JP3209918B2 - 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法 - Google Patents
剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3209918B2 JP3209918B2 JP9693496A JP9693496A JP3209918B2 JP 3209918 B2 JP3209918 B2 JP 3209918B2 JP 9693496 A JP9693496 A JP 9693496A JP 9693496 A JP9693496 A JP 9693496A JP 3209918 B2 JP3209918 B2 JP 3209918B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seconds
- polyimide film
- polyimide
- stripping
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は処理液に関し、さら
に詳しく述べると、樹脂用剥離液、特に半導体装置の製
造プロセスにおいて誤って基板上に形成された欠陥ポリ
イミド膜を剥離除去するために有用な剥離液、そしてそ
のような剥離液を使用した半導体装置の製造方法に関す
る。本発明によれば、プロセスの途中で露光ミス等に原
因して形成され、不要となった欠陥ポリイミド膜の剥離
除去を簡便にかつ低コストで行うことができる。
に詳しく述べると、樹脂用剥離液、特に半導体装置の製
造プロセスにおいて誤って基板上に形成された欠陥ポリ
イミド膜を剥離除去するために有用な剥離液、そしてそ
のような剥離液を使用した半導体装置の製造方法に関す
る。本発明によれば、プロセスの途中で露光ミス等に原
因して形成され、不要となった欠陥ポリイミド膜の剥離
除去を簡便にかつ低コストで行うことができる。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミド樹脂は、周知のように、耐熱
性、絶縁性に優れ、また、靭性が強いので、エレクトロ
ニクス、輸送機器、航空・宇宙分野等において広く利用
されている。特に、最近の半導体装置の分野では、高密
度実装用の印刷回路、プリント板、配線板や電子部品の
保護膜、層間絶縁膜としてポリイミド樹脂が有利に利用
されている。特に感光性ポリイミド樹脂は、上記したよ
うな注目すべき特性に加えて、その感光性のため、半導
体装置製造プロセスの工程短縮のメリットも奏すること
ができる。
性、絶縁性に優れ、また、靭性が強いので、エレクトロ
ニクス、輸送機器、航空・宇宙分野等において広く利用
されている。特に、最近の半導体装置の分野では、高密
度実装用の印刷回路、プリント板、配線板や電子部品の
保護膜、層間絶縁膜としてポリイミド樹脂が有利に利用
されている。特に感光性ポリイミド樹脂は、上記したよ
うな注目すべき特性に加えて、その感光性のため、半導
体装置製造プロセスの工程短縮のメリットも奏すること
ができる。
【０００３】ポリイミド樹脂からなる保護膜、層間絶縁
膜等の薄膜（以下、特に断らない限り、「絶縁膜」と記
す）は、通常、シリコンウェハ等の半導体基板上に感光
性ポリイミド樹脂あるいはその前駆体、例えばポリアミ
ック酸のワニスを塗布した後、所定の放射線に露光して
架橋を図り、さらにその後に加熱（キュアリング）を行
ってイミド化させることによって製造されている。所望
とする絶縁膜は、上記した露光及び加熱の工程を適正に
行うことで、なんらの問題も伴うことなく形成すること
ができる。
膜等の薄膜（以下、特に断らない限り、「絶縁膜」と記
す）は、通常、シリコンウェハ等の半導体基板上に感光
性ポリイミド樹脂あるいはその前駆体、例えばポリアミ
ック酸のワニスを塗布した後、所定の放射線に露光して
架橋を図り、さらにその後に加熱（キュアリング）を行
ってイミド化させることによって製造されている。所望
とする絶縁膜は、上記した露光及び加熱の工程を適正に
行うことで、なんらの問題も伴うことなく形成すること
ができる。
【０００４】ところが、実際には、例えば感光性ポリイ
ミド膜の露光工程で、露光量の設定間違いや位置合わせ
不良等の露光ミスが発生することがある。このような露
光ミスが発生した場合には、最終工程である現像が完了
した後に、形成済みの欠陥ポリイミド膜を剥離除去し、
ワニスの塗布−露光−加熱−現像の一連の工程を再度や
り直すことが必要である。しかし、このようなイレギュ
ラーなやり直しの工程は、ポリイミド樹脂使用の工程短
縮のメリットを阻害するものであり、したがって、特に
ポリイミド膜の剥離除去工程は、できる限りに簡便に行
えることが必要である。
ミド膜の露光工程で、露光量の設定間違いや位置合わせ
不良等の露光ミスが発生することがある。このような露
光ミスが発生した場合には、最終工程である現像が完了
した後に、形成済みの欠陥ポリイミド膜を剥離除去し、
ワニスの塗布−露光−加熱−現像の一連の工程を再度や
り直すことが必要である。しかし、このようなイレギュ
ラーなやり直しの工程は、ポリイミド樹脂使用の工程短
縮のメリットを阻害するものであり、したがって、特に
ポリイミド膜の剥離除去工程は、できる限りに簡便に行
えることが必要である。
【０００５】従来の技術では、露光ミスなどによって形
成された欠陥ポリイミド膜を、気相中でその除去を行う
アッシング装置を用いて行っている。より具体的には、
反応性ガスのプラズマ（例えば酸素プラズマ）を発生さ
せ、そのプラズマを利用してポリイミド膜の除去を行う
プラズマアッシング装置、酸素ダウンストリームのアッ
シング装置、光励起アッシング装置などが欠陥ポリイミ
ド膜の除去に使用されている。しかしながら、このよう
なアッシング装置を使用した場合には、除去すべき欠陥
ポリイミド膜が約２０μm もしくはそれ以上のかなりの
大きさの膜厚を有しているので、少なくとも３０分程度
の長いアッシング時間が必要であるという問題を避ける
ことができない。また、上記したようなアッシング装置
は、真空系でなければならないので、装置コストも高く
なるという問題を有している。
成された欠陥ポリイミド膜を、気相中でその除去を行う
アッシング装置を用いて行っている。より具体的には、
反応性ガスのプラズマ（例えば酸素プラズマ）を発生さ
せ、そのプラズマを利用してポリイミド膜の除去を行う
プラズマアッシング装置、酸素ダウンストリームのアッ
シング装置、光励起アッシング装置などが欠陥ポリイミ
ド膜の除去に使用されている。しかしながら、このよう
なアッシング装置を使用した場合には、除去すべき欠陥
ポリイミド膜が約２０μm もしくはそれ以上のかなりの
大きさの膜厚を有しているので、少なくとも３０分程度
の長いアッシング時間が必要であるという問題を避ける
ことができない。また、上記したようなアッシング装置
は、真空系でなければならないので、装置コストも高く
なるという問題を有している。
【０００６】アッシングに代えて、ウェットプロセスで
欠陥ポリイミド膜を除去することも提案されている。こ
の方法は、通常、ポリイミドを溶解可能な剥離液を収め
た槽に欠陥ポリイミド膜を有する基板を浸漬することに
よって実施されている。しかし、この浸漬法の場合、剥
離液を５０℃以上に加温しないと十分な剥離性が得られ
ない等の問題があり、その使用方法が簡便ではなかっ
た。また、たとえ剥離液を５０℃に温調してスピンナー
を用いて基板上に液盛りを行っても、その基板上の剥離
液の液温は４０℃程度に低下してという不都合がある。
このような液温低下の原因に加えて、剥離液として使用
する溶剤の蒸気が大気中に拡散するのを防止するために
排気を引く工程も原因となるので、剥離液の液温の低下
はさらに著しく、剥離性の顕著な低下を甘受しなければ
ならない。
欠陥ポリイミド膜を除去することも提案されている。こ
の方法は、通常、ポリイミドを溶解可能な剥離液を収め
