JPS6147710A - 熱安定性ポリマー系、その製法及び多層印刷配線の製法 - Google Patents
熱安定性ポリマー系、その製法及び多層印刷配線の製法Info
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- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
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- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S525/922—Polyepoxide polymer having been reacted to yield terminal ethylenic unsaturation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロエレクトロニクスに使用するための
枢射腺により網状化可能の熱安定性ポリマー系とその製
法、並、%のポリマー系を使用する多層印刷配線の製法
に関する、 〔従来の技術〕 相応する回路(9)を含む薄層ラミネートを接着シート
を用いて相互にプレス加工することにより多層配線を製
造することは公知である。この薄層ラミネート及び接着
シートは個々の導線路面間に絶縁材層を形成する。多層
印刷回路板の形成後、穿孔し、次いでこの穿孔部を接触
処理する(スルーホールの形成)ことにより個々の肋間
に回路接続及び接触個所を形成する。
枢射腺により網状化可能の熱安定性ポリマー系とその製
法、並、%のポリマー系を使用する多層印刷配線の製法
に関する、 〔従来の技術〕 相応する回路(9)を含む薄層ラミネートを接着シート
を用いて相互にプレス加工することにより多層配線を製
造することは公知である。この薄層ラミネート及び接着
シートは個々の導線路面間に絶縁材層を形成する。多層
印刷回路板の形成後、穿孔し、次いでこの穿孔部を接触
処理する(スルーホールの形成)ことにより個々の肋間
に回路接続及び接触個所を形成する。
接触層、中間層における亀裂の発生及びろう待時又は交
番熱負荷峙ζ二おける層剥離効果を回避するため、上記
の方法は、薄層ラミネートの両面を銅張りし、フォトレ
ジストワニスで被覆することにより改良された、ネガチ
プワニス又はボジチプワニスであってもよいこのワニス
は相応するマスクで覆われ、露光され、現像される。残
存する規律された樹脂層は次の銅に対する腐食工程の際
にレジストとして作用する。腐食により銅を除去した後
、ネガテプワニスを使用した場合にはフォトエッチレジ
ストワニスが付着している所望の回路内が生じる。この
ワニスの残分な有機溶剤でか又は機械的に除去し−その
後に次の層を施す−放射線を用いて構造体を製造する場
合、低エネルギー範囲(波長はl 00 nm より大
)と高エネルギー範囲例えばX線又は電子線とでは異な
る。
番熱負荷峙ζ二おける層剥離効果を回避するため、上記
の方法は、薄層ラミネートの両面を銅張りし、フォトレ
ジストワニスで被覆することにより改良された、ネガチ
プワニス又はボジチプワニスであってもよいこのワニス
は相応するマスクで覆われ、露光され、現像される。残
存する規律された樹脂層は次の銅に対する腐食工程の際
にレジストとして作用する。腐食により銅を除去した後
、ネガテプワニスを使用した場合にはフォトエッチレジ
ストワニスが付着している所望の回路内が生じる。この
ワニスの残分な有機溶剤でか又は機械的に除去し−その
後に次の層を施す−放射線を用いて構造体を製造する場
合、低エネルギー範囲(波長はl 00 nm より大
)と高エネルギー範囲例えばX線又は電子線とでは異な
る。
当然のことながら小さな波長の放射線を使用した坦合に
は露光工程での溶解度は、ヒ昇する。文献「アイ・イー
・イー・ブロシーデインダスJ(IBBProceed
ings ) 第130巻、mr部、$5号、1985
年lO月、第245〜2F11頁に掲載されたレドウイ
ズ(A、 Ledwith )の論文から明らかな通り
、紫外線では約lμ島にまた電子線では約80′kにそ
の限界値が存在する。
は露光工程での溶解度は、ヒ昇する。文献「アイ・イー
・イー・ブロシーデインダスJ(IBBProceed
ings ) 第130巻、mr部、$5号、1985
年lO月、第245〜2F11頁に掲載されたレドウイ
ズ(A、 Ledwith )の論文から明らかな通り
、紫外線では約lμ島にまた電子線では約80′kにそ
の限界値が存在する。
マイクロエレクトロニクスのデバイスの製造には導線路
間隔は2 n /+sより小さいことが必要である。こ
れにより、使用材料は低い誘電率を有さなければならな
いことが判る。
間隔は2 n /+sより小さいことが必要である。こ
れにより、使用材料は低い誘電率を有さなければならな
いことが判る。
文献「スペクトルム・デア・グイラセンシャツN (
Spektrum der Wiasenschaft
) 1983年9月号、?g 94−106頁の
ブロードグツト(A、 J、 Blodgett )の
論文から公知の通り、誘電率は3より小さいものである
べきである。同じ論文から高密度集積デバイスの場合運
転中に約100℃の範囲内で高熱連続負荷が生じること
が明らかである、 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、以下の特徴を有するj!光により網状
化可能のポリマー系を製造するととC二ある。
Spektrum der Wiasenschaft
) 1983年9月号、?g 94−106頁の
ブロードグツト(A、 J、 Blodgett )の
論文から公知の通り、誘電率は3より小さいものである
べきである。同じ論文から高密度集積デバイスの場合運
転中に約100℃の範囲内で高熱連続負荷が生じること
が明らかである、 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、以下の特徴を有するj!光により網状
化可能のポリマー系を製造するととC二ある。
(1)誘電率は3より小さい。
121 連続温度安定性は+00℃より大きい。
(3)短い露光時間が望ましく、すなわち100mWΔ
ノの強度で5分よりも出来るだけ短い。
ノの強度で5分よりも出来るだけ短い。
(4) 鋼中間層なしでの多層構造適性がもたらされ
る。
る。
要求される高い溶解性及び良好な構造安定性、並びl二
必要とされる耐熱負荷性を有するばかりでなく、通常の
フォトリソグラフィ法で問題なくDロエすることのでき
るポリマー材料はこれまで知られていない。
必要とされる耐熱負荷性を有するばかりでなく、通常の
フォトリソグラフィ法で問題なくDロエすることのでき
るポリマー材料はこれまで知られていない。
#誌rアンゲパンテ・マクロモレクラーレ・ヒエミー」
(人ngewandte Makromolekul
are Ch−emie ) 、 @+oqz+n(
1982年)号、第101−112頁に掲載されたアイ
ゼンバッハ(C,D、 Eisenbach ) の
論文から、硬化後良好な熱特性を示すか、硬化に際して
約40%の材料損失を生じ、従って構造不鮮鋭度を生せ
しめるポリイミド系が知られている。
(人ngewandte Makromolekul
are Ch−emie ) 、 @+oqz+n(
1982年)号、第101−112頁に掲載されたアイ
ゼンバッハ(C,D、 Eisenbach ) の
論文から、硬化後良好な熱特性を示すか、硬化に際して
約40%の材料損失を生じ、従って構造不鮮鋭度を生せ
しめるポリイミド系が知られている。
更に同じ論文から、極めて良好な電気的特性を示すが、
m党に際して不感性でありその上特有の色合をもつ、オ
リゴキノリン系も知られている。
m党に際して不感性でありその上特有の色合をもつ、オ
リゴキノリン系も知られている。
本発明の根本課題の一面を解決することのできる、ケイ
皮酸−エピクロルヒドリン−ビスフェノールAをペース
とする放射線に敏感なプラスチックワニスは、西ドイツ
特許出願公開$34zn+19号明細書に提案されてい
る。このポリマー系によって良好な構造溶解性及び有用
な電気的特性が得られるが、耐熱負荷性は最良ではない
。
皮酸−エピクロルヒドリン−ビスフェノールAをペース
とする放射線に敏感なプラスチックワニスは、西ドイツ
特許出願公開$34zn+19号明細書に提案されてい
る。このポリマー系によって良好な構造溶解性及び有用
な電気的特性が得られるが、耐熱負荷性は最良ではない
。
L問題点を解決するための手段〕
を記の要求を満す本発明によるポリマー系は。
公知σ;ポリマー系に対して、ポリマー分子1個当り少
くとも2個の反応性末端基を打する礫状フッ化ポリマー
が放射線C:敏感な物質と反応するための出発物質とし
て菩まれていることによって特徴−づけられる。その際
出発物質が化学式 %式% L式中X及pYは−CH,OH,−Coo)(、−CO
CI、−NCOを表わし、2は式 のイソシアナートを表わし、m及びnは2より大きく、
特に5〜20の間である〕で示される過フッ化エーテル
化合物から成るものも本発明の範囲内に含まれる(出発
化合物はそンテジソン(Mo−ntedison )
社より市販されている)。
くとも2個の反応性末端基を打する礫状フッ化ポリマー
が放射線C:敏感な物質と反応するための出発物質とし
て菩まれていることによって特徴−づけられる。その際
出発物質が化学式 %式% L式中X及pYは−CH,OH,−Coo)(、−CO
CI、−NCOを表わし、2は式 のイソシアナートを表わし、m及びnは2より大きく、
特に5〜20の間である〕で示される過フッ化エーテル
化合物から成るものも本発明の範囲内に含まれる(出発
化合物はそンテジソン(Mo−ntedison )
社より市販されている)。
しかしまた出発物質が化学式
%式%)
L式中Xはヒドロキシル基(OH)又はヨウ素(I)を
表わし%nは有利には3〜25の数である〕で示される
過フン化アルカン類からなることも可能である(この出
発化合物はへキス) ()(oe−chst )社から
市販されている。
表わし%nは有利には3〜25の数である〕で示される
過フン化アルカン類からなることも可能である(この出
発化合物はへキス) ()(oe−chst )社から
市販されている。
放射線により網状化可能の生成物に変えるために過フッ
化出発物質を直接反応させることができる。フッ化出発
物質をケイ皮酸、アクリル酸、又はメタクリル酸及びそ
の塩化物又は誘導献例えばフルフリルアクリル酸クロリ
ドと、直接反応させた場合、紫外線により硬化可能の生
成物が生じ、また二官能性の二重結合を含むカルボン酸
例えばマレイン酸又は相応する無水物例えば無水マレイ
ン酸と反応させた場合には、X線により硬化される生成
物が生じる。
化出発物質を直接反応させることができる。フッ化出発
物質をケイ皮酸、アクリル酸、又はメタクリル酸及びそ
の塩化物又は誘導献例えばフルフリルアクリル酸クロリ
ドと、直接反応させた場合、紫外線により硬化可能の生
成物が生じ、また二官能性の二重結合を含むカルボン酸
例えばマレイン酸又は相応する無水物例えば無水マレイ
ン酸と反応させた場合には、X線により硬化される生成
物が生じる。
分子を拡大しまた網状化を促進するため(これにより安
定性は高まる)、本発明によるもう1つの技術思想では
、少くとも2個の反応性末端基(例えばCOCl基)を
有するフッ化出発物質をまず多官能性の放射線C=反応
しない物質とカンプリングさせ、次の工程で放射線に敬
感な物質と反応させる。
定性は高まる)、本発明によるもう1つの技術思想では
、少くとも2個の反応性末端基(例えばCOCl基)を
有するフッ化出発物質をまず多官能性の放射線C=反応
しない物質とカンプリングさせ、次の工程で放射線に敬
感な物質と反応させる。
出発物質を反応させることのできる多官能性物質は以下
の通りである。
の通りである。
グリセリン又はペンタエリトリットのような多官能性の
アルコール; 置換フェノール、例えば −H又はアルキル基)及び/又はYは−(’:’OOH
を表わす〕か、又は −H又はアルキル基)な表わすか、又は〔式中Z バー
CH1OHを表わす〕、又はビスフェノール−A−誘導
体、例えば(式中2は−CH,OHを表わす〕、 又はa分子当IJ 1個又はそれ以上のエヂキシ基をキ
ル基)を含むポリマー;例えば 基)を表わし、Bは−H,アルキル基、フェニル利には
10≦n≦30である〕。
アルコール; 置換フェノール、例えば −H又はアルキル基)及び/又はYは−(’:’OOH
を表わす〕か、又は −H又はアルキル基)な表わすか、又は〔式中Z バー
CH1OHを表わす〕、又はビスフェノール−A−誘導
体、例えば(式中2は−CH,OHを表わす〕、 又はa分子当IJ 1個又はそれ以上のエヂキシ基をキ
ル基)を含むポリマー;例えば 基)を表わし、Bは−H,アルキル基、フェニル利には
10≦n≦30である〕。
所望の光に対して網状化可能のポリマーを得るためのも
う一つの可能性は、まずフッ化出発物質を党に反応する
基を有する物質とカップリングし、その際生じた生成物
Aを次の工程で多官能性の光に反応する物質と反応させ
ることにより生ずる。次にその実施例を示す。
う一つの可能性は、まずフッ化出発物質を党に反応する
基を有する物質とカップリングし、その際生じた生成物
Aを次の工程で多官能性の光に反応する物質と反応させ
ることにより生ずる。次にその実施例を示す。
1閤14鳳工程
フッ化出発物質を例えばケイ皮酸クロリドと反第2工程
庄成物人を、グリセリン1モノν及びケイ皮酸3モルよ
りなる生成物B と例えばA:B−+o:+の割合で反応させた場合、次
の化学式 %式% を有する最終生成物が生じる。
りなる生成物B と例えばA:B−+o:+の割合で反応させた場合、次
の化学式 %式% を有する最終生成物が生じる。
を記の式は、網状化された生成物におけるム及びBの無
限の配列可能性の1つを示すものである(=すぎない。
限の配列可能性の1つを示すものである(=すぎない。
その他の変形としては次のものを示すことができる、
I)全ての可能な組合せ
が生じ得る。この生成物は三次元的C:無限に網状化さ
れている。
れている。
2)無数の立体異性体が生じ得ろう
A二■〉CH−CH−X及びB二(qcH−CH−Yに
してはすべてのシクロブタン形成(網状化)につき敬種
の立体異性体が存在する。
してはすべてのシクロブタン形成(網状化)につき敬種
の立体異性体が存在する。
l) に記載した種々の組合せに基づき該生成物に関し
ては無数の異なる立体配座が生ずる。
ては無数の異なる立体配座が生ずる。
この反応を実施するために、エポキシドを反応させる公
知の方法又は縮合反応を使用するが、この反応は例えば
ブラウン(D、 Braun )著「ブラクチクム・デ
ア・マクロモレクラーレン・ヒエミーJ (” Pra
ktikum der Makromolekular
enChemie 、 ヒュテヒ・クント・クエブフ
(l(tjth−ig und Wepf )社出版〕
に記載されている、本発明による生成物は、有利には4
0〜200℃の温度範囲で、特に銅又は銅合金から成る
金属中間層を設けるか又は設けずにプレス加工/積J軸
加工することによって箔としてか又は特に金属箔又は金
属薄板から成る基材をラッカ塗装、吹き付は又は浸漬処
理により被覆するため、適当な溶剤中に溶解した物質と
して、及び/又はその他の光開始剤又は安定剤として作
用する添卯物(シソナメート用光開始剤、例えばアクリ
ラート用ミヒラーケトン、例えば約l〜5%の濃度のベ
ンゾイン誘導体及び安定剤、例えば約Q、 1〜05%
の濃度のヒドロキノン)と共に加工することができる。
知の方法又は縮合反応を使用するが、この反応は例えば
ブラウン(D、 Braun )著「ブラクチクム・デ
ア・マクロモレクラーレン・ヒエミーJ (” Pra
ktikum der Makromolekular
enChemie 、 ヒュテヒ・クント・クエブフ
(l(tjth−ig und Wepf )社出版〕
に記載されている、本発明による生成物は、有利には4
0〜200℃の温度範囲で、特に銅又は銅合金から成る
金属中間層を設けるか又は設けずにプレス加工/積J軸
加工することによって箔としてか又は特に金属箔又は金
属薄板から成る基材をラッカ塗装、吹き付は又は浸漬処
理により被覆するため、適当な溶剤中に溶解した物質と
して、及び/又はその他の光開始剤又は安定剤として作
用する添卯物(シソナメート用光開始剤、例えばアクリ
ラート用ミヒラーケトン、例えば約l〜5%の濃度のベ
ンゾイン誘導体及び安定剤、例えば約Q、 1〜05%
の濃度のヒドロキノン)と共に加工することができる。
次に実施例に基づき、本発明によるポリマー系を多層印
刷配線の製造に使用する場合について記載する。その際
材料の特性により、導線路及びスルーホールを備える絶
縁支持体用の新規構成部材が得られる。
刷配線の製造に使用する場合について記載する。その際
材料の特性により、導線路及びスルーホールを備える絶
縁支持体用の新規構成部材が得られる。
第1(2)及び弔2図は本発明による処理工程を示す略
本断面図である。
本断面図である。
vB1図において支持体として銅箔1を使用し、これに
光網状化可能の絶縁物質より成る層2ン、本発明方法に
より(例えばミヒラークトンを安定剤として添卯して)
浸漬又は噴霧塗布法によって例えば5〜20μ陽の層厚
(:塗布する。層2を有利には紫外線で露光し、現[象
することにより、これに接合可能のスルーホール、すな
わちチップの接続点を穿孔3として絶縁層2C生せしめ
る。照射は接触法又は投射法で、層2の穿孔3の部分な
被覆する(ネガチプワニス)マスクを使用して(図示せ
ず)行う。引続き被覆された部分3を適当な溶剤、例え
ばクロルフルオロ炭化水素(例えば■ − フレオン(Freon ) 、 rユボン社製、又
はフ[F] ルオリネルト(Fluorinert ) スリー!
、A (3M)社製〕で溶解除去する。屑2のwr元
された部分13では化学的網状化が生じ、これにより溶
解は阻止されることから、部分13は絶縁層として残留
する。この第1絶縁層2(+3)に配設されたスルーホ
ール用の穿孔3を製造した後、穿孔3を、支持体として
使用する銅箔冨との関連下に電気メツキ法により良好な
導電材料例えば銅で充填する($2図の23)。
光網状化可能の絶縁物質より成る層2ン、本発明方法に
より(例えばミヒラークトンを安定剤として添卯して)
浸漬又は噴霧塗布法によって例えば5〜20μ陽の層厚
(:塗布する。層2を有利には紫外線で露光し、現[象
することにより、これに接合可能のスルーホール、すな
わちチップの接続点を穿孔3として絶縁層2C生せしめ
る。照射は接触法又は投射法で、層2の穿孔3の部分な
被覆する(ネガチプワニス)マスクを使用して(図示せ
ず)行う。引続き被覆された部分3を適当な溶剤、例え
ばクロルフルオロ炭化水素(例えば■ − フレオン(Freon ) 、 rユボン社製、又
はフ[F] ルオリネルト(Fluorinert ) スリー!
、A (3M)社製〕で溶解除去する。屑2のwr元
された部分13では化学的網状化が生じ、これにより溶
解は阻止されることから、部分13は絶縁層として残留
する。この第1絶縁層2(+3)に配設されたスルーホ
ール用の穿孔3を製造した後、穿孔3を、支持体として
使用する銅箔冨との関連下に電気メツキ法により良好な
導電材料例えば銅で充填する($2図の23)。
引続きスルーホール23を含む絶縁層■3に。
元網状化可能の絶縁物質より成るもう1つの層4を、本
発明方法により第1図につき記載したのと同じ方法で施
し、導線路5及びもう1つのスルーホール6を設ける。
発明方法により第1図につき記載したのと同じ方法で施
し、導線路5及びもう1つのスルーホール6を設ける。
層4のwr元及び現数は第1図に記載したのと同様にし
て行う6181の絶縁層2(+3)の穿孔(ヌル−ホー
/I/)3と重なり合うスルーホール用穿孔6以外に、
izの絶縁層4には、所望の導線路用の溝状空所5′4
f設ける。この空所5は、@l絶iL!層(2,13)
の少くとも1個のスルーホール23が空所5内に突入す
るように配置する。導線路を構成するため空所5を電気
メッキする。次いで史にスルーホール及び導線路を、先
に記載した製造工程を相応して繰り返すことにより施す
ことができる。個々の処理段階の間に40〜150℃で
の乾燥及び/又は熱硬化工程が行われる。
て行う6181の絶縁層2(+3)の穿孔(ヌル−ホー
/I/)3と重なり合うスルーホール用穿孔6以外に、
izの絶縁層4には、所望の導線路用の溝状空所5′4
f設ける。この空所5は、@l絶iL!層(2,13)
の少くとも1個のスルーホール23が空所5内に突入す
るように配置する。導線路を構成するため空所5を電気
メッキする。次いで史にスルーホール及び導線路を、先
に記載した製造工程を相応して繰り返すことにより施す
ことができる。個々の処理段階の間に40〜150℃で
の乾燥及び/又は熱硬化工程が行われる。
本発明による配線構造は鋼中間層を必要としない。要求
された高い耐熱負荷性は達成され、従って公知のレジス
ト技術での加工は円滑に行われる。これによりこの種構
造体の製法が簡略化されるばかりでなく、電気データに
対する信頼度も高まる。
された高い耐熱負荷性は達成され、従って公知のレジス
ト技術での加工は円滑に行われる。これによりこの種構
造体の製法が簡略化されるばかりでなく、電気データに
対する信頼度も高まる。
この理由から、更には極めて低いDK及び良好な溶解度
により本発明によるポリマー系は、VL8I工業分野で
の集積半導体回路の製造で高温安定性のネガテプワニス
として最適であり、この場合寸法精度のミクロ構造体又
はパターンが得られることは極めて有意義である。露光
時間はこの分野で使用可能のワニス系と比較可能である
。その詳細については雑誌「ディ・アンゲパンテ・マク
aモvクラ−v・ヒエ−J (”DieAngew−a
ndte Makromolekulare Chem
ie″第109/ l 10号(1982年)、第+0
1−112頁)に掲載されたアイゼンバラへ(C,D、
Eisanb−aeh ) の論文から知ることが
できる。
により本発明によるポリマー系は、VL8I工業分野で
の集積半導体回路の製造で高温安定性のネガテプワニス
として最適であり、この場合寸法精度のミクロ構造体又
はパターンが得られることは極めて有意義である。露光
時間はこの分野で使用可能のワニス系と比較可能である
。その詳細については雑誌「ディ・アンゲパンテ・マク
aモvクラ−v・ヒエ−J (”DieAngew−a
ndte Makromolekulare Chem
ie″第109/ l 10号(1982年)、第+0
1−112頁)に掲載されたアイゼンバラへ(C,D、
Eisanb−aeh ) の論文から知ることが
できる。
第1図及び第2図は本発明方法の処理工程を示す多層配
線体の略本断面図である。 1・・・支持体(金属箔)、 2・・・絶縁層(ポリ
マー系)、 3・・・穿孔(スルーホール)、4・・・
1j!2層、 5・・・si導線路 6・・・スルー
ホール、 13・・・露光部分、 23・・・充填
部分。
線体の略本断面図である。 1・・・支持体(金属箔)、 2・・・絶縁層(ポリ
マー系)、 3・・・穿孔(スルーホール)、4・・・
1j!2層、 5・・・si導線路 6・・・スルー
ホール、 13・・・露光部分、 23・・・充填
部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)ポリマー分子1個当り少くとも2個の反応性末端基
を有する線状フッ化ポリマーを放射線に敏感な物質と反
応させるための出発物質として含むことを特徴とするマ
イクロエレクトロニクスに使用するための放射線により
網状化可能の熱安定性ポリマー系。 2)出発物質が化学式 X−CF_2O−(C_2F_4O)_m−(CF_2
O)_2−CF_2−Y及び/又は Z−CF_2−(C_2F_4O)_m−(CF_2O
)_n−CF_2−Z〔式中X及びYは−CH_2OH
、−COOH、−COCl、−NCOを表わし、Zは式 ▲数式、化学式、表等があります▼のイソシアナートを
表 わし、m及びnは2より大きい〕で示される過フッ化ポ
リエーテル化合物から成ることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のポリマー系。 3)m及びnが5〜20の数であることを特徴とする特
許請求の範囲第2項記載のポリマー系。 4)出発物質が化学式 X−(CF_2)_n−X 〔式中Xはヒドロキシル基(OH)又はヨウ素(I)を
表わし、nは3〜25の数である〕で示される過フッ化
アルカン類から成ることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のポリマー系。 5)放射線に敏感な物質がケイ皮酸、アクリル酸又はメ
タクリル酸、及びその塩化物又は誘導体から成ることを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれ
か1項に記載のポリマー系。 6)フルフリルアクリル酸クロリドを使用することを特
徴とする特許請求の範囲第5項記載のポリマー系。 7)放射線に敏感な物質が二官能性の二重結合を含むカ
ルボン酸又は相応する無水物から成ることを特徴とする
特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれか1項に記
載のポリマー系。 8)マレイン酸又は無水マレイン酸を使用することを特
徴とする特許請求の範囲第7項記載のポリマー系。 9)線状のフッ化ポリマーを放射線に敏感な物質とまた
多官能性で放射線に反応しない物質と反応させることを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれ
か1項に記載のポリマー系。 10)放射線に反応しない物質が化学式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Zは−CH_2OHを表わす〕で示されるビスフ
ェノール−A−誘導体から成ることを特徴とする特許請
求の範囲第9項記載のポリマー系。 11)放射線に反応しない物質が1分子当り1個又はそ
れ以上のエポキシ基、及びポリマー構成要素1個当り1
個又はそれ以上の−OH又は▲数式、化学式、表等があ
ります▼〔式中Rは−H又はアルキル基を 表わす〕を含有するポリマーから成ることを特徴とする
特許請求の範囲第9項記載のポリマー系。 12)放射線に反応しない物質として化学式▲数式、化
学式、表等があります▼ 〔式中有利にはAは▲数式、化学式、表等があります▼
を表わし 、Xは−OH又は▲数式、化学式、表等があります▼(
R=−H又はア ルキル基)を表わし、Bは−H、アルキル基、フェニル
基、特に▲数式、化学式、表等があります▼を表わ し、n≧2、特に10≦n≦30である〕で示される化
合物を使用することを特徴とする特許請求の範囲第11
項記載のポリマー系。 13)フッ化ポリマーを放射線反応性基を有する化合物
とカップリングしまた多官能性の放射線反応性物質と反
応させることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第4項のいずれか1項に記載のポリマー系。 14)線状のフッ化ポリマーを放射線に敏感な物質とま
た多官能性で放射線に反応しない物質と反応させること
によりマイクロエレクトロニクスに使用するための放射
線により網状化可能の熱安定性ポリマーを製造する方法
において、フッ化出発物質を中間生成物を介してまず多
官能性の放射線に反応しない物質と反応させ、次に放射
線に反応する物質と反応させることを特徴とするマイク
ロエレクトロニクスに使用するための放射線により網状
化可能の熱安定性ポリマー系の製造方法。 15)放射線に反応しない物質としてグリセリン又はペ
ンタエリトリットの様な多官能性アルコールを使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第14項記載の方法。 16)放射線に反応しない物質として化学式▲数式、化
学式、表等があります▼ 〔式中Xは−OHを表わし、Yは▲数式、化学式、表等
があります▼ 及び/又は−COOHを表わし、Rは−H又はアルキル
基を表わす〕で示される多置換されたフェノールを使用
することを特徴とする特許請求の範囲第14項記載の方
法。 17)放射線に反応しない物質として化学式▲数式、化
学式、表等があります▼ 〔式中Xは−OHを表わし、Yは▲数式、化学式、表等
があります▼を 表わし、Rは−H又はアルキル基を表わす〕で示される
多置換されたフェノールを使用することを特徴とする特
許請求の範囲第14項記載の方法。 18)放射線に反応しない物質として化学式▲数式、化
学式、表等があります▼ 〔式中Zは−CH_2OHを表わす〕で示される多置換
されたフェノールを使用することを特徴とする特許請求
の範囲第14項記載の方法。 19)フッ化ポリマーを放射線反応性基を有する化合物
とカップリングしまた多官能性の放射線反応性物質と反
応させることによりマイクロエレクトロニクスに使用す
るための放射線により網状化可能の熱安定性ポリマーを
製造する方法において、フッ素化された出発物質をまず
ケイ皮酸クロリドと反応させ、次いで生じた生成物Aを
グリセリン1モル及びケイ皮酸3モルから生じた生成物
Bと10:1の割合で反応させることを特徴とするマイ
クロエレクトロニクスに使用するための放射線により網
状化可能の熱安定性ポリマー系の製造方法。 20)a)ポリマー分子1個当り少くとも2個の反応性
末端基を有する線状フッ化ポリマーを 放射線に敏感な物質と反応させるための出 発物質として含む放射線により網状化可能 のポリマー系(2)で銅からなる金属箔( 1)を被覆し、 b)所望の配線構造(3)を露光しかつ露光されなかっ
た個所を溶解除去することによ ってポリマー層(2)内に製造し、 c)露出された金属(1)を電気メッキにより強化し、 d)同様にしてもう1つの層(4)を被覆処理、構造化
及びメッキ処理により製造する ことを特徴とするポリマー系を使用する多 層印刷配線の製造方法。 21)紫外線照射を接触法又は投射法でマスクの使用下
に行うことを特徴とする特許請求の範囲第20項記載の
方法。 22)溶剤としてハロゲン化された炭化水素、特にクロ
ルフルオロ炭化水素を使用することを特徴とする特許請
求の範囲第20項又は第21項記載の方法。 23)次の層(4、5、6)を構成する前に、中間的な
乾燥及び/又は40〜150℃の範囲での熱処理を行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第20項ないし第22
項のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3429606 | 1984-08-10 | ||
DE3429606.9 | 1984-08-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6147710A true JPS6147710A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=6242852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60173078A Pending JPS6147710A (ja) | 1984-08-10 | 1985-08-06 | 熱安定性ポリマー系、その製法及び多層印刷配線の製法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4732843A (ja) |
EP (1) | EP0174494B1 (ja) |
JP (1) | JPS6147710A (ja) |
AT (1) | ATE43924T1 (ja) |
AU (1) | AU594644B2 (ja) |
CA (1) | CA1262070A (ja) |
DE (1) | DE3570931D1 (ja) |
DK (1) | DK363385A (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3679453D1 (de) * | 1985-06-05 | 1991-07-04 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von gedruckten schaltungen unter verwendung eines durch strahlung vernetzenden fotopolymersystems. |
ATE108914T1 (de) * | 1987-03-12 | 1994-08-15 | Siemens Ag | Strahlungsvernetzbares polymersystem zur anwendung als photoresist und dielektrikum für mikroverdrahtungen. |
EP0309783A3 (de) * | 1987-09-28 | 1989-08-30 | Siemens Nixdorf Informationssysteme Aktiengesellschaft | Strahlungsvernetzbare Harze für Anwendungen in der Elektronik |
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JP3061194B2 (ja) * | 1989-12-08 | 2000-07-10 | アライド・シグナル・インコーポレイテツド | フッ素化ポリ(アリーレンエーテル)誘電体を含んでなる電子物品 |
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