JP2876721B2 - ポリイミド・パターンの形成方法 - Google Patents
ポリイミド・パターンの形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、感光性ポリイミドを用いて、現像残膜のな
いポリイミド・パターンを銅配線上に形成する方法に関
するものである。
いポリイミド・パターンを銅配線上に形成する方法に関
するものである。
［従来の技術］ ポリイミド前駆体に感光性を付与した感光性ポリイミ
ド前駆体を用いてポリイミド・パターンを形成すること
は、例えば特公昭59−52822号公報の記載の通り公知で
ある。かかる感光性材料は、電子デバイス実装基板にお
いて、多層配線の層間絶縁層として有用である。この用
途では、下部配線と外部リードの導通のために絶縁層に
スルーホール（接続孔）を形成する必要がある。
ド前駆体を用いてポリイミド・パターンを形成すること
は、例えば特公昭59−52822号公報の記載の通り公知で
ある。かかる感光性材料は、電子デバイス実装基板にお
いて、多層配線の層間絶縁層として有用である。この用
途では、下部配線と外部リードの導通のために絶縁層に
スルーホール（接続孔）を形成する必要がある。
スルーホールは、通常次の４つの工程を経て形成され
る。
る。
（１）下部配線形成済みの基板に感光性ポリイミド前駆
体の膜を形成する、 （２）スルーホール部をマスクして露光する、 （３）現像液でスルーホール部（未露光部）の感光性ポ
リイミド前駆体を溶解除去する、 （４）熱処理することによりイミド化する。
体の膜を形成する、 （２）スルーホール部をマスクして露光する、 （３）現像液でスルーホール部（未露光部）の感光性ポ
リイミド前駆体を溶解除去する、 （４）熱処理することによりイミド化する。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆
体を用い、この方法で銅配線上にスルーホールを形成し
ようとすると、銅と感光性ポリイミド前駆体構造中のカ
ルボキシル基との反応のため、本来現像液で感光性ポリ
イミド前駆体が除去されるべきスルーホール部に、現像
残膜が生じ、上・下配線間の導通が不良となる問題があ
った。この現像残膜は、ポリイミドのエッチング剤もし
くはプラズマで処理を行っても、容易に除去できないた
め、予め銅配線上に、銅と感光性ポリイミド前駆体との
反応を防止するため、スパッタリングなどにより金属ク
ロムなどの薄膜を設け、これをエッチング除去する方法
が一般的に採用されている。しかし、かかる従来の方法
は、工程が煩雑でコストが高くなるという問題があっ
た。
体を用い、この方法で銅配線上にスルーホールを形成し
ようとすると、銅と感光性ポリイミド前駆体構造中のカ
ルボキシル基との反応のため、本来現像液で感光性ポリ
イミド前駆体が除去されるべきスルーホール部に、現像
残膜が生じ、上・下配線間の導通が不良となる問題があ
った。この現像残膜は、ポリイミドのエッチング剤もし
くはプラズマで処理を行っても、容易に除去できないた
め、予め銅配線上に、銅と感光性ポリイミド前駆体との
反応を防止するため、スパッタリングなどにより金属ク
ロムなどの薄膜を設け、これをエッチング除去する方法
が一般的に採用されている。しかし、かかる従来の方法
は、工程が煩雑でコストが高くなるという問題があっ
た。
本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑み創案されたも
ので、その目的とするところは、銅配線上における現像
残膜の発生を確実に防止することのできるポリイミド・
パターンの形成方法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、銅配線上における現像
残膜の発生を確実に防止することのできるポリイミド・
パターンの形成方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、ポリアミド酸型感光性ポリイ
ミド前駆体を用い、銅配線上にポリイミド・パターンを
形成する方法において、 A.銅配線上にクロメート処理する、 B.銅配線上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、 C.パターン状の光を照射し、ついで現像する、 D.得られたポリイミド前駆体のパターンを加熱すること
により、ポリイミド・パターンに変換する、 の各工程から成ることを特徴とするポリイミド・パター
ンの形成方法により達成される。
ミド前駆体を用い、銅配線上にポリイミド・パターンを
形成する方法において、 A.銅配線上にクロメート処理する、 B.銅配線上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、 C.パターン状の光を照射し、ついで現像する、 D.得られたポリイミド前駆体のパターンを加熱すること
により、ポリイミド・パターンに変換する、 の各工程から成ることを特徴とするポリイミド・パター
ンの形成方法により達成される。
本発明でいう銅配線とは、基板上に設けられた金属銅
または銅の合金からなるパターン状または全面に形成さ