た槽に欠陥ポリイミド膜を有する基板を浸漬することに
よって実施されている。しかし、この浸漬法の場合、剥
離液を５０℃以上に加温しないと十分な剥離性が得られ
ない等の問題があり、その使用方法が簡便ではなかっ
た。また、たとえ剥離液を５０℃に温調してスピンナー
を用いて基板上に液盛りを行っても、その基板上の剥離
液の液温は４０℃程度に低下してという不都合がある。
このような液温低下の原因に加えて、剥離液として使用
する溶剤の蒸気が大気中に拡散するのを防止するために
排気を引く工程も原因となるので、剥離液の液温の低下
はさらに著しく、剥離性の顕著な低下を甘受しなければ
ならない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の１つの目的
は、上記したような従来技術の問題点を克服して、比較
的に低温でも十分に高い剥離性を奏することのできる剥
離液を提供することにある。本発明のもう１つの目的
は、半導体装置の製造プロセスで誤って基板上に形成さ
れた欠陥ポリイミド膜を簡便にかつ低コストで剥離除去
できるようなポリイミド樹脂用剥離液を提供することに
ある。
は、上記したような従来技術の問題点を克服して、比較
的に低温でも十分に高い剥離性を奏することのできる剥
離液を提供することにある。本発明のもう１つの目的
は、半導体装置の製造プロセスで誤って基板上に形成さ
れた欠陥ポリイミド膜を簡便にかつ低コストで剥離除去
できるようなポリイミド樹脂用剥離液を提供することに
ある。
【０００８】本発明のさらにもう１つの目的は、上記し
たような剥離液を使用した改良された半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
たような剥離液を使用した改良された半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した第１の目的は、
アミン系有機溶剤及び極性溶剤の重量比が２：８〜３：
７である混合物を含むことを特徴とする剥離液によって
達成することができる。また、上記した第２の目的は、
半導体基板上にポリイミド膜を形成する工程と、アミン
系有機溶剤及び極性溶剤の重量比が２：８〜３：７の範
囲にある剥離液で、該ポリイミド膜を剥離除去する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によっ
て達成することができる。
アミン系有機溶剤及び極性溶剤の重量比が２：８〜３：
７である混合物を含むことを特徴とする剥離液によって
達成することができる。また、上記した第２の目的は、
半導体基板上にポリイミド膜を形成する工程と、アミン
系有機溶剤及び極性溶剤の重量比が２：８〜３：７の範
囲にある剥離液で、該ポリイミド膜を剥離除去する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によっ
て達成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】上記したように、本発明は、剥離
液、そしてそのような剥離液を使用した半導体装置の製
造方法にある。以下、これらの発明について、その好ま
しい実施形態を具体的に説明する。本発明の剥離液は、
上記したように、アミン系有機溶剤及び極性溶剤の混合
物を主成分として含むことを特徴としている。この剥離
液は、また、その溶解性パラメータσが２３〜３０ＭＰ
ａ1/2 の範囲にあることを特徴としている。ここで、
「溶解性パラメータσ」は、化学の分野において一般的
に認識されている意味で用いられており、その定義及び
説明は、例えば、Polymer Handbook, Third Edition, E
dited by J. Brandrup and E. H. Immergut VII, 519,
1989, John Wiley and Sons, Inc. 及び接着ハンドブッ
ク（第２版）、日本接着協会編、１１１頁、昭和５７
年、日刊工業新聞社刊、において見いだすことができ
る。
液、そしてそのような剥離液を使用した半導体装置の製
造方法にある。以下、これらの発明について、その好ま
しい実施形態を具体的に説明する。本発明の剥離液は、
上記したように、アミン系有機溶剤及び極性溶剤の混合
物を主成分として含むことを特徴としている。この剥離
液は、また、その溶解性パラメータσが２３〜３０ＭＰ
ａ1/2 の範囲にあることを特徴としている。ここで、
「溶解性パラメータσ」は、化学の分野において一般的
に認識されている意味で用いられており、その定義及び
説明は、例えば、Polymer Handbook, Third Edition, E
dited by J. Brandrup and E. H. Immergut VII, 519,
1989, John Wiley and Sons, Inc. 及び接着ハンドブッ
ク（第２版）、日本接着協会編、１１１頁、昭和５７
年、日刊工業新聞社刊、において見いだすことができ
る。
【００１１】本発明の剥離液を構成する混合溶剤におい
て、その第１の成分として用いられるアミン系有機溶剤
は、種々の有機溶剤を包含するというものの、好ましく
は、次式により表されるアルカノールアミン： （ＨＯＣn Ｈ2n）m ＮＨ3-m （上式において、ｍは１、２又は３であり、そしてｎは
１〜６の整数である）である。適当なアルカノールアミ
ンは、以下に列挙するものに限定されないというもの
の、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノ
ールなどを包含する。これらのアルカノールアミンは、
単独で使用してもよく、あるいは２種類もしくはそれ以
上の溶剤を混合して使用してもよい。
て、その第１の成分として用いられるアミン系有機溶剤
は、種々の有機溶剤を包含するというものの、好ましく
は、次式により表されるアルカノールアミン： （ＨＯＣn Ｈ2n）m ＮＨ3-m （上式において、ｍは１、２又は３であり、そしてｎは
１〜６の整数である）である。適当なアルカノールアミ
ンは、以下に列挙するものに限定されないというもの
の、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノ
ールなどを包含する。これらのアルカノールアミンは、
単独で使用してもよく、あるいは２種類もしくはそれ以
上の溶剤を混合して使用してもよい。
【００１２】上記したアミン系有機溶剤と組み合わせて
用いられる第２の成分たる極性溶剤は、種々の極性溶剤
を包含するというものの、好ましくは、その溶解性パラ
メータσが１８〜２４ＭＰａ1/2 の範囲にある溶剤であ
る。このような溶解性パラメータを満足させ得る適当な
極性溶剤は、以下に列挙するものに限定されないという
ものの、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミドなどを包含する。これら
の極性溶剤は、単独で使用してもよく、あるいは２種類
もしくはそれ以上の溶剤を混合して使用してもよい。
用いられる第２の成分たる極性溶剤は、種々の極性溶剤
を包含するというものの、好ましくは、その溶解性パラ
メータσが１８〜２４ＭＰａ1/2 の範囲にある溶剤であ
る。このような溶解性パラメータを満足させ得る適当な
極性溶剤は、以下に列挙するものに限定されないという
ものの、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミドなどを包含する。これら
の極性溶剤は、単独で使用してもよく、あるいは２種類
もしくはそれ以上の溶剤を混合して使用してもよい。
【００１３】本発明の実施において、混合溶剤中におけ
るアミン系有機溶剤及び極性溶剤の混合比（重量比）
は、種々のファクタに応じて広い範囲にわたって変更す
ることができるというものの、本発明者らの知見によれ
ば、２：８〜３：７の範囲とするのが有利である。特に
