0−で表わされるア
シル基1を框Rn5i−でめ9.少なくとも一万はアシ
ル基である。尚、R4r!)リメチル基またはジメチル
エチル基である。Rsとしては具体的には次の%基が好
ましい。
CHs  * CfimC(CHsh  t CHsC
)i(CHs)2*CFsC(CFs)z  、CHs
C(CHs)zo  )まt、前記−収式中のArs框
2価の芳香族炭化水素残基であり、 Art  を導入
するためのジアミンとしては1例えば4,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、3.3’−ジメチル−4,4′
−ジアミノジフェニルエーテル 3,3′−ジフト中シ
ー4,4′−ジアミノジフェニルエーテル 3,3−ジ
アミノジフェニルエーテル 3.4−ジアミノジフェニ
ルエーテル等のジフェニルエーテル糸シアミン、4゜4
−ジアミノジフェニルチオエーテル 3.3’−ジメチ
ル−4,4′−ジアミノジフェニルチオエーテル 3,
3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルチオ
エーテル 3,3−ジアミノジフェニルチオエーテル等
ノシフェニルチオエーテル系ジアミン a 、  4/
−ジアミノベンゾフェノン、3゜3′−ジメチル−4,
4′−ジアミノベンゾフェノン3.3′−ジアミノベン
ゾフェノン等のベンゾフェノン系ジアミン、3.3’−
ジアミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェ
ニルメタン、3゜3−ジメチル−4,4−ジアミノジフ
ェニルメタン等のジフェニルメタン系ジアミン、2,2
′−ビス(4−7ミノフエニル)プロパン、2.2’−
に’ス(3−7ミノフエニル)プロパン等のビスフェニ
ルプロパン系ジアミン、4,4−ジアミノジフェニルス
ルホ中シト、3.3’−ジアミノジフェニルスルホキシ
ド等のジフェニルスルホキシド系ジアミン、4,4−ジ
アミノジフェニルスルホン。
3.3′−ジアミノジフェニルスルホン等のジフェニル
スルホン系ジアミン、ベンジジン、3. 3−ジメチル
ベンジジン 3,3−ジメトキシベンジジン、3,3−
ジアミノビフェニル等のビフェニル系ジアミン、2,6
−ジアミノピリジン、2゜5−ジアミノピリジン、3,
4−ジアミノピリジン等のピリジン系ジアミン、o−、
m−ま友はp−ジアミノベンゼン等のベンゼン系ジアミ
ン、その化4.4’−ジ(p−7ミノフエノキシ)ジフ
ェニルプロパン 4,4−ジ(m−アミノフェニルスル
ホニル)ジフェニルエーテル 4.4−ジ(P−7eノ
フエニルスルホニル)ジフェニルエーテル 4. 4−
シ(m−7ミ/フエニルチオエーテル)ジフェニルスル
フィド、l 4,4−ジ(p−yiミノフェニルチオエ
ーテルジフェニルスルフィド、4,4−ジ(m−アミノ
フェノキシ)ジフェニルケトン、4,4−ジ(p−アミ
ノフェノキシ)ジフェニルクトン、4.4’−ジ(m−
アミノフェノ牛ジノジフェニルメタン 4,4−7CP
−7ミノフエノキシ)ジフェニルメタン、2゜5−ジア
ミノトルエン、2,4−ジアミノキ7レン、ンアミノジ
ュレン 1.5−ジアミノナフタレン、2,6−ジアミ
ノナフタレン等が挙げられる。
本発明のポジ型感光性ポリイミド組戎6e!Jは1以上
のような構造の#り返し単位を有するボリイミ位の含有
量が20電童%よりも少ないと、ポリマー自体の感光性
に尖るようになり、解像度の高いレリーフ像を得ること
か困−となる。
本発明のポジmM光性ポリイミド組戎物は1例えば以下
の方法で得ることができる。
上記構造を分子内jc[する9g!!I!テト2カルボ
ン酸二無水物と、ヒドロキシル基を含有する芳香族ジア
ミンまたは該ジアミノと他の芳香族ジアミンとの混合物
とを略等モルを有機溶媒中で反応させる。有機/1!媒
としては1例えばN−メチル−2−ピロリドン、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホ中シト、ヘキサメチレンホスホルトリアミド、ピリジ
ンfクレゾール フェノール、キシレノール等が挙ケら
れる。
場合によっては、J:、記溶媒と共にヘキサン、ベンゼ
ン トルエン、中7レン、アルコール等の汎用溶媒を併
用してもよい。
次いで、上記反応によって得らnるポリイミド前駆体に
、アシル化の几めの酸無水物およびピリジンを株加して
ヒドロキシル基のアシル化(アシルオキシ化)およびイ
ミド転化を行ない本発明の組成物に含有する前記−数式
のポリイミドが得られる。
また、別法と1.ては、予めアシルオキシ基を導入した
芳香族ジアミン夜分と芳香族テトラカルボン酸二無水物
とを反応させることによっても得ることができる。
さらに別法としてはポリイミド前駆体溶液を加熱#1m
してポリイミドを得、これをトリエチルアミンなどの塩
基性触媒存在下にてアシル化を行ない、アシルオキシ基
を導入することがでさる。
本発明の組成物に含有する感光性ポリイミドは。
以上のよりVζポリマー骨格を特定構造に設計している
ので、有機溶剤に対する溶解性が極めて良好となり1例
えばr−ブチロラクトン、ジグライム。
トリグライム、シクロヘキナノン ジオキサン。
メチルセルノルプ、エチルセルノルブ、クロロホルム等
の汎用1!機溶剤に溶解できるものである。
本発明のポジ型感光注ポリイミド組戎物は、上記−数式
の感光性ポリイミド前駆体有してなるものであり、光分
解性プロトン発生剤を配合して険用に供する。このよう
な光分解性プロトン発生剤としては公知の物質が開用で
き1例えばジアリルスルホニウム塩(Ard”X−)1
1 ) Uアリルスルホニウム塩(Ars S”X −
) 、ジアルキル7エナシルスルホニウム塩、アリルジ
アゾニウム塩(ArNh”Xつ。
芳香族テトラカルボン酸エステル、芳香族スルホン酸エ
ステル ニトロベンジルエステル、 芳kiスルフ1ミ
ドなどが用いられ、これらは一種類もしくは二種類以上
組み合わせて夏用する。これらのプロトン発生剤に前記
ポリイミドに対して1〜50重量%、好ましくrts〜
15砿童%の範囲で配合する。配合麓が少ない場合は、
酸加水分解速度が遅くなって感度が低下し、ま友多い場
合は。
感光1&七のものの安定?![おいて好ましくない。
本発明のポジ型感光性ポリイミド組成物を用いて画像を
形成する方法の一例を以下に示す。
まず該ポリイミドに光分解性プロトン発生剤を添加し、
有機溶剤に溶解させて感光溶液t−調製し。
基材とに乾燥厚1〜30μ嘱、好筐しくに3〜10μ鴨
で塗布する。次に形成され比m膜を乾燥したのち。
通常のフォトマスクを通して廁光を行なう。
鱈光後、照射部を除去すべく浸漬法やスプレー法などを
用いて現像を行なう。この際に用いる現像液としては、
lI光l1lIを適当な時間内で完全に溶解除去しうる
ものが工〈、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無
機アルカリ水浴液、もしくはプロピルアミン ブチルア
ミン、モノエタノールアミン トリメチルアンモニウム
ハイトリイド。
エチレンジアミン。トリメチレンジアミン等の有機ジア
ミン化合物等を単独で、’!7IP:、ば2樵以上混合
して用いる。場合によっては、こnらのアミン化合物に
メタノール エタノール プロパツールエチレングリコ
ール エチルセルンルブ、ブチルセルソルブ、ジエチレ
ングリコール エチルカルピトール ブチルカルピトー
ル、水等のポリイミドに対する1!媒を電音してもよい
現像後、リンス液にて洗浄することにより、所望のポリ
イミドパターン(画像)を得ることができる。リンス液
としては、メタノール エタノール、水、酢酸インアミ
ルなどの1樵ま7?、は2樵以上が用いられる。また、
現像液として有機溶剤。
カえばクロロホルム、塩化メチレンなどを用いるとネガ
パターンを形成することもできる。
〈発明の効果〉 本発明のポジ温感光性ポリイミド組成物は、有64剤に
対する溶解性を良好にするためのアシルオキシ基を主鎖
に導入した特定のポリイミドを含有しているので、光照
射に伴いポリイきド中のアシルオキシ基が加水分解され
、アルカリ町m性に変化を起こす。その結果、従来のポ
ジ型感光注ポリイミドでri達成できなかった微細パタ
ーンの形成が可能となるのである。
さらに、浴剤可溶性のポリイミドを用いているので、イ
ミド転化の際の高温加熱逃場1に施す必要がなく1体積
収縮の少ない寸法安定性に優れたレリーフ像が得られる
◇ 従って1本発明のポリイミド組成物は半導体工業におけ
る固体素子への保護層や絶縁膜、パッジベージコン膜な
どの形成の之めの耐熱性材料−?フォトレゾストとして
好適に用いることができる。
〈実施例〉 以下に実施例を示し1本発明をさらに具体的に説明する
実施例1〜5および比較例1〜2 前記一般式中のAR1# ARx* ARsおよびRa
t R2を第1表中の残基とした芳沓族テトラカルボン
酸二無水@訃工び芳香族ジアミンとを、′IN!1等モ
ルとなるようにN−メチル−2−ピロリドン中にて25
℃で反応させ、ポリイミド前躯体浴液t−得な。
次に、この浴液t−o℃に保ちながら、Rt −0−R
1もしく框Rz −<i −Rtの構造t−有する酸無
水物およびピリジンをさらに龜加して、室温下で2時間
反応させた。得られた反応物を貧溶媒VC投入j−1目
的とするアシルオキシ基含有のポリイミドを得た。
このポリイミドの対数粘度に各実施例共、25℃。
N−メチル−2−ピロリドン中で0.2〜0.9  の
範囲内であった。
なお、比較例2の場合框、ポリイミド前駆体を撹拌しな
がら190℃まで昇温し、ポリイミド溶成を得た。
(以下、余白) 実験例1 実施例1にて得らtL7tポリイミドをシクロヘキサノ
ン中に固形分濃度が30@鴛%となるように俗解して、
感光溶液とし、こルに光分解性プロト/発生剤(ハラニ
トロベンジル−9,10−9メトキシアントラセン−2
−スルホナート)ヲポリイミドに対し゛(10重量%龜
刃口した。
この浴液tシリコンウェハ上にスピンコードすることに
よって、乾燥m厚3μ喝のフィルムを形成し、−f:の
のち石英マスクを通して250Wの超高圧水銀灯を用い
て光源から30 cm cQ 8Fiで3分間、真空密
盾露元を竹なり九〇 現像にはテトラメチルアンモニクムハイドロオキサイド
を用い、90秒間浸漬法VCて行ない、そののちリンス
液として水もしくは水に少量の酢酸を添加した浴液を用
いて20秒間浸漬して乾燥し友。
このようにして得らnたレリーフ像を4子顕微鏡にて観
察したところ、アスペクト比1.0の3μ惰のラインを
解像していた。また、このレリーフ像t−350℃で3
0分間加熱処理したところ1体槓収kiKri17%で
あっ7′?、。
実験9112および3 実施例2および3にて得られ九ポリイミドを実llA例
1と同様にして感光溶液とし、フィルム化して路光を行
なつtoなお、露光時間を実施例2のものは3分間、実
施例3のものは10分間とした。
次に1歩像を2分間、リンスを30秒間とした以外に実
験?lJ 1と同様にしてレリーフ像を作製した。
この工うにして得られたレリーフ像は、¥施例2(1)
104μ鴨、実施例3のもので5μ堝でで解像しており
1体積収l@11藁にそれぞれ20%および12%であ
った。
実験例5および6 実施例4および5にて得られたポリイミドを実験?Il
lと同様にしてレリーフ像を作製し次。
得られたレリーフ像にアスペクト比2.0(03μmの
ラインを共に解像しており1体積収縮率に共に20%で
あつ之。
実験例6および7 比較例1お工び比較例2Vcて得らn7’5ポリイミド
金実験例1と同様にしてレリーフ像を作製し7t。
しかし、比較例1のものはアシルオ牛シ基の含有量が少
ない之めに、露光時間を30分とし、現像を60分以上
としたが長時間浸漬のtめにレリーフパターンが浸され
、良好なレリーフ像を得ることができなかった。
また、比45i!例2のものrcm光時間を60分以上
としても現像時にホリイミドが膨胸するだけであり、レ
リーフ*を得ることができなかった。
特許出纏人 日東電工株式会社 代表′JI録居五朗

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中Ar_1は4価の芳香族炭化水素残基、A
    r_2は芳香環のオルソ位またはメタ位の少なくとも1
    つの位置にアシルオキシ基を有する2価の芳香族炭化水
    素残基、Ar_3は2価の芳香族炭化水素残基である) で表わされる繰り返し単位を有し、m単位の含有量が少
    なくとも全体の20重量%であるポリイミドを含有する
    ことを特徴とするポジ型感光性ポリイミド組成物。
JP1342524A 1989-01-09 1989-12-27 ポジ型感光性ポリイミド組成物 Pending JPH03763A (ja)

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JP1-2500 1989-01-09
JP250089 1989-01-09
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