JP2840098B2 - ポリマーのレーザー加工 - Google Patents

ポリマーのレーザー加工

Info

Publication number
JP2840098B2
JP2840098B2 JP1502992A JP50299289A JP2840098B2 JP 2840098 B2 JP2840098 B2 JP 2840098B2 JP 1502992 A JP1502992 A JP 1502992A JP 50299289 A JP50299289 A JP 50299289A JP 2840098 B2 JP2840098 B2 JP 2840098B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
article according
polyamide
polyimide
main chain
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1502992A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03502587A (ja
Inventor
ラドゥン、マイケル・ジョーゼフ
ペネック、リチャード・ジョン
スミス、ニコラス・ジェイ・ジー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
REIKEMU Ltd
Original Assignee
REIKEMU Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB888802568A external-priority patent/GB8802568D0/en
Priority claimed from GB888828245A external-priority patent/GB8828245D0/en
Application filed by REIKEMU Ltd filed Critical REIKEMU Ltd
Publication of JPH03502587A publication Critical patent/JPH03502587A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2840098B2 publication Critical patent/JP2840098B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016—Brazing of electronic components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B23K20/023—Thermo-compression bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K31/00—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups
    • B23K31/02—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups relating to soldering or welding
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/30—Organic material
    • B23K2103/42—Plastics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0326—Organic insulating material consisting of one material containing O
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0333—Organic insulating material consisting of one material containing S
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/036—Multilayers with layers of different types
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0116—Porous, e.g. foam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Multicomponent Fibers (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Polyamides (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポリマー材料のレーザー加工およびそのよう
にして製造されたレーザー加工物品に関する。
米国特許第4,617,085号は、ArFエキシマーレーザーか
らの波長193nmの紫外線を用いてアブレーション（融
蝕）光分解により有機フィルムから有機物質を除去する
方法を記載している。アクリレートまたはメタクリレー
トのような脂肪族ビニルポリマー単位が、スチレン、ビ
ニルトルエンまたはビニルビフェニルのような側鎖芳香
族環を含む芳香族ビニルポリマー単位と一緒に存在する
ポリマーブレンドまたはコポリマーの使用により除去速
度が実質的に向上することが記載されている。
本発明は、優れたレーザー加工特性を有し、要すれば
有利な装置及び／又は波長を用いて、ポリマーの炭素質
化を低下させて（好ましくは無くして）レーザー加工物
品を製造するためのポリマーに関する。炭素質はまわり
のポリマー表面を汚染する傾向があり、例えば電子マイ
クロ回路のための洗浄加工を困難にするので、炭素質化
が起こらないことは有利である。
すなわち、本発明の第１の要旨は、（ａ）芳香族及び
／又は非結晶性ポリアミド材料または（ｂ）ポリマー主
鎖に芳香族環および脂肪族鎖を繰り返して含むポリマー
材料を少なくとも部分的に含んでなり、該ポリマー材料
が、ポリマー主鎖に芳香族環および脂肪族鎖を有するポ
リエーテルエステルおよびポリイミドから選択されるレ
ーザーアブレーション（融蝕）加工物品を提供する。本
発明の第２の要旨は、ポリマー材料本体を、該本体の一
部を除去するためのレーザー波長、出力密度およびエネ
ルギーフルエンス（energy fluence）でレーザー融蝕加
工することからなり、該本体が、少なくとも部分的に、
（ａ）芳香族及び／又は非結晶性ポリアミド材料または
（ｂ）ポリマー主鎖に芳香族環および脂肪族鎖を繰り返
して含むポリマー材料（材料がポリエステルの場合、好
ましくは全ての場合、脂肪族鎖は少なくとも４個、好ま
しくは少なくとも６個、より好ましくは少なくとも８個
の炭素原子を有する）を含んでなるポリマー材料製物品
の製造方法を提供する。ポリエステルは、主鎖の各芳香
族核とその次の芳香族核の間に少なくとも４個の炭素原
子を有する脂肪族鎖を含むことが好ましい。
本発明の物品または方法で使用されるポリマー材料の
多くは、ポリマー主鎖に芳香族環を含み、そのことによ
り、前記米国特許に記載の単に側鎖芳香族環を有するポ
リマーとは異なる本発明のポリマー特性が得られること
がわかる。本発明のポリマーは、レーザー融蝕加工また
は処理に良く適している。この用語は、ポリマー材料の
融蝕光分解を起こすようにレーザー輻射線を適用するこ
とによりポリマー材料本体の物理的寸法を変化させる形
成、造形、切断、穿孔、エッチング、マーキング、パタ
ーニングまたは他の方法のいずれの方法も意味し、輻射
線は細いビームでも広い面積にわたり広がってもよい。
レーザー輻射線は所望の融蝕加工効果を生じさせるこ
とのできる任意の波長のものでよく、以下レーザー輻射
線を「光」と表現した場合、任意の特定領域の輻射線波
長を示すものではない。紫外レーザー光、特に400nm以
下の波長の光が好ましい。特に重要な波長は、エキシマ
ーレーザーにより発生したもので、例えば、351、337、
308、249、222、193および157nmであり、用途にある程
度依存して選択される。例えば、193nmでは分解能が非
常に細かく、248nmまたはそれ以上の波長、好ましくは3
08nmでは、空気にあまり吸収されないので光学媒体を広
範囲に選択することができ、真空下に伝達する必要がな
い。好ましくはXeClエキシマーレーザーからの波長308n
mの光が特に有用であり、そのようなレーザー内のガス
は、大部分の他の既知のガス系よりもかなり長い使用寿
命を有する。249nmのKrFエキシマーレーザー光も、例え
ば、より細かい平板印刷特性のためにまたは特定のポリ
マーへの発色団の添加の必要性を避けるのに有用であ
る。
本発明の物品および方法に用いるポリマーは、前述の
ポリアミド及び／又はその主鎖に芳香族環および脂肪族
鎖を有するポリマーを含む。この用語は（前述のポリエ
ステルの条件に従い）、結合してもよい側鎖脂肪族基お
よびカルボニル炭素原子を除くポリマー主鎖の一部を形
成する鎖の炭素原子数が少なくとも２、好ましくは少な
くとも４、多くの場合、６、８または10を越えることを
意味する。この用語には脂環式鎖も含まれる。側鎖脂肪
族基が含まれる場合、主鎖と側鎖の合計で少なくとも３
個、好ましくは少なくとも５個、多くの場合少なくとも
７、９または11個の炭素原子が含まれる。
主鎖に芳香族環と脂肪族鎖をこのように組み合わせて
含むポリマーは、炭素質がほとんどまたは全く生ずるこ
となくレーザー融蝕加工し得ることがわかった。
上記ポリマーは、例えば、ポリエーテルエステル、前
記ポリアミドおよびポリイミドから選択することができ
る。レーザー加工を向上させる充分に発色性を有する物
質、例えば芳香族カルボニル化合物、具体的にはベンゾ
フェノンをポリマーにドーピングしてよい。
一つの態様において、本発明の物品および方法は、ド
ーピングを必要としない種類のポリマーを用いる。この
種のポリマーは、ポリエーテルエステル、特に、エステ
ルブロックの主鎖に前記芳香族環を含むことが好ましい
ポリエーテルエステルブロックコポリマーである。好ま
しいコポリマーはエステルブロックの主鎖に脂肪族鎖も
含む。好ましいコポリマーは、エーテルブロックの主鎖