重要なことには、アミン系有機溶剤及び極性溶剤は、そ
れぞれ、単独で使用した時にはポリイミド樹脂の溶解性
に劣り、しかし、驚くべきことに、本発明のように両者
を適量で混合して混合溶剤の形で使用した場合、ポリイ
ミド樹脂の溶解性が格段に向上し、また、約３０〜４０
℃の比較的に低温での剥離性も確保することができる。
また、このように最適化された剥離液を用いることによ
り、以下に具体的に説明するように、枚葉パドル方式や
スプレー方式によるポリイミド膜の剥離が可能となる。
本発明の剥離液は、したがって、半導体装置の製造プロ
セスにおいて所定の処理後に不要あるいは使用不可能と
なった基板上のポリイミド薄膜を剥離除去するために有
利に用いることができる。
るアミン系有機溶剤及び極性溶剤の混合比（重量比）
は、種々のファクタに応じて広い範囲にわたって変更す
ることができるというものの、本発明者らの知見によれ
ば、２：８〜３：７の範囲とするのが有利である。特に
重要なことには、アミン系有機溶剤及び極性溶剤は、そ
れぞれ、単独で使用した時にはポリイミド樹脂の溶解性
に劣り、しかし、驚くべきことに、本発明のように両者
を適量で混合して混合溶剤の形で使用した場合、ポリイ
ミド樹脂の溶解性が格段に向上し、また、約３０〜４０
℃の比較的に低温での剥離性も確保することができる。
また、このように最適化された剥離液を用いることによ
り、以下に具体的に説明するように、枚葉パドル方式や
スプレー方式によるポリイミド膜の剥離が可能となる。
本発明の剥離液は、したがって、半導体装置の製造プロ
セスにおいて所定の処理後に不要あるいは使用不可能と
なった基板上のポリイミド薄膜を剥離除去するために有
利に用いることができる。
【００１４】上記した混合溶剤は、本発明の剥離液中に
おいて、そのほぼ全量を構成することができる。すなわ
ち、記載の混合溶剤は、剥離液全量の少なくとも９０重
量％を占めることが好ましい。また、剥離液中に混合溶
剤に加えて添加されるべき添加剤は、以下に記載するも
のに限定されないというものの、イソプロピルアルコー
ル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコール、シク
ロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトニトリルなど
を包含する。
おいて、そのほぼ全量を構成することができる。すなわ
ち、記載の混合溶剤は、剥離液全量の少なくとも９０重
量％を占めることが好ましい。また、剥離液中に混合溶
剤に加えて添加されるべき添加剤は、以下に記載するも
のに限定されないというものの、イソプロピルアルコー
ル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコール、シク
ロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトニトリルなど
を包含する。
【００１５】本発明は、また、上記したような剥離液を
使用して半導体装置を製造する方法にある。本発明の半
導体装置の製造方法は、半導体装置の製造プロセスにお
いて所定の処理後に不要あるいは使用不可能となった基
板上のポリイミド薄膜（本願明細書では、特に、これら
の薄膜を総称して「欠陥ポリイミド膜」と記す）を、ア
ミン系有機溶剤及び極性溶剤の混合物を主成分として含
みかつその溶解性パラメータσが２３〜３０ＭＰａ1/2
の範囲にある剥離液で剥離除去する工程を含んでいるこ
とを特徴としている。ここで使用する剥離液は、本発明
において初めて見いだされたものであり、上記した通り
である。
使用して半導体装置を製造する方法にある。本発明の半
導体装置の製造方法は、半導体装置の製造プロセスにお
いて所定の処理後に不要あるいは使用不可能となった基
板上のポリイミド薄膜（本願明細書では、特に、これら
の薄膜を総称して「欠陥ポリイミド膜」と記す）を、ア
ミン系有機溶剤及び極性溶剤の混合物を主成分として含
みかつその溶解性パラメータσが２３〜３０ＭＰａ1/2
の範囲にある剥離液で剥離除去する工程を含んでいるこ
とを特徴としている。ここで使用する剥離液は、本発明
において初めて見いだされたものであり、上記した通り
である。
【００１６】この本発明方法を実施するに当たって、半
導体装置そのものは、それを構成する任意の層がポリイ
ミド樹脂の薄膜を含む限りにおいて特に限定されるもの
ではなく、この技術分野で公知ないろいろなデバイスを
包含する。半導体装置は、したがって、例えば、高密度
実装用の印刷回路、プリント板、配線板、電子部品など
の各種のデバイスを包含し、そしてポリイミド膜は、そ
のようなデバイスの保護膜、層間絶縁膜などの絶縁膜を
包含する。なお、半導体装置における保護膜、層間絶縁
膜の形成は、添付の図面を参照しながら以下で説明す
る。
導体装置そのものは、それを構成する任意の層がポリイ
ミド樹脂の薄膜を含む限りにおいて特に限定されるもの
ではなく、この技術分野で公知ないろいろなデバイスを
包含する。半導体装置は、したがって、例えば、高密度
実装用の印刷回路、プリント板、配線板、電子部品など
の各種のデバイスを包含し、そしてポリイミド膜は、そ
のようなデバイスの保護膜、層間絶縁膜などの絶縁膜を
包含する。なお、半導体装置における保護膜、層間絶縁
膜の形成は、添付の図面を参照しながら以下で説明す
る。
【００１７】ポリイミド膜は、常法に従って、感光性ポ
リイミドあるいはその前駆体のワニスから形成すること
ができる。感光性ポリイミドのワニスとしては、例え
ば、東レ社製の「フォトニース」（商品名）、旭化成社
製の「パイメル」（商品名）などをあげることができ
る。このポリイミドワニスをシリコン基板等の適当な半
導体基板上にスピンコートなどの常用の技法に従って塗
布する。塗布後のポリイミドの膜厚は、広く変更し得る
というものの、通常、約１０〜３０μm である。塗布の
完了後、塗布した感光性ポリイミドをそれが感度を有す
る適当な放射線に露光し、露光域のおいてポリイミドの
架橋を引き起こす。次いで、露光後のポリイミドを常法
（例えばスプレー方式又はパドル方式）に従い適当な現
像液で現像する。この現像の結果、先の露光工程で架橋
せしめられなかった未露光部のポリイミドが溶解除去せ
しめられる。引き続いて、基板上にパターン状に残留す
るポリイミドを加熱（キュアリング）する。キュアリン
グの条件は、広く変更し得るというものの、通常、約３
００〜４００℃で約１〜２時間である。このような一連
の工程を経て、所望とするポリイミド膜が形成される。
リイミドあるいはその前駆体のワニスから形成すること
ができる。感光性ポリイミドのワニスとしては、例え
ば、東レ社製の「フォトニース」（商品名）、旭化成社
製の「パイメル」（商品名）などをあげることができ
る。このポリイミドワニスをシリコン基板等の適当な半
導体基板上にスピンコートなどの常用の技法に従って塗
布する。塗布後のポリイミドの膜厚は、広く変更し得る
というものの、通常、約１０〜３０μm である。塗布の
完了後、塗布した感光性ポリイミドをそれが感度を有す
る適当な放射線に露光し、露光域のおいてポリイミドの
架橋を引き起こす。次いで、露光後のポリイミドを常法
（例えばスプレー方式又はパドル方式）に従い適当な現
像液で現像する。この現像の結果、先の露光工程で架橋
せしめられなかった未露光部のポリイミドが溶解除去せ
しめられる。引き続いて、基板上にパターン状に残留す
るポリイミドを加熱（キュアリング）する。キュアリン
グの条件は、広く変更し得るというものの、通常、約３
００〜４００℃で約１〜２時間である。このような一連
の工程を経て、所望とするポリイミド膜が形成される。
【００１８】次いで、図面を参照しながらさらに詳しく
説明すると、ポリイミド保護膜は、例えば、図１（Ａ）
〜（Ｄ）において順を追って説明するようにして形成す
ることができる。 （Ａ）感光性ポリイミドワニスの塗布 半導体基板１の上面に感光性ポリイミドのワニス２を塗
布する。ワニスの塗布には、先に述べたように、スピン
コータなどを使用することができる。 （Ｂ）露光 ポリイミドワニスの硬化後、ポリイミド膜２の上方に所
定の開口（パターン）を有する露光マスク５を配置し、
ポリイミド膜２が感度を有する放射線（矢印参照）で露
光を行う。ポリイミド膜２のうち放射線に曝された部分
（露光域）においてポリイミドの架橋が進行する。 （Ｃ）現像 露光後のポリイミド膜２をその未露光部分を溶解除去可
能な現像液で現像する。各種の有機溶剤を単独もしくは
組み合わせて現像液として使用することができる。現像
は、スプレー方式、パドル方式などで行うことができ
る。露光工程で使用したマスクに対応するパターン状の
ポリイミド膜２が得られる。 （Ｄ）加熱（キュアリング） 現像後、例えば約３００〜４００℃の温度で約１〜２時
間にわたってキュアリングを行うと、図示のようなポリ
イミド膜２が得られる。
説明すると、ポリイミド保護膜は、例えば、図１（Ａ）
〜（Ｄ）において順を追って説明するようにして形成す
ることができる。 （Ａ）感光性ポリイミドワニスの塗布 半導体基板１の上面に感光性ポリイミドのワニス２を塗
布する。ワニスの塗布には、先に述べたように、スピン
コータなどを使用することができる。 （Ｂ）露光 ポリイミドワニスの硬化後、ポリイミド膜２の上方に所
定の開口（パターン）を有する露光マスク５を配置し、
ポリイミド膜２が感度を有する放射線（矢印参照）で露
光を行う。ポリイミド膜２のうち放射線に曝された部分
（露光域）においてポリイミドの架橋が進行する。 （Ｃ）現像 露光後のポリイミド膜２をその未露光部分を溶解除去可
能な現像液で現像する。各種の有機溶剤を単独もしくは
組み合わせて現像液として使用することができる。現像
は、スプレー方式、パドル方式などで行うことができ
る。露光工程で使用したマスクに対応するパターン状の
ポリイミド膜２が得られる。 （Ｄ）加熱（キュアリング） 現像後、例えば約３００〜４００℃の温度で約１〜２時
間にわたってキュアリングを行うと、図示のようなポリ
イミド膜２が得られる。
【００１９】また、ポリイミド絶縁膜は、例えば、図２
（Ａ）〜（Ｅ）において順を追って説明するようにして
形成することができる。 （Ａ）露光 半導体基板１１の上方に、ポリイミド絶縁膜（第１絶縁
膜）１２、アルミニウム配線（第１配線層）１３、そし
てポジ型のレジスト膜１４を順次形成する。この多層構
造は、例えば、基板１１に感光性ポリイミドワニスをス
ピンコートによって塗布し、硬化させた後、アルミニウ
ムを例えばスパッタリングによって膜付けし、さらにポ
ジ型レジスト溶液をスピンコートすることによって形成
することができる。次いで、レジスト膜１４をその上方
に配置した露光マスク１５を介してパターン露光する。 （Ｂ）レジストパターンの形成 パターン露光後のレジスト膜１４を適当な現像液で現像
すると、図示のように、下地のアルミニウム配線１３の
エッチングの際にマスクとして作用可能なパターン状の
レジスト膜１４が得られる。 （Ｃ）配線のパターニング 先に形成されたパターン状のレジスト膜１４をマスクと
して、下地のアルミニウム配線１３をエッチングする。
アルミニウムのエッチング液としては、例えば、塩化第
二鉄溶液を使用することができる。マスクとして使用し
たレジスト膜１４を除去すると、図示のように、パター
ン状のアルミニウム配線（第１配線層）１３が得られ
る。 （Ｄ）ポリイミド絶縁膜の形成 第１配線層の形成後、その上方にポリイミド絶縁膜（第
２絶縁膜）１６を形成する。この第２絶縁膜の形成は、
先に説明した第１絶縁膜の形成と同様な手法に従って行
うことができる。例えば、感光性ポリイミドワニスをス
ピンコートによって塗布し、そしてプリベークする。 （Ｅ）ポリイミド絶縁膜のパターニング プリベークにより硬化させた後のポリイミド膜１６の上
にビアホールパターンの入ったガラスマスク（図示せ
ず）を配置し、そのポリイミド膜が感度を有する放射線
で露光を行う。ポリイミド膜のうち放射線に曝された部
分（露光域）においてポリイミドの架橋が進行する。露
光後のポリイミド膜をその未露光部分を溶解除去可能な
現像液で現像する。露光領域のみがアルミニウム配線１
３上に残り、残りの領域は現像液に溶出した。ポストベ
ーク後、露光工程で使用したマスクに対応するパターン
状のポリイミド絶縁膜１６が得られる。
（Ａ）〜（Ｅ）において順を追って説明するようにして
形成することができる。 （Ａ）露光 半導体基板１１の上方に、ポリイミド絶縁膜（第１絶縁
膜）１２、アルミニウム配線（第１配線層）１３、そし
てポジ型のレジスト膜１４を順次形成する。この多層構
造は、例えば、基板１１に感光性ポリイミドワニスをス
ピンコートによって塗布し、硬化させた後、アルミニウ
ムを例えばスパッタリングによって膜付けし、さらにポ
ジ型レジスト溶液をスピンコートすることによって形成
することができる。次いで、レジスト膜１４をその上方
に配置した露光マスク１５を介してパターン露光する。 （Ｂ）レジストパターンの形成 パターン露光後のレジスト膜１４を適当な現像液で現像
すると、図示のように、下地のアルミニウム配線１３の
エッチングの際にマスクとして作用可能なパターン状の
レジスト膜１４が得られる。 （Ｃ）配線のパターニング 先に形成されたパターン状のレジスト膜１４をマスクと
して、下地のアルミニウム配線１３をエッチングする。
アルミニウムのエッチング液としては、例えば、塩化第
二鉄溶液を使用することができる。マスクとして使用し
たレジスト膜１４を除去すると、図示のように、パター
ン状のアルミニウム配線（第１配線層）１３が得られ
る。 （Ｄ）ポリイミド絶縁膜の形成 第１配線層の形成後、その上方にポリイミド絶縁膜（第
２絶縁膜）１６を形成する。この第２絶縁膜の形成は、
先に説明した第１絶縁膜の形成と同様な手法に従って行
うことができる。例えば、感光性ポリイミドワニスをス
ピンコートによって塗布し、そしてプリベークする。 （Ｅ）ポリイミド絶縁膜のパターニング プリベークにより硬化させた後のポリイミド膜１６の上
にビアホールパターンの入ったガラスマスク（図示せ
ず）を配置し、そのポリイミド膜が感度を有する放射線
で露光を行う。ポリイミド膜のうち放射線に曝された部
分（露光域）においてポリイミドの架橋が進行する。露
光後のポリイミド膜をその未露光部分を溶解除去可能な
現像液で現像する。露光領域のみがアルミニウム配線１
３上に残り、残りの領域は現像液に溶出した。ポストベ
ーク後、露光工程で使用したマスクに対応するパターン
状のポリイミド絶縁膜１６が得られる。
【００２０】そして、上記したような手法を配線層及び
絶縁膜についてそれぞれ３回繰り返し、最後に電極取り
出しパッドを形成すると、図３に示すような多層構造を
有する半導体装置が得られる。図中、１２、１６、１
８、２０、２２がポリイミド絶縁膜であり、そして１
３、１７、１９、２１、２３がアルミニウム配線層であ
る。
絶縁膜についてそれぞれ３回繰り返し、最後に電極取り
出しパッドを形成すると、図３に示すような多層構造を
有する半導体装置が得られる。図中、１２、１６、１
８、２０、２２がポリイミド絶縁膜であり、そして１
３、１７、１９、２１、２３がアルミニウム配線層であ
る。
【００２１】上記のような手順で形成することのできる
ポリイミド膜は、それを保護膜、層間絶縁膜などの絶縁
膜として使用する場合、通常、半導体装置の基板上にお
いて形成の後にそのままの状態で保持される。しかし、
先にも述べたように、その一部のみが必要な時には、不
要となった部分を剥離除去することが必要であり、ま
た、もしも露光ミスなどにより使用不可能な絶縁膜しか
形成されなかった時には、再度の成膜のため、形成済み
の欠陥ポリイミド膜を全体的に剥離除去しなければなら
ない。このような場合に、ポリイミド膜の部分的あるい
は全面的な除去のために本発明の剥離液を使用すること
ができる。さらに、ポリイミド膜を場合によってレジス
ト膜として使用するような時には、そのレジスト膜の選
択的な除去のためあるいはマスクとして使用後のレジス
ト膜の全面的な除去のため、本発明の剥離液を使用する
ことができる。
ポリイミド膜は、それを保護膜、層間絶縁膜などの絶縁
膜として使用する場合、通常、半導体装置の基板上にお
いて形成の後にそのままの状態で保持される。しかし、
先にも述べたように、その一部のみが必要な時には、不
要となった部分を剥離除去することが必要であり、ま
た、もしも露光ミスなどにより使用不可能な絶縁膜しか
形成されなかった時には、再度の成膜のため、形成済み
の欠陥ポリイミド膜を全体的に剥離除去しなければなら
ない。このような場合に、ポリイミド膜の部分的あるい
は全面的な除去のために本発明の剥離液を使用すること
ができる。さらに、ポリイミド膜を場合によってレジス
ト膜として使用するような時には、そのレジスト膜の選
択的な除去のためあるいはマスクとして使用後のレジス
ト膜の全面的な除去のため、本発明の剥離液を使用する
ことができる。
【００２２】本発明の剥離液をポリイミド膜の剥離除去
に使用する場合には、この技術分野で常用の技法を使用
して剥離液の適用を行うことができる。例えば、適当な
技法としては、図４〜図６を参照して説明するような、
枚葉パドル方式、スプレー方式、そして浸漬（ディッ
プ）方式などをあげることができる。 枚葉パドル方式（図４参照） 処理チャンバ（図示せず）内の基板ホルダー６に基板１
を載置し、パドル用ノズル７から剥離液４を滴下し、基
板１の表面に剥離液４が盛り上がって存在するようにす
る。このような液盛り状態を約１５分にわたって維持
し、その後に基板１を回転させて剥離液４を振り切り、
ポリイミド膜（図示せず）も剥離する。 スプレー方式（図５参照） 処理チャンバ（図示せず）内の基板ホルダー６に基板１
を載置し、基板１を回転させながら、スプレー用ノズル
８から剥離液４を霧状に吹き付ける。霧化せしめられた
剥離液４の作用により、ポリイミド膜（図示せず）が基
板１の表面から剥離除去される。 浸漬方式（図６参照） この方式は、特に、多数個の基板を同時に処理するのに
有用である。剥離除去されるべきポリイミド膜を有する
基板１を基板キャリヤ１０に収納した後、剥離液４を収
容した薬液槽９に浸漬する。所定の浸漬時間が経過する
と、基板１の表面からポリイミド膜が剥離除去される。
に使用する場合には、この技術分野で常用の技法を使用
して剥離液の適用を行うことができる。例えば、適当な
技法としては、図４〜図６を参照して説明するような、
枚葉パドル方式、スプレー方式、そして浸漬（ディッ
プ）方式などをあげることができる。 枚葉パドル方式（図４参照） 処理チャンバ（図示せず）内の基板ホルダー６に基板１
を載置し、パドル用ノズル７から剥離液４を滴下し、基
板１の表面に剥離液４が盛り上がって存在するようにす
る。このような液盛り状態を約１５分にわたって維持
し、その後に基板１を回転させて剥離液４を振り切り、
ポリイミド膜（図示せず）も剥離する。 スプレー方式（図５参照） 処理チャンバ（図示せず）内の基板ホルダー６に基板１
を載置し、基板１を回転させながら、スプレー用ノズル
８から剥離液４を霧状に吹き付ける。霧化せしめられた
剥離液４の作用により、ポリイミド膜（図示せず）が基
板１の表面から剥離除去される。 浸漬方式（図６参照） この方式は、特に、多数個の基板を同時に処理するのに
有用である。剥離除去されるべきポリイミド膜を有する
基板１を基板キャリヤ１０に収納した後、剥離液４を収
容した薬液槽９に浸漬する。所定の浸漬時間が経過する
と、基板１の表面からポリイミド膜が剥離除去される。
【００２３】
【実施例】次いで、本発明をその実施例を参照しながら
さらに詳細に説明する。なお、本発明は、これらの実施
例に限定されるものではないことを理解されたい。例１ 混合溶剤の組成比及び剥離液温度の溶解時間への影響 下記の４種類の剥離液（比率は重量比）を調製した。
さらに詳細に説明する。なお、本発明は、これらの実施
例に限定されるものではないことを理解されたい。例１ 混合溶剤の組成比及び剥離液温度の溶解時間への影響 下記の４種類の剥離液（比率は重量比）を調製した。
【００２４】 第１液 モノエタノールアミン（ＭＥＡ）：Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）＝１：９ 第２液 ＭＥＡ：ＮＭＰ＝２：８ 第３液 ＭＥＡ：ＮＭＰ＝３：７ 第４液 ＭＥＡ：ＮＭＰ＝４：６ それぞれの剥離液を、下記の第１表に記載の温度（３０
℃、４０℃、５０℃）に加温した後、基板上のポリイミ
ド膜のパターンの剥離のため、そのパリイミド膜の表面
に枚葉パドル方式で液盛りした。ここで試験に供したポ
リイミド膜のパターンは、シリコンウェーハにシリコン
窒化物を成長させたものの表面に感光性ポリイミドワニ
ス、パイメル（旭化成社製）をスピンコートし、さらに
続けて下記の手法に従って形成したものである。感光性
ポリイミドワニスをスピンコートした後に９５℃で５０
０秒間プリベークしたところ、膜厚２０μm のポリイミ
ド膜が得られた。次いで、このポリイミド膜を４００ｍ
Ｊ／cm2 の露光量でパターン露光し、現像液Ａ−５１５
（旭化成社製）及びリンス液Ｃ−２６０（旭化成社製）
を用いてスプレー方式で現像し、パターンを形成した。
ポリイミド膜を剥離するのに要する時間を評価したとこ
ろ、次の第１表に記載のような結果が得られた。 第１表 剥離液の温度 剥離液 ３０℃ ４０℃ ５０℃ 第１液 − ２００秒 − 第２液 − ９０秒 − 第３液 １８０秒 ９０秒 ４５秒 第４液 − ２５５秒 − 上記した評価試験とその結果から、本発明の剥離液のよ
うにその組成比を最適にコントロールすることによっ
て、すなわち、極性溶剤に対して最適量のアミン系有機
溶剤を添加することによって、低温（約３０〜４０℃）
での剥離性を向上させることにより、パドル方式で基板
上に剥離液を盛った場合に薬液温度が低下しても、感光
性ポリイミド膜に対して十分な剥離性が得られること、
また、従来では剥離性の確保が困難であったパドル方式
やスプレー方式による感光性ポリイミド膜の剥離が容易
になること、が判明した。 例２ 混合溶剤の組成比の最適化 前記例１に記載の手法を繰り返した。しかし、本例で
は、上記した第１液〜第４液に加えて下記の第５液及び
第６液も用意した。
ル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）＝１：９ 第２液 ＭＥＡ：ＮＭＰ＝２：８ 第３液 ＭＥＡ：ＮＭＰ＝３：７ 第４液 ＭＥＡ：ＮＭＰ＝４：６ それぞれの剥離液を、下記の第１表に記載の温度（３０
℃、４０℃、５０℃）に加温した後、基板上のポリイミ
ド膜のパターンの剥離のため、そのパリイミド膜の表面
に枚葉パドル方式で液盛りした。ここで試験に供したポ
リイミド膜のパターンは、シリコンウェーハにシリコン
窒化物を成長させたものの表面に感光性ポリイミドワニ
ス、パイメル（旭化成社製）をスピンコートし、さらに
続けて下記の手法に従って形成したものである。感光性
ポリイミドワニスをスピンコートした後に９５℃で５０
０秒間プリベークしたところ、膜厚２０μm のポリイミ
ド膜が得られた。次いで、このポリイミド膜を４００ｍ
Ｊ／cm2 の露光量でパターン露光し、現像液Ａ−５１５
（旭化成社製）及びリンス液Ｃ−２６０（旭化成社製）
を用いてスプレー方式で現像し、パターンを形成した。
ポリイミド膜を剥離するのに要する時間を評価したとこ
ろ、次の第１表に記載のような結果が得られた。 第１表 剥離液の温度 剥離液 ３０℃ ４０℃ ５０℃ 第１液 − ２００秒 − 第２液 − ９０秒 − 第３液 １８０秒 ９０秒 ４５秒 第４液 − ２５５秒 − 上記した評価試験とその結果から、本発明の剥離液のよ
うにその組成比を最適にコントロールすることによっ
て、すなわち、極性溶剤に対して最適量のアミン系有機
溶剤を添加することによって、低温（約３０〜４０℃）
での剥離性を向上させることにより、パドル方式で基板
上に剥離液を盛った場合に薬液温度が低下しても、感光
性ポリイミド膜に対して十分な剥離性が得られること、
また、従来では剥離性の確保が困難であったパドル方式
やスプレー方式による感光性ポリイミド膜の剥離が容易
になること、が判明した。 例２ 混合溶剤の組成比の最適化 前記例１に記載の手法を繰り返した。しかし、本例で
は、上記した第１液〜第４液に加えて下記の第５液及び
第６液も用意した。
【００２５】第５液 ＭＥＡ：ＮＭＰ＝５：５ 第６液 ＭＥＡ：ＮＭＰ＝７：３ ポリイミド膜を剥離するのに要する時間を評価したとこ
ろ、次の第２表に記載のような結果が得られた。 第２表 剥離液の温度 剥離液 ３０℃ ４０℃ ５０℃ 第１液 − ２００秒 − 第２液 − ９０秒 − 第３液 １８０秒 ９０秒 ４５秒 第４液 − ２５５秒 − 第５液 ３８０秒 ２８５秒 ６０秒 第６液 １２００秒 ６６０秒 １８０秒 混合溶剤中のＭＥＡ：ＮＭＰの組成比が２：８〜３：７
の時に感光性ポリイミド膜の剥離時間（溶解時間）が最
も短いので、組成比の最適値はＭＥＡ：ＮＭＰ＝２５：
７５であると判定された。
ろ、次の第２表に記載のような結果が得られた。 第２表 剥離液の温度 剥離液 ３０℃ ４０℃ ５０℃ 第１液 − ２００秒 − 第２液 − ９０秒 − 第３液 １８０秒 ９０秒 ４５秒 第４液 − ２５５秒 − 第５液 ３８０秒 ２８５秒 ６０秒 第６液 １２００秒 ６６０秒 １８０秒 混合溶剤中のＭＥＡ：ＮＭＰの組成比が２：８〜３：７
の時に感光性ポリイミド膜の剥離時間（溶解時間）が最
も短いので、組成比の最適値はＭＥＡ：ＮＭＰ＝２５：
７５であると判定された。
【００２６】組成比がＭＥＡ：ＮＭＰ＝２５：７５であ
る剥離液を調製し、前記例１と同様にして基板上の感光
性ポリイミド膜の剥離を行った。なお、剥離液の温度
は、２０℃、３０℃、４０℃、そして５０℃とした。ま
た、ポリイミド膜の剥離は、上記の温度に温調された剥
離液を回転中の基板の上に液盛りし、液盛りができた時
点で基板を３０秒間静止させる動作を反復することによ
り実施した。さらに、比較のため、３種類の市販の剥離
液：ＭＳ−２００１（富士ハント社製）、ＭＰ−１１７
７（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）、剥離液１０５（東京応化社
製）も使用した。それぞれの剥離液温度において確認さ
れた剥離時間（溶解時間）を次の第３表に記載する。 第３表 剥離液の温度 剥離液 ２０℃ ３０℃ ４０℃ ５０℃ MEA:NMP ＝２５：７５ ４３５秒 １８０秒 ９０秒 ７１秒 ＭＳ−２００１ 900秒以上 900秒以上 900秒以上 900秒以上 ＭＰ−１１７７ 900秒以上 900秒以上 900秒以上 900秒以上 剥離液１０５ 900秒以上 ６１５秒 ２５０秒 １１０秒 上記した結果から理解されるように、混合溶剤中のＭＥ
Ａ：ＮＭＰの組成比を最適値＝２５：７５とした本発明
の剥離液を使用した場合には、３０〜４０℃の比較的に
低温の薬液温度においても、十分な剥離性を達成するこ
とができた。これに対して、市販の剥離液では、感光性
ポリイミド膜の剥離ができなかったり、薬液温度が低温
になるほど剥離に時間がかかりすぎるというような不都
合が発生した。例３ 混合溶剤の組成比の最適化 前記例２に記載の手法を繰り返した。しかし、本例で
は、剥離液の調製に当たり、極性溶剤として、ＮＭＰに
代えてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を使用した。
剥離液中の混合溶剤の組成比ＭＥＡ：ＤＭＡｃは、以下
に列挙するように、前記例２に同じである。
る剥離液を調製し、前記例１と同様にして基板上の感光
性ポリイミド膜の剥離を行った。なお、剥離液の温度
は、２０℃、３０℃、４０℃、そして５０℃とした。ま
た、ポリイミド膜の剥離は、上記の温度に温調された剥
離液を回転中の基板の上に液盛りし、液盛りができた時
点で基板を３０秒間静止させる動作を反復することによ
り実施した。さらに、比較のため、３種類の市販の剥離
液：ＭＳ−２００１（富士ハント社製）、ＭＰ−１１７
７（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）、剥離液１０５（東京応化社
製）も使用した。それぞれの剥離液温度において確認さ
れた剥離時間（溶解時間）を次の第３表に記載する。 第３表 剥離液の温度 剥離液 ２０℃ ３０℃ ４０℃ ５０℃ MEA:NMP ＝２５：７５ ４３５秒 １８０秒 ９０秒 ７１秒 ＭＳ−２００１ 900秒以上 900秒以上 900秒以上 900秒以上 ＭＰ−１１７７ 900秒以上 900秒以上 900秒以上 900秒以上 剥離液１０５ 900秒以上 ６１５秒 ２５０秒 １１０秒 上記した結果から理解されるように、混合溶剤中のＭＥ
Ａ：ＮＭＰの組成比を最適値＝２５：７５とした本発明
の剥離液を使用した場合には、３０〜４０℃の比較的に
低温の薬液温度においても、十分な剥離性を達成するこ
とができた。これに対して、市販の剥離液では、感光性
ポリイミド膜の剥離ができなかったり、薬液温度が低温
になるほど剥離に時間がかかりすぎるというような不都
合が発生した。例３ 混合溶剤の組成比の最適化 前記例２に記載の手法を繰り返した。しかし、本例で
は、剥離液の調製に当たり、極性溶剤として、ＮＭＰに
代えてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を使用した。
剥離液中の混合溶剤の組成比ＭＥＡ：ＤＭＡｃは、以下
に列挙するように、前記例２に同じである。
【００２７】 第７液 ＭＥＡ：ＤＭＡｃ＝１：９ 第８液 ＭＥＡ：ＤＭＡｃ＝２：８ 第９液 ＭＥＡ：ＤＭＡｃ＝３：７ 第10液 ＭＥＡ：ＤＭＡｃ＝４：６ 第11液 ＭＥＡ：ＤＭＡｃ＝５：５ 第12液 ＭＥＡ：ＤＭＡｃ＝７：３ ポリイミド膜を剥離するのに要する時間を評価したとこ
ろ、次の第４表に記載のような結果が得られた。 第４表 剥離液の温度 剥離液 ３０℃ ４０℃ ５０℃ 第７液 − ２２０秒 − 第８液 − ７３秒 − 第９液 １５０秒 ８０秒 ２３秒 第10液 − １４０秒 − 第11液 ４９５秒 １００秒 ３８秒 第12液 １６８０秒 ２７０秒 ７４秒 混合溶剤中のＭＥＡ：ＤＭＡｃの組成比が２：８〜３：
７の時に感光性ポリイミド膜の剥離時間（溶解時間）が
最も短いので、組成比の最適値はＭＥＡ：ＤＭＡｃ＝２
５：７５であると判定された。
ろ、次の第４表に記載のような結果が得られた。 第４表 剥離液の温度 剥離液 ３０℃ ４０℃ ５０℃ 第７液 − ２２０秒 − 第８液 − ７３秒 − 第９液 １５０秒 ８０秒 ２３秒 第10液 − １４０秒 − 第11液 ４９５秒 １００秒 ３８秒 第12液 １６８０秒 ２７０秒 ７４秒 混合溶剤中のＭＥＡ：ＤＭＡｃの組成比が２：８〜３：
７の時に感光性ポリイミド膜の剥離時間（溶解時間）が
最も短いので、組成比の最適値はＭＥＡ：ＤＭＡｃ＝２
５：７５であると判定された。
【００２８】組成比がＭＥＡ：ＤＭＡｃＮＭＰ＝２５：
７５である剥離液を調製し、前記例２と同様にして基板
上の感光性ポリイミド膜の剥離を行った。得られた結果
を次の第５表に記載する。 第５表 剥離液の温度 剥離液 ２０℃ ３０℃ ４０℃ ５０℃ MEA:DMAc＝２５：７５ ４３５秒 １８０秒 ９０秒 ７１秒 ＭＳ−２００１ 900秒以上 900秒以上 900秒以上 900秒以上 ＭＰ−１１７７ 900秒以上 900秒以上 900秒以上 900秒以上 剥離液１０５ 900秒以上 ６１５秒 ２５０秒 １１０秒 上記した結果から理解されるように、混合溶剤中のＭＥ
Ａ：ＤＭＡｃの組成比を最適値＝２５：７５とした本発
明の剥離液を使用した場合には、３０〜４０℃の比較的
に低温の薬液温度においても、十分な剥離性を達成する
ことができた。これに対して、市販の剥離液では、感光
性ポリイミド膜の剥離ができなかったり、薬液温度が低
温になるほど剥離に時間がかかりすぎるというような不
都合が発生した。例４ 混合溶剤の組成比の最適化 前記例２に記載の手法を繰り返した。しかし、本例で
は、剥離液の調製に当たり、アミン系有機溶剤として、
ＭＥＡに代えてジエタノールアミン、２−（２−アミノ
エトキシ）エタノールを使用した。前記例２の場合と同
様の満足し得る結果が得られた。例５ 混合溶剤の組成比の最適化 前記例２に記載の手法を繰り返した。しかし、本例で
は、剥離液の調製に当たり、極性溶剤として、ＮＭＰに
代えてジメチルホルムアミドを使用した。前記例２の場
合と同様の満足し得る結果が得られた。
７５である剥離液を調製し、前記例２と同様にして基板
上の感光性ポリイミド膜の剥離を行った。得られた結果
を次の第５表に記載する。 第５表 剥離液の温度 剥離液 ２０℃ ３０℃ ４０℃ ５０℃ MEA:DMAc＝２５：７５ ４３５秒 １８０秒 ９０秒 ７１秒 ＭＳ−２００１ 900秒以上 900秒以上 900秒以上 900秒以上 ＭＰ−１１７７ 900秒以上 900秒以上 900秒以上 900秒以上 剥離液１０５ 900秒以上 ６１５秒 ２５０秒 １１０秒 上記した結果から理解されるように、混合溶剤中のＭＥ
Ａ：ＤＭＡｃの組成比を最適値＝２５：７５とした本発
明の剥離液を使用した場合には、３０〜４０℃の比較的
に低温の薬液温度においても、十分な剥離性を達成する
ことができた。これに対して、市販の剥離液では、感光
性ポリイミド膜の剥離ができなかったり、薬液温度が低
温になるほど剥離に時間がかかりすぎるというような不
都合が発生した。例４ 混合溶剤の組成比の最適化 前記例２に記載の手法を繰り返した。しかし、本例で
は、剥離液の調製に当たり、アミン系有機溶剤として、
ＭＥＡに代えてジエタノールアミン、２−（２−アミノ
エトキシ）エタノールを使用した。前記例２の場合と同
様の満足し得る結果が得られた。例５ 混合溶剤の組成比の最適化 前記例２に記載の手法を繰り返した。しかし、本例で
は、剥離液の調製に当たり、極性溶剤として、ＮＭＰに
代えてジメチルホルムアミドを使用した。前記例２の場
合と同様の満足し得る結果が得られた。
【００２９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、半導体装置の製造プロセスにおいて上記のような組
成を有する剥離液を使用することにより、そのプロセス
の途中で不要あるいは使用不可能となった層、特に保護
膜あるいは層間絶縁膜としてのポリイミド膜を、比較的
に低い温度において簡便にかつ低コストで剥離除去する
ことが可能となり、また、したがって、工程時間の短
縮、コストダウンに大きく寄与することができる。
ば、半導体装置の製造プロセスにおいて上記のような組
成を有する剥離液を使用することにより、そのプロセス
の途中で不要あるいは使用不可能となった層、特に保護
膜あるいは層間絶縁膜としてのポリイミド膜を、比較的
に低い温度において簡便にかつ低コストで剥離除去する
ことが可能となり、また、したがって、工程時間の短
縮、コストダウンに大きく寄与することができる。
【図１】ポリイミド保護膜の形成工程を順を追って示す
断面図である。
断面図である。
【図２】ポリイミド絶縁膜の形成工程を順を追って示す
断面図である。
断面図である。
【図３】図２の手法に従って製造された多層配線構造を
有する半導体装置の断面図である。
有する半導体装置の断面図である。
【図４】枚葉パドル方式による剥離液の適用を図示した
略示図である。
略示図である。
【図５】スプレー方式による剥離液の適用を図示した略
示図である。
示図である。
【図６】浸漬方式による剥離液の適用を図示した略示図
である。
である。
１…基板 ２…ポリイミド保護膜 ４…剥離液 ５…露光マスク ６…基板ホルダー ７…パドル用ノズル ８…スプレー用ノズル ９…薬液槽 １０…基板キャリヤ １１…基板 １２…ポリイミド絶縁膜 １３…アルミニウム配線 １４…レジスト膜 １５…露光マスク １６…ポリイミド絶縁膜 １７…アルミニウム配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 慶二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−295240（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−227009（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−289866（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−87118（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027,21/304 H01L 21/306,21/308 C08J 7/02 G03F 7/42
Claims (6)
- 【請求項１】 モノエタノールアミン及びジエタノール
アミンのうち少なくともいずれか１種からなるアルカノ
ールアミン系有機溶剤及びＮ−メチル−２−ピロリド
ン、ジメチルアセトアミド及びジメチルホルムアミドの
うち少なくともいずれか１種からなる極性溶剤の重量比
が２：８〜３：７である混合物からなり、 樹脂の剥離除去のために４０℃以下の処理温度で使用さ
れることを特徴とする樹脂用剥離液。 - 【請求項２】 アルカノールアミン系有機溶剤、及びＮ
−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド及び
ジメチルホルムアミドのうち少なくともいずれか１種を
含む極性溶剤からなり、それらの重量比が２：８〜３：
７であることを特徴とするポリイミド膜剥離用剥離液。 - 【請求項３】 アルカノールアミン系有機溶剤及び極性
溶剤の重量比が２：８〜３：７である混合物からなり、 ポリイミド膜の剥離除去のために４０℃以下の低温で使
用されることを特徴とするポリイミド膜剥離用剥離液。 - 【請求項４】 前記アルカノールアミン系有機溶剤が、
モノエタノールアミン及びジエタノールアミンのうち少
なくともいずれか１種を含むことを特徴とする請求項２
又は３に記載のポリイミド膜剥離用剥離液。 - 【請求項５】 半導体基板上にポリイミド膜を形成する
工程と、 アルカノールアミン系有機溶剤、及びＮ−メチル−２−
ピロリドン、ジメチルアセトアミド及びジメチルホルム
アミドのうち少なくともいずれか１種を含む極性溶剤か
らなり、それらの重量比が２：８〜３：７の範囲にある
剥離液で、該ポリイミド膜を剥離除去する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体基板上にポリイミド膜を形成する
工程と、 アルカノールアミン系有機溶剤及び極性溶剤の重量比が
２：８〜３：７の範囲にある剥離液で、該ポリイミド膜
を剥離除去する工程とを含み、 該ポリイミド膜の剥離除去工程を４０℃以下の低温で行
うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9693496A JP3209918B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9693496A JP3209918B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283508A JPH09283508A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3209918B2 true JP3209918B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=14178176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9693496A Expired - Lifetime JP3209918B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3209918B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4488322B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2010-06-23 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク製造用スピン処理装置 |
| JP4532039B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2010-08-25 | シャープ株式会社 | レジスト剥離方法及び薄膜回路素子の形成方法 |
| KR100581279B1 (ko) | 2003-06-02 | 2006-05-17 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 범프 형성방법 |
| US7745090B2 (en) * | 2004-08-24 | 2010-06-29 | Fujifilm Corporation | Production method of lithographic printing plate, lithographic printing plate precursor and lithographic printing method |
| JP4758303B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2011-08-24 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト膜のリワーク方法 |
| EP1788436B1 (en) * | 2005-11-16 | 2013-01-09 | Shin-Etsu Chemical Company, Ltd. | Rework process for photoresist film |
| CN114656889A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-06-24 | 常州亚龙电子科技有限公司 | 一种聚酰亚胺胶膜用剥膜液及其制备方法 |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP9693496A patent/JP3209918B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09283508A (ja) | 1997-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4152195A (en) | Method of improving the adherence of metallic conductive lines on polyimide layers | |
| US5185235A (en) | Remover solution for photoresist | |
| US4411735A (en) | Polymeric insulation layer etching process and composition | |
| US4692205A (en) | Silicon-containing polyimides as oxygen etch stop and dual dielectric coatings | |
| US4978594A (en) | Fluorine-containing base layer for multi-layer resist processes | |
| JPS5952822B2 (ja) | 耐熱性感光材料 | |
| JPH0795521B2 (ja) | 基板上にパターン付けした皮膜を形成する方法 | |
| JPS58223149A (ja) | 感光性ポリイミド用現像液 | |
| JP3209918B2 (ja) | 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| JPH0463883A (ja) | シリコーンラダー系樹脂塗布液組成物 | |
| US7176142B2 (en) | Method of manufacturing trench structure for device | |
| JPS6046421B2 (ja) | 耐熱性感光材料 | |
| JPH08250400A (ja) | シリコーン樹脂の除去法 | |
| JPH03133132A (ja) | 導電体パターン形成方法 | |
| JPS6247045A (ja) | ポリイミド組成物およびパタ−ンを有する膜の形成法 | |
| US4539288A (en) | Process for the development of relief structures based on radiation-crosslinked polymeric precursors of polymers which are resistant to high temperature | |
| KR100372995B1 (ko) | 반도체기판위에목적하는패턴의수지막을형성하는방법,반도체칩,반도체패키지,및레지스트상박리액 | |
| JPH05121402A (ja) | 基板上にパターン薄膜を形成する方法 | |
| JPS63113456A (ja) | レジスト膜の剥離方法 | |
| JPH06275511A (ja) | ポリイミドパターンの形成方法 | |
| JPH0845900A (ja) | 半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液 | |
| JPH07311469A (ja) | ポリイミド系樹脂膜のレジスト剥離残り除去液およびポリイミド系樹脂膜パターンの製造法 | |
| JPS5874041A (ja) | ポリイミド系樹脂用エツチング液 | |
| JPH033239A (ja) | ポリイミド系樹脂膜のエッチング方法、その方法を用いた配線構造体および被エッチング材の処理方法 | |
| JPH0784373A (ja) | 絶縁膜のパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010605 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080713 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090713 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110713 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110713 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110713 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120713 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120713 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130713 Year of fee payment: 12 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |