JPH0845900A - 半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液 - Google Patents
半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液Info
- Publication number
- JPH0845900A JPH0845900A JP12357395A JP12357395A JPH0845900A JP H0845900 A JPH0845900 A JP H0845900A JP 12357395 A JP12357395 A JP 12357395A JP 12357395 A JP12357395 A JP 12357395A JP H0845900 A JPH0845900 A JP H0845900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- resin film
- resist image
- solvent
- organic solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】有機溶剤可溶性に優れたエンジニアリングプラ
スチックを幅広く使用できる、半導体基板上に樹脂膜パ
ターンを形成する方法、半導体チップ、半導体パッケー
ジの製造法、及びこれに用いられるレジスト像剥離液を
提供する。 【構成】（A）半導体基板上に有機溶剤可溶性樹脂膜層
を形成させ； （B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成さ
せ； （C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されてい
ない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去
し； （D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機
溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；半導体基板上に樹
脂膜パターンを形成させる方法。上記（D）の処理の後
に（E）アルコールで処理する工程、を加えてもよい。
スチックを幅広く使用できる、半導体基板上に樹脂膜パ
ターンを形成する方法、半導体チップ、半導体パッケー
ジの製造法、及びこれに用いられるレジスト像剥離液を
提供する。 【構成】（A）半導体基板上に有機溶剤可溶性樹脂膜層
を形成させ； （B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成さ
せ； （C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されてい
ない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去
し； （D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機
溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；半導体基板上に樹
脂膜パターンを形成させる方法。上記（D）の処理の後
に（E）アルコールで処理する工程、を加えてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に所望の
パターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導
体パッケージ、及びレジスト像剥離液に関する。
パターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導
体パッケージ、及びレジスト像剥離液に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップは、シリコン（Ｓｉ）ウェ
ハー、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）ウェハー等の基板上
に、トランジスター、ダイオード、抵抗、コンデンサー
のような電子回路を構成する要素である回路素子を製造
し、更にＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳＧ（phosphosilicate
glass）等の無機絶縁膜及びアルミニウム等の金属の配
線を形成した半導体基板に、配線の外部接続用端子とな
る電極部分以外の部分に表面を保護するための絶縁樹脂
膜を形成して製造される。このように半導体基板の電極
部分以外の部分に形成され表面を保護するための絶縁樹
脂膜を、本発明では樹脂膜パターンという。従来、樹脂
膜パターンの樹脂は、特定のポリイミド樹脂が用いられ
ている。この特定のポリイミド樹脂を用いる樹脂膜パタ
ーンは、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸を
有機溶剤に溶かし、シリコンチップ等の半導体基板に塗
布後、（ａ）２２０〜３５０℃で熱処理し、その生じた
樹脂膜層上にレジスト像を形成させ、ヒドラジン系溶液
で処理して樹脂膜層をエッチング・除去し、次いで、フ
ェノール化合物含有有機溶剤系の剥離液を用いて樹脂膜
からレジスト像を剥離する方法（例えば、特開昭５３−
５３４０１号公報）、（ｂ）１１０〜１６０℃で熱処理
し、その樹脂膜層上にレジストを塗布し、所望のパター
ンを重ねて露光後（未露光部がレジスト像となる）、ア
ルカリ性水溶液で処理して露光部のレジストと樹脂膜と
を同時にエッチング・除去し、次いで、溶剤として酢酸
ブチルやセロソルブ類を含有するレジスト像剥離液を用
いて樹脂膜からレジスト像を剥離する方法（例えば、特
開平５−２１８００８号公報）、等により形成されるこ
とが知られている。上記（ａ）の方法と（ｂ）の方法を
比べると、（ａ）の方法は有害なヒドラジン系溶液（エ
ッチング液）及びフェノール化合物含有有機溶剤（レジ
スト像剥離液）を多量に使用する欠点がある一方、
（ｂ）の方法は、レジストと樹脂膜とを同時にエッチン
グ・除去でき、工程がより単純である等の利点のため、
現在の主流の方法となっている。
ハー、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）ウェハー等の基板上
に、トランジスター、ダイオード、抵抗、コンデンサー
のような電子回路を構成する要素である回路素子を製造
し、更にＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳＧ（phosphosilicate
glass）等の無機絶縁膜及びアルミニウム等の金属の配
線を形成した半導体基板に、配線の外部接続用端子とな
る電極部分以外の部分に表面を保護するための絶縁樹脂
膜を形成して製造される。このように半導体基板の電極
部分以外の部分に形成され表面を保護するための絶縁樹
脂膜を、本発明では樹脂膜パターンという。従来、樹脂
膜パターンの樹脂は、特定のポリイミド樹脂が用いられ
ている。この特定のポリイミド樹脂を用いる樹脂膜パタ
ーンは、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸を
有機溶剤に溶かし、シリコンチップ等の半導体基板に塗
布後、（ａ）２２０〜３５０℃で熱処理し、その生じた
樹脂膜層上にレジスト像を形成させ、ヒドラジン系溶液
で処理して樹脂膜層をエッチング・除去し、次いで、フ
ェノール化合物含有有機溶剤系の剥離液を用いて樹脂膜
からレジスト像を剥離する方法（例えば、特開昭５３−
５３４０１号公報）、（ｂ）１１０〜１６０℃で熱処理
し、その樹脂膜層上にレジストを塗布し、所望のパター
ンを重ねて露光後（未露光部がレジスト像となる）、ア
ルカリ性水溶液で処理して露光部のレジストと樹脂膜と
を同時にエッチング・除去し、次いで、溶剤として酢酸
ブチルやセロソルブ類を含有するレジスト像剥離液を用
いて樹脂膜からレジスト像を剥離する方法（例えば、特
開平５−２１８００８号公報）、等により形成されるこ
とが知られている。上記（ａ）の方法と（ｂ）の方法を
比べると、（ａ）の方法は有害なヒドラジン系溶液（エ
ッチング液）及びフェノール化合物含有有機溶剤（レジ
スト像剥離液）を多量に使用する欠点がある一方、
（ｂ）の方法は、レジストと樹脂膜とを同時にエッチン
グ・除去でき、工程がより単純である等の利点のため、
現在の主流の方法となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記（ｂ）の
方法は、樹脂膜層のエッチング液に用いているアルカリ
が半導体基板のアルミニウム配線を侵す難点があるの
で、エッチング液にアルカリを用いない方法、すなわ
ち、エッチング液に有機溶剤を使用する方法の開発が望
まれている。また、半導体基板の表面上に形成される樹
脂膜パターンは、樹脂膜形成温度の低温化やその樹脂膜
パターンの耐熱性、電気特性、吸湿性等の特性改善の要
求から、従来用いられている有機溶剤不溶の特定のポリ
イミド樹脂に替えて、有機溶剤可溶性に優れたポリイミ
ドやポリアミド、あるいはポリスルホン等のエンジニア
リングプラスチックも幅広く使用できる方法の開発も望
まれている。
方法は、樹脂膜層のエッチング液に用いているアルカリ
が半導体基板のアルミニウム配線を侵す難点があるの
で、エッチング液にアルカリを用いない方法、すなわ
ち、エッチング液に有機溶剤を使用する方法の開発が望
まれている。また、半導体基板の表面上に形成される樹
脂膜パターンは、樹脂膜形成温度の低温化やその樹脂膜
パターンの耐熱性、電気特性、吸湿性等の特性改善の要
求から、従来用いられている有機溶剤不溶の特定のポリ
イミド樹脂に替えて、有機溶剤可溶性に優れたポリイミ
ドやポリアミド、あるいはポリスルホン等のエンジニア
リングプラスチックも幅広く使用できる方法の開発も望
まれている。
【０００４】しかし、樹脂膜パターンの樹脂として有機
溶剤可溶性に優れた樹脂を使用し、エッチング液に有機
溶剤を使用した場合、上記（ａ）及び（ｂ）で使用され
ているいずれのレジスト像剥離液を用いた場合も、使用
した樹脂がレジスト像剥離液の有機溶剤に溶かされ、樹
脂膜パターンを形成させることができない。本発明は、
エッチング液に（アルカリを用いず）有機溶剤を用いる
方法で、アルミニウム等の金属配線が侵される心配がな
く、従来用いられているポリイミド樹脂以外に、他の更
に有機溶剤可溶性に優れたエンジニアリングプラスチッ
クの使用も幅広く可能な、半導体基板上に樹脂膜パター
ンを形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージの
製造法、及びこれに用いられるレジスト像剥離液を提供
することを課題とする。
溶剤可溶性に優れた樹脂を使用し、エッチング液に有機
溶剤を使用した場合、上記（ａ）及び（ｂ）で使用され
ているいずれのレジスト像剥離液を用いた場合も、使用
した樹脂がレジスト像剥離液の有機溶剤に溶かされ、樹
脂膜パターンを形成させることができない。本発明は、
エッチング液に（アルカリを用いず）有機溶剤を用いる
方法で、アルミニウム等の金属配線が侵される心配がな
く、従来用いられているポリイミド樹脂以外に、他の更
に有機溶剤可溶性に優れたエンジニアリングプラスチッ
クの使用も幅広く可能な、半導体基板上に樹脂膜パター
ンを形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージの
製造法、及びこれに用いられるレジスト像剥離液を提供
することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板上に
樹脂膜パターンを形成する方法は、下記（１）〜（６）
の通りである。 （１）（A）半導体基板上に有機溶剤可溶性樹脂膜層を
形成させ； （B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成さ
せ； （C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されてい
ない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去
し； （D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機
溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；半導体基板上に所
望のパターンの樹脂膜を形成する方法。 （２）上記した（D）の処理のあと更に、 （E）アルコールで処理する；上記（１）の方法。 （３）レジスト像剥離液が、溶媒１００重量部に対しア
リールスルホン酸０．０１〜１０．０重量部を含み、か
つ、その溶媒の溶解性パラメータが５．０〜１１．０で
ある、上記（１）又は（２）のいずれかの方法。 （４）アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼ
ンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸からなる
群から選ばれる少なくとも一つを含むものである、上記
（３）の方法。（５）溶解性パラメータが５．０〜１
１．０である溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トル
エン及びベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一
つを含むものである、上記（３）の方法。 （６）有機溶剤可溶性樹脂がポリイミド樹脂である、上
記（１）〜（５）のいずれかの方法。
樹脂膜パターンを形成する方法は、下記（１）〜（６）
の通りである。 （１）（A）半導体基板上に有機溶剤可溶性樹脂膜層を
形成させ； （B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成さ
せ； （C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されてい
ない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去
し； （D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機
溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；半導体基板上に所
望のパターンの樹脂膜を形成する方法。 （２）上記した（D）の処理のあと更に、 （E）アルコールで処理する；上記（１）の方法。 （３）レジスト像剥離液が、溶媒１００重量部に対しア
リールスルホン酸０．０１〜１０．０重量部を含み、か
つ、その溶媒の溶解性パラメータが５．０〜１１．０で
ある、上記（１）又は（２）のいずれかの方法。 （４）アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼ
ンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸からなる
群から選ばれる少なくとも一つを含むものである、上記
（３）の方法。（５）溶解性パラメータが５．０〜１
１．０である溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トル
エン及びベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一
つを含むものである、上記（３）の方法。 （６）有機溶剤可溶性樹脂がポリイミド樹脂である、上
記（１）〜（５）のいずれかの方法。
【０００６】本発明において、樹脂膜パターンを形成さ
せる半導体基板は、シリコン（Ｓｉ）ウェハー、ヒ化ガ
リウム（ＧａＡｓ）ウェハー等の基板上に、トランジス
ター、ダイオード、抵抗、コンデンサーのような電子回
路を構成する要素である回路素子を製造し、ＳｉＯ2、
Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳＧ（phosphosilicate glass）等の無機
絶縁膜及びアルミニウム等の金属の配線を形成したもの
であり、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＳＬＩ等を含む。
せる半導体基板は、シリコン（Ｓｉ）ウェハー、ヒ化ガ
リウム（ＧａＡｓ）ウェハー等の基板上に、トランジス
ター、ダイオード、抵抗、コンデンサーのような電子回
路を構成する要素である回路素子を製造し、ＳｉＯ2、
Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳＧ（phosphosilicate glass）等の無機
絶縁膜及びアルミニウム等の金属の配線を形成したもの
であり、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＳＬＩ等を含む。
【０００７】半導体基板上に有機溶剤可溶性樹脂膜層を
生成させるには、例えば、スピンコートにより、又はア
プリケータやドクターブレードを用いる塗工方法によ
り、あるいは樹脂ワニス中に基板を浸漬後引き上げる方
法等により、樹脂ワニスを基板に塗布し、その後これを
加熱し、有機溶剤可溶性樹脂層中の有機溶剤を揮散させ
て樹脂膜層とすることができる。
生成させるには、例えば、スピンコートにより、又はア
プリケータやドクターブレードを用いる塗工方法によ
り、あるいは樹脂ワニス中に基板を浸漬後引き上げる方
法等により、樹脂ワニスを基板に塗布し、その後これを
加熱し、有機溶剤可溶性樹脂層中の有機溶剤を揮散させ
て樹脂膜層とすることができる。
【０００８】本発明で用いる有機溶剤可溶性樹脂は、有
機溶剤に可溶な樹脂であれば特に制限はない。例えば、
ポリイミド、ポリアミド等の耐熱性樹脂や、その他、ポ
リスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレ
ート等のエンジニアリングプラスチック等があり、好ま
しくは、ポリイミド又はポリアミド、特に好ましくは、
ポリイミドである。ポリイミドを用いる場合、閉環した
ポリイミドであっても前駆体であるポリアミド酸であっ
てもよい。なお、ここでポリイミドとは、ポリアミドイ
ミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド等のイ
ミド基を有する樹脂も含む。
機溶剤に可溶な樹脂であれば特に制限はない。例えば、
ポリイミド、ポリアミド等の耐熱性樹脂や、その他、ポ
リスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレ
ート等のエンジニアリングプラスチック等があり、好ま
しくは、ポリイミド又はポリアミド、特に好ましくは、
ポリイミドである。ポリイミドを用いる場合、閉環した
ポリイミドであっても前駆体であるポリアミド酸であっ
てもよい。なお、ここでポリイミドとは、ポリアミドイ
ミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド等のイ
ミド基を有する樹脂も含む。
【０００９】本発明において、レジスト像とはエッチン
グ液に対して侵食されず、抵抗性をもつ材料から成る層
をいう。半導体基板上の有機溶剤可溶性樹脂膜層の上
に、所望のパターンのレジスト像を形成させる方法は種
々あるが、通常は、有機溶剤可溶性樹脂膜層の上にレジ
スト像形成用材料（本明細書では単に、「レジスト」と
もいう。）の層を生成させ、これを所望のパターンのフ
ォトマスクを通して露光後、現像液で処理して形成させ
る。
グ液に対して侵食されず、抵抗性をもつ材料から成る層
をいう。半導体基板上の有機溶剤可溶性樹脂膜層の上
に、所望のパターンのレジスト像を形成させる方法は種
々あるが、通常は、有機溶剤可溶性樹脂膜層の上にレジ
スト像形成用材料（本明細書では単に、「レジスト」と
もいう。）の層を生成させ、これを所望のパターンのフ
ォトマスクを通して露光後、現像液で処理して形成させ
る。
【００１０】前記レジスト像形成用材料は、エッチング
液の有機溶剤に耐えることが要求されるが、その形態は
溶液状、ペースト状又はフィルム状のいずれも使用でき
る。そのようなレジスト像形成用材料としては、熱硬化
性もしくは感光性のレジストインクのほかにフォトレジ
スト等があり、これらはネガ型レジスト又はポジ型レジ
ストのいずれでもよい。好ましくは、塩素化ポリメチル
スチレン、ポリビニルシナメイト、ポリエステルアクリ
レート、ポリエポキシアクリレート、ポリウレタンアク
リレート、ポリエポキシとオニウム塩との混合系、ポリ
ビニルフェノールとビスアジドとの混合系、ポリケイ皮
酸もしくは環化ゴムとビスアジドとの混合系、ノボラッ
ク樹脂とジアゾナフトキノンとヘキサメトキシメチルメ
ラミンとの混合系のネガ型レジスト、更に好ましくは、
ゴムとビスアジドとの混合系のネガ型フォトレジストで
ある。また、上記露光後のレジスト像の現像には、レジ
ストの種類に応じて適当な現像液を選ぶ。
液の有機溶剤に耐えることが要求されるが、その形態は
溶液状、ペースト状又はフィルム状のいずれも使用でき
る。そのようなレジスト像形成用材料としては、熱硬化
性もしくは感光性のレジストインクのほかにフォトレジ
スト等があり、これらはネガ型レジスト又はポジ型レジ
ストのいずれでもよい。好ましくは、塩素化ポリメチル
スチレン、ポリビニルシナメイト、ポリエステルアクリ
レート、ポリエポキシアクリレート、ポリウレタンアク
リレート、ポリエポキシとオニウム塩との混合系、ポリ
ビニルフェノールとビスアジドとの混合系、ポリケイ皮
酸もしくは環化ゴムとビスアジドとの混合系、ノボラッ
ク樹脂とジアゾナフトキノンとヘキサメトキシメチルメ
ラミンとの混合系のネガ型レジスト、更に好ましくは、
ゴムとビスアジドとの混合系のネガ型フォトレジストで
ある。また、上記露光後のレジスト像の現像には、レジ
ストの種類に応じて適当な現像液を選ぶ。
【００１１】有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチングする
ために用いる有機溶剤は、樹脂膜層を溶解できる有機溶
剤であれば、特に限定しない。用いる有機溶剤可溶性樹
脂の種類により、適宜、選択する。そのような有機溶剤
としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等がある。
これらの有機溶剤により、レジスト像で被覆されていな
い部分の樹脂膜層がエッチングされ、除去される。な
お、露光後のレジスト像の現像と樹脂膜層のエッチング
を同一の有機溶剤で行なえる場合には、これらを同時に
行ってもよい。
ために用いる有機溶剤は、樹脂膜層を溶解できる有機溶
剤であれば、特に限定しない。用いる有機溶剤可溶性樹
脂の種類により、適宜、選択する。そのような有機溶剤
としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等がある。
これらの有機溶剤により、レジスト像で被覆されていな
い部分の樹脂膜層がエッチングされ、除去される。な
お、露光後のレジスト像の現像と樹脂膜層のエッチング
を同一の有機溶剤で行なえる場合には、これらを同時に
行ってもよい。
【００１２】本発明の樹脂膜パターンを形成する方法で
用いるレジスト像剥離液については、後ほど述べるレジ
スト像剥離液を用いる。
用いるレジスト像剥離液については、後ほど述べるレジ
スト像剥離液を用いる。
【００１３】レジスト像剥離液による処理は、レジスト
像・樹脂膜含有基板を剥離液中に浸漬したり、これにレ
ジスト剥離液をスプレーする等して行うことができる。
このとき、超音波を併用してもよい。浸漬やスプレーの
処理の温度は、用いる有機溶剤が液体を保つ温度であれ
ば特に制限はない。通常は室温からレジスト像剥離液の
溶媒の沸点以下の範囲で行なう。浸漬やスプレー等の処
理時間は、レジスト像が樹脂膜から剥離するのに十分な
時間とする。通常は数秒〜数時間である。
像・樹脂膜含有基板を剥離液中に浸漬したり、これにレ
ジスト剥離液をスプレーする等して行うことができる。
このとき、超音波を併用してもよい。浸漬やスプレーの
処理の温度は、用いる有機溶剤が液体を保つ温度であれ
ば特に制限はない。通常は室温からレジスト像剥離液の
溶媒の沸点以下の範囲で行なう。浸漬やスプレー等の処
理時間は、レジスト像が樹脂膜から剥離するのに十分な
時間とする。通常は数秒〜数時間である。
【００１４】上記の浸漬やスプレー等の処理に引き続い
て、これをアルコール系溶剤中に浸漬し、あるいはアル
コール系溶剤をスプレーする等の処理をすると、レジス
ト像を樹脂膜から容易に、完全に除去することができ
る。ここで適当なアルコール系溶剤としてはメタノー
ル、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブ
タノール、メチルセロソルブ、セロソルブ、ブチルセロ
ソルブ等が挙げられる。この際のアルコール系溶剤によ
る処理温度は、用いる溶剤が液体を保つ温度であれば特
に制限はないが、通常は室温で行なう。浸漬時間はレジ
スト像が樹脂膜から完全に分離するのに十分な時間で、
通常は、数秒〜数時間である。アルコール系溶剤への浸
漬の代わりに、ブラシ等でこすってもレジスト像を除去
できるが、大量処理には不向きである。
て、これをアルコール系溶剤中に浸漬し、あるいはアル
コール系溶剤をスプレーする等の処理をすると、レジス
ト像を樹脂膜から容易に、完全に除去することができ
る。ここで適当なアルコール系溶剤としてはメタノー
ル、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブ
タノール、メチルセロソルブ、セロソルブ、ブチルセロ
ソルブ等が挙げられる。この際のアルコール系溶剤によ
る処理温度は、用いる溶剤が液体を保つ温度であれば特
に制限はないが、通常は室温で行なう。浸漬時間はレジ
スト像が樹脂膜から完全に分離するのに十分な時間で、
通常は、数秒〜数時間である。アルコール系溶剤への浸
漬の代わりに、ブラシ等でこすってもレジスト像を除去
できるが、大量処理には不向きである。
【００１５】レジスト像剥離液による処理、又はそれに
続くアルコールによる処理の後、室温で乾燥、あるいは
加熱して乾燥させ、樹脂膜パターンが形成された半導体
チップとする。
続くアルコールによる処理の後、室温で乾燥、あるいは
加熱して乾燥させ、樹脂膜パターンが形成された半導体
チップとする。
【００１６】図１の１Ａ〜１Ｄに、本発明の代表的な、
半導体基板上に樹脂膜パターンを形成する方法の工程を
断面模式図により示した。１Ａは、シリコンウェハー
（１）上に製造された回路素子（１'）の上に無機絶縁
膜（２）及びアルミニウム配線（３）を形成させた半導
体チップに、樹脂膜層（４）を形成させたところ、１Ｂ
は、その上に所望のパターンのレジスト像（５）を形成
させたところ、１Ｃは、レジスト像で被覆されていない
樹脂膜層を有機溶剤でエッチング・除去したところ、１
Ｄは、レジスト像剥離液で処理し、レジスト像を除去し
たところの、それぞれの断面図を示す。
半導体基板上に樹脂膜パターンを形成する方法の工程を
断面模式図により示した。１Ａは、シリコンウェハー
（１）上に製造された回路素子（１'）の上に無機絶縁
膜（２）及びアルミニウム配線（３）を形成させた半導
体チップに、樹脂膜層（４）を形成させたところ、１Ｂ
は、その上に所望のパターンのレジスト像（５）を形成
させたところ、１Ｃは、レジスト像で被覆されていない
樹脂膜層を有機溶剤でエッチング・除去したところ、１
Ｄは、レジスト像剥離液で処理し、レジスト像を除去し
たところの、それぞれの断面図を示す。
【００１７】本発明の、樹脂膜パターンを形成させた半
導体チップは、前記のいずれかの方法によって半導体基
板上に所望のパターンの樹脂膜を形成させて製造され
る。また、本発明の半導体パッケージは、この樹脂膜パ
ターンを形成させた半導体チップとリードフレームを接
着し、半導体チップの電極とリードフレームとを金線等
のワイヤで接続（ワイヤボンディング）したのち、半導
体チップ、半導体チップとリードフレームとの接着部及
びワイヤ接続部を、封止材で封止して製造することがで
きる。用いる封止材は、特に耐湿性の良好なものが望ま
しい。また、半導体チップとリードフレームの接着には
この技術分野で使用される通常の接着剤を用いることが
でき、あるいは半導体基板上に形成させた樹脂膜パター
ンを接着剤として兼用して用いることもできる。この技
術分野で使用される通常の接着剤としてはテープ状接着
剤等の接着剤がある。
導体チップは、前記のいずれかの方法によって半導体基