れた層を意味する。基板上への銅層の形成は通常、電界
鍍金、スパッタリング、真空蒸着などにより行われ、ま
たパターン層の形状はフオトリソグラフィ方式など公知
の方法により行うことができる。
または銅の合金からなるパターン状または全面に形成さ
れた層を意味する。基板上への銅層の形成は通常、電界
鍍金、スパッタリング、真空蒸着などにより行われ、ま
たパターン層の形状はフオトリソグラフィ方式など公知
の方法により行うことができる。
本発明におけるクロメート処理とは、無水クロム酸、
重クロム酸塩またはクロム酸塩などの水溶液中に基板を
浸漬させ、六価のクロム、三価のクロムおよび結晶水か
らなる複塩の皮膜を銅配線上に形成するものである。重
クロム酸塩およびクロム酸塩としては、水溶液中で電離
するものであればどのような塩でも良く、好例としては
重クロム酸ナトリウム、重クロム酸カリウム、クロム酸
カリウム、クロム酸ナトリウムなどが挙げられる。クロ
メート処理液の濃度としては、無水クロム酸または重ク
ロム酸塩あるいはクロム酸塩の0.5〜10％水溶液が好ま
しい。より好ましくは、１〜２％水溶液がよい。浸漬時
間は10〜200秒が好ましい。より好ましくは30〜60秒で
ある。なおクロメート処理後は、基板を水洗し乾燥する
ことが好ましい。
重クロム酸塩またはクロム酸塩などの水溶液中に基板を
浸漬させ、六価のクロム、三価のクロムおよび結晶水か
らなる複塩の皮膜を銅配線上に形成するものである。重
クロム酸塩およびクロム酸塩としては、水溶液中で電離
するものであればどのような塩でも良く、好例としては
重クロム酸ナトリウム、重クロム酸カリウム、クロム酸
カリウム、クロム酸ナトリウムなどが挙げられる。クロ
メート処理液の濃度としては、無水クロム酸または重ク
ロム酸塩あるいはクロム酸塩の0.5〜10％水溶液が好ま
しい。より好ましくは、１〜２％水溶液がよい。浸漬時
間は10〜200秒が好ましい。より好ましくは30〜60秒で
ある。なおクロメート処理後は、基板を水洗し乾燥する
ことが好ましい。
本発明におけるポリイミド前駆体としては、ピロメリ
ット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物などのテトラカルボン酸二無水物と、4,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルス
ルホン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、メタフ
ェニレンジアミン、パラフェニレンジアミンなどのジア
ミンとを非プロトン性極性溶媒中で反応させて得られる
ポリアミド酸が挙げられるが、これらに限定されない。
ット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物などのテトラカルボン酸二無水物と、4,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルス
ルホン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、メタフ
ェニレンジアミン、パラフェニレンジアミンなどのジア
ミンとを非プロトン性極性溶媒中で反応させて得られる
ポリアミド酸が挙げられるが、これらに限定されない。
非プロトン性極性溶媒の好ましい例としては、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、
N,N−ジメチルホルムアミドなどが挙げられるが、これ
らに限定されない。
チル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、
N,N−ジメチルホルムアミドなどが挙げられるが、これ
らに限定されない。
本発明で用いるポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆
体とは、前記のごときポリアミド酸に感光性化合物を導
入したものをいう。ポリイミド前駆体を感光化するため
に使用される感光性化合物としては、ビスアジド、ビニ
ル基を有するアミノ化合物など公知のものが挙げられ
る。具体的な感光性ポリアミド前駆体の組成としては、
たとえば特公昭59−52822号公報に記載されているもの
を挙げることができる。
体とは、前記のごときポリアミド酸に感光性化合物を導
入したものをいう。ポリイミド前駆体を感光化するため
に使用される感光性化合物としては、ビスアジド、ビニ
ル基を有するアミノ化合物など公知のものが挙げられ
る。具体的な感光性ポリアミド前駆体の組成としては、
たとえば特公昭59−52822号公報に記載されているもの
を挙げることができる。
クロメート処理された銅配線上に感光性ポリイミド前
駆体の膜を形成する方法としては、公知の塗膜形成方法
が採用できる。たとえばスピナによる方法が好例として
挙げられる。
駆体の膜を形成する方法としては、公知の塗膜形成方法
が採用できる。たとえばスピナによる方法が好例として
挙げられる。
パターン状の光を照射する方法としては、感光性ポリ
イミド前駆体の膜上にマスクを置き、光を照射する公知
の方法が例として挙げられる。感光性ポリイミドの感光
性の面から、通常光源としては、紫外光が用いられる。
イミド前駆体の膜上にマスクを置き、光を照射する公知
の方法が例として挙げられる。感光性ポリイミドの感光
性の面から、通常光源としては、紫外光が用いられる。
現像は感光性ポリイミド前駆体の組成に応じた最適の
現像液で行うのが好ましい。通常、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミドなどのポリイミド前駆体の溶媒か、あるい
はこれらの溶媒と、メタノールやエタノールなどのポリ
イミド前駆体の非溶媒との混合溶媒を、現像液として用
いることができる。
現像液で行うのが好ましい。通常、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミドなどのポリイミド前駆体の溶媒か、あるい
はこれらの溶媒と、メタノールやエタノールなどのポリ
イミド前駆体の非溶媒との混合溶媒を、現像液として用
いることができる。
ポリイミド前駆体のポリイミドへの変換は、200℃〜4
00℃で熱処理することにより行うことができる。熱処理
時間は５分から30分ぐらいで良い。熱処理は単一温度で
行ってもよいし、段階的に、あるいは連続的に昇温しな
がら行ってもよい。スルーホール部のクロメート処理皮
膜は、熱処理すると接触抵抗が大きくなるので、過硫酸
アンモニウム水溶液などで表面をエッチングするか、プ
ラズマ処理などの手法で除去するのが望ましい。
00℃で熱処理することにより行うことができる。熱処理
時間は５分から30分ぐらいで良い。熱処理は単一温度で
行ってもよいし、段階的に、あるいは連続的に昇温しな
がら行ってもよい。スルーホール部のクロメート処理皮
膜は、熱処理すると接触抵抗が大きくなるので、過硫酸
アンモニウム水溶液などで表面をエッチングするか、プ
ラズマ処理などの手法で除去するのが望ましい。
［発明の効果］ 本発明の形成方法によれば、銅配線上にポリイミド・
パターンを形成する場合に、現像残膜の無いポリイミド
・パターンを確実に形成でき、銅配線上に形成されるス
ルーホールにおける電気的接続の導通不良の問題を解決
し得る。
パターンを形成する場合に、現像残膜の無いポリイミド
・パターンを確実に形成でき、銅配線上に形成されるス
ルーホールにおける電気的接続の導通不良の問題を解決
し得る。
［実施例］ 実施例１ シリコンウエハー上に、スパッタリングにより3.0μ
ｍの銅層を形成させた後、フォトリソグラフィ方式によ
り、所望の配線パターンを得た。次に１％の重クロム酸
カリウム水溶液中に45秒間浸漬させ、引上げた後蒸留水
で水洗し、乾燥した窒素を当てることにより乾燥させ
た。クロメート処理膜（クロメート処理により得られた
皮膜）の膜厚は約0.1μｍであった。一方4,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル20.0gを200ccのＮ−エチル−２−
ピロリドンに溶解し、室温（約18℃）で撹拌しながら、
3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物32.2gを粉体で仕込み、室温で１時間撹拌し、更に55
℃で２時間撹拌を続けた。この溶液に、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート31.4gおよびミヒラーズ・ケトン
0.94gを85gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解した溶
液を添加、混合することにより、感光性ポリイミド前駆
体の溶液を得た。得られた感光性ポリイミド前駆体の溶
液を、クロメート処理した銅配線パターン上にスピナに
より塗布した。80℃で１時間乾燥を行った後、露光量30
0mJ/cm2で露光し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、キシ
レンおよび水の7:3:1の混合液で現像を行った後、イソ
プロピルアルコールでリンスしポリイミド前駆体パター
ンを形成した。このとき、スルーホール部に現像残膜の
形成は無かった。その後120℃で１時間キュアし、さら
に400℃まで５℃/minで昇温し400℃に１時間保ちポリイ
ミド・パターンを得た。その後10％の過硫酸アンモニウ
ム水溶液でスルーホール部のクロメート処理膜をエッチ
ングした。このようにして得られたポリイミド・パター
ンの膜厚は10μｍであった。またスルーホール部の電気
伝導性を調べたところ、導通性は良好であった。
ｍの銅層を形成させた後、フォトリソグラフィ方式によ
り、所望の配線パターンを得た。次に１％の重クロム酸
カリウム水溶液中に45秒間浸漬させ、引上げた後蒸留水
で水洗し、乾燥した窒素を当てることにより乾燥させ
た。クロメート処理膜（クロメート処理により得られた
皮膜）の膜厚は約0.1μｍであった。一方4,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル20.0gを200ccのＮ−エチル−２−
ピロリドンに溶解し、室温（約18℃）で撹拌しながら、
3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物32.2gを粉体で仕込み、室温で１時間撹拌し、更に55
℃で２時間撹拌を続けた。この溶液に、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート31.4gおよびミヒラーズ・ケトン
0.94gを85gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解した溶
液を添加、混合することにより、感光性ポリイミド前駆
体の溶液を得た。得られた感光性ポリイミド前駆体の溶
液を、クロメート処理した銅配線パターン上にスピナに
より塗布した。80℃で１時間乾燥を行った後、露光量30
0mJ/cm2で露光し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、キシ
レンおよび水の7:3:1の混合液で現像を行った後、イソ
プロピルアルコールでリンスしポリイミド前駆体パター
ンを形成した。このとき、スルーホール部に現像残膜の
形成は無かった。その後120℃で１時間キュアし、さら
に400℃まで５℃/minで昇温し400℃に１時間保ちポリイ
ミド・パターンを得た。その後10％の過硫酸アンモニウ
ム水溶液でスルーホール部のクロメート処理膜をエッチ
ングした。このようにして得られたポリイミド・パター
ンの膜厚は10μｍであった。またスルーホール部の電気
伝導性を調べたところ、導通性は良好であった。
比較例１ シリコンウエハー上に、実施例１と全く同様にして配
線パターンを得た後、実施例１と同じ感光性ポリイミド
前駆体を、スピナにより塗布した。その後、実施例１と
同じ条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミド
前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホール部
に現像残膜の形成が見られた。その後120℃で１時間キ
ュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時間400℃
に保ちポリイミド・パターンを得た。このようにして得
られたポリイミド・パターンの膜厚は10μｍであり、ス
ルーホール部の現像残膜の膜厚は約0.5μｍであった。
またスルーホール部の電気伝導性を調べたところ、導通
不良であった。
線パターンを得た後、実施例１と同じ感光性ポリイミド
前駆体を、スピナにより塗布した。その後、実施例１と
同じ条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイミド
前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホール部
に現像残膜の形成が見られた。その後120℃で１時間キ
ュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時間400℃
に保ちポリイミド・パターンを得た。このようにして得
られたポリイミド・パターンの膜厚は10μｍであり、ス
ルーホール部の現像残膜の膜厚は約0.5μｍであった。
またスルーホール部の電気伝導性を調べたところ、導通
不良であった。
実施例２ シリコンウエハー上に、真空蒸着により0.2μｍの銅
層を形成させ、さらに電解鍍金により2.8μｍの銅層を
形成させた後、フォトリソグラフィ方式により所望の配
線パターンを得た。次に１％の重クロム酸カリウム水溶
液中に45秒間浸漬させ、引上げた後蒸留水で水洗し、乾
燥した窒素を当てることにより乾燥させた。クロメート
処理膜の膜厚は約0.1μｍであった。このクロメート処
理した銅配線パターン上に、実施例１と同じ感光性ポリ
イミド前駆体を、スピナにより塗布した。その後、実施
例１と同じ条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリ
イミド前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホ
ール部に現像残膜の形成は無かった。その後120℃で１
時間キュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時
間400℃に保ちポリイミド・パターンを得た。その後10
％の過硫酸アンモニウム水溶液でスルーホール部のクロ
メート処理膜をエッチングした。このようにして得られ
たポリイミド・パターンの膜厚は10μｍであった。また
スルーホール部の電気伝導性を調べたところ、導通性は
良好であった。
層を形成させ、さらに電解鍍金により2.8μｍの銅層を
形成させた後、フォトリソグラフィ方式により所望の配
線パターンを得た。次に１％の重クロム酸カリウム水溶
液中に45秒間浸漬させ、引上げた後蒸留水で水洗し、乾
燥した窒素を当てることにより乾燥させた。クロメート
処理膜の膜厚は約0.1μｍであった。このクロメート処
理した銅配線パターン上に、実施例１と同じ感光性ポリ
イミド前駆体を、スピナにより塗布した。その後、実施
例１と同じ条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリ
イミド前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホ
ール部に現像残膜の形成は無かった。その後120℃で１
時間キュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時
間400℃に保ちポリイミド・パターンを得た。その後10
％の過硫酸アンモニウム水溶液でスルーホール部のクロ
メート処理膜をエッチングした。このようにして得られ
たポリイミド・パターンの膜厚は10μｍであった。また
スルーホール部の電気伝導性を調べたところ、導通性は
良好であった。
比較例２ シリコンウエハー上に、実施例２と全く同様にして配
線パターンを形成した後、実施例１と同じ感光性ポリイ
ミド前駆体を、スピナにより塗布した。その後、実施例
１と同じ条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイ
ミド前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホー
ル部に現像残膜の形成が見られた。その後120℃で１時
間キュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時間4
00℃に保った。このようにして得られたポリイミド・パ
ターンの膜厚は10μｍであり、スルーホール部の現像残
膜の膜厚は約0.5μｍであった。またスルーホール部の
電気伝導性を調べたところ、導通不良であった。
線パターンを形成した後、実施例１と同じ感光性ポリイ
ミド前駆体を、スピナにより塗布した。その後、実施例
１と同じ条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイ
ミド前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホー
ル部に現像残膜の形成が見られた。その後120℃で１時
間キュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時間4
00℃に保った。このようにして得られたポリイミド・パ
ターンの膜厚は10μｍであり、スルーホール部の現像残
膜の膜厚は約0.5μｍであった。またスルーホール部の
電気伝導性を調べたところ、導通不良であった。
実施例３ シリコンウエハー上に、実施例２と全く同様にして配
線パターンを形成した後、１％の無水クロム酸水溶液中
に45秒間浸漬させ、引上げた後蒸留水で水洗し、乾燥し
た窒素を当てることにより乾燥させた。クロメート処理
膜の膜厚は約0.1μｍであった。一方4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル20.0gを200ccのＮ−メチル−２−ピロ
リドンに溶解し、室温（約18℃）で撹拌しながら、3,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.4g
を粉体で仕込み、室温で１時間撹拌し、更に55℃で３時
間撹拌を続けた。この溶液に、ジメチルアミノメタクリ
レート31.4gおよびミヒラーズ・ケトン0.94gを85gのＮ
−メチル−２−ピロリドンに溶解した溶液を添加、混合
することにより、感光性ポリイミド前駆体の溶液を得
た。得られた感光性ポリイミド前駆体の溶液を、クロメ
ート処理した銅配線パターン上にスピナにより塗布し
た。その後、実施例１と同じ条件で乾燥、露光、現像、
リンスを行いポリイミド前駆体パターンを形成した。こ
のとき、スルーホール部に現像残膜の形成は無かった。
その後120℃で１時間キュアし、さらに400℃まで５℃/m
inで昇温し１時間、400℃に保ちポリイミド・パターン
を得た。その後10％の過硫酸アンモニウム水溶液でスル
ーホール部のクロメート処理膜をエッチングした。この
ようにして得られたポリイミド・パターンの膜厚は10μ
ｍであった。またスルーホール部の電気伝導性を調べた
ところ、導通性は良好であった。
線パターンを形成した後、１％の無水クロム酸水溶液中
に45秒間浸漬させ、引上げた後蒸留水で水洗し、乾燥し
た窒素を当てることにより乾燥させた。クロメート処理
膜の膜厚は約0.1μｍであった。一方4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル20.0gを200ccのＮ−メチル−２−ピロ
リドンに溶解し、室温（約18℃）で撹拌しながら、3,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.4g
を粉体で仕込み、室温で１時間撹拌し、更に55℃で３時
間撹拌を続けた。この溶液に、ジメチルアミノメタクリ
レート31.4gおよびミヒラーズ・ケトン0.94gを85gのＮ
−メチル−２−ピロリドンに溶解した溶液を添加、混合
することにより、感光性ポリイミド前駆体の溶液を得
た。得られた感光性ポリイミド前駆体の溶液を、クロメ
ート処理した銅配線パターン上にスピナにより塗布し
た。その後、実施例１と同じ条件で乾燥、露光、現像、
リンスを行いポリイミド前駆体パターンを形成した。こ
のとき、スルーホール部に現像残膜の形成は無かった。
その後120℃で１時間キュアし、さらに400℃まで５℃/m
inで昇温し１時間、400℃に保ちポリイミド・パターン
を得た。その後10％の過硫酸アンモニウム水溶液でスル
ーホール部のクロメート処理膜をエッチングした。この
ようにして得られたポリイミド・パターンの膜厚は10μ
ｍであった。またスルーホール部の電気伝導性を調べた
ところ、導通性は良好であった。
比較例３ シリコンウエハー上に、実施例２と全く同様にして配
線パターンを形成した後、実施例３と同じ感光性ポリイ
ミド前駆体を、スピナにより塗布した。その後、実施例
１と同じ条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイ
ミド前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホー
ル部に現像残膜の形成が見られた。その後120℃で１時
間キュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時間4
00℃に保った。このようにして得られたポリイミド・パ
ターンの膜厚は10μｍであり、スルーホール部の現像残
膜の膜厚は約0.5μｍであった。またスルーホール部の
電気伝導性を調べたところ、導通不良であった。
線パターンを形成した後、実施例３と同じ感光性ポリイ
ミド前駆体を、スピナにより塗布した。その後、実施例
１と同じ条件で乾燥、露光、現像、リンスを行いポリイ
ミド前駆体パターンを形成した。このとき、スルーホー
ル部に現像残膜の形成が見られた。その後120℃で１時
間キュアし、さらに400℃まで５℃/minで昇温し１時間4
00℃に保った。このようにして得られたポリイミド・パ
ターンの膜厚は10μｍであり、スルーホール部の現像残
膜の膜厚は約0.5μｍであった。またスルーホール部の
電気伝導性を調べたところ、導通不良であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/768 H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】ポリアミド線型感光性ポリイミド前駆体を
用い、銅配線上にポリイミド・パターンを形成する方法
において、 A.銅配線上にクロメート処理する、 B.銅配線上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、 C.パターン状の光を照射し、ついで現像する、 D.得られたポリイミド前駆体のパターンを加熱すること
により、ポリイミド・パターンに変換する、 の各工程から成ることを特徴とするポリイミド・パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16088790A JP2876721B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | ポリイミド・パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16088790A JP2876721B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | ポリイミド・パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451518A JPH0451518A (ja) | 1992-02-20 |
| JP2876721B2 true JP2876721B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=15724515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16088790A Expired - Lifetime JP2876721B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | ポリイミド・パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2876721B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294680A (en) * | 1992-07-24 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Polymeric dyes for antireflective coatings |
| JPH0661645A (ja) * | 1992-08-05 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP16088790A patent/JP2876721B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0451518A (ja) | 1992-02-20 |
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