JP2924109B2 - 選択的にポリイミド表面を処理する方法 - Google Patents
選択的にポリイミド表面を処理する方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ポリイミド表面を選択的に処理する方法に
関するものである。
関するものである。
［従来の技術］ 従来、ポリイミド表面を処理する方法として、例え
ば、接着性を改良するために、プラズマ処理（例えば、
産業機械,No.461,p.24〜28（1989））やイオンビームエ
ッチング処理（例えば、IBM,J,Res,Dev,Vo.32,No.5,p.6
26〜630（1988））などが用いられているが、これらは
コストが高く、生産性が悪いといった問題があった。
ば、接着性を改良するために、プラズマ処理（例えば、
産業機械,No.461,p.24〜28（1989））やイオンビームエ
ッチング処理（例えば、IBM,J,Res,Dev,Vo.32,No.5,p.6
26〜630（1988））などが用いられているが、これらは
コストが高く、生産性が悪いといった問題があった。
また、ポリイミドと配線金属間、ポリイミドと封止樹
脂間、ポリイミドとポリイミド間などにカップリング処
理を施そうとする場合、カップリング処理が不要な部
分、例えば、コンタクトホール（上下配線間の接続孔）
や、ボンディングパッド（リードと配線の接続孔）部に
カップリング層が残存し、接続抵抗が大きくなるという
問題があり、カップリング剤処理による表面改質が実用
化し難しいと言う状況にある。
脂間、ポリイミドとポリイミド間などにカップリング処
理を施そうとする場合、カップリング処理が不要な部
分、例えば、コンタクトホール（上下配線間の接続孔）
や、ボンディングパッド（リードと配線の接続孔）部に
カップリング層が残存し、接続抵抗が大きくなるという
問題があり、カップリング剤処理による表面改質が実用
化し難しいと言う状況にある。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑み、創案された
もので、その目的とするところは、接着性などのポリイ
ミド皮膜の表面特性を簡単な方法で選択的に改質せしめ
るとともに、従来技術に見られるような接続抵抗の増大
を確実に防止することのできる方法を提供することにあ
る。
もので、その目的とするところは、接着性などのポリイ
ミド皮膜の表面特性を簡単な方法で選択的に改質せしめ
るとともに、従来技術に見られるような接続抵抗の増大
を確実に防止することのできる方法を提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、上記目的を達成するための次の構成、すな
わち、ポリイミド表面を処理する方法において、下記の
（Ａ）〜（Ｅ）の工程よりなることを特徴とする選択的
にポリイミド表面を処理する方法により達成される。
わち、ポリイミド表面を処理する方法において、下記の
（Ａ）〜（Ｅ）の工程よりなることを特徴とする選択的
にポリイミド表面を処理する方法により達成される。
（Ａ）基板上にポリイミド前駆体を塗布し、乾燥するこ
とにより、ポリイミド前駆体皮膜を形成する工程、 （Ｂ）該ポリイミド前駆体皮膜を選択的に露光した後、
現像してパターン状にポリイミド前駆体膜を除去する工
程、 （Ｃ）該パターン化されたポリイミド前駆体皮膜をカッ
プリング剤で処理する工程、 （Ｄ）該ポリイミド前駆体皮膜が除去された部分に形成
されたカップリング剤を溶剤で洗浄、除去する工程 （Ｅ）該ポリイミド前駆体皮膜を熱処理してポリイミド
に転換する工程。
とにより、ポリイミド前駆体皮膜を形成する工程、 （Ｂ）該ポリイミド前駆体皮膜を選択的に露光した後、
現像してパターン状にポリイミド前駆体膜を除去する工
程、 （Ｃ）該パターン化されたポリイミド前駆体皮膜をカッ
プリング剤で処理する工程、 （Ｄ）該ポリイミド前駆体皮膜が除去された部分に形成
されたカップリング剤を溶剤で洗浄、除去する工程 （Ｅ）該ポリイミド前駆体皮膜を熱処理してポリイミド
に転換する工程。
本発明でいうポリイミド前駆体は、テトラカルボン酸
二無水物とジアミンを選択的に組み合わせ、これらをＮ
−メチル−２−ピロリドン、N,N′−ジメチルホルムア
ミドなどの極性溶媒中で反応させることにより得られる
ものである。このポリイミド前駆体のワニスを基板上に
塗布して200〜400℃の範囲で熱処理を行ない脱水縮合す
ることによりポリイミドを得ることができる。ポリイミ
ド前駆体としては、公知のものが使用しるう。具体的に
は、ピロメリット酸二無水物と4,4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリッ
ト酸二無水物とパラフェニレンジアミン、3,3′,4,4′
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレ
ンジアミン、3,3′,4,4−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物とパラフェニレンジアミンおよびビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどから合成
されたポリイミド前駆体が好ましく用いられるが、これ
らに限定されない。
二無水物とジアミンを選択的に組み合わせ、これらをＮ
−メチル−２−ピロリドン、N,N′−ジメチルホルムア
ミドなどの極性溶媒中で反応させることにより得られる
ものである。このポリイミド前駆体のワニスを基板上に
塗布して200〜400℃の範囲で熱処理を行ない脱水縮合す
ることによりポリイミドを得ることができる。ポリイミ
ド前駆体としては、公知のものが使用しるう。具体的に
は、ピロメリット酸二無水物と4,4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリッ
ト酸二無水物とパラフェニレンジアミン、3,3′,4,4′
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレ
ンジアミン、3,3′,4,4−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物とパラフェニレンジアミンおよびビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどから合成
されたポリイミド前駆体が好ましく用いられるが、これ
らに限定されない。
また、このようなポリイミド前駆体に感光性を付与し
たもの（感光性ポリイミド前駆体）は直接パターン加工
でき、工程を簡略化できるので望ましい。感光性ポリイ
ミド前駆体としては、前記ポリイミドの前駆体に感光性
化合物を導入したものが挙げられる。ポリイミド前駆体
を感光化し得る感光性化合物としては、ビスアジド、ビ
ニル基を有するアミノ化合物などが例として挙げられ
る。具体的な感光性ポリイミド前駆体の組成としては、
例えば特公昭59−52822号公報に記載されているものを
挙げることができる。
たもの（感光性ポリイミド前駆体）は直接パターン加工
でき、工程を簡略化できるので望ましい。感光性ポリイ
ミド前駆体としては、前記ポリイミドの前駆体に感光性
化合物を導入したものが挙げられる。ポリイミド前駆体
を感光化し得る感光性化合物としては、ビスアジド、ビ
ニル基を有するアミノ化合物などが例として挙げられ
る。具体的な感光性ポリイミド前駆体の組成としては、
例えば特公昭59−52822号公報に記載されているものを
挙げることができる。
本発明において使用される基板としては、通常シリコ
ンウエハやセラミックなどが用いられているが、これら
に限定されない。これらの基板上には通常配線が施され
る。配線としては、電気伝導性の材料が所望の機能を果
たすように、パターン状または全面に形成された層が使
用できる。電気伝導性の材料としては、アルミニウム、
銅、金、ニッケル、クロム、モリブデン、ニクロム、パ
ラジウム、銀などが、単独あるいは、複層で好ましく用
いられる。これらの配線は、通常、真空蒸着、スパッタ
リング、電子線蒸着などの物理蒸着法やメッキなどによ
り、全面あるいは、パターン状に形成される。全面に形
成した場合は、フォトリソグラフィーによりパターン化
することが多い。
ンウエハやセラミックなどが用いられているが、これら
に限定されない。これらの基板上には通常配線が施され
る。配線としては、電気伝導性の材料が所望の機能を果
たすように、パターン状または全面に形成された層が使
用できる。電気伝導性の材料としては、アルミニウム、
銅、金、ニッケル、クロム、モリブデン、ニクロム、パ
ラジウム、銀などが、単独あるいは、複層で好ましく用
いられる。これらの配線は、通常、真空蒸着、スパッタ
リング、電子線蒸着などの物理蒸着法やメッキなどによ
り、全面あるいは、パターン状に形成される。全面に形
成した場合は、フォトリソグラフィーによりパターン化
することが多い。
つぎに、選択的にポリイミド表面を処理する方法につ
いて説明する。
いて説明する。
まず、ポリイミド前駆体溶液を基板上に塗布した後、
乾燥し、ポリイミド前駆体皮膜を形成する。この場合の
乾燥は、通常70〜150℃で10分〜120分行われる。
乾燥し、ポリイミド前駆体皮膜を形成する。この場合の
乾燥は、通常70〜150℃で10分〜120分行われる。
ついで、該ポリイミド前駆体皮膜を選択的に露光した
後、現像してスルーホール部を含むパターン状部のポリ
イミド前駆体皮膜が除去されて、パターン化されたポリ
イミド前駆体皮膜が形成される。パターン化する方法と
しては公知の加工処理が適用できる。例えば、ポジレジ
ストをマスクとしてポジレジストの現像と同時にポリイ
ミドのエッチングを行う方法（例えば、R.A.Dine−Har
t.他,Br.Polym.J.3,222（1971））、ネガレジストをマ
スクにし、ネガレジストの現像後にポリイミドをヒドラ
ジンのような有機アルカリでエッチングする方法（例え
ば、特開昭53−49701号公報）、ポリイミド前駆体に感
光性を付与し、直接パターンを形成する方法（例えば、
特開昭54−145794号公報）などが挙げられる。
後、現像してスルーホール部を含むパターン状部のポリ
イミド前駆体皮膜が除去されて、パターン化されたポリ
イミド前駆体皮膜が形成される。パターン化する方法と
しては公知の加工処理が適用できる。例えば、ポジレジ
ストをマスクとしてポジレジストの現像と同時にポリイ
ミドのエッチングを行う方法（例えば、R.A.Dine−Har
t.他,Br.Polym.J.3,222（1971））、ネガレジストをマ
スクにし、ネガレジストの現像後にポリイミドをヒドラ
ジンのような有機アルカリでエッチングする方法（例え
ば、特開昭53−49701号公報）、ポリイミド前駆体に感
光性を付与し、直接パターンを形成する方法（例えば、
特開昭54−145794号公報）などが挙げられる。
ついで、該パターン化されたポリイミド前駆体皮膜が
形成された基板はカップリング剤で処理される。カップ
リング剤としては、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリ
メトキシシランなどのアミノシラン系（例えば、トーレ
ダウコーニングシリコーン（株）製SH−6020、SH−6050
や信越シリコーン（株）製のKBE−903）やアルミニウ
ム、ジルコニウム、チタニウム、鉄などの有機キレート
系（例えば、特開昭55−78553号公報）などが挙げられ
る。カップリング剤の処理法としては、回転塗布法、浸
漬法、ロール塗布法、印刷法、刷毛塗り法などが挙げら
れるが、中でもカップリング剤中に浸漬する方法が簡便
で好ましい。
形成された基板はカップリング剤で処理される。カップ
リング剤としては、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリ
メトキシシランなどのアミノシラン系（例えば、トーレ
ダウコーニングシリコーン（株）製SH−6020、SH−6050
や信越シリコーン（株）製のKBE−903）やアルミニウ
ム、ジルコニウム、チタニウム、鉄などの有機キレート
系（例えば、特開昭55−78553号公報）などが挙げられ
る。カップリング剤の処理法としては、回転塗布法、浸
漬法、ロール塗布法、印刷法、刷毛塗り法などが挙げら
れるが、中でもカップリング剤中に浸漬する方法が簡便
で好ましい。
ついで、該ポリイミド前駆体皮膜が除去された部分に
形成されたカップリング剤を溶剤で洗浄することによ
り、ポリイミド前駆体のパターンが形成されていない部
分は、カップリング剤が除去され、ポリイミド前駆体の
パターンが形成されている部分のみカップリング処理さ
れる。洗浄に使用する溶剤としては、石油系炭化水素、
芳香族系炭化水素およびアルコールなどのカップリング
剤を溶解するものが使用でき、例えばイソプロピルアル
コール、エタノール、アセトン、アセチルアセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセト酢
酸エチル、トルエン、キシレンなどが挙げられる。洗浄
方法としては、特に限定されないが、スピンナによる回
転塗布や、該洗浄する溶剤中に浸漬する方法が好まし
い。
形成されたカップリング剤を溶剤で洗浄することによ
り、ポリイミド前駆体のパターンが形成されていない部
分は、カップリング剤が除去され、ポリイミド前駆体の
パターンが形成されている部分のみカップリング処理さ
れる。洗浄に使用する溶剤としては、石油系炭化水素、
芳香族系炭化水素およびアルコールなどのカップリング
剤を溶解するものが使用でき、例えばイソプロピルアル
コール、エタノール、アセトン、アセチルアセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセト酢
酸エチル、トルエン、キシレンなどが挙げられる。洗浄
方法としては、特に限定されないが、スピンナによる回
転塗布や、該洗浄する溶剤中に浸漬する方法が好まし
い。
最後に、熱処理を行う。熱処理は、150℃から450℃の
温度を選び、段階的に昇温するかある温度範囲を選び連
続的に昇温しながら５分〜５時間実施することが好まし
い。例えば、180℃、300℃、400℃で各々30分ずつ熱処
理することができる。
温度を選び、段階的に昇温するかある温度範囲を選び連
続的に昇温しながら５分〜５時間実施することが好まし
い。例えば、180℃、300℃、400℃で各々30分ずつ熱処
理することができる。
［発明の効果］ 本発明は、上述のごとく構成したので、ポリイミド皮
膜の表面に選択的に、しかも確実にカップリング剤処理
を施すことができる。このため、例えば半導体素子の保
護膜や多層配線の層間を絶縁するための層間絶縁膜とし
て用いられるポリイミドと配線金属、Si3N4、SiO2等の
無機膜、封止樹脂、ポリイミドなどの材料との接着性が
著しく向上する上、従来技術に見られるような導通不良
を確実に防止ることができるため、素子の信頼性向上に
大きく寄与するものである。
膜の表面に選択的に、しかも確実にカップリング剤処理
を施すことができる。このため、例えば半導体素子の保
護膜や多層配線の層間を絶縁するための層間絶縁膜とし
て用いられるポリイミドと配線金属、Si3N4、SiO2等の
無機膜、封止樹脂、ポリイミドなどの材料との接着性が
著しく向上する上、従来技術に見られるような導通不良
を確実に防止ることができるため、素子の信頼性向上に
大きく寄与するものである。
［実施例］ 本発明を実施例に基ずいて具体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されない。
明はこれらに限定されない。
実施例１ 3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
１モルとパラフェニレンジアミン0.96モル、ビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン0.04モルよ
りなる固形分濃度20％のポリイミド前駆体のワニスを得
た。
１モルとパラフェニレンジアミン0.96モル、ビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン0.04モルよ
りなる固形分濃度20％のポリイミド前駆体のワニスを得
た。
該ポリイミド前駆体のワニス100重量部に対して、ジ
メチルアミノエチルメタアクリレート20重量部、４−ア
ジドベンザルアセトフェノン１重量部、Ｎ−フェニルジ
エタノールアミン0.5重量部を混合し、感光性ポリイミ
ド前駆体のワニスを得た。
メチルアミノエチルメタアクリレート20重量部、４−ア
ジドベンザルアセトフェノン１重量部、Ｎ−フェニルジ
エタノールアミン0.5重量部を混合し、感光性ポリイミ
ド前駆体のワニスを得た。
つぎに、該感光性ポリイミド前駆体のワニスを４イン
チシリコンウエハ上にアルミニウムをスパッタリングで
１μｍ形成し、フォトリソグラフィーにより、配線パタ
ーンを作製した基板上に熱処理後の膜厚が10μｍとなる
ように塗布し、80℃で60分乾燥した。
チシリコンウエハ上にアルミニウムをスパッタリングで
１μｍ形成し、フォトリソグラフィーにより、配線パタ
ーンを作製した基板上に熱処理後の膜厚が10μｍとなる
ように塗布し、80℃で60分乾燥した。
ついで、所望のパターンを形成したマスクを露光機
（キャノン（株）製PLA−501F）にセットし、200mJ/cm2
（365nmの強度）露光した。露光後、現像液に東レ
（株）製のDV−505を用いて現像した。
（キャノン（株）製PLA−501F）にセットし、200mJ/cm2
（365nmの強度）露光した。露光後、現像液に東レ
（株）製のDV−505を用いて現像した。
ついで、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（信
越シリコーン（株）製KBE−903）をイソプロピルアルコ
ールで１％に希釈したカップリング剤中に30秒間浸漬し
た。
越シリコーン（株）製KBE−903）をイソプロピルアルコ
ールで１％に希釈したカップリング剤中に30秒間浸漬し
た。
ついで、イソプロピルアルコール中に30秒間浸漬して
ポリイミド前駆体皮膜が除去された部分に形成されたカ
ップリング剤を除去した後、ただちに窒素ガスを吹き付
けて乾燥した。
ポリイミド前駆体皮膜が除去された部分に形成されたカ
ップリング剤を除去した後、ただちに窒素ガスを吹き付
けて乾燥した。
乾燥後、180℃、300℃、400℃で各々30分ずつ熱処理
して、所定のパターン上にカップリング剤が形成された
１層目のポリイミドを得た。
して、所定のパターン上にカップリング剤が形成された
１層目のポリイミドを得た。
つぎに、上記試料上に同じように塗布、乾燥、露光、
現像、リンス、熱処理を行い、所定のパターンの形成さ
れた２層構造のポリイミドを得た。
現像、リンス、熱処理を行い、所定のパターンの形成さ
れた２層構造のポリイミドを得た。
該試料をJIS C−6481に準拠し、テンシロン（トーヨ
ーボールドウレン製）を用いて、ポリイミドとポリイミ
ド間の90゜方向のピーリング強度を求めたところ、80g/
cmであった。
ーボールドウレン製）を用いて、ポリイミドとポリイミ
ド間の90゜方向のピーリング強度を求めたところ、80g/
cmであった。
また、スルホール部を介して、上記配線と下部配線の
導電性を調べたところ、導通は良好であった。
導電性を調べたところ、導通は良好であった。
比較例１ 実施例１で得られた感光性ポリイミド前駆体のワニス
を用い、実施例１で用いた求板上に熱処理後の膜厚が10
μｍとなるように塗布し、80℃で60分乾燥した。
を用い、実施例１で用いた求板上に熱処理後の膜厚が10
μｍとなるように塗布し、80℃で60分乾燥した。
ついで、実施例１と同様に露光、現像した。ついでイ
ソプロピルアルコールでリンス後、ただちに窒素ガスを
吹き付けて乾燥した。
ソプロピルアルコールでリンス後、ただちに窒素ガスを
吹き付けて乾燥した。
乾燥後、180℃、300℃、400℃で各々30分ずつ熱処理
して、所望のパターンの形成された１層目のポリアミド
を得た。
して、所望のパターンの形成された１層目のポリアミド
を得た。
つぎに、γ−アミノプロピルトリエトキシシランをイ
ソプロピルアルコールで１％に希釈したカップリング剤
中に30秒間浸漬した。
ソプロピルアルコールで１％に希釈したカップリング剤
中に30秒間浸漬した。
ついで、イソプロピルアルコール中に30秒間浸漬した
後、ただちに窒素ガスを吹き付けて乾燥した。
後、ただちに窒素ガスを吹き付けて乾燥した。
上記試料上に同じように塗布、乾燥、露光、現像、リ
ンス、熱処理を行い、所望のパターンの形成された２層
構造のポリイミドを得た。
ンス、熱処理を行い、所望のパターンの形成された２層
構造のポリイミドを得た。
該試料をJIS C−6481に準拠し、テンシロンを用い
て、ポリイミドとポリイミド間の90゜方向のピーリング
強度を求めたところ、0g/cmであった。また、スルホー
ル部を介して、上部配線と下部配線の電導性を調べたと
ころ、導通は良好であった。
て、ポリイミドとポリイミド間の90゜方向のピーリング
強度を求めたところ、0g/cmであった。また、スルホー
ル部を介して、上部配線と下部配線の電導性を調べたと
ころ、導通は良好であった。
比較例２ 実施例１で得られた感光性ポリイミド前駆体のワニス
を用い、実施例１で用いた求板上に熱処理後の膜厚が10
μｍとなるように塗布し、80℃で60分乾燥した。
を用い、実施例１で用いた求板上に熱処理後の膜厚が10
μｍとなるように塗布し、80℃で60分乾燥した。
ついで、実施例１と同様に露光、現像した。
続いて、γ−アミノプロピルトリエトキシシランをイ
ソプロピルアルコールで１％に希釈したカップリング剤
中に30秒間浸漬した後、ただちに窒素ガスを吹き付けて
乾燥し、カップリング剤の洗浄を行わない他は実施例１
と同じ条件試料を作製し、実施例１と同じようにポリイ
ミドとポリイミド間の90゜方向のピーリング強度を求め
たところ、80g/cmであったが、スルホール部を介して、
上部配線と下部配線の電導性を調べたところ、導通は不
良であった。
ソプロピルアルコールで１％に希釈したカップリング剤
中に30秒間浸漬した後、ただちに窒素ガスを吹き付けて
乾燥し、カップリング剤の洗浄を行わない他は実施例１
と同じ条件試料を作製し、実施例１と同じようにポリイ
ミドとポリイミド間の90゜方向のピーリング強度を求め
たところ、80g/cmであったが、スルホール部を介して、
上部配線と下部配線の電導性を調べたところ、導通は不
良であった。
実施例２ ポリイミド前駆体のワニス（東レ（株）製“セミコフ
ァイン"SP−740）を実施例１で用いた基板上にスピンナ
を用いて、1000rpm×30sec＋2000rpm×2secの条件で塗
布した。ついで、通風オーブンを用いて、130℃で60分
乾燥した。
ァイン"SP−740）を実施例１で用いた基板上にスピンナ
を用いて、1000rpm×30sec＋2000rpm×2secの条件で塗
布した。ついで、通風オーブンを用いて、130℃で60分
乾燥した。
つぎに、該試料上に東京応化（株）製のポジレジスト
（OFPR−800）をスピンナで1600rpm×30secの条件で塗
布し、通風オーブンを用いて、100℃×30分乾燥した。
乾燥後、所望のパターンを形成したマスクを露光機（キ
ャノン（株）製PLA−501F）にセットし、50mJ/cm2（365
nmの強度）露光した。露光後、現像液に東京応化（株）
製のNMD−３を用い、１分間浸漬して現像することによ
り、同時にポリイミドのエッチングを行った。現像後、
ｎ−酢酸ブチル中に30秒間浸漬してポリイミドパターン
上のポジレジストを剥離した。
（OFPR−800）をスピンナで1600rpm×30secの条件で塗
布し、通風オーブンを用いて、100℃×30分乾燥した。
乾燥後、所望のパターンを形成したマスクを露光機（キ
ャノン（株）製PLA−501F）にセットし、50mJ/cm2（365
nmの強度）露光した。露光後、現像液に東京応化（株）
製のNMD−３を用い、１分間浸漬して現像することによ
り、同時にポリイミドのエッチングを行った。現像後、
ｎ−酢酸ブチル中に30秒間浸漬してポリイミドパターン
上のポジレジストを剥離した。
ついで、アルミニウムアセチルアセトネートをトルエ
ンで１％に希釈したカップリング剤中に30秒間浸漬し
た。
ンで１％に希釈したカップリング剤中に30秒間浸漬し
た。
ついで、トルエン中に30秒間浸漬した後、ただちに窒
素ガスを吹き付けて乾燥した。
素ガスを吹き付けて乾燥した。
乾燥後、180℃、300℃、400℃で各々30分ずつ熱処理
して、所望のパターン上にカップリング剤が形成された
１層目のポリイミドを得た。
して、所望のパターン上にカップリング剤が形成された
１層目のポリイミドを得た。
つぎに、上記試料上に同じようにポリイミド前駆体を
塗布、乾燥し、その上にポジレジストの塗布、乾燥を行
い、ポジレジストの露光、現像、レジスト剥離後、熱処
理を行い、所望のパターンの形成された２層構造のポリ
イミドを得た。
塗布、乾燥し、その上にポジレジストの塗布、乾燥を行
い、ポジレジストの露光、現像、レジスト剥離後、熱処
理を行い、所望のパターンの形成された２層構造のポリ
イミドを得た。
該試料をJIS C−6481に準拠し、テンシロンを用い
て、ポリイミドとポリイミド間の90゜方向のピーリング
強度を求めたところ、150g/cmであった。また、スルホ
ール部を介して、上部配線と下部配線の電導性を調べた
ところ、導通は良好だった。
て、ポリイミドとポリイミド間の90゜方向のピーリング
強度を求めたところ、150g/cmであった。また、スルホ
ール部を介して、上部配線と下部配線の電導性を調べた
ところ、導通は良好だった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/26,7/36,7/40
Claims (1)
- 【請求項１】ポリイミド表面を処理する方法において、
下記の（Ａ）〜（Ｅ）の工程よりなることを特徴とする
選択的にポリイミド表面を処理する方法。 （Ａ）基板上にポリイミド前駆体を塗布し、乾燥するこ
とにより、ポリイミド前駆体皮膜を形成する工程、 （Ｂ）該ポリイミド前駆体皮膜を選択的に露光した後、
現像してパターン状にポリイミド前駆体皮膜を除去する
工程、 （Ｃ）該パターン化されたポリイミド前駆体皮膜をカッ
プリング剤で処理する工程、 （Ｄ）該ポリイミド前駆体皮膜が除去された部分に形成
されたカップリング剤を溶剤で洗浄、除去する工程、 （Ｅ）該ポリイミド前駆体皮膜を熱処理してポリイミド
に転換する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17798890A JP2924109B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 選択的にポリイミド表面を処理する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17798890A JP2924109B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 選択的にポリイミド表面を処理する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0466950A JPH0466950A (ja) | 1992-03-03 |
| JP2924109B2 true JP2924109B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=16040577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17798890A Expired - Fee Related JP2924109B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 選択的にポリイミド表面を処理する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924109B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4544771B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2010-09-15 | 東レエンジニアリング株式会社 | 金属回路パターン形成方法 |
| JP4544770B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2010-09-15 | 東レエンジニアリング株式会社 | 金属回路パターン形成方法 |
| JP6946751B2 (ja) * | 2017-06-01 | 2021-10-06 | 東洋紡株式会社 | シランカップリング剤処理方法、シランカップリング剤処理基材の製造方法および積層体の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP17798890A patent/JP2924109B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0466950A (ja) | 1992-03-03 |
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