板上に所望のパターンの樹脂膜を形成させて製造され
る。また、本発明の半導体パッケージは、この樹脂膜パ
ターンを形成させた半導体チップとリードフレームを接
着し、半導体チップの電極とリードフレームとを金線等
のワイヤで接続（ワイヤボンディング）したのち、半導
体チップ、半導体チップとリードフレームとの接着部及
びワイヤ接続部を、封止材で封止して製造することがで
きる。用いる封止材は、特に耐湿性の良好なものが望ま
しい。また、半導体チップとリードフレームの接着には
この技術分野で使用される通常の接着剤を用いることが
でき、あるいは半導体基板上に形成させた樹脂膜パター
ンを接着剤として兼用して用いることもできる。この技
術分野で使用される通常の接着剤としてはテープ状接着
剤等の接着剤がある。
【００１８】このようにして製造される半導体パッケー
ジの例を図２〜５に断面模式図で示した。図２は半導体
チップがリードフレームに対して下側に位置する半導体
パッケージ、図３は半導体チップがリードフレームに対
して上側に位置する半導体パッケージ、図４は半導体チ
ップがリードフレームの上側に位置する半導体パッケー
ジをそれぞれ示す。図２〜４において、符号６は樹脂膜
パターンを形成させた半導体チップを示し、これは図１
の１Ｄに対応するものであり、符号７は接着剤を示し、
符号８はリードフレームを示し、符号９はワイヤを示
し、符号１０は封止材をそれぞれ示す。図５は、図２の
半導体パッケージにおける接着剤（７）を用いず、その
代わりに、樹脂膜パターンが形成された半導体チップ
（６）の樹脂膜パターンを接着剤として兼用させた半導
体パッケージの例を示し、符号８〜１０は前記の意味と
同じである。
ジの例を図２〜５に断面模式図で示した。図２は半導体
チップがリードフレームに対して下側に位置する半導体
パッケージ、図３は半導体チップがリードフレームに対
して上側に位置する半導体パッケージ、図４は半導体チ
ップがリードフレームの上側に位置する半導体パッケー
ジをそれぞれ示す。図２〜４において、符号６は樹脂膜
パターンを形成させた半導体チップを示し、これは図１
の１Ｄに対応するものであり、符号７は接着剤を示し、
符号８はリードフレームを示し、符号９はワイヤを示
し、符号１０は封止材をそれぞれ示す。図５は、図２の
半導体パッケージにおける接着剤（７）を用いず、その
代わりに、樹脂膜パターンが形成された半導体チップ
（６）の樹脂膜パターンを接着剤として兼用させた半導
体パッケージの例を示し、符号８〜１０は前記の意味と
同じである。
【００１９】また図６は、半導体チップがリードフレー
ムに対して下側に位置し、半導体チップは表面に絶縁層
が形成された半導体チップ（６’）で、その半導体チッ
プ（６’）上には本願方法により樹脂膜パターン
（７’）を接着剤として形成させた半導体パッケージの
例を示し、符号８〜１０は前記の意味と同じである。こ
のように、表面に絶縁層が形成された半導体チップ
（６’）上の接着剤を、シリコンウェハー、ヒ化ガリウ
ムウェハー等の基板上に、トランジスター、ダイオー
ド、抵抗、コンデンサーのような電子回路を構成する要
素である回路素子を製造し、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳ
Ｇ等の無機絶縁膜及びアルミニウム等の金属の配線を形
成し、更に絶縁層を形成させたものの上に、 （A）有機溶剤可溶性樹脂膜層を形成させ； （B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成さ
せ； （C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されてい
ない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去
し； （D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機
溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；ことによって形成
させることもできる。
ムに対して下側に位置し、半導体チップは表面に絶縁層
が形成された半導体チップ（６’）で、その半導体チッ
プ（６’）上には本願方法により樹脂膜パターン
（７’）を接着剤として形成させた半導体パッケージの
例を示し、符号８〜１０は前記の意味と同じである。こ
のように、表面に絶縁層が形成された半導体チップ
（６’）上の接着剤を、シリコンウェハー、ヒ化ガリウ
ムウェハー等の基板上に、トランジスター、ダイオー
ド、抵抗、コンデンサーのような電子回路を構成する要
素である回路素子を製造し、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳ
Ｇ等の無機絶縁膜及びアルミニウム等の金属の配線を形
成し、更に絶縁層を形成させたものの上に、 （A）有機溶剤可溶性樹脂膜層を形成させ； （B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成さ
せ； （C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されてい
ない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去
し； （D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機
溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；ことによって形成
させることもできる。
【００２０】本発明は、また、以下のレジスト像剥離液
である。 （i）溶媒１００重量部に対してアリールスルホン酸を
０．０１〜１０．０重量部含み、かつ、その溶媒は溶解
性パラメータが５．０〜１１．０である、レジスト像剥
離液。 （ii）アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼ
ンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸の群から
選ばれる少なくとも一つである、上記（i）のレジスト
像剥離液。 （iii）溶解性パラメータが５．０〜１１．０である溶
媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及びベンゼ
ンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含む溶媒で
ある、上記（i）のレジスト像剥離液。 （iv）アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼ
ンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸の群から
選ばれる少なくとも一つであり、かつ、溶解性パラメー
タが５．０〜１１．０である溶媒が、キシレン、シクロ
ヘキサン、トルエン及びベンゼンからなる群から選ばれ
る少なくとも一つを含むものである、上記（i）のレジ
スト像剥離液。
である。 （i）溶媒１００重量部に対してアリールスルホン酸を
０．０１〜１０．０重量部含み、かつ、その溶媒は溶解
性パラメータが５．０〜１１．０である、レジスト像剥
離液。 （ii）アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼ
ンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸の群から
選ばれる少なくとも一つである、上記（i）のレジスト
像剥離液。 （iii）溶解性パラメータが５．０〜１１．０である溶
媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及びベンゼ
ンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含む溶媒で
ある、上記（i）のレジスト像剥離液。 （iv）アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼ
ンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸の群から
選ばれる少なくとも一つであり、かつ、溶解性パラメー
タが５．０〜１１．０である溶媒が、キシレン、シクロ
ヘキサン、トルエン及びベンゼンからなる群から選ばれ
る少なくとも一つを含むものである、上記（i）のレジ
スト像剥離液。
【００２１】本発明のレジスト像剥離液は、溶媒１００
重量部に対し剥離助剤のアリールスルホン酸を０．０１
〜１０．０重量部含み、かつ、その溶媒の溶解性パラメ
ータが５．０〜１１．０である液を用いる。アリールス
ルホン酸としては、例えば、ベンゼンスルホン酸、トル
エンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼン
スルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸、ヘキシルベ
ンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、デシ
ルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等
が挙げられ、好ましくはベンゼンスルホン酸、トルエン
スルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスル
ホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸であり、更に好ま
しくはトルエンスルホン酸である。
重量部に対し剥離助剤のアリールスルホン酸を０．０１
〜１０．０重量部含み、かつ、その溶媒の溶解性パラメ
ータが５．０〜１１．０である液を用いる。アリールス
ルホン酸としては、例えば、ベンゼンスルホン酸、トル
エンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼン
スルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸、ヘキシルベ
ンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、デシ
ルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等
が挙げられ、好ましくはベンゼンスルホン酸、トルエン
スルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスル
ホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸であり、更に好ま
しくはトルエンスルホン酸である。
【００２２】アリールスルホン酸の使用量は、レジスト
像剥離液の有機溶剤１００重量部に対し０．０１〜１
０．０重量部、好ましくは０．０１〜５．０重量部、更
に好ましくは０．０５〜３．０重量部、特に好ましくは
０．１〜１．０重量部である。１０．０重量部を越える
と、レジスト像剥離液が吸水した場合に液性が強酸性と
なり金属を腐食する恐れがあり、０．０１重量部未満で
あると剥離能力が低下する。レジスト像剥離液中のアリ
ールスルホン酸の濃度は、従来のレジスト像剥離液で用
いられている濃度よりもかなり少量で有効（剥離が可
能）である点が特徴的である。
像剥離液の有機溶剤１００重量部に対し０．０１〜１
０．０重量部、好ましくは０．０１〜５．０重量部、更
に好ましくは０．０５〜３．０重量部、特に好ましくは
０．１〜１．０重量部である。１０．０重量部を越える
と、レジスト像剥離液が吸水した場合に液性が強酸性と
なり金属を腐食する恐れがあり、０．０１重量部未満で
あると剥離能力が低下する。レジスト像剥離液中のアリ
ールスルホン酸の濃度は、従来のレジスト像剥離液で用
いられている濃度よりもかなり少量で有効（剥離が可
能）である点が特徴的である。
【００２３】本発明のレジスト像剥離液の溶媒として用
いる有機溶剤は、半導体基板上に生成させた樹脂膜層を
侵さない有機溶剤の中から好ましいものを選択する。そ
のような有機溶剤は、好ましくは、溶解性パラメータが
５．０〜１１．０である単一溶剤、又は溶解性パラメー
タが５．０〜１１．０となるように混合された混合溶剤
である。上記溶解性パラメータの好ましい範囲は、用い
る有機溶剤可溶性樹脂の種類により変動するので、その
種類に応じて適宜、好ましい範囲を選ぶ。
いる有機溶剤は、半導体基板上に生成させた樹脂膜層を
侵さない有機溶剤の中から好ましいものを選択する。そ
のような有機溶剤は、好ましくは、溶解性パラメータが
５．０〜１１．０である単一溶剤、又は溶解性パラメー
タが５．０〜１１．０となるように混合された混合溶剤
である。上記溶解性パラメータの好ましい範囲は、用い
る有機溶剤可溶性樹脂の種類により変動するので、その
種類に応じて適宜、好ましい範囲を選ぶ。
【００２４】使用する有機溶剤可溶性樹脂がポリイミド
樹脂の場合、レジスト像剥離液の溶媒として用いる有機
溶剤の溶解性パラメータは、５．０〜１１．０、更に好
ましくは６．０〜１０．０、特に好ましくは６．５〜１
０．０となるようにする。このような有機溶剤として
は、例えば、キシレン（溶解性パラメータ８．８）、シ
クロヘキサン（溶解性パラメータ８．３）、ベンゼン
（溶解性パラメータ９．２）、トルエン（溶解性パラメ
ータ８．９）、又はこれらを１以上含む含む混合液等が
あり、より好ましくは、キシレン、シクロヘキサン又は
これらを１以上含む混合液である。
樹脂の場合、レジスト像剥離液の溶媒として用いる有機
溶剤の溶解性パラメータは、５．０〜１１．０、更に好
ましくは６．０〜１０．０、特に好ましくは６．５〜１
０．０となるようにする。このような有機溶剤として
は、例えば、キシレン（溶解性パラメータ８．８）、シ
クロヘキサン（溶解性パラメータ８．３）、ベンゼン
（溶解性パラメータ９．２）、トルエン（溶解性パラメ
ータ８．９）、又はこれらを１以上含む含む混合液等が
あり、より好ましくは、キシレン、シクロヘキサン又は
これらを１以上含む混合液である。
【００２５】なお、溶解性パラメータは溶解度係数とも
いわれるもので、Ｅ／Ｖ（但し、Ｅは液体の分子凝集エ
ネルギー、Ｖは分子容）の平方根で与えられる液体の特
性値で、その値は溶剤ハンドブック（浅原ほか編、講談
社サイエンティフィック）等に記載されている。また、
混合液の溶解性パラメータは、本明細書では、それぞれ
の有機溶剤の溶解性パラメータに重量分率を乗じ、これ
らの和で算出する。レジスト像剥離液に用いる有機溶剤
の溶解性パラメータが５．０未満のものであっても、あ
るいは、１１．０を越えるものであっても、樹脂膜から
のレジスト像の剥離は困難となる。
いわれるもので、Ｅ／Ｖ（但し、Ｅは液体の分子凝集エ
ネルギー、Ｖは分子容）の平方根で与えられる液体の特
性値で、その値は溶剤ハンドブック（浅原ほか編、講談
社サイエンティフィック）等に記載されている。また、
混合液の溶解性パラメータは、本明細書では、それぞれ
の有機溶剤の溶解性パラメータに重量分率を乗じ、これ
らの和で算出する。レジスト像剥離液に用いる有機溶剤
の溶解性パラメータが５．０未満のものであっても、あ
るいは、１１．０を越えるものであっても、樹脂膜から
のレジスト像の剥離は困難となる。
【００２６】アリールスルホン酸がレジスト像剥離液の
溶媒で溶かしにくい場合は、樹脂を侵さず、溶媒の溶解
性パラメータが５．０〜１１．０の範囲を越えない程度
に、アリールスルホン酸をよく溶かす他の有機溶剤を添
加してもよい。
溶媒で溶かしにくい場合は、樹脂を侵さず、溶媒の溶解
性パラメータが５．０〜１１．０の範囲を越えない程度
に、アリールスルホン酸をよく溶かす他の有機溶剤を添
加してもよい。
【００２７】本発明のレジスト像剥離液は新しい組成物
で、これにより、エッチング液にアルカリを用いずに有
機溶剤を用い、従来用いられているポリイミド樹脂以外
に、他の更に有機溶剤可溶性に優れた樹脂を用いること
も可能な、半導体基板上に樹脂膜パターンを形成する方
法、及びその方法を用いることで信頼の高い半導体チッ
プ、半導体パッケージを提供することが可能となった。
で、これにより、エッチング液にアルカリを用いずに有
機溶剤を用い、従来用いられているポリイミド樹脂以外
に、他の更に有機溶剤可溶性に優れた樹脂を用いること
も可能な、半導体基板上に樹脂膜パターンを形成する方
法、及びその方法を用いることで信頼の高い半導体チッ
プ、半導体パッケージを提供することが可能となった。
【００２８】なお、本発明のレジスト像剥離液は、何も
半導体基板上に形成される樹脂膜パターンに限定されて
使用されるものではない。本発明のレジスト像剥離液と
前記したような有機溶剤可溶性に優れる樹脂、及び汎用
の有機溶剤をエッチング液とすることとを組み合わせ
て、種々の基板、例えば、銅、鉄、アルミニウム、42ア
ロイ等の金属板、ガラス基板、アルミナ基板、チッ化ケ
イ素基板等のセラミック基板、ガラスエポキシ基板、紙
フェノール基板、ガラスポリイミド基板等の配線板用基
板等の基板上に、表面の保護、絶縁、あるいは接着等の
ために樹脂膜パターンを形成させる際にも、有用に使用
できる。
半導体基板上に形成される樹脂膜パターンに限定されて
使用されるものではない。本発明のレジスト像剥離液と
前記したような有機溶剤可溶性に優れる樹脂、及び汎用
の有機溶剤をエッチング液とすることとを組み合わせ
て、種々の基板、例えば、銅、鉄、アルミニウム、42ア
ロイ等の金属板、ガラス基板、アルミナ基板、チッ化ケ
イ素基板等のセラミック基板、ガラスエポキシ基板、紙
フェノール基板、ガラスポリイミド基板等の配線板用基
板等の基板上に、表面の保護、絶縁、あるいは接着等の
ために樹脂膜パターンを形成させる際にも、有用に使用
できる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ 半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に、無水トリ
メリット酸及び２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）から成るポリア
ミドイミドのＮ−メチルピロリドン ワニスを、スピン
コートにより２０μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布
し、１００℃で３０分間、乾燥した。このポリアミドイ
ミド上に、ネガ型フォトレジストＯＭＲ−８５（東京応
化工業（株）製）をスピンコートにより１μｍ（乾燥後
の膜厚み）の厚さに塗布し、９０℃で２０分間、乾燥
し、レジスト膜を形成した。
メリット酸及び２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）から成るポリア
ミドイミドのＮ−メチルピロリドン ワニスを、スピン
コートにより２０μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布
し、１００℃で３０分間、乾燥した。このポリアミドイ
ミド上に、ネガ型フォトレジストＯＭＲ−８５（東京応
化工業（株）製）をスピンコートにより１μｍ（乾燥後
の膜厚み）の厚さに塗布し、９０℃で２０分間、乾燥
し、レジスト膜を形成した。
【００３０】このレジスト上に、線状パターンのフォト
マスクを置き、露光し、ＯＭＲ現像液ＳＬ（東京応化工
業（株）製）を用いて現像し、ＯＭＲリンス液（東京応
化工業（株）製）でリンスし、純水で洗浄し、１４０℃
で２０分間、乾燥し、レジスト像を形成した。エッチン
グ液としてＮ−メチルピロリドンを用い、５０℃で５分
浸漬した後、回転乾燥し、更に１００℃で３０分間、乾
燥した。キシレン（溶解性パラメータ８．８）１００重
量部に対しパラトルエンスルホン酸０．５重量部を含む
溶液をレジスト像剥離液として、８０℃で１０分間浸漬
した後、イソプロパノール中に室温で３０秒間浸漬して
レジスト像の剥離を完了させた。その後、２００℃で３
０分間、乾燥して、残存溶剤を除去した。このポリアミ
ドイミド被膜を観察したところ、フォトマスク通りのパ
ターンが形成されており、またこのレジスト像剥離液に
よる樹脂表面の荒れや膜減り等はなかった。
マスクを置き、露光し、ＯＭＲ現像液ＳＬ（東京応化工
業（株）製）を用いて現像し、ＯＭＲリンス液（東京応
化工業（株）製）でリンスし、純水で洗浄し、１４０℃
で２０分間、乾燥し、レジスト像を形成した。エッチン
グ液としてＮ−メチルピロリドンを用い、５０℃で５分
浸漬した後、回転乾燥し、更に１００℃で３０分間、乾
燥した。キシレン（溶解性パラメータ８．８）１００重
量部に対しパラトルエンスルホン酸０．５重量部を含む
溶液をレジスト像剥離液として、８０℃で１０分間浸漬
した後、イソプロパノール中に室温で３０秒間浸漬して
レジスト像の剥離を完了させた。その後、２００℃で３
０分間、乾燥して、残存溶剤を除去した。このポリアミ
ドイミド被膜を観察したところ、フォトマスク通りのパ
ターンが形成されており、またこのレジスト像剥離液に
よる樹脂表面の荒れや膜減り等はなかった。
【００３１】実施例２ パラトルエンスルホン酸３重量部を、溶解補助のための
メチルセロソルブ（溶解性パラメータ１１．４）２５重
量部とキシレン（溶解性パラメータ８．８）７５重量部
との混合液（溶解性パラメータ９．５）に溶解し、これ
をレジスト像剥離液としたほかは実施例１と同様にして
半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に樹脂膜パタ
ーンを形成させた。ポリアミドイミド被膜のパターンは
フォトマスク通りに形成されており、またレジスト像剥
離液による樹脂表面の荒れや膜減り等は観察されなかっ
た。
メチルセロソルブ（溶解性パラメータ１１．４）２５重
量部とキシレン（溶解性パラメータ８．８）７５重量部
との混合液（溶解性パラメータ９．５）に溶解し、これ
をレジスト像剥離液としたほかは実施例１と同様にして
半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に樹脂膜パタ
ーンを形成させた。ポリアミドイミド被膜のパターンは
フォトマスク通りに形成されており、またレジスト像剥
離液による樹脂表面の荒れや膜減り等は観察されなかっ
た。
【００３２】実施例３ 半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に、ビスフェ
ノールＡビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）及び
４、４’−ジアミノ−３、３’、５、５’−テトラエチ
ルジフェニルメタン（ＴＥＤＤＭ）から成るポリイミド
のＮ−メチルピロリドン ワニスをスピンコートにより
１０μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布した後、１０
０℃で３０分間、乾燥した。このポリイミド上に、ネガ
型フォトレジストＯＭＲ−８３（東京応化工業（株）
製）をスピンコートにより１μｍ（乾燥後の膜厚み）の
厚さに塗布した後、９０℃で２０分間乾燥し、レジスト
膜を形成した。
ノールＡビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）及び
４、４’−ジアミノ−３、３’、５、５’−テトラエチ
ルジフェニルメタン（ＴＥＤＤＭ）から成るポリイミド
のＮ−メチルピロリドン ワニスをスピンコートにより
１０μｍ（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布した後、１０
０℃で３０分間、乾燥した。このポリイミド上に、ネガ
型フォトレジストＯＭＲ−８３（東京応化工業（株）
製）をスピンコートにより１μｍ（乾燥後の膜厚み）の
厚さに塗布した後、９０℃で２０分間乾燥し、レジスト
膜を形成した。
【００３３】このレジスト上に、線状パターンのフォト
マスクを置き、露光した後、ＯＭＲ現像液ＳＬを用いて
現像し、ＯＭＲリンス液でリンスし、純水で洗浄した
後、１４０℃で２０分間乾燥してレジスト像を形成し
た。エッチング液としてＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
を用い、３０℃で５分間浸漬した後、１００℃で３０分
間乾燥した。パラトルエンスルホン酸０．５重量部をシ
クロヘキサン（溶解性パラメータ８．３）とイソプロパ
ノール（溶解性パラメータ１１．５）との９０：１０
（重量比）混合液（溶解性パラメータ８．６）１００重
量部に溶解させた液をレジスト像剥離液として、これに
６０℃で１０分間浸漬した後、室温で１分間イソプロパ
ノールに浸漬し、レジスト像の剥離を完了させた。その
後、２００℃で３０分間乾燥して残存溶剤を除去した。
このポリイミド被膜を観察したところ、フォトマスク通
りのパターンが形成されており、またこのレジスト像剥
離液による樹脂表面の荒れや膜減り等はなかった。
マスクを置き、露光した後、ＯＭＲ現像液ＳＬを用いて
現像し、ＯＭＲリンス液でリンスし、純水で洗浄した
後、１４０℃で２０分間乾燥してレジスト像を形成し
た。エッチング液としてＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
を用い、３０℃で５分間浸漬した後、１００℃で３０分
間乾燥した。パラトルエンスルホン酸０．５重量部をシ
クロヘキサン（溶解性パラメータ８．３）とイソプロパ
ノール（溶解性パラメータ１１．５）との９０：１０
（重量比）混合液（溶解性パラメータ８．６）１００重
量部に溶解させた液をレジスト像剥離液として、これに
６０℃で１０分間浸漬した後、室温で１分間イソプロパ
ノールに浸漬し、レジスト像の剥離を完了させた。その
後、２００℃で３０分間乾燥して残存溶剤を除去した。
このポリイミド被膜を観察したところ、フォトマスク通
りのパターンが形成されており、またこのレジスト像剥
離液による樹脂表面の荒れや膜減り等はなかった。
【００３４】実施例４ 半導体基板（基板：シリコンウェハー）上に、２、２−
ビスフタル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物
（６ＦＤＡ）及び４、４’−ジアミノ−３、３’、５、
５’−テトライソプロピルジフェニルメタン（ＩＰＤＤ
Ｍ）から成るポリイミドのＮ−メチルピロリドン ワニ
スをスピンコートにより１０μｍ（乾燥後の膜厚み）の
厚さに塗布した後、１２０℃で３０分間乾燥した。この
ポリイミド上に、ネガ型フォトレジストＯＭＲ−８５
（東京応化工業（株）製）をスピンコートにより１μｍ
（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布した後、９０℃で２０
分間乾燥し、レジストの膜を形成した。
ビスフタル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物
（６ＦＤＡ）及び４、４’−ジアミノ−３、３’、５、
５’−テトライソプロピルジフェニルメタン（ＩＰＤＤ
Ｍ）から成るポリイミドのＮ−メチルピロリドン ワニ
スをスピンコートにより１０μｍ（乾燥後の膜厚み）の
厚さに塗布した後、１２０℃で３０分間乾燥した。この
ポリイミド上に、ネガ型フォトレジストＯＭＲ−８５
（東京応化工業（株）製）をスピンコートにより１μｍ
（乾燥後の膜厚み）の厚さに塗布した後、９０℃で２０
分間乾燥し、レジストの膜を形成した。
【００３５】このレジスト上に線状パターンのフォトマ
スクを置き、露光した後、キシレンとヘプタンとの混合
液を用いレジストの現像と同時に樹脂のエッチングも行
い、１４０℃で３０分間乾燥した。パラトルエンスルホ
ン酸０．５重量部をシクロヘキサンとイソプロパノール
との９０：１０（重量比）混合液（溶解性パラメータ
８．６）に溶かし、これをレジスト像剥離液として６０
℃で１０分間浸漬した後、室温でイソプロパノール中に
１分間浸漬してレジスト像の剥離を完了させた。その
後、２００℃で３０分間乾燥して残存溶剤を除去した。
このポリイミド被膜を観察したところ、フォトマスク通
りのパターンが形成されており、またこのレジスト像剥
離液による樹脂表面の荒れや膜減り等はなかった。
スクを置き、露光した後、キシレンとヘプタンとの混合
液を用いレジストの現像と同時に樹脂のエッチングも行
い、１４０℃で３０分間乾燥した。パラトルエンスルホ
ン酸０．５重量部をシクロヘキサンとイソプロパノール
との９０：１０（重量比）混合液（溶解性パラメータ
８．６）に溶かし、これをレジスト像剥離液として６０
℃で１０分間浸漬した後、室温でイソプロパノール中に
１分間浸漬してレジスト像の剥離を完了させた。その
後、２００℃で３０分間乾燥して残存溶剤を除去した。
このポリイミド被膜を観察したところ、フォトマスク通
りのパターンが形成されており、またこのレジスト像剥
離液による樹脂表面の荒れや膜減り等はなかった。
【００３６】比較例１ レジスト像剥離液としてアリールスルホン酸を含まない
キシレン（溶解性パラメータ８．８）を用いたほかは、
実施例１と同様に、半導体基板（基板：シリコンウェハ
ー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジスト像は樹
脂膜から剥離しなかった。
キシレン（溶解性パラメータ８．８）を用いたほかは、
実施例１と同様に、半導体基板（基板：シリコンウェハ
ー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジスト像は樹
脂膜から剥離しなかった。
【００３７】比較例２ レジスト像剥離液としてアリールスルホン酸を含まない
シクロヘキサン（溶解性パラメータ８．３）を用いたほ
かは、実施例３と同様にして半導体基板（基板：シリコ
ンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジス
ト像は樹脂膜から剥離しなかった。
シクロヘキサン（溶解性パラメータ８．３）を用いたほ
かは、実施例３と同様にして半導体基板（基板：シリコ
ンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジス
ト像は樹脂膜から剥離しなかった。
【００３８】比較例３ レジスト像剥離液としてアリールスルホン酸を含まない
イソプロパノール（溶解性パラメータ１１．５）を用い
たほかは、実施例３と同様にして半導体基板（基板：シ
リコンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レ
ジスト像は樹脂膜から剥離しなかった。
イソプロパノール（溶解性パラメータ１１．５）を用い
たほかは、実施例３と同様にして半導体基板（基板：シ
リコンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レ
ジスト像は樹脂膜から剥離しなかった。
【００３９】比較例４ パラトルエンスルホン酸３重量％含有イソプロパノール
（溶解性パラメータ１１．５）をレジスト像剥離液とし
て用い、浸漬温度及び浸漬時間を７０℃及び２０分間と
したほかは実施例１と同様に、半導体基板（基板：シリ
コンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジ
スト像は樹脂膜から剥離しなかった。
（溶解性パラメータ１１．５）をレジスト像剥離液とし
て用い、浸漬温度及び浸漬時間を７０℃及び２０分間と
したほかは実施例１と同様に、半導体基板（基板：シリ
コンウェハー）上に樹脂膜パターンを形成させた。レジ
スト像は樹脂膜から剥離しなかった。
【００４０】
【発明の効果】請求項１〜６の方法により、有機溶剤可
溶性樹脂を幅広く用いて、半導体基板上に樹脂膜パター
ンを形成できる。また、この方法はエッチング液に（ア
ルカリを用いず）有機溶剤を用いるので、配線を腐食さ
せる心配がない。請求項７の半導体チップ、又は請求項
８の半導体パッケージは信頼性が高いものが得られる。
請求項９〜１２のレジスト像剥離液は新しい組成物で、
これを用いて請求項１〜６の方法が可能となる。また、
このレジスト像剥離液は半導体基板上ばかりではなく、
配線板用基板等の配線表面の保護、絶縁等、あるいは接
着等のための樹脂膜パターンの形成にも有用である。
溶性樹脂を幅広く用いて、半導体基板上に樹脂膜パター
ンを形成できる。また、この方法はエッチング液に（ア
ルカリを用いず）有機溶剤を用いるので、配線を腐食さ
せる心配がない。請求項７の半導体チップ、又は請求項
８の半導体パッケージは信頼性が高いものが得られる。
請求項９〜１２のレジスト像剥離液は新しい組成物で、
これを用いて請求項１〜６の方法が可能となる。また、
このレジスト像剥離液は半導体基板上ばかりではなく、
配線板用基板等の配線表面の保護、絶縁等、あるいは接
着等のための樹脂膜パターンの形成にも有用である。
【図１】本発明の代表的な、樹脂膜パターンの形成の工
程を説明する断面模式図である。１Ａは、シリコンウェ
ハー（１）上に製造された回路素子（１'）の上に、無
機絶縁膜（２）及びアルミニウム配線（３）を形成させ
た半導体チップに、樹脂膜層（４）を形成させたとこ
ろ、１Ｂは、その上に所望のパターンのレジスト像
（５）を形成させたところ、１Ｃは、レジスト像で被覆
されていない樹脂膜層を有機溶剤でエッチング・除去し
たところ、１Ｄは、レジスト像剥離液で処理し、レジス
ト像を除去したところである。
程を説明する断面模式図である。１Ａは、シリコンウェ
ハー（１）上に製造された回路素子（１'）の上に、無
機絶縁膜（２）及びアルミニウム配線（３）を形成させ
た半導体チップに、樹脂膜層（４）を形成させたとこ
ろ、１Ｂは、その上に所望のパターンのレジスト像
（５）を形成させたところ、１Ｃは、レジスト像で被覆
されていない樹脂膜層を有機溶剤でエッチング・除去し
たところ、１Ｄは、レジスト像剥離液で処理し、レジス
ト像を除去したところである。
【図２】本発明の一例の半導体パッケージを示す断面模
式図で、半導体チップはリードフレームに対して下側に
位置する。
式図で、半導体チップはリードフレームに対して下側に
位置する。
【図３】本発明の他の例の半導体パッケージを示す断面
模式図で、半導体チップはリードフレームに対して上側
に位置する。
模式図で、半導体チップはリードフレームに対して上側
に位置する。
【図４】本発明の更に別の例の半導体パッケージを示す
断面模式図であって、半導体チップはリードフレームの
上側に位置する。
断面模式図であって、半導体チップはリードフレームの
上側に位置する。
【図５】図２の半導体パッケージにおける接着剤（７）
を用いず、その代わりに樹脂膜パターンが形成された半
導体チップの樹脂膜パターンを接着剤として兼用させた
半導体パッケージの断面模式図である。
を用いず、その代わりに樹脂膜パターンが形成された半
導体チップの樹脂膜パターンを接着剤として兼用させた
半導体パッケージの断面模式図である。
【図６】半導体チップがリードフレームに対して下側に
位置し、半導体チップは表面に絶縁層が形成された半導
体チップで、その半導体チップ上には本願方法により樹
脂膜パターンを接着剤として形成させた半導体パッケー
ジの断面模式図である。
位置し、半導体チップは表面に絶縁層が形成された半導
体チップで、その半導体チップ上には本願方法により樹
脂膜パターンを接着剤として形成させた半導体パッケー
ジの断面模式図である。
１：シリコンウェハー １'：回路素子 ２：無機絶縁膜 ３：アルミニウム配線 ４：樹脂膜層 ５：レジスト層 ６：樹脂膜パターンが形成された半導体チップ ６'：表面に絶縁層が形成された半導体チップ ７：接着剤 ７'：表面に絶縁層が形成された半導体チップ（６'）上
に形成された樹脂膜パターン ８：リードフレーム ９：ワイヤ １０：封止材
に形成された樹脂膜パターン ８：リードフレーム ９：ワイヤ １０：封止材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/60 ３０１ Ｂ 23/29 23/31 6921−4Ｅ Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｄ
Claims (12)
- 【請求項１】（A）半導体基板上に有機溶剤可溶性樹脂
膜層を形成させ； （B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成さ
せ； （C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されてい
ない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去
し； （D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機
溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；半導体基板上に所
望のパターンの樹脂膜を形成する方法。 - 【請求項２】（D）の処理のあと更に、 （E）アルコールで処理する；請求項１の方法。
- 【請求項３】レジスト像剥離液が、溶媒１００重量部に
対しアリールスルホン酸０．０１〜１０．０重量部を含
み、かつ、その溶媒の溶解性パラメータが５．０〜１
１．０である、請求項１又は２のいずれかの方法。 - 【請求項４】アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチル
ベンゼンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸か
らなる群から選ばれる少なくとも一つである、請求項３
の方法。 - 【請求項５】溶解性パラメータが５．０〜１１．０であ
る溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及びベ
ンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含むも
のである、請求項３の方法。 - 【請求項６】有機溶剤可溶性樹脂がポリイミド樹脂であ
る、請求項１〜５のいずれかの方法。 - 【請求項７】半導体基板上に、請求項１〜６のいずれか
の方法により所望のパターンの樹脂膜を形成させた半導
体チップ。 - 【請求項８】請求項７の半導体チップの電極とリードフ
レームとを接続し、封止材で封止してなる半導体パッケ
ージ。 - 【請求項９】溶媒１００重量部に対してアリールスルホ
ン酸を０．０１〜１０．０重量部含み、かつ、その溶媒
は溶解性パラメータが５．０〜１１．０である、レジス
ト像剥離液。 - 【請求項１０】アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホ
ン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチ
ルベンゼンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸
の群から選ばれる少なくとも一つである、請求項９のレ
ジスト像剥離液。 - 【請求項１１】溶解性パラメータが５．０〜１１．０で
ある溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及び
ベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含む
溶媒である、請求項９のレジスト像剥離液。 - 【請求項１２】アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホ
ン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチ
ルベンゼンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸
の群から選ばれる少なくとも一つであり、かつ、溶解性
パラメータが５．０〜１１．０である溶媒が、キシレ
ン、シクロヘキサン、トルエン及びベンゼンからなる群
から選ばれる少なくとも一つを含むものである、請求項
９のレジスト像剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12357395A JPH0845900A (ja) | 1994-05-24 | 1995-05-23 | 半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-109474 | 1994-05-24 | ||
| JP10947494 | 1994-05-24 | ||
| JP12357395A JPH0845900A (ja) | 1994-05-24 | 1995-05-23 | 半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004010350A Division JP2004139133A (ja) | 1994-05-24 | 2004-01-19 | 半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845900A true JPH0845900A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=26449222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12357395A Pending JPH0845900A (ja) | 1994-05-24 | 1995-05-23 | 半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845900A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000061658A1 (fr) * | 1999-04-09 | 2000-10-19 | Kaneka Corporation | Resine polyimide, composition de resine a resistance amelioree a l'humidite la comprenant, solution adhesive, colle en film adhesif en couches et leurs procedes de production |
| US6998297B2 (en) * | 1996-11-21 | 2006-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Wafer level packaging |
-
1995
- 1995-05-23 JP JP12357395A patent/JPH0845900A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6998297B2 (en) * | 1996-11-21 | 2006-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Wafer level packaging |
| WO2000061658A1 (fr) * | 1999-04-09 | 2000-10-19 | Kaneka Corporation | Resine polyimide, composition de resine a resistance amelioree a l'humidite la comprenant, solution adhesive, colle en film adhesif en couches et leurs procedes de production |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4152195A (en) | Method of improving the adherence of metallic conductive lines on polyimide layers | |
| US4411735A (en) | Polymeric insulation layer etching process and composition | |
| US4039371A (en) | Etchant for polyimides | |
| JPH0728254A (ja) | レジスト用剥離液 | |
| US4978594A (en) | Fluorine-containing base layer for multi-layer resist processes | |
| JPH0795521B2 (ja) | 基板上にパターン付けした皮膜を形成する方法 | |
| JPH04350660A (ja) | 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 | |
| US3767490A (en) | Process for etching organic coating layers | |
| EP0394638A2 (en) | Method of etching polyimides and resulting passivation structures | |
| JPH08250400A (ja) | シリコーン樹脂の除去法 | |
| KR100372995B1 (ko) | 반도체기판위에목적하는패턴의수지막을형성하는방법,반도체칩,반도체패키지,및레지스트상박리액 | |
| JPS62232989A (ja) | 基板上の回路線の形成方法 | |
| JP3209918B2 (ja) | 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| JPH0845900A (ja) | 半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液 | |
| JP2004139133A (ja) | 半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液 | |
| JPH05121402A (ja) | 基板上にパターン薄膜を形成する方法 | |
| JPH07311469A (ja) | ポリイミド系樹脂膜のレジスト剥離残り除去液およびポリイミド系樹脂膜パターンの製造法 | |
| JPS63113456A (ja) | レジスト膜の剥離方法 | |
| JP2924109B2 (ja) | 選択的にポリイミド表面を処理する方法 | |
| JPH01214840A (ja) | ポリイミドパターンの形成方法 | |
| JPH06275511A (ja) | ポリイミドパターンの形成方法 | |
| JPH05218008A (ja) | ポリイミド系樹脂膜パターンの製造法 | |
| JP3485484B2 (ja) | 感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂多層有機膜のレリーフパターンの形成方法 | |
| JPH06196474A (ja) | ポリイミド系樹脂膜のスカム除去液およびポリイミド系樹脂膜パターンの製造法 | |
| JPH09199473A (ja) | ポリイミド系樹脂膜パターンの形成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040119 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040315 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040318 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040716 |