に脂肪族鎖を有し芳香族環を有さなくてよい。好ましい
コポリマー内の脂肪族鎖は、好ましくは４個の炭素原
子、より好ましくは４個のメチレン基を有し、特に好ま
しいコポリマーは、式： で示される繰り返し単位のポリエステルブロックおよび
式： で示される繰り返し単位のポリエーテルブロックを含む
ポリエーテルエステルである。
別の態様において、本発明の物品および方法は、ポリ
マー主鎖に好ましくはフタル酸から誘導された芳香族環
を含む芳香族ポリアミドであってよい、及び／又は、好
ましくはその主鎖に芳香族環および脂肪族鎖を含む非結
晶性ポリアミドであってよいポリアミドを用いる。特に
好ましいポリアミドは、 （Ａ）テレフタル酸とトリメチルヘキサメチレンジアミ
ン（好ましくは2,2,4−および2,4,4−トリメチルヘキサ
メチレンジアミン異性体混合物を含む）との縮合物系の
ポリアミド、 （Ｂ）一種またはそれ以上のビスアミノメチルノルボル
ナンと一種またはそれ以上の脂肪族、脂環式または芳香
族ジカルボン酸、例えばテレフタル酸との縮合物系であ
り、要すれば一種またはそれ以上のアミノ酸またはラク
タム、例えばε−カプロラクタムコモノマーを含むポリ
アミド、 （Ｃ）ラウリンラクタム、イソフタル酸およびビス−
（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタンから
誘導される単位を含むポリアミド、 （Ｄ）2,2−ビス−（ｐ−アミノシクロヘキシル）プロ
パンとアジピン酸およびアゼライン酸との縮合系ポリア
ミド、およびトランスシクロヘキサン−1,4−ジカルボ
ン酸と（Ａ）に記載のトリメチルヘキサメチレンジアミ
ン異性体との縮合系ポリアミド、または （Ｅ）ｍ−キシレンジアミンおよびアジピン酸から誘導
された単位を含むポリアミド および特に非結晶性のポリアミドを含む。
他の例は、限定されないが、式： で示される非結晶性ポリアミドを含む。式中、Ｒまたは
Ｒ′の一部は芳香族環および一部は脂肪族鎖であり、Ｒ
およびＲ′は独立に、炭素原子数が、約１〜30の広範
囲、好ましくは約２〜20、最も好ましくは約２〜10であ
るアルキレン基、炭素原子数が約３〜30の広範囲、好ま
しくは約２〜20、最も好ましくは約２〜10であるシクロ
アルキレンもしくはアリーレン基、または炭素原子数が
約４〜30の広範囲、約４〜20、より好ましくは約４〜10
であるアルキル−シクロアルキル混合基であり得、また
Ｒは式： で示される基であってもよい。式中、R2およびR3は、各
々独立して、水素、または炭素原子数が約１〜15の広範
囲、好ましくは約１〜５であるアルキル基、炭素原子数
が約３〜16、好ましくは約５〜10のシクロアルキル基、
または炭素原子数が約６〜20、好ましくは約６〜10のア
ルキル−シクロアルキル混合基を表す。好ましい態様に
おいて、各R2はメチルおよび各R3は水素を表す。各ｎは
整数、好ましくは約10〜500000の整数を表す。
適当なポリアミドの例は、結晶度が約２％以下、すな
わち非結晶性が98％以上である、ヘキサメチレンジアミ
ンとテレフタル酸およびイソフタル酸等量混合物とを5
0:50の比で用いて誘導された非結晶性ポリアミド、イソ
フタル酸／ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシ
ル）メタン／ラウリルラクタムから誘導された非結晶性
ポリアミド、およびジメチルテレフタレートおよび2,2,
4−と2,4,4−トリメチルヘキサメチレンジアミンとの5
0:50混合物から誘導された非結晶性ポリアミド等、なら
びにそれらの二種またはそれ以上の混合物を含み得る。
加工表面がポリイミドからなる本発明の要旨におい
て、ポリマー材料がピロメリトイミドから誘導された芳
香族環をその主鎖に有するポリイミドを含むことが好ま
しい。少なくとも10個の炭素原子を有する脂肪族鎖を主
鎖に含むポリイミドを含むポリマー材料、特にポリイミ
ドが1,12−ドデカメチレンピロメリトイミドまたは1,13
−トリデカメチレンピロメリトイミドから誘導されたも
のであるポリマー材料も好ましい。
有用であり得る他の芳香族／脂肪族ポリマーは、ポリ
エステル、例えばポリアルキレンテレフタレートおよび
特にポリテトラメチレンテレフタレート、および脂環式
ジオール／テレフタル酸コポリマー、例えばテレフタレ
ートおよびイソフタレート単位と1,4−シクロヘキサン
ジメチロキシ単位とのコポリマー、ポリスルフィド、ポ
リエーテル、例えば、ポリブチレンエーテルコポリマ
ー、および特にポリテトラメチレンエーテルおよびポリ
テトラメチレンテレフタレートブロックを有するような
ポリエーテルエステルを含む。
好ましいコポリエステルは、テレフタル酸、ポリテト
ラメチレンエーテルグリコールおよび1,4−ブタンジオ
ールから誘導されたポリエーテルエステルポリマーであ
る。これらは、式： で示される繰り返し単位を有する結晶性ハードブロッ
ク、および式： で示される分子量が約600〜3000、すなわちｎ＝６〜40
である繰り返し単位を有する非結晶性弾性ポリテトラメ
チレンエーテルテレフタレートソフトブロックを含むラ
ンダムブロックコポリマーである。
他の好ましいポリマーは、ポリエーテルおよびポリア
ミドブロック系のポリマー、特に、式： 〔式中、Ａは平均分子量が300〜15000、好ましくは800
〜5000のポリアミド鎖、Ｂは平均分子量が200〜6000、
好ましくは400〜3000の直鎖状または分岐状のポリオキ
シアルキレン鎖を表す。〕 で示される繰り返し単位を有するいわゆる「ポリエーテ
ル−エステルアミドブロックコポリマー」を含む。
好ましくは、ポリアミド鎖はC4〜C14炭素鎖を有する
α，ω−アミノカルボン酸、ラクタムまたはジアミン／
ジカルボン酸組合わせから形成され、ポリオキシアルキ
レン鎖はエチレングリコール、プロピレングリコール及
び／又はテトラメチレングリコールから得られ、ポリオ
キシアルキレン鎖はブロックコポリマー全体の５〜85重
量％、特に10〜50重量％をなす。これらのポリマーおよ
びその調製法が、英国特許第1,473,972号、同第1,532,9
30号、同第1,555,644号、同第2,005,283A号および同第
2,011,450A号に記載されている。
ポリマーのC:H比は好ましくは0.9を越えない、より好
ましくは0.75を越えない、最も好ましくは0.65を越えな
い、特に0.55を越えない。
ポリマー材料がシート状でありシートにレーザー加工
により通り孔が設けられている場合、本発明の物品およ
び方法は、ヨーロッパ特許出願公開第0213774号、また
は英国特許出願第8802567号、同第8802565号、同880256
6号、同第8815447.1号、同第8819895.7号および同第882
3053.7号に記載されているような工業的に価値のある単
軸導電性物品の製造に適用することができる。この目的
のために、本発明の物品および方法の特に有用な態様に
おいて、レーザー加工ポリマー材料は、前述したような
表面汚染を避けるために、少なくとも一つのポリイミド
材料層および少なくとも一つの好ましくは前述のポリア
ミドからなるポリアミド材料層を含むラミネート状シー
トを含んでなる。
そのようなラミネート状シートは、ヨーロッパ特許出
願公開第0123774号または前記英国特許出願に記載され
た単軸導電性物品の製造に有用であり得る。この目的の
ために好ましいポリイミドは、ASTM D882によりpH10の
水中に100℃で４日間浸漬した後、最初の伸びの少なく
とも50％、好ましくは少なくとも75％、より好ましくは
少なくとも85％を保持できるものである。開環イミド環
または非環化アミド酸基の割合が15％以下、好ましくは
10％以下、より好ましくは５％以下、可能ならば実質的
に０％である充分に環化したポリイミドが、カプトン
（Kapton:商標）のような環化の不充分なポリイミドよ
りも、熱アルカリ金属メッキ浴に対する耐性が強いこと
が容易に理解される。ポリイミドは、環化が充分であっ
てもなくても、4,4′−ビフェニル二無水物および（4,
4′−ジアミノビフェニル、4,4′−ジアミノビフェニル
エーテルまたはフェニレンジアミン）の重合により誘導
されていることが好ましく、穿孔レーザーにさらされる
ラミネートの表面にポリイミドが存在する必要がないの
で、これらラミネートにおいていかなるポリイミドの炭
素質化も顕著ではない。
近年のより好ましい市販のポリイミドは、ウベ／アイ
シーアイ（Ube/ICI）からウピレックス（UPILEX）の商
標名で得られるものである。それらのうち「ウピレック
ス アール（UPILEX R）」は、ビフェニル二無水物およ
びジアミノジフェニルエーテルから誘導された繰り返し
単位： を有する比較的充分に環化されたポリマーであると考え
られる。
しかしながら、最も好ましいのは、同じ無水物および
フェニレンジアミンから誘導された繰り返し単位： を有すると考えられる「ウピレックス エス（UPILEX
S）」である。
本発明は、ここに記載のレーザー加工方法を用いた、
前述のような層状のレーザー加工物品からなるフォトレ
ジスト（例えばマイクロ回路または柔軟性回路板の製造
用）の形成にも特に有用であり得る。この目的のため
に、溶媒流延可能なまたはスピンコート可能な非結晶性
ポリマー材料が特に有利である。
一部のポリマーは、予想に反して、レーザー加工に必
要な出力密度より低い出力密度で紫外光を適用すると架
橋することができるという更なる利点を有する。これ
は、レーザー加工の実施不実施によらず、フォトレジス
トの形成に特に有用であり得る。
本発明の以下の実施例により説明する。下記ポリマー
は空気中、表示波長で室温でレーザー加工した。「NC」
は炭素質形成が観察されないことを示し、Ｓは炭素質形
成がわずかに観察されるかまたはほとんど観察されない
ことを示し、Ｃは炭素質形成を示し、Ｈは激しい炭素質
形成を示す。実施例番号の後にＣ＊を付した実施例は、
本発明の他の実施例に対する比較例である。
実施例16の市販の芳香族ポリエーテルアミドは、C4〜
C14炭素鎖を有するα，ω−アミノカルボン酸、ラクタ
ムまたはジアミン／ジカルボン酸組合わせから得られた
ポリアミド鎖、およびエチレングリコール、プロピレン
グリコール及び／又はテトラメチレングリコールから得
られたポリオキシアルキレン鎖を含み、ポリオキシアル
キレン鎖はブロックコポリマー全体の５〜85重量％、特
に10〜50重量％をなす。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 スミス、ニコラス・ジェイ・ジー イギリス国 ウィルトシャー・エスエヌ ６・６エルティー、クリックレイド、ノ ース・メドウ・ロード 11番 (56)参考文献 特開 昭62−230832（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−245643（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−12945（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−153734（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−154143（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−105042（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08J 7/00 H01S 3/00 H01L 21/30

Claims (22)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】レーザーアブレーション材料が、（ａ）芳
    香族及び／又は非結晶性ポリアミド材料または（ｂ）ポ
    リマー主鎖に主鎖芳香族環および主鎖脂肪族鎖を含む繰
    り返し単位を有するポリマー材料を少なくとも部分的に
    含んでなり、該ポリマー材料が、ポリマー主鎖に芳香族
    環および脂肪族鎖を有するポリエーテルエステルおよび
    ポリイミドから選択されるレーザーアブレーション加工
    物品。
  2. 【請求項２】ポリマー材料が、エステルブロックの主鎖
    に芳香族環を有するポリエーテルエステルブロックコポ
    リマーを含んでなる請求項１記載の物品。
  3. 【請求項３】エステルブロックの主鎖に脂肪族鎖をも有
    する請求項２記載の物品。
  4. 【請求項４】エーテルブロックの主鎖に脂肪族鎖を有す
    るが芳香族環を有しない請求項１〜３のいずれかに記載
    の物品。
  5. 【請求項５】脂肪族鎖の少なくとも一部が少なくとも４
    個の炭素原子を有する請求項１〜４のいずれかに記載の
    物品。
  6. 【請求項６】コポリマーが、式： で示される繰り返し単位のポリエステルブロックおよび
    式： で示される繰り返し単位のポリエーテルブロックを有し
    てなる請求項２記載の物品。
  7. 【請求項７】ポリアミドがその主鎖にフタル酸から誘導
    された芳香族環を有する請求項１〜６のいずれかに記載
    の物品。
  8. 【請求項８】ポリマー材料が、 （Ａ）テレフタル酸とトリメチルヘキサメチレンジアミ
    ン（好ましくは2,2,4−および2,4,4−トリメチルヘキサ
    メチレンジアミン異性体混合物を含む）との縮合物系の
    ポリアミド、 （Ｂ）一種またはそれ以上のビスアミノメチルノルボル
    ナン異性体と一種またはそれ以上の脂肪族、脂環式また
    は芳香族ジカルボン酸、例えばテレフタル酸との縮合に
    より形成され、要すれば一種またはそれ以上のアミノ酸
    またはラクタム、例えばγ−カプロラクタムコモノマー
    を含むポリアミド、 （Ｃ）ラウリンラクタム、イソフタル酸およびビス−
    （４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタンから
    誘導された単位を含んでなるポリアミド、 （Ｄ）2,2−ビス−（ｐ−アミノシクロヘキシル）プロ
    パンとアジピン酸およびアゼライン酸との縮合物系のポ
    リアミド、およびトランスシクロヘキサン−1,4−ジカ
    ルボン酸と（Ａ）に記載のトリメチルヘキサメチレンジ
    アミン異性体との縮合物系のポリアミド、または （Ｅ）ｍ−キシレンジアミンおよびアジピン酸から誘導
    された単位を含んでなるポリアミド を含んでなる請求項１〜８のいずれかに記載の物品。
  9. 【請求項９】ポリマー材料が、ピロメリトイミドから誘
    導された芳香族環をその主鎖に有するポリイミドを有す
    る請求項１記載の物品。
  10. 【請求項１０】ポリマー材料が、少なくとも10個の炭素
    原子を有する脂肪族鎖をその主鎖に有するポリイミドを
    含んでなる請求項１または９記載の物品。
  11. 【請求項１１】ポリイミドが、1,12−ドデカメチレンピ
    ロメリトイミドまたは1,13−トリデカメチレンピロメリ
    トイミドから誘導されている請求項９記載の物品。
  12. 【請求項１２】レーザー加工ポリマー材料が非結晶性で
    ある請求項１〜11のいずれかに記載の物品。
  13. 【請求項１３】レーザー加工性を向上させるためにポリ
    マー材料に芳香族カルボニル化合物をドーピングする請
    求項１〜12のいずれかに記載の物品。
  14. 【請求項１４】レーザー加工ポリマー材料が、少なくと
    も一つのポリアミド材料層および少なくとも一つのポリ
    イミド材料層を有するラミネート状シートを含んでなる
    請求項１〜13のいずれかに記載の物品。
  15. 【請求項１５】ポリアミド層が、請求項９記載のポリア
    ミドを含んでなる請求項14記載の物品。
  16. 【請求項１６】ポリイミド層が請求項９〜11のいずれか
    に記載のポリイミドを含んでなる請求項14または15記載
    の物品。
  17. 【請求項１７】4,4′−ビフェニル二無水物と4,4′−ジ
    アミノビフェニル、4,4′−ジアミノビフェニルエーテ
    ルまたはフェニレンジアミン、好ましくｐ−フェニレン
    ジアミンとの重合によりポリイミドが誘導される請求項
    14または15記載の物品。
  18. 【請求項１８】ポリイミド材料が、ASTM D882によりpH1
    0の水中に100℃で４日間浸漬した後に、最初の伸びの少
    なくとも50％、好ましくは少なくとも75％、より好まし
    くは少なくとも85％を保持することができる請求項14〜
    17のいずれかに記載の物品。
  19. 【請求項１９】ポリマー材料がシート状であり、レーザ
    ー加工によりシートに通し孔が設けられている請求項１
    〜18のいずれかに記載の物品。
  20. 【請求項２０】ポリマー材料の少なくとも一部を、レー
    ザー加工に用いるよりも低い出力のレーザー光にさらす
    ことにより架橋する請求項１〜19のいずれかに記載の物
    品。
  21. 【請求項２１】基材上のフォトレジスト層の形態である
    請求項１〜20のいずれかに記載の物品。
  22. 【請求項２２】ポリマー材料のC:H比が0.9を越えない、
    好ましくは0.65を越えない請求項１〜21のいずれかに記
    載の物品。
JP1502992A 1988-02-05 1989-02-03 ポリマーのレーザー加工 Expired - Fee Related JP2840098B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8802568 1988-02-05
GB888802568A GB8802568D0 (en) 1988-02-05 1988-02-05 Laser-machining polymers
GB8828245.4 1988-12-02
GB888828245A GB8828245D0 (en) 1988-12-02 1988-12-02 Anisotropically electrically conductive articles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03502587A JPH03502587A (ja) 1991-06-13
JP2840098B2 true JP2840098B2 (ja) 1998-12-24

Family

ID=26293429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1502992A Expired - Fee Related JP2840098B2 (ja) 1988-02-05 1989-02-03 ポリマーのレーザー加工

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5487852A (ja)
EP (2) EP0400070A1 (ja)
JP (1) JP2840098B2 (ja)
KR (1) KR900701040A (ja)
AT (1) ATE112098T1 (ja)
DE (1) DE68918300T2 (ja)
WO (1) WO1989007337A1 (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073814A (en) * 1990-07-02 1991-12-17 General Electric Company Multi-sublayer dielectric layers
JP2850518B2 (ja) * 1990-10-17 1999-01-27 日本電気株式会社 有機樹脂多層配線基板および有機樹脂多層配線基板の製造方法
US5308180A (en) * 1991-12-09 1994-05-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Liquid applicator with metering insert
EP0560072A3 (en) * 1992-03-13 1993-10-06 Nitto Denko Corporation Anisotropic electrically conductive adhesive film and connection structure using the same
ES2102857T3 (es) * 1993-06-11 1997-08-01 Minnesota Mining & Mfg Utensilio de reproduccion maquinado por laser.
DE19540074A1 (de) * 1995-10-27 1997-04-30 Bayer Ag Verfahren zur Mikrostrukturierung von Polymeren
EP0818811B1 (en) * 1996-07-05 1999-12-15 Hewlett-Packard Company Method of making solder bumps
EP0824989A3 (en) * 1996-08-23 2000-03-08 Eastman Kodak Company Method of forming a mask useful for engraving ceramic articles
US5776408A (en) * 1996-08-23 1998-07-07 Eastman Kodak Company Method of engraving green ceramic articles
US5955022A (en) * 1997-02-10 1999-09-21 Compaq Computer Corp. Process of making an orifice plate for a page-wide ink jet printhead
US6303488B1 (en) * 1997-02-12 2001-10-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of forming openings to devices and substrates, exposing material from which photoresist cannot be substantially selectively removed
US5997985A (en) * 1998-09-10 1999-12-07 Northrop Grumman Corporation Method of forming acoustic attenuation chambers using laser processing of multi-layered polymer films
US6592943B2 (en) 1998-12-01 2003-07-15 Fujitsu Limited Stencil and method for depositing solder
US6495468B2 (en) 1998-12-22 2002-12-17 Micron Technology, Inc. Laser ablative removal of photoresist
US6277319B2 (en) 1999-02-19 2001-08-21 Green Tokai Co., Ltd. Method for trimming shaped plastic workpieces
GB0009719D0 (en) * 2000-04-19 2000-06-07 Scient Generics Ltd A method of fabricating coded particles
SG98017A1 (en) * 2000-12-19 2003-08-20 Inst Materials Research & Eng Method of forming selective electronics plating on polymer surfaces
US6540952B2 (en) 2001-03-16 2003-04-01 Preco Laser Systems, Llc Laser ablation of multiple layers
GB2433460A (en) * 2005-12-20 2007-06-27 Arisawa Seisakusho Kk Laser ablation apparatus,processing method and mask therefor
US20070231541A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 3M Innovative Properties Company Microstructured tool and method of making same using laser ablation
US20070235902A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 3M Innovative Properties Company Microstructured tool and method of making same using laser ablation
EP2654089A3 (en) * 2007-02-16 2015-08-12 Nanogram Corporation Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
US20090000888A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Mcandrews Michael Bicycle damper
US20100294352A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Metal patterning for electrically conductive structures based on alloy formation
US20100294349A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes
US8912083B2 (en) 2011-01-31 2014-12-16 Nanogram Corporation Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3790744A (en) * 1971-07-19 1974-02-05 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
ATE22518T1 (de) * 1980-09-15 1986-10-15 Ciba Geigy Ag Verwendung von flexiblem basismaterial zur herstellung von gedruckten schaltungen.
JPS58206005A (ja) * 1982-05-24 1983-12-01 インタ−ナシヨナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−シヨン 被膜組成物およびその被膜を設けてなる電子回路
US4417948A (en) * 1982-07-09 1983-11-29 International Business Machines Corporation Self developing, photoetching of polyesters by far UV radiation
US4414059A (en) * 1982-12-09 1983-11-08 International Business Machines Corporation Far UV patterning of resist materials
GB8412674D0 (en) * 1984-05-18 1984-06-27 British Telecomm Integrated circuit chip carrier
JPS60245643A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 表面改質合成樹脂成形品
EP0174494B1 (de) * 1984-08-10 1989-06-07 Siemens Aktiengesellschaft Thermostabiles, durch Bestrahlung vernetzbares Polymersystem für mikroelektronische Anwendung
JPH0719936B2 (ja) * 1985-04-24 1995-03-06 株式会社日立製作所 配線板
CA1284523C (en) * 1985-08-05 1991-05-28 Leo G. Svendsen Uniaxially electrically conductive articles with porous insulating substrate
EP0218796B1 (en) * 1985-08-16 1990-10-31 Dai-Ichi Seiko Co. Ltd. Semiconductor device comprising a plug-in-type package
US4617085A (en) * 1985-09-03 1986-10-14 General Electric Company Process for removing organic material in a patterned manner from an organic film
ES2019931B3 (es) * 1986-02-14 1991-07-16 Amoco Corp Tratamiento por laser ultravioleta de superficies moldeadas.
JPS63105042A (ja) * 1986-10-21 1988-05-10 Toyoda Gosei Co Ltd 高分子成形品
JP2819555B2 (ja) * 1987-03-16 1998-10-30 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチュアリング カンパニー 半結晶性ポリマーの表面改質方法および該改質表面を有する半結晶性ポリマー物品
JP2656517B2 (ja) * 1987-12-11 1997-09-24 帝人株式会社 重合体の光加工法
EP0346485B1 (en) * 1987-12-11 1996-04-03 Teijin Limited Aromatic polymer moldings having modified surface condition and process for their production
JPH0798870B2 (ja) * 1987-12-11 1995-10-25 帝人株式会社 高分子の光加工方法
US4780177A (en) * 1988-02-05 1988-10-25 General Electric Company Excimer laser patterning of a novel resist
US4877644A (en) * 1988-04-12 1989-10-31 Amp Incorporated Selective plating by laser ablation
US4857382A (en) * 1988-04-26 1989-08-15 General Electric Company Apparatus and method for photoetching of polyimides, polycarbonates and polyetherimides
US4915981A (en) * 1988-08-12 1990-04-10 Rogers Corporation Method of laser drilling fluoropolymer materials
EP0413664B1 (de) * 1989-08-18 1995-03-22 Ciba-Geigy Ag Lasermarkierung von Kunststoffgegenständen in an sich beliebiger Form mit besonderen Effekten
DE4041884A1 (de) * 1990-12-27 1992-07-02 Abb Patent Gmbh Verfahren zur behandlung von oberflaechen

Also Published As

Publication number Publication date
KR900701040A (ko) 1990-08-17
EP0327398B1 (en) 1994-09-21
ATE112098T1 (de) 1994-10-15
DE68918300T2 (de) 1995-05-18
DE68918300D1 (de) 1994-10-27
WO1989007337A1 (en) 1989-08-10
US5487852A (en) 1996-01-30
EP0400070A1 (en) 1990-12-05
EP0327398A1 (en) 1989-08-09
JPH03502587A (ja) 1991-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2840098B2 (ja) ポリマーのレーザー加工
US20070149629A1 (en) Expanded and expandable high glass transition temperature polymers
JP3650121B2 (ja) ポリアミド酸及びポリアミド酸をポリイミドベンゾオキサゾールフィルムに加工する方法
JP2664091B2 (ja) 積層ポリマーシート
JPH0637566B2 (ja) 水蒸気透過性ポリ（エーテルイミド）エステルエラストマーフイルム
JPH05178992A (ja) ポリイミドシロキサン延長ブロックコポリマー
WO2008063730A2 (en) Biaxially oriented film, laminates made therefrom, and method
CN107001681A (zh) 多孔聚酰亚胺膜及其制造方法
US6277950B1 (en) Organic-soluble aromatic polyimides, organic solutions and preparation thereof
US4978737A (en) Copolyimides derived from 2,2-bis (amino phenyl) hexofluoropropane
JPWO2003030598A1 (ja) フレキシブルプリント基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いたフレキシブルプリント基板
TW200819501A (en) Polyimide-based resin composition, method of manufacturing thereof and metal laminate
KR102004660B1 (ko) 가교성 디안하이드라이드계 화합물 및 산화방지제를 포함하는 폴리이미드 전구체 조성물, 이로부터 제조된 폴리이미드 필름
WO2002066539A1 (en) Poly amic acid system for polyimides
EP0417778B1 (en) Polyimide compositions containing polyorganosiloxane for improving atomic oxygen resistance
Hsiao et al. Syntheses and Properties of Aromatic Polyimides Based on 1, 1-Bis [4-(4-aminophenoxy) phenyl]-1-phenyl-2, 2, 2-trifluoroethane and 1, 1-Bis [4-(4-aminophenoxy) phenyl]-1-phenylethane
US4857079A (en) Co-poly (imide ether) copolymer from diaminated polyalkyleneglycol
JPH04207094A (ja) フレキシブルプリント基板およびその製造方法
JP3079867B2 (ja) ポリイミド共重合体、その製造方法及びポリイミドフィルム
KR20200115264A (ko) 폴리이미드 필름의 제조 방법 및 금속 피복 적층판의 제조 방법
JP3528236B2 (ja) 粗面化ポリイミドフィルム及びその製造方法
JP2000302896A (ja) 芳香族ポリアミドフィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体および感熱転写記録媒体
CN114423824B (zh) 具有优异的耐化学性的聚酰亚胺薄膜及其的制备方法
JP2002088143A5 (ja)
KR20210109458A (ko) 유기 용제, 혼합 용액 및 폴리이미드 필름의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081016

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees