JPH02284924A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JPH02284924A JPH02284924A JP10806589A JP10806589A JPH02284924A JP H02284924 A JPH02284924 A JP H02284924A JP 10806589 A JP10806589 A JP 10806589A JP 10806589 A JP10806589 A JP 10806589A JP H02284924 A JPH02284924 A JP H02284924A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、高分子主鎖中にカルボニル基を有し、かつイ
ミド窒素のオルソ位に低級アルキル基または低級アルコ
キシル基を有する新規なポリイミド樹脂および該樹脂を
含む感光性樹脂組成物に関し、耐熱性、感光性、耐薬品
性に優れ、電子用膜材料として好適である。
ミド窒素のオルソ位に低級アルキル基または低級アルコ
キシル基を有する新規なポリイミド樹脂および該樹脂を
含む感光性樹脂組成物に関し、耐熱性、感光性、耐薬品
性に優れ、電子用膜材料として好適である。
(従来の技術)
半導体工業において、固体素子の絶縁層やパッシベーシ
ョン層に使用できる耐熱性高分子材料が求められている
。 なおまた、その高分子材料が感光性を有する場合に
は、その適用は広範になる。
ョン層に使用できる耐熱性高分子材料が求められている
。 なおまた、その高分子材料が感光性を有する場合に
は、その適用は広範になる。
従来、感光性を有する耐熱性材料として、特開昭49−
115541号、特開昭54−116216号、特開昭
54−116217号、特開昭56−45915号及び
特開昭54−89623号に示されているようなポリイ
ミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が知られている。
115541号、特開昭54−116216号、特開昭
54−116217号、特開昭56−45915号及び
特開昭54−89623号に示されているようなポリイ
ミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が知られている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、これらの公知の耐熱性材料は、感光性が
十分でなく、また最終的硬化にかなりの高温加熱が必要
であって保存安定性も悪い、 さらに収縮率が大きく厚
膜絶縁膜の形成材料として好ましくないという欠点があ
った。
十分でなく、また最終的硬化にかなりの高温加熱が必要
であって保存安定性も悪い、 さらに収縮率が大きく厚
膜絶縁膜の形成材料として好ましくないという欠点があ
った。
本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもので
、耐熱性、感光性、耐薬品性に優れるとともに保存安定
性もよい新規な構造のポリイミド樹脂、及びこれを含む
感光性樹脂組成物を提供しようとするものである。
、耐熱性、感光性、耐薬品性に優れるとともに保存安定
性もよい新規な構造のポリイミド樹脂、及びこれを含む
感光性樹脂組成物を提供しようとするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、ベースポリマーとしてイミド窒素のオルソ位
にメチル基やエチル基を有し、かつ主鎖にカルボニル基
を有する新規な可溶性ポリイミド樹脂を用いることによ
り、ポリイミド樹脂の持つ耐熱性と感光性が十分発揮さ
れ、上記目的を達成できることを見いだし、本発明を完
成させたものである。
ねた結果、ベースポリマーとしてイミド窒素のオルソ位
にメチル基やエチル基を有し、かつ主鎖にカルボニル基
を有する新規な可溶性ポリイミド樹脂を用いることによ
り、ポリイミド樹脂の持つ耐熱性と感光性が十分発揮さ
れ、上記目的を達成できることを見いだし、本発明を完
成させたものである。
すなわち、本発明は、
(A) 3.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸(その無水物及び低級アルキルエステルを
含む)と、 (B)一般式(I)および(It) H,N−R’ −(3−R’ −NH2・・−・・(I
t) (但し、式中Xは、CH2,O,SO2゜C(CH3)
2 、 C(CFt ) 2又はSの2僅の基を、R
’ 、R2はCH3、C2H,、OCH3又はQC2H
,の基を、R3、R4はC2H,基を、R5はフェニレ
ン基又はシクロヘキシレン基を表し、そしてR1−R4
はいずれもR5に関しアミノ基のオルソ位に置換されて
いる)で示される化合物が併用されるとともに<I)お
よび(n)の化合物を少なくとも90モル%含む芳香族
ジアミンとを、 はぼ等モル反応させてなるポリイミド樹脂と、それを含
む感光性樹脂組成物である。
ラカルボン酸(その無水物及び低級アルキルエステルを
含む)と、 (B)一般式(I)および(It) H,N−R’ −(3−R’ −NH2・・−・・(I
t) (但し、式中Xは、CH2,O,SO2゜C(CH3)
2 、 C(CFt ) 2又はSの2僅の基を、R
’ 、R2はCH3、C2H,、OCH3又はQC2H
,の基を、R3、R4はC2H,基を、R5はフェニレ
ン基又はシクロヘキシレン基を表し、そしてR1−R4
はいずれもR5に関しアミノ基のオルソ位に置換されて
いる)で示される化合物が併用されるとともに<I)お
よび(n)の化合物を少なくとも90モル%含む芳香族
ジアミンとを、 はぼ等モル反応させてなるポリイミド樹脂と、それを含
む感光性樹脂組成物である。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明に用いる<A) 3.3’、 4.4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸は、イミド環カルボニル基
とベンゾフェノンのカルボニル基を有する芳香族テトラ
カルボン酸であり、3.3’、 4.4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸並びにその無水物及び低級アルキ
ルエステルをも意味する。 本発明での芳香族テトラカ
ルボン酸は、3.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸が実質的に全量であることが望ましい、
3.3’、 4.4′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸は特に光硬化性が優れているからである。
ゾフェノンテトラカルボン酸は、イミド環カルボニル基
とベンゾフェノンのカルボニル基を有する芳香族テトラ
カルボン酸であり、3.3’、 4.4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸並びにその無水物及び低級アルキ
ルエステルをも意味する。 本発明での芳香族テトラカ
ルボン酸は、3.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸が実質的に全量であることが望ましい、
3.3’、 4.4′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸は特に光硬化性が優れているからである。
本発明において(A)成分とイミド反応をする(B)一
般式(I)および(n) H2N−R’ミーR’ −Nl2 ・・−・
・(I)の芳香族ジアミンは、特に好適な具体例として
、3.3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′
−ジアミノジフェニルメタン、3.3’−5,5′−テ
トラエチル−4゜4′−ジアミノジフェニルメタン、3
.3′−ジアミノベンゾフェノン、4.4′−ジアミノ
ベンゾフェノン等を挙げることができ、これらは単独又
は2種以上遍択して使用することができる。
般式(I)および(n) H2N−R’ミーR’ −Nl2 ・・−・
・(I)の芳香族ジアミンは、特に好適な具体例として
、3.3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′
−ジアミノジフェニルメタン、3.3’−5,5′−テ
トラエチル−4゜4′−ジアミノジフェニルメタン、3
.3′−ジアミノベンゾフェノン、4.4′−ジアミノ
ベンゾフェノン等を挙げることができ、これらは単独又
は2種以上遍択して使用することができる。
また上記一般式(I)および(It>の芳香族ジアミン
の他に、10モル%未満の芳香族ジアミンを配合するこ
とができる。 (■)・および(II)の芳香族ジア
ミンが、使用される全芳香族ジアミンの90モル%未満
であると、極性溶剤にないする溶解性が劣り好ましくな
い、 芳香族ジアミン(I)/(■)との配合割合は、
90/10〜10/90モル%の範囲であることが好ま
しい、 芳香族ジアミン(I)が10モル%未満ではポ
リイミド樹脂の可溶性が不十分となり、また90モル%
を超えると光硬化性が劣り好ましくない。
の他に、10モル%未満の芳香族ジアミンを配合するこ
とができる。 (■)・および(II)の芳香族ジア
ミンが、使用される全芳香族ジアミンの90モル%未満
であると、極性溶剤にないする溶解性が劣り好ましくな
い、 芳香族ジアミン(I)/(■)との配合割合は、
90/10〜10/90モル%の範囲であることが好ま
しい、 芳香族ジアミン(I)が10モル%未満ではポ
リイミド樹脂の可溶性が不十分となり、また90モル%
を超えると光硬化性が劣り好ましくない。
(A)の芳香族テトラカルボン酸と(B)の芳香族ジア
ミンの反応は、はぼ等モルを有機溶媒中で30℃以下、
好ましくは0℃以下の反応温度下に3〜12時間付加反
応させた後、脱水剤を加えて100℃で脱水環化して得
られる。 この付加反応において用いる有機溶媒として
は、例えばN、N−ジメチルスルホオキシド、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N′−ジエチルホルムアミ
ド、N。
ミンの反応は、はぼ等モルを有機溶媒中で30℃以下、
好ましくは0℃以下の反応温度下に3〜12時間付加反
応させた後、脱水剤を加えて100℃で脱水環化して得
られる。 この付加反応において用いる有機溶媒として
は、例えばN、N−ジメチルスルホオキシド、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N′−ジエチルホルムアミ
ド、N。
N′−ジメチルアセトアミド、N、N’−ジエチルアセ
トアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキサメチレ
ンホスホアミド等が挙げられ、これらは単独又は2種以
上混合して用いることができる。
トアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキサメチレ
ンホスホアミド等が挙げられ、これらは単独又は2種以
上混合して用いることができる。
ポリイミド化反応は、ポリイミド樹脂’o、sg 7N
−メチル−2−ピロリドン101の濃度の溶液を30℃
において測定した対数粘度が、0.2〜0,4、特に0
83〜2.0の範囲内にあることが好ましい。
−メチル−2−ピロリドン101の濃度の溶液を30℃
において測定した対数粘度が、0.2〜0,4、特に0
83〜2.0の範囲内にあることが好ましい。
このポリイミド樹脂は有機溶媒に可溶性であり、第一に
、感光性樹脂組成物として使用することができる。 そ
の場合は、有機溶媒に5〜40重量%、好ましくは15
〜30重量%に溶解した溶液として用いられる。 有機
溶媒としては、N、N’−ジメチルスルホオキシド、N
、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジエチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエ
チルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキ
サメチレンホスホアミド、γ−ブチルラクトン、シクロ
ヘキサノン等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混
合して使用することができる。
、感光性樹脂組成物として使用することができる。 そ
の場合は、有機溶媒に5〜40重量%、好ましくは15
〜30重量%に溶解した溶液として用いられる。 有機
溶媒としては、N、N’−ジメチルスルホオキシド、N
、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジエチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエ
チルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキ
サメチレンホスホアミド、γ−ブチルラクトン、シクロ
ヘキサノン等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混
合して使用することができる。
本発明に係る感光性樹脂組成物には、必要に応じて増感
剤又は光開始剤を配合することができる。
剤又は光開始剤を配合することができる。
その増感剤及び光開始剤としては、ベンゾイン、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル
、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインアルキル
エーテル類、ベンゾインチオエーテル類、ベンゾフェノ
ン、アセトフェノン、2−エチル−アントラキノン、塩
化デシル、チオキサントン類などが挙げられ、これらは
単独又は2種以上混合して使用することができる。 増
感剤又は光開始剤の配合割合は、ポリイミド樹脂1o。
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル
、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインアルキル
エーテル類、ベンゾインチオエーテル類、ベンゾフェノ
ン、アセトフェノン、2−エチル−アントラキノン、塩
化デシル、チオキサントン類などが挙げられ、これらは
単独又は2種以上混合して使用することができる。 増
感剤又は光開始剤の配合割合は、ポリイミド樹脂1o。
重量部に対してO,OS〜2.0重量部添加配合するの
がよい、 また、無機質充填剤、着色剤を配合すること
ができ、無機質充填剤として、シリカ、炭酸マグネシウ
ム、炭酸カルシウム、硫酸すI・リウム、タルク、ベン
トナイト等が、着色剤としてフタロシアニングリーン等
が挙げられる。
がよい、 また、無機質充填剤、着色剤を配合すること
ができ、無機質充填剤として、シリカ、炭酸マグネシウ
ム、炭酸カルシウム、硫酸すI・リウム、タルク、ベン
トナイト等が、着色剤としてフタロシアニングリーン等
が挙げられる。
こうして調製した感光性樹脂組成物は、半導体基板上に
塗布し、乾燥して有機溶媒を除去する。
塗布し、乾燥して有機溶媒を除去する。
基板への塗布は、例えばスプレー、浸漬、スピンコード
、ロールコート、カーテンコート等の公知方法により行
うことができるし、また塗布膜の乾燥は、熱風乾燥、遠
赤外線乾燥等の方法により120℃以下、好ましくは1
00’C以下の温度で行うことが望ましい、 乾燥後、
塗布膜にネガ型のホトマスクを置き、例えば低圧水銀灯
、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンラ
ンプ等を用いて紫外線を照射して露光させる。
、ロールコート、カーテンコート等の公知方法により行
うことができるし、また塗布膜の乾燥は、熱風乾燥、遠
赤外線乾燥等の方法により120℃以下、好ましくは1
00’C以下の温度で行うことが望ましい、 乾燥後、
塗布膜にネガ型のホトマスクを置き、例えば低圧水銀灯
、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンラ
ンプ等を用いて紫外線を照射して露光させる。
露光の結果、主鎖におけるカルボニル基とイミド環窒素
のオルソ位における低級アルキル基とを有する本発明の
ポリイミド樹脂の特徴により、露光部分と未露光部分と
の間に現像液に対する溶解度差を生ずる。 現像は、現
像液−をスプレーするか現像液中に浸漬するか等の方法
により、未露光の部分を洗い流す、 なお、現像は、1
5〜35℃の温度下に超音波を作用させながら行うこと
が好ましい、 、この現像液としては、前記感光性樹脂
組成物の調整に例示した有機溶媒のほか、酢酸イソアミ
ル等の有機溶媒、これらとシクロヘキサノンとの混合溶
媒系を用いることができる。
のオルソ位における低級アルキル基とを有する本発明の
ポリイミド樹脂の特徴により、露光部分と未露光部分と
の間に現像液に対する溶解度差を生ずる。 現像は、現
像液−をスプレーするか現像液中に浸漬するか等の方法
により、未露光の部分を洗い流す、 なお、現像は、1
5〜35℃の温度下に超音波を作用させながら行うこと
が好ましい、 、この現像液としては、前記感光性樹脂
組成物の調整に例示した有機溶媒のほか、酢酸イソアミ
ル等の有機溶媒、これらとシクロヘキサノンとの混合溶
媒系を用いることができる。
現像後の膜パターンは、それを120〜180℃で10
〜60分間加熱処理して後硬化させれば、そのまま絶縁
保護膜などとして利用することができる。
〜60分間加熱処理して後硬化させれば、そのまま絶縁
保護膜などとして利用することができる。
本発明のポリイミド樹脂は、第二に、露光することなく
、絶縁保護膜あるいはパッシベーション膜として利用で
きる。 この場合には、上記感光性樹脂組成物と同様な
有機溶媒の溶液とし、基板上に塗布し、120℃以下、
好ましくは100℃以下の温度で乾燥した後、120〜
180℃で10〜60分間加熱処理して後硬化させて製
膜する。
、絶縁保護膜あるいはパッシベーション膜として利用で
きる。 この場合には、上記感光性樹脂組成物と同様な
有機溶媒の溶液とし、基板上に塗布し、120℃以下、
好ましくは100℃以下の温度で乾燥した後、120〜
180℃で10〜60分間加熱処理して後硬化させて製
膜する。
(実a例)
以下本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例 1
三ロフラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を窒素で置
換した後、3.3’、 5.5’−テトラエチル−4,
4′−ジアミノジフェニルメタン232.51j、3,
3′ジアミノベンゾフェノン36.0gを入れ、これに
N−メチル−2−ピロリドン(以下、NMPと略す)2
53 nlを加えて溶解した。 溶解後、0℃に冷却し
て攪拌しながら3.3”、 4.4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸無水物32.2Qを加えた。 反応熱
を氷水中で押さえながら6時間攪拌を続けて反応させた
。 次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸40.8n
lおよびピリジン4.0nlを加え、100℃で酢酸を
留出させながら3時間の閉環反応を行った。
換した後、3.3’、 5.5’−テトラエチル−4,
4′−ジアミノジフェニルメタン232.51j、3,
3′ジアミノベンゾフェノン36.0gを入れ、これに
N−メチル−2−ピロリドン(以下、NMPと略す)2
53 nlを加えて溶解した。 溶解後、0℃に冷却し
て攪拌しながら3.3”、 4.4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸無水物32.2Qを加えた。 反応熱
を氷水中で押さえながら6時間攪拌を続けて反応させた
。 次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸40.8n
lおよびピリジン4.0nlを加え、100℃で酢酸を
留出させながら3時間の閉環反応を行った。
その後、無水酢酸/ピリジンを減圧下で留出除去させて
イミド化を行った。 イミド化反応後、反応溶液をメタ
ノールと水の混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析出
させ、析出物を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末(対
数粘度0.5> 59gを得た。 得られたポリイミド
樹脂15gをシクロヘキサノン851に溶解して感光性
材料(A)を製造した。
イミド化を行った。 イミド化反応後、反応溶液をメタ
ノールと水の混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析出
させ、析出物を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末(対
数粘度0.5> 59gを得た。 得られたポリイミド
樹脂15gをシクロヘキサノン851に溶解して感光性
材料(A)を製造した。
実施例 2
三ロフラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を窒素で置
換した後、4.4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジ
フェニルへキサフルオロプロパン217.20と3.3
′−ジアミノベンゾフェノン96. OQを入れ、これ
にN M P 342m1を加えて溶解した。 溶解後
、0℃に冷却して攬−押しながら3.3’−4,4’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物32.2gを加
えた。
換した後、4.4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジ
フェニルへキサフルオロプロパン217.20と3.3
′−ジアミノベンゾフェノン96. OQを入れ、これ
にN M P 342m1を加えて溶解した。 溶解後
、0℃に冷却して攬−押しながら3.3’−4,4’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物32.2gを加
えた。
反応熱を氷水中で押さえながら6時間攪拌を続は反応さ
せた。 次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸40.
8nlおよびピリジン4.0ml@加え、100℃で酢
酸を留出させながら3時間の閉環反応を行った。 その
後、無水酢酸/ピリジンを減圧下で留出除去させてイミ
ド化を行った。 イミド化反応後、反応溶液をメタノー
ルと水の混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析出させ
、析出物を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末(対数粘
度0.44 >64gを得た。 得られたポリイミド樹
脂粉末15 gをシクロヘキサノン8511に溶解して
感光性材料(B)を得た。
せた。 次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸40.
8nlおよびピリジン4.0ml@加え、100℃で酢
酸を留出させながら3時間の閉環反応を行った。 その
後、無水酢酸/ピリジンを減圧下で留出除去させてイミ
ド化を行った。 イミド化反応後、反応溶液をメタノー
ルと水の混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析出させ
、析出物を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末(対数粘
度0.44 >64gを得た。 得られたポリイミド樹
脂粉末15 gをシクロヘキサノン8511に溶解して
感光性材料(B)を得た。
実施例 3
三ロフラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を窒素で置
換した後、3.3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−
4,4′−ジアミノジフェニルメタン225.6gと3
.3′ジアミノベンゾフェノン48.0(+を入れ、こ
れにN M P 242nlを加え溶解した。 溶解後
、0°Cに冷却して攪拌しながら3.3′、 4.4’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物32.2gを
加えた。
換した後、3.3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−
4,4′−ジアミノジフェニルメタン225.6gと3
.3′ジアミノベンゾフェノン48.0(+を入れ、こ
れにN M P 242nlを加え溶解した。 溶解後
、0°Cに冷却して攪拌しながら3.3′、 4.4’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物32.2gを
加えた。
反応熱を氷水中で押さえながら6時間攪拌を続けて反応
さぜな、 次いで、反応溶液に脱水剤である無水酢酸4
0.8n lおよびピリジン4.0nlを加え、100
℃で酢酸を留出させながら3時間の閉環反応を行った。
さぜな、 次いで、反応溶液に脱水剤である無水酢酸4
0.8n lおよびピリジン4.0nlを加え、100
℃で酢酸を留出させながら3時間の閉環反応を行った。
その後、無水酢酸/ピリジンを減圧下で留出除去させ
てイミド化を行った。 イミド化反応後、反応溶液をメ
タノールと水の混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析
出させ、析出物を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末(
対数粘度0.33) 56.40を得た。 得られたポ
リイミド樹脂15gをシクロヘキサノン851に溶解し
て感光性材料(C)を得た。
てイミド化を行った。 イミド化反応後、反応溶液をメ
タノールと水の混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析
出させ、析出物を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末(
対数粘度0.33) 56.40を得た。 得られたポ
リイミド樹脂15gをシクロヘキサノン851に溶解し
て感光性材料(C)を得た。
比較例
感光基を含有するポリアミド樹脂をシクロヘキサノンに
溶解して感光性材料(D>を得た。
溶解して感光性材料(D>を得た。
実施例1〜3および比較例で得た感光性材料(A)〜(
D)を用いてシリコンウェハ−上にスピンコードにより
均一な厚さに塗布した。 次いで塗布膜を90℃の熱風
乾燥器内で30分間乾燥しな、 乾燥後の塗膜厚さは1
〜3μlであった。
D)を用いてシリコンウェハ−上にスピンコードにより
均一な厚さに塗布した。 次いで塗布膜を90℃の熱風
乾燥器内で30分間乾燥しな、 乾燥後の塗膜厚さは1
〜3μlであった。
その後、塗布膜にネガ型のフォトマスクチャーを置き、
450W高圧水銀灯を用いて1000nJ/ cm’の
照射を行った。
450W高圧水銀灯を用いて1000nJ/ cm’の
照射を行った。
そして、これをシクロへキサノン/酢酸イソアミルを現
@液として未露光部を洗い流し、さらに酢酸イソアミル
でリンスを行った。 乾燥後、恒温乾燥機内で150℃
に30分間熱処理し、シリコンウェハー上に感光性材料
からなる絶縁保護膜を形成した。この絶縁保護膜につい
て耐熱性(熱分解5%減量温度およびTg)、耐薬品性
を試験したのでその結果を第1表に示した。
@液として未露光部を洗い流し、さらに酢酸イソアミル
でリンスを行った。 乾燥後、恒温乾燥機内で150℃
に30分間熱処理し、シリコンウェハー上に感光性材料
からなる絶縁保護膜を形成した。この絶縁保護膜につい
て耐熱性(熱分解5%減量温度およびTg)、耐薬品性
を試験したのでその結果を第1表に示した。
本発明に係る感光性材料から得られた絶縁保護膜は優れ
た特性を示し、本発明の効果を確認することができた。
た特性を示し、本発明の効果を確認することができた。
第1表
優れ、かつ保存安定性もよく、収縮率も小さいものであ
り、固体素子の絶縁層やパッシベーション層として好適
なものである。
り、固体素子の絶縁層やパッシベーション層として好適
なものである。
な
*1 :トリクレン中10分間浸漬
*2:10%塩酸中10分間浸漬
*3:10%塩酸中10分間浸漬
[発明の効果コ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1(A)3、3′、4、4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸(その無水物及び低級アルキル エステルを含む)と、 (B)一般式( I )および(II) ▲数式、化学式、表等があります▼…( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼…(II) (但し、式中Xは、CH_2、O、SO_2、C(CH
_3)_2、C(CF_3)_2又はSの2価の基を、
R^1、R^2はCH_3、 C_2H_5、OCH_3又はOC_2H_5の基を、
R^3、R^4はC_2H_5基を、R^5はフェニレ
ン基又はシクロヘキシレン基を表し、そ してR^1〜R^4はいずれもR^5に関しアミノ基の
オルソ位に置換されている)で示さ れる化合物が併用されるとともに( I )お よび(II)の化合物を少なくとも90モル%含む芳香族
ジアミンとを、 ほぼ等モル反応させてなるポリイミド樹脂を含むことを
特徴とする感光性樹脂組成物。 (A)3、3′、4、4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸(その無水物及び低級アルキル エステルを含む)と、 (B)一般式( I )および(II) ▲数式、化学式、表等があります▼…( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼…(II) (但し、式中Xは、CH_2、O、SO_2、C(CH
_3)_2、C(CF_3)_2又はSの2価の基を、
R^1、R^2はCH_3、 C_2H_5、OCH_3又はOC_2H_3の基を、
R^3、R^4はC_2H_5基を、R^5はフェニレ
ン基又はシクロヘキシレン基を表し、そ してR^1〜R^4はいずれもR^5に関しアミノ基の
オルソ位に置換されている)で示さ れる化合物が併用されるとともに( I )お よび(II)の化合物を少なくとも90モル%含む芳香族
ジアミンとを、 ほぼ等モル反応させてなることを特徴とするポリイミド
樹脂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10806589A JPH02284924A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10806589A JPH02284924A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02284924A true JPH02284924A (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=14475000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10806589A Pending JPH02284924A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02284924A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0447143A2 (en) * | 1990-03-12 | 1991-09-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Carrier for biochemically active substances |
JPH05107171A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-27 | Hosokawa Micron Corp | 粉体測定装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59219330A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-10 | オーシージー マイクロエレクトロニク マテリアルズ インク. | ポリイミド、その製造方法および用途 |
JPS62266540A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 平坦化パタ−ンの形成方法 |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP10806589A patent/JPH02284924A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59219330A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-10 | オーシージー マイクロエレクトロニク マテリアルズ インク. | ポリイミド、その製造方法および用途 |
JPS62266540A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 平坦化パタ−ンの形成方法 |
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JPH05107171A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-27 | Hosokawa Micron Corp | 粉体測定装置 |
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