JPH06318539A - ポリイミドのパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】本発明は、ポリイミド前駆体ワニスを基板上に
塗布、プリベーク、フォトレジスト塗布、プリベーク、
現像、剥離の後に、あるいは、感光性ポリイミド前駆体
ワニスを基板上に塗布、プリベーク、露光、現像した後
に、基板を熱源に接触させることにより、ポリイミド前
駆体被膜を１６０℃以上に加熱することを特徴とするポ
リイミドのパターン形成方法に関する。 【効果】本発明によると、熱処理後パターン部の形状を
正のテーパー形状にすることが可能となり、“角”の発
生を防止することができるので、断線のない高信頼性の
導体配線をポリイミド上に形成することができる。した
がって、高性能、高信頼性の多層基板やカラーフィルタ
を高収率に製造することが可能となった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はポリイミドのパターン形
成方法に関するものであり、さらに詳しくは、ポリイミ
ド被膜上に断線の問題のない導体配線が形成できるよ
う、なだらかなテーパーを持ったポリイミドパターンの
形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ポリイミドのパターン形成方法と
しては、非感光性のポリイミドの場合、塗布、プリベー
ク、レジスト塗布、プリベーク、露光、現像、レジスト
剥離後オーブン等で低温から熱処理する方法が一般的で
あり、感光性のポリイミドの場合、塗布、プリベーク、
露光、現像後オーブン等で熱処理する方法が一般的であ
る。これらの方法の最大の問題点は図２に示すように熱
処理後パターンが“ビアーダル”形状となり、上端コー
ナー部に“角”と呼ばれる形状の物ができることであ
る。図２において、１は基板、２はポリイミド被膜、３
は角を表す。“角”ができると、ポリイミド被膜上に導
体配線を形成する際、断線しやすいという問題がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
ところは、熱処理後パターン部に“角”の発生すること
なく、高信頼性の導体配線を上部に形成できるポリイミ
ドのパターン形成方法を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
以下の（１）または（２）の構成を採ることにより解決
される。 （１）（Ａ）ポリイミド前駆体ワニスを基板上に塗布、
プリベークし、ポリイミド前駆体被膜を形成する工程、
（Ｂ）該ポリイミド前駆体被膜上にフォトレジストを塗
布、プリベークする工程、（Ｃ）該フォトレジストを選
択的に露光する工程、（Ｄ）該フォトレジストとポリイ
ミド前駆体被膜を選択的に現像する工程、（Ｅ）該フォ
トレジストを剥離する工程、（Ｆ）該基板を熱源に接触
させることにより、該ポリイミド前駆体被膜を、１６０
℃以上に加熱する工程、の各工程を含むことを特徴とす
るポリイミドのパターン形成方法。

【０００５】（２）（Ａ）感光性ポリイミド前駆体ワニ
スを基板上に塗布、プリベークし、感光性ポリイミド前
駆体被膜を形成する工程、（Ｂ）該感光性ポリイミド前
駆体被膜を選択的に露光、現像する工程、（Ｃ）該基板
を熱源に接触させることにより、該感光性ポリイミド前
駆体被膜を１６０℃以上に加熱する工程、の各工程を含
むことを特徴とする感光性ポリイミドのパターン形成方
法。

【０００６】以下、本発明の各工程を順に説明する。

【０００７】まず、上記（１）のポリイミドのパターン
形成方法について説明する。

【０００８】まず、ポリイミド前駆体ワニスを基板上に
塗布、プリベークし、ポリイミド前駆体被膜を形成す
る。

【０００９】ここで用いられるポリイミド前駆体として
は、芳香族テトラカルボン酸無水物と芳香族ジアミンを
主成分とするジアミン成分を溶剤中で反応させて作製し
たものが一般的である。芳香族テトラカルボン酸として
は、ピロメリット酸二無水物、３，３´，４、４´−ビ
フェニルテトラカルボン酸無水物、３，３´，４，４´
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等が用いら
れる。芳香族ジアミンとしては４，４´−ジアミノジフ
ェニルエーテル、、パラフェニレンジアミン、メタフェ
ニレンジアミン、４，４´−ジアミノジフェニルメタ
ン、３，３´−ジアミノジフェニルスルフォン等が用い
られる。溶剤としてはＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−２ピロリドン、γ−ブチロラクトン等が用
いられる。ポリイミド前駆体ワニスの濃度としては１０
〜４０％，粘度としては１〜２００ポイズ／２５℃が一
般的である。

【００１０】上記ポリイミド前駆体ワニスにはパターン
形成能を損なわない範囲で無機、有機のフィラー、顔
料、染料、金属粉末等の充填剤を添加してもよい。無機
フィラーとしてはＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、カーボン等の
粉末、有機フィラーとしてはポリイミド、ポリアミド、
ポリエステル等のポリマー粉末、顔料、染料としては各
色からなる耐熱性、透明性に優れたもの、金属粉末とし
てはＣｕ、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｕ、Ａｌなどの粉末が
一般的である。上記の顔料、染料などを添加したポリイ
ミド前駆体ワニスは、カラーフィルタのＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の各画素用ペーストとして、カーボン
等を添加したものは遮光用ブラックマトリクス用ペース
トとして用いられる。

【００１１】基板としては、絶縁層と金属配線が多層構
造をとり、かつ上下の金属配線がビアホールを介して接
続している多層配線基板が例としてあげられる。その中
でも好ましいのは、絶縁層がポリイミドで、金属配線が
ＣｕまたはＣｒとＣｕが層状に形成されたものである多
層配線基板である。その他には、ガラス、アルミナセラ
ミックス、金属粉末の入ったペーストを所定のビアホー
ルの形成されたアルミナグリーンシート上に印刷し、こ
れを必要枚数重ねてプレス焼結した多層セラミック配線
板、シリコンウエハ、窒化アルミ、またはこれらの基板
上に有機絶縁膜と金属配線から成る層を１層以上形成し
たもの、Ａｌ、Ｃｕ等の金属板に絶縁膜を形成したもの
などが例としてあげられる。

【００１２】ポリイミド前駆体ワニスを基板上に塗布す
る方法としては、回転数と回転時間を一定にすることの
できる、「スピナー」と呼ばれる装置で塗布するのが一
般的である。回転数としては５００〜４０００ｒｐｍ、
回転時間としては１０〜１２０秒が一般的である。塗布
膜厚としては、加熱した後の膜厚が０．５〜５０μｍ、
好ましくは２〜３０μｍ、より好ましくは５〜２０μｍ
の範囲になるように塗布することが好ましい。

【００１３】ポリイミド前駆体ワニスのプリベークは通
常、ホットプレートや熱風オーブンで行う。温度として
は６０〜１５０℃、好ましくは９０〜１４０℃が一般的
である。時間としてはホットプレートの場合は２〜２０
分、オーブンの場合は３０分〜１５０分が一般的であ
る。

【００１４】該ポリイミド前駆体被膜上にフォトレジス
トを塗布、プリベークする。フォトレジストの塗布、プ
リベークは、ポリイミド前駆体と同様に行うことができ
る。プリベークの温度としては８０〜１５０℃が好まし
い。

【００１５】次に、フォトレジスト被膜を選択的に露
光、現像し、未露光部あるいは露光部を除去する。この
とき同時に下層のポリイミド前駆体被膜を除去するか、
得られたフォトレジストのパターンをマスクとして下層
のポリイミド前駆体被膜を除去する。

【００１６】露光に用いられる光線としては、特に限定
されないが紫外線が好ましく、その光源としては高圧水
銀灯を使用した露光機を用いることが好ましい。具体的
には、半導体製造に用いられるコンタクト方式、ミラー
プロジェクション方式、ステッパー方式等のアライナー
と呼ばれる露光装置を用いるのが一般的で、露光量とし
ては通常数ｍＪ〜数百ｍＪ／ｃｍ² 露光する。

【００１７】現像方法としては、現像液中に浸漬し、攪
拌する方法、さらに超音波を当てる方法、スプレー状に
現像液を噴霧する方法、現像液を基板上にたらして静置
し、一定時間後基板を回転させて現像液を除去するパド
ル現像法等が一般的である。現像液としては、３％程度
の有機アルカリ水溶液が一般的である。

【００１８】つづいてフォトレジストを剥離する。フォ
トレジストの剥離方法としては、剥離液に浸漬し、攪拌
する方法、剥離液を基板上にたらして静置し、一定時間
後基板を回転させて現像液を除去するパドル現像法等が
一般的である。剥離液としては、アセトン、酢酸ブチ
ル、メチルセロソルブアセテート等が一般的である。

【００１９】レジスト剥離の後、基板を熱源に接触させ
ることにより、該ポリイミド前駆体被膜を１６０℃以上
で急激に加熱することが重要である。すなわち、徐々に
温度を上げていくのでなく、基板を熱源に接触させるこ
とにより急激に１６０℃以上で加熱することが重要であ
る。これは、被膜中にポリイミド前駆体ワニスの溶剤が
残った状態で、被膜を急激に熱処理し、被膜がイミド化
し固化する前に、微小な流動を発生させ、正のテーパー
を形成するものである。従って加熱の方法としては、被
膜がイミド化し固化する前に、微小な流動を発生させる
方法であればよく、特定の方法に限定されないが、好ま
しくは熱風オーブンのように被膜全体を加熱する方法で
はなく、ホットプレートのように基板側から被膜を急激
に加熱する方法が、本発明の効果を得るのに好ましい。
被膜全体を加熱すると被膜表面からイミド化が始まるた
め、正のテーパーを形成しにくいからである。正のテー
パーが形成された熱処理後パターン部の形状を図１に示
す。図１において、１は基板、２はポリイミド被膜を表
す。

【００２０】基板を接触させる熱源としては、１６０℃
以上のホットプレートが好ましい。すなわち目的の温度
（１６０℃以上）に保持しておいたホットプレート上
で、ポリイミド前駆体被膜を基板側から加熱するのであ
る。さらに、真空吸着して加熱を行うのが効果的であ
る。熱源としてはホットプレート以外に急激に加熱して
ポリマーが硬化する前に微小流動が発生するものであれ
ばよく、たとえば熱風オーブンでもホットプレートより
温度を高めに設定すれば同一の効果を得ることが可能で
ある。加熱温度としては、１６０℃以上で加熱すること
が重要であるが、より好ましくは１８０℃〜３００℃で
ある。温度が１６０℃未満では温度が低すぎて十分な効
果が得られず、図２に示すような“角”の発生が見られ
る。３００℃を越える場合は、熱処理後パターン部のテ
ーパーが大きくなり過ぎて好ましくない。加熱時間とし
てはホットプレートでは１分〜１０分程度が適当であ
る。

【００２１】次に、必要に応じて、ポリイミド被膜の加
熱キュアを行う。上述の基板を熱源に接触させる工程に
おいて、該熱源の温度が十分高くポリイミド被膜のイミ
ド化が完了していれば改めて加熱キュアの工程は不要で
あるが、基板を接触させる熱源の温度がキュア温度より
も低い場合には必要である。

【００２２】本発明のポリイミドのパターン形成方法の
ポイントは現像、パターン形成、フォトレジスト剥離後
に、ホットプレート等を使用して基板を急激に短時間熱
処理することにあり、この効果を損なわない範囲で他の
プロセスを加えても良い。

【００２３】次に、上記（２）の感光性ポリイミドのパ
ターン形成方法について説明する。

【００２４】まず、感光性ポリイミド前駆体ワニスを基
板上に塗布、プリベークし、感光性ポリイミド前駆体被
膜を形成する。

【００２５】ここで用いられる感光性ポリイミド前駆体
としては、前記ポリイミド前駆体に感光性を付与したも
のが用いられる。例えば、感光基がポリイミド前駆体の
カルボキシル基とエステル結合しているエステルタイプ
と呼ばれるもの（例えば、Ｐｈｏｔｏｇｒａ．Ｓｃｉ．
Ｅｎｇ．２３，３０３（１９７９））や、感光基がポリ
イミド前駆体のカルボキシル基と塩結合している塩結合
タイプと呼ばれるもの（例えば、Ｊ．Ｍａｃｒｏｍｏ
ｌ．Ｓｃｉ．（Ｃｈｅｍ）Ａ２１，１６１４（１９８
４））などを例としてあげることができる。感光性ポリ
イミド前駆体ワニスの濃度としては１０〜５０重量％、
粘度としては５〜２００Ｐｏｉｓｅ／２５℃が一般的で
ある。

【００２６】上記感光性ポリイミド前駆体ワニスには、
前記と同様、パターン形成能を損なわない範囲で無機、
有機のフィラー、顔料、染料、金属粉末等の充填剤を添
加してもよい。

【００２７】基板としては、前記と同様の基板を使用で
きる。

【００２８】感光性ポリイミド前駆体ワニスを基板上に
塗布する方法としては、前記と同様の方法によればよ
い。

【００２９】プリベークは通常、ホットプレートや熱風
オーブンで行う。温度としては６０〜２００℃が一般的
である。時間としてはホットプレートの場合は２〜２０
分、オーブンの場合は３０分〜１５０分が一般的であ
る。

【００３０】次に、感光性ポリイミド前駆体被膜を選択
的に露光、現像し、未露光部あるいは露光部を除去す
る。

【００３１】露光は、前記フォトレジストの露光と同様
に行えば良いが、このとき、３６５ｎｍ（ｉ線）以下の
波長の光をカットすることにより、被膜の表層のみが強
く露光されることを防止することが可能となり、底部ま
で均一に露光されるようになるため、本発明の効果をさ
らに高めることができる。ｉ線以下の波長の光をカット
する方法としては、光源とパターン化のためのマスクの
間にフィルターを入れるなどの方法があげられる。

【００３２】このとき、露光後現像前に、本発明の効果
を損なわない範囲で基板をベークすることが好ましい。
このベークを行うことにより、露光後、一定時間放置し
た際の吸湿によるクラックの発生を防止することができ
る。ベークの温度としては６０〜１２０℃、時間として
は１５〜１２０秒が好ましい。

【００３３】現像方法としては、現像液中に浸漬し、攪
拌する方法、さらに超音波を当てる方法、スプレー状に
現像液を噴霧する方法等が一般的である。

【００３４】現像の後、基板を熱源に接触させることに
より、該感光性ポリイミド前駆体被膜を１６０℃以上で
急激に加熱することが重要である。該加熱は前記と同様
に行えばよく、該加熱により前記と同様に正のテーパー
を形成することができる。

【００３５】次に、必要に応じて、感光性ポリイミド被
膜の加熱キュアを、前記と同様に行う。

【００３６】本発明の感光性ポリイミドのパターン形成
方法のポイントは現像、パターン形成後に、ホットプレ
ート等を使用して基板を急激に短時間熱処理することに
あり、この効果を損なわない範囲で、上述の露光後現像
前のベークを行う等のプロセスを加えても良い。

【００３７】本発明にかかるポリイミドのパターン形成
方法によると熱処理後パターン部の“角”の発生を確実
に防止できるので、ポリイミド被膜の上に導体配線を形
成する場合に効果的である。例えば、多層配線基板の層
間絶縁膜としてポリイミドを用いる場合（導体配線は、
ＣｕまたはＣｕとＣｒを層状に形成したものなど）や、
カラーフィルタのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各画
素や遮光用ブラックマトリクスおよびこれらを保護する
透明保護膜をポリイミドで形成する場合（導体配線はＩ
ＴＯなどの透明導電膜）に好適に用いることができる。

【００３８】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明でコンタクトホールのテーパー形状につ
いては下記の方法で測定した。

【００３９】［テーパー］明石ビームテクノロジー社製
走査電子顕微鏡ＳＸ−４０Ａを使用し×２０００倍で熱
処理後パターン部の形状を観察し、ビアホールのテーパ
ー形状、“角”発生の有無について調べた。

【００４０】実施例１ 東レ製ポリイミドワニス“セミコファイン”ＳＰ−８４
１を約５ｇ、４インチシリコンