JPS62266540A - 平坦化パタ−ンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は平坦化プロセスに関し、特に高密度実装置−要
求されるコンピューター等のプリント回路基板や、ＬＳ
Ｉ実装用の回路モジュール等に使用される多層基板の製
造の際に必要な優れた平坦化パターンを形成する方法に
関する。

〔従来の技術〕

近年大型コンピューターの高速演算化の為に高密度配線
技術の要求が高く、これに対して絶縁層やパイ７ホール
（スルーホール）形成の為に、　感光性ポリイミド前駆
体を用いる検討が行なわれている（特願昭ｊ９−２４１
−リ９４号、特願昭３９−コダｒｔｐ４１ｏ号、特願昭
ＡＯ−１０−≦５９号）。これらは、感光性ポリイミド
前駆体の優れた厚膜形成性、微細加工性及び平坦化能を
利■するものであるが、更に、高密度多層配線を行なう
為ＶＣは、更に優れた平坦化能を要求される。特に、導
体配線層に対して・絶縁層の厚みが同等となる場合が問
題であり、７回の絶縁層の積層と、露光・現像処理によ
りバイアホールを形成する場合、平坦化能には前記絶縁
層樹脂の粘度等の特性に応じた限界がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は上記の欠点を除き、高密度実装に適した極めて
微小径のバイアホールを有する多層配線板の製造等に必
要な優れた平坦化パターンを形成する方法を提供するこ
とを目的とする。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 即ち、本発明は、（イ）支持基板の表面にパターンを形
成する工程（第一層形成工程）、（ロ）第一層の表面に
式〔１〕で示した繰り返し単位を有し、有機溶媒に可溶
である感光性ポリイミド又は、加熱処理により式〔Ｉ〕
で示した繰り返し単位を有するポリイミドに変換しうる
感光性ポリイミド前駆体を必須成分として含有して成る
重合体層を形成する工程（重合体層形成工程） 〔但し、式中Ｘは４価の炭素環式基又＃ｉ複素環式基を
示し、Ｙはコ価の炭素環式基又は炭素環式基を示す。〕
及び（ハ）該重合体層上に１前記第一層と同一パターン
のフォトマスクを介して光照射し、現像処理により第一
層上の該重合体層を除いて平坦化したパターンを形成す
る工程（平坦化工程）より成る平坦化パターンの形成方
法に関するものである。

本発明の第一層形成工程とは、アルミナセラミック板、
ガラス板、樹脂あるいけホーローで絶縁処理され九アル
ミ、鉄などの金属板、ガラス布基材エボキ／基板、ガラ
ス布基材ポリイミド基板、ポリイミドフィルム等から選
ばれた支持基板の表面に、メッキ法、蒸着法、スパッタ
法、加圧接着法等で銅及び／又はクロム等の導体パター
ンを形成する工程である。

導体形成の具体例を示すと、下地基板を有機溶剤、酸あ
るい−まアルカリ水溶液から選ばれた洗浄剤で洗浄する
か、あるいＩｄ　０２、ＣＦ４等を含むガスを用い、プ
ラズマエツチノグにて表面をクリーニングする。その後
、スパッタリング装置を用いクロム、鋼、金、ニッケル
、アルミ等から選ばれた金属をターゲットとし、単層な
いしけ複層を下地基板の上に沈着させる。スパツタリン
グを用い九場合、下地基板と導体の！ｌＩ着カが優れた
ものとなる。

又、蒸着により下地基板に導体を形成することも可能で
ある。更ｔ〔この導体層の上１ｃ１！気メッキ等により
銅等の導体金属を沈着させ導体厚さを厚くする方法も可
能である。

プロセス的に優れた方法としては、下地基板に無電解メ
ノギで銅層を形成したのち、メツキレシストを用いパタ
ーンメッキ法により導体バター７を形成する方法が挙げ
られる。

更に、コスト的に有利な方法としては、銅箔等の金属箔
をラミネートし、化学エツチノグによりパターンを形成
する方法や、スクリーン印刷で導電性材料を印刷しパタ
ーンを形成する方法が挙げられる。

この第一層形成工程において、導体だけでなく通常厚膜
インキと称せられているペーストにより抵抗体パターン
やコンデンサーパターンを形成シ、第一層に機能回路を
形成することも可能である。

本発明の重合体層形成工程とけ、第一層を形成した支持
基板上に１感光性重合体層を形成する工程である。Ｉ！
ＩＩち、式〔Ｉ〕で示した繰り返し単位を有し、有機溶
媒に可溶である感光性ポリイミド又は、加熱処理により
式ＣＤで示した繰り返し単位を有するポリイミド【変換
しうる感光性ポリイミド前駆体の、光重合開始剤、七ツ
マー１増感剤等から成る組成物を、ジメチルホルムアミ
ド、シクロペンタノン、シクロヘキサノ／、Ｎ−メチル
ビロリド７等の溶剤に溶解し、スピンコーター、ローＡ
／コーター、あるいけスクリーン印刷機等の塗布機を用
いて支持基板の上ＶｃＰｔ１布し、熱風乾燥機やホット
プレート等を用い溶媒を除去し塗膜を形成させる。十分
な平坦化を得る為に、この塗膜の腹厚け、第一層の膜厚
の７０−１００％、好ましくけ１０〜９０％に調整する
必要がある。又、平坦化工程とは、第一層上の感光性重
合体層を露光・現像処理することＫより除去して平坦化
したパターンを形成する工程である。この感光性重合体
層がネガ型纏光性の場合は、第一層と同一パターンのポ
ジ型のフォトマスクを使用し、ポジ型感光性の場合は、
第一層と同一パターンのネガ型のフォトマスクを使用す
る。代表的なネガ型ポリイミド前駆体を用いた例を示す
。まず、前記第一層と同一パターンのポジ型フォトマス
クを使用し、第一層板外の部分に紫外線を照射し硬化さ
せる。次に、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリド
ン等の現像液、イングロビルアルコール、キ７レン等の
リンス液で第一層上の未露光部を現像除去して平坦化す
る。

この平坦化したパターンの利用方法として、例えば、多
層配線板を製造する場合、この上に前記と同様の方法で
前記の塗膜を任意の膜厚Ｋ１１１層し、露光・現像処理
によりバイアホールを形成し１、！００℃〜＜ＺｊＯ℃
の熱処理をすれば優れた耐熱性の絶縁層を形成すること
ができる。

本発明に用いる重合体のうち、式ＣＩ）で示した繰り返
し単位を有し、有機溶媒に可溶である感光性ポリイミド
は、例えば、特願昭６０−１３１７≦３号、特願昭Ｊ／
−３３ｔ１４４９号に記載されているものであり、式（
Ｉ）において、Ｘとしては、炭素数乙ないしコＯの芳香
族炭化水素基もしくけ、構造式ｘｂで示される基が好ま
しい。

〔ここでｂＶｉＯ又は／、Ｘ９は−ＣＨ２−１Ｃ−１こ
れらのうち、以下に示す基が特に好ましい。

又、Ｙとしては、（Ｙ−）で示される基が好ましい。

−０−１−Ｓ−を示し、Ｒ１、Ｒ３けそれぞれ炭素数ｌ
〜乙のアルキル基を示し、Ｒ２、Ｒ４Ｆｉそれぞれ水素
原子又は炭素数／〜乙のアルキル基を示す。〕ｉのより
好ましい例としては、以下の基が挙げられる。

〔ここで、Ｒ１・Ｒ，Ｖｉ、それぞれ−〇）！！−１−
ＣＨｚＣＨ３又は−ＣＨ（Ｃ）ｉｓ　）ｚを示し、Ｒｔ
　、Ｒ４は、それぞれ−Ｈ１ＣＨ３１ＣＨ２Ｃ）（３又
け−ＣＨ（ＣＨ３）ｚを示す。〕又、本発明に用いる加
熱処理により式〔Ｉ〕で示した繰り返し単位を有するポ
リイミドに変換しりる感光性ポリイミド前駆体の例とし
ては・例えば、一般式 ％式％ Ｃ式中のＸは≠価の炭素環式基又は複素環式基、Ｙはコ
価の炭素環式基又は複素環式基、Ｒけ反応性炭素−炭素
二重結合を有する基を示し、Ｃ０ＯＲ基とＣ０ＮＨ基は
互いにオルト位又はベリ位の関係である。〕 で示される繰り返し単位を有する重合体が挙げられる。

式中のＸｄｑ価の炭紫環ｆ、Ｍ又は炭素環式基であって
、このようなＸとしては、例えばベンゼン環やナフタレ
ン環、アントラセン環などの縮合多１１芳香環、ピリジ
ン、チオフェンなどの炭素環式基、及び一般式〔■、〕 −Ｏ−、−０−１ｆ、■〉−８−く二）−〇−又はλ４ １けＯ又は／　ｓ　ＸｉはＣＨｌ、又はＣＦ、　テある
。〕で示される基などが挙げられる。

これらの中で炭１ｈ〜／４１の芳香族炭化水素基や、Ｘ
ＩがモＣ）（晴（ｌけ０又は／である）、で示される基
が好ましく、更に式 ％式％） で示されるものが好ましい。

前記一般式（１）　ＫおけるＹけ、ψ価の炭素環式基又
は複素環式基であって、このようなものとしては、例え
ば、ナフタレン、アントラセンなどに由来する炭素数１
０−／ｒの２価の芳香族炭化水素環、ピリジン、イミダ
ゾールなどに由来する複素環式基及び式 〔式中のＹｌけＨ％　ＣＨ３、（Ｃ）（、）、　Ｃ）Ｉ
　、　ＯＣＨ，、Ｃ０ＯＨ、ハロゲン原子又は５ＯｓＨ
１Ｙｚ　ｉｊ　＋ＣＨｚ技（ただしｐｄＯ又ゲン原子、
Ｃ０ＯＨＳＳｏ、Ｈ又けＮｏｔ　、Ｙｓ及びＹｓはＩ（
、ＣＮ１ハロゲン原子、ＣＨ３，０ＣＨｓ　、５ＯｓＨ
又Ｆｉ０１（である。〕で示される基などが挙げられる
。これらの中で炭素数／Ｑ〜／ｑの２価の芳香族炭化水
素環や、Ｙ２が千ＣＨ，へ（ただし、ｐけＯ又は／　）
　、−Ｃ−、−３ｏ２−１一〇−又は−Ｓ−で、かつη
及びＹ４がともに水素原子である式〔π、〕で示される
基が好ましく、更（式で示される基が好ましい。

又、Ｒとして用いる反応性炭素−炭素二重結合を有する
基としては、例えば、 υ −Ｒ７＜Ｉ）−ＣＨ＝Ｃ）（、〔シ〕 −Ｒ”ＣＨ−ＣＨｔ　　　　　　　　　　　　　　　　
　（ｍｓ）〔式中Ｒ′は、水素原子、又はメチル基、ビ
は、炭を素数ｌないし３のアルキレフ基、ｎは／又ＩＩ
′ｉコ〕などが挙げられる◇ 〔１１〕の例としては、 Ｃ＆　ＯＣ−Ｃ）Ｔ＝ＣＩ１２ 〔シ〕の例としては、 〔シ〕の例としては、 −ＣＨｔ　０ＣＨ＝ＣＨ２ −ＣＨ＊　ｃｉｂ＜ヒＣＨ＝Ｃ）ｆｚ （Ｉｓ）の例としては、 −（ｊ（ｔ　　ＣＨ＝　ＣＨｚ −ＣＨｔ　　ＣＨｚ　ＣＨ＝ＣＨｚ 〔４〕の例としては、 〔Ｍ７〕の例としては、 などが挙げられる。

又、こねら（イ）成分として用いる重合体は、一般式１
：１１：Ｉにおいて、Ｘ−Ｒ，Ｙの組み合わせのうちか
らそれぞれ７種類以上を選んで共重合することＫよって
も得られる。又、ホモポリマー又はコポリマーのうちか
ら２種類以上を選び、混合物として用いることもできる
＠ これら前駆体の合成方法については、例えば、特公昭！
Ｊ−ｊＯＪＯ７号公報、特公昭！！−１／１Ｉｊｊ号公
報、特願昭ｊデー／９．？７ｊ７　＠及び゛特願昭ｊ９
−λａｔり３９号に記載されている。

本発明の重合体層の組成物として、前記の感光性ポリイ
ミド又は、感光性ボリイミ１°前駆体と共に光重合開始
剤及び度応性炭素−炭素二重結合を有する化合物を用い
ると優れた感度を有する該フィルムを得ることができる
。用いつる光重合開始剤は周知のものであす、側光ば、
２−エチルアントラキノｙ、２−　ｔ−ブチルアントラ
キノン、／、ｊ−ベンズアントラキノン、２，３−ジフ
ェニルアントラキノン１ぺ／ジル、ベンゾフェノ／、Ｉ
クレロフエノン、γ−フェニルフチロフエノ／、シベン
ゾスペロン、を−モルホリノベンゾフェノン、ベンゾイ
ン、α−フェニルベンゾイン、ＩＯ−チオキサンチン／
、２−アセチルフェナントレン、３−アセチルインドー
ル、９−フルオレノン、ｌ−インダノン、チオキサンチ
ン−９−オン、キサンチン−９−オン、ペンズアンスロ
／、わ６−ジ（り′−ジアジドペ／ザル）−ｌ−メチル
シクロヘキサノン、２．ｔ−ジ（り′−ジアジドベンザ
ル）シクロヘキサノン、更に１オキシム型開始剤として
、ｌ−フェニル−／。

−一ブタ／ジオン−Ｊ−（、−メトキシカルボニル）オ
キシム、ｌ−フェニループロノシンジオ／−２″′　（
〇−エトキシカルボニル）オキシム、／−フェニループ
ロバンジオンーコ−（０−ベンゾイル）オキ７ム、７．
２−ジフェニル−エタンジオン−／−（、−べ／ジイル
）オキシム、７．３−）フェニル−プロパントリオン−
ｊ−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等が挙げられ
、光感度の点で、オキシム型開始剤が好ましい。又、反
応性炭素−炭素二重結合ｔ−有する化合物の例としては
、例えば、−一エチルへキンルアクリレート、ノーヒド
ロキシエチルアクリレート、Ｎ−ビニル−２−ピロリド
ン、カルピトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、インボルニルアクリレート、／、Ｊ−
ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、エチにングリコールジアクリレー
ト、ポリエチレンクリコールジアクリレート、ペンタエ
リスリトールジアクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、べ／タエリスリトールトリアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート、テ
トラメチロールメタンテトラアクリレート、テトラエチ
レングリコールジアクリレート、ノナエチレングリコー
ルジアクリレート、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ−
メチロールアクリルアミド及び、上記のアクリレート又
はアクリルアミドをメタクリレート又はメタクリルアミ
ドに変えたもの等が挙げられる。

これらのうち、−以上のアクリレート基を有するポリア
クリレートが好ましく、光感度の点から構造式Ｍ（Ａ）
で示される化合物が特に好ましい〇（ｎ　−／−λＯ） 本発明の重合体層に用いる組成物には、増感剤を添加す
ることもできる。この増感剤は、該フィルムの感度を向
上させ得るものであり、例えば、ミヒラーズケト７．４
’　＋　’ｌ’ｌビーー　（ジエチルアミノ）−ベンゾ
フェノン等のビス（ジアルキルアミノ）ぺ／シフエノン
類。コ、！−ビス−（り′−ジエチルアミノベンザル）
−シクロペンタノン、ｊ、４−ビス−（ｌＩ′−ジエチ
ルアミノベンザル゛）−シクロヘキサノン、コ、ぶ一ビ
スー　（ｔ′−ジメチルアミノベンザル）−ターメチル
−７クロヘキサノン、コ、≦−ビス−（１７’−）エチ
ルアミノベンザル）−グーメチル−シクロヘキサノｙ　
、Ｌ４”−ビス−（ンメチルアミン）−カルコ／、ｑ、
ｑ′−ビス−（ジエチルアミノ）−カルコ／、ｐ−ジメ
チルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルア
ミノペンジリデ／イ／ダノン、２−（ｐ−ジメチルアミ
ノフェニルビニレン）−ベンゾチアゾール、２−　　（
ｐ　−）ｌチルアミノフェニルビニレン）−イノナフト
チアゾール、乙３−ビス−（ｔＩ−ジエチルアミノベン
ザル）−アセトン、／、３−ビス−（ｊ′−ジエチルア
ミノベンザル）−アセトン、３．３′−カルボニル−ビ
ス−（７−ジニチルアミノクマリン）及び、構造式ＳＮ
で示されるエタノールアミン類、及びメルカプト基を有
する芳香族複素環化合物等が挙げられる。

（Ｒ＋ｚＶｉ、水素原子又は、水酸基を有してもよい脂
肪族基又は、芳香族基を示す。〕 エタノールアミン類の具体例としては、Ｎ−フェニルエ
タノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−
フェニル−Ｎ’−エテルエタノールアミン等が挙げられ
、メルカプト基を有する芳香族複素環化合物の具体例と
しては、ノーメルカブトペンズイミダゾール、ノーメル
カブトベンゾチアゾール、ｌ−フェニル−よ−メルカプ
）　−／Ｈ−テトラゾール等が挙けられる。これらの増
感剤のうち、ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノ７
類、エタノールアミン類及び、メルカプト基を有する芳
香族複素環化合物の組み合わせが好ましい。

本発明に用いる重合体層の組成物において、重合開始剤
及び増感剤の含有割合は、該重合体に対してＱ／ＮコＯ
重量％が好ましく、１〜／ｊ重１チが更に好ましい。又
、又応性炭素−炭素二重結合を有する化合物の含有割合
は、該重合体だ対してｉｏｚ量チ量子以下ましい。

本発明により得られた平坦化パターン上に、絶縁層、導
体層全形成する工程において、層間接着力？向上させる
目的で、シランカップリング剤、アルミニウム系キレー
ト剤等をあらかじめ塗布し、前処理することができる。

又、薬品浸漬等による化学処理やアルゴンスパッタ、又
は０□プラズマ等による表面処理により層間接着性を向
上させることもできる。

〔発明の効果〕

以上説明した如く、本発明の方法は、あらかじめ導体等
のパターンを形成した後に重合体層を形成し、露光・現
像処理により平坦化したパターンを得ることを特徴とす
る特に本発明に使用する重合体は、高濃度溶液において
も粘度が低く抑えられる為に塗膜形成性に優れ、又、高
純度である為に配線部の腐食がなく接続信頼性・接着性
に優れた平坦化パターンを提供することができる。又、
単なる多層塗りと比べ、より薄い絶縁層膜厚で十分な平
坦化が可能となる。本発明により得られた平坦化パター
ン上に、絶縁層形成工程と導体層形成工程を交互に繰り
返すことＫより、優れた多層配線構造体を製造すること
ができる。又、例えば、表面が８１０□層を有するＮ型
シリコンウエノ１−から作られたＭＱＳ集積回路機能の
能動素子をもつ基板表面く形成したＡＩ配線上に１この
平坦化プロセスを行なうと、優れた多層配線構造を有す
るＭＯＳトランジスター回路を作製することができる。

〔実施例〕

次に１本発明及びその効果を実施例により説明するが、
本発明はこれにより何ら限定されるものではない。

まず、本発明に使用する絶縁層を形成する重合体の製法
を参考例／Ｓノにより説明する。

参考例１ ｊＯＯ−容のセパラブルフラスコに、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸無水物／、＜、／９及びピロメリッ）　
醸ｍ水物１０．９９．２−ヒドロキシエチルメタ、クリ
レートコア、　ｏ　９、γ−ブチロラクト７１００−を
入れ、水冷下、攪拌しながらビリジ７／７．Ｏｇｋ加え
た。室温でｌ３時間攪拌した後ジシクロへキシルカルボ
ジイミドｌ／、ｊりのγ−ブチロラクトン４１０−の溶
液を氷冷下、７０分間で加え、続いてｕ、ｕ’−ジアミ
ノジフェニルエーテル／ｌ、Ｏｑを７５分間で加えた。

水冷下、３時間攪拌した後、エタノールｊ−全加えて更
ＶＣ１時間攪拌し、沈殿を一過した後、得られた溶液を
／Ｑｌのエタノールに加え、生成１した沈殿をエタノー
ルで洗浄【７た後、真空乾燥１．て淡かっ色の粉末ポリ
マー（Ａ−／と称す）ｌｒ得た。得られたＡ−／ポリマ
ーのＮ−メチルピロリドン中、３０℃、／　９／ｄ７！
での固有粘度〔η〕は４１／７であった。Ａ−／ポリマ
ーの塩素イオン含有量を測定したところ、ＩＰであっ九
。

Ａ−／ポリマー１０９、／−フェニルプロパンジオ７−
２−（ｏ−ベンゾイル）オキシムａぶり、トリメチロー
ルプロパ／トリアクリレートσｊｇ、ミヒラースケドア
０．Ｊ、９、Ｎ−フェニルエタ／−ルアミン０．２９及
び２−メルカプトペ／ゾチアゾーｋＱ２’；１ｔＮ−メ
チルピロリドン／ｌｌりに溶解し、ポリマー溶液Ｃ−／
を得た。

参考例コ ３＋　”＋　４’　＋　’ｌ　’＋　−ヘ／シフ　ｊｌ
−／　ンｆ　）うｆ）ｋボア　ｒ！＃２無水物グ、！！
りのグ３、ＡｄＤＭＦｌｆｇ液て、コｊ℃で攪拌し々が
らｇ、＜＋’−メチレンジコ、フージエチルアニリンデ
、３９のｊ７≦−ＤＭＦ溶液を加え、ｕ　ｊ　”Ｃで７
時間攪拌した。次に、マレイン酸無水物ａｓｓｑ、イタ
コン酸無水物Ｏぶ３ｇ及びピリジン／−を加え、コｊ℃
で７時間攪拌した。次に、Ｊ、Ｊ’、４’、４”−ぺ／
シフエノンテトラカルボン酸２無水物ｔ、Ｏｔｑ及びピ
リジンｌ−を加え、−５℃で１時間攪拌した。

次に、ｊ、Ｊ’、ｔＩ＃ｕ’−テトラアミノビフェニル
エーテル／、０１９及びピリジンｌ−を加え、２５℃で
４時間攪拌し、／４時間放置した。得られたポリアミド
酸溶液に無水酢酸／４１．２−及びピリジン９．７−を
加え４ＩＯ℃で３時間攪拌してイミド化反応を行なった
。反応液を攪拌している３１の水中に滴下してポリマー
を析出させｐ取した後、３１の水で３回洗浄し、真空乾
燥した。

とのポリマーｔＡ−２とする。Ａ−ｊの固有粘度〔η〕
けα３であった。Ａ−コポリマー１０９、ノナエチレン
グリコールジアクリレート　／、ｊ９、ぺ／ジルミルｒ
）、ミヒラースケドアｏ、ＩｌｑをＮ−メチルビロリド
ンｌ１１９１１Ｃ溶解し、ポリマー溶液Ｃ−２と称する
。

実施例１ ３０ｍ角、厚さｌＷの化ラミック基板を脱脂洗浄後１ス
パツタリング装置（日型アネルバ製。

５ＰＦ−１ｌｊＯＨ）ＩＣより、１ＯＯＯＸの０１％及
びｒｓｏｏ　ＡのＣＵを付着させる。その後メソキレシ
ストの為の７オトレジスト　（マイクロボンットＴＦ−
２０．シプレー社製）を４μｍ厚さにパターニングｔ、
７’ｌ−０続いて硫醗銅メッキ浴に入れ、ＷＬ流密度！
ＯｍＡ／−で銅メッキを行ない、厚さ５μｍ、ラインｔ
ｌＡｓＯｐｒｎ。

ランド径１０１００ｐランド間１００ｐｒｎの銅パター
ン（第一層）を得た。

メツキレシストを専用リムーバーで除去したのち、過硫
酸アンモニウム水溶液及び硝酸セリウム水溶液で不要の
Ｃｕ及びｃｒ層をクイックエツチングした。得られた第
−潜記線基板に参考例１で調製したポリマー溶液Ｃ−／
を、スピンコーターを用いて塗布・乾燥して、ダ、−μ
ｍの厚さに積層した（第１図＆）。次に１前記第一層の
形成に使用したマスクと同一のネガ型（第−潜記線と同
一パターンのポジ型、第７図参照）のマスクを用いて、
コンｊクト露光方式で露光した後、γ−ブチロラクトン
／イソグロビルアルコール（Ｊ　：　／容）　溶液でス
フレ−現像した後、イソプロピルアルコ−／’テリ／ス
し、Ｎ２ガスプローにより乾燥した。以上により配線部
の段差が７２ｍの平坦化パターンが得られた（第７図ｂ
）。この平坦化パターン上に前記と同様圧して感光性ポ
リイミド前駆体溶液ｃ−／を／ｊｐｍの厚さに積層した
ところ、配線部の段差は０２μｍとなり、これｔ−露光
・現像処理して、第−潜記線上尾所定のバイアホールを
形成しｆｃ（第１図ｅ、ｄ）。得られた基板ｆ：Ｎ、雰
囲気下オープンでｉａｏ″Ｃ／時間、更にダｏＯ℃７時
間熱処理し熱硬化した。得られた絶縁層の厚さは７０μ
ｍであった（第１図ｄ）。

次に該層表面及びバイアホール内を液体ホーニング（Ｊ
　Ｋ９／ｃＪ　）で洗浄・粗面化した。次に、これに無
電解メッキの為の前処理（室町化学製、ＭＫ−２，ＯＱ
及びＭＫ−３３０を使用）を行斥った゛のち、無電解メ
ッキ（室町化学製、　ＭＫ−１１６０）　Ｋ浸漬し、無
電解メッキした。次に第−潜記線パターンと同様の方法
でＭｌ気メッキ法によりｊｐｍ厚さの第二層配線パター
ン全形成させた（第１図ｄ〜ｈ）。

同様圧して平坦化パター／形成、絶縁層形成と配線パタ
ー７形成を繰り返し、配線層がＩＱ層から成る多層配線
板を製造した。このバイアホールをＳＯＯ穴有する多層
配線板を用いて４’コＯ℃の乾熱放＠６０分、２３℃の
室温放置４０分のヒートショックテストを５０回行なっ
たのち、バイアホール接続信頼性評価を行なったところ
、断線等の異常けみられなかった。

実施例２ 実施例１と同様の方法で作製した第−潜記線基板に１参
考例２で調製したポリマー溶液ｃ−２をスピンコーター
を用いて塗布・乾燥してす、２μｍの厚さにｍ＃した。

次に実施例１と同様の方法で平坦化パター／を得た。こ
の平坦化パターン上に前記と同様にポリマー溶液Ｃ−２
を、１μｍの厚さに積層し、露光・現像処理して第−潜
記線上に所定のバイアホールを形成した。得られた基板
を実施例／と同様に熱処理し、厚さ１０μｍの絶縁層を
得た。更に実施例１と同様の方法で、多層配線板を製造
し、同様のヒートショックテストでバイアホール接続信
頼性評価を行なったところ、断線等の異常けみられなか
った。

比較例 実施例／と同一の基板上に同様の方法で、厚さ５μｍの
銅パターン（第一層）を得た。次に前記と同様【、感光
性ポリイミド前駆体溶液Ｃ−／１ｋ１９μｍの厚さに積
層した（第２図Ｃ）。このパターンの第−潜記線上の段
差Ｆｉ／μｍであった。これを露光・現像処理して、第
−潜記線上に所定のバイアホールを形成した（第、２図
ｄ）。得られた基板を実施例１と同様に加熱処理して、
所定のバイアホール部を有する厚さＩＯｐｍのポリイミ
ド膜絶縁層を得た。次に実施例／と同様に処理して第二
層配線パターンを形成し、更に以上の工程を繰り返して
配線層が１０層から成る多層配線板を製造した。

このバイアホール＠　ＳＯＯ穴有する多層配線板を用い
て実施例／と同様のヒートショックテストｔｓ。

回行なった後、バイアホール接続信頼性評価を行なった
ところ、３０％の断線異常がみられた。

第２図において、Ｃは第−潜記線上ＫＷｔ、光性重合体
ＷＩ′に積層し、バイアホールを有する絶縁層を形成す
る工程を示す。ｄ−ｈけ第１図と同一の工程を示す。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ　−ｈ　Ｖｉ、本発明の多層配線板製造におけ
る各工程での一具体例を示した断面概略図である。 第２図ｃｓｄは、比較例の多層配線板製造における第１
図のｃｓｄに対応する工程での一具体例を示した断面概
略図である。 図中、ｌけ支持基板、２は第−潜記線パターン、ＪＶｉ
本発明による感光性重合体層、１ｉｌｔフオトマスク、
よけ紫外線照射により硬化した部分、ｔＦｉ熱処理によ
り硬化した絶縁層、７はバイアホール用穴、ｒは無電解
メッキ又はスパッタリング法によるメッキ活性層、９ｔ
ｉメツキマスク用フオトレジスト、１０は紫外線で硬化
したメッキマスク、／／は電気メッキによる導体層を示
す。 特訂出願人　旭化成工業株式会社 代理人弁理士　里　　　野　　　　　　透第１図 （ｂ） 強ｄ？５ 第Ｚ （ｅ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）（イ）支持基板の表面にパターンを形成する工程
   （第一層形成工程）、（ロ）第一層の表面に式〔Ｉ〕で
   示した繰り返し単位を有し、有機溶媒に可溶である感光
   性ポリイミド又は、加熱処理により式〔Ｉ〕で示した繰
   り返し単位を有するポリイミドに変換しうる感光性ポリ
   イミド前駆体を含有して成る重合体層を形成する工程（
   重合体層形成工程）▲数式、化学式、表等があります▼
   〔Ｉ〕 〔但し、式中Ｘは４価の炭素環式基又は複素環式基を示
   し、Ｙは２価の炭素環式基又は複素環式基を示す。〕及
   び（ハ）該重合体層上に、前記第一層と同一パターンの
   フォトマスクを介して光照射し、現像処理により第一層
   上の該重合体層を除いて平坦化したパターンを形成する
   工程（平坦化工程）より成る平坦化パターンの形成方法
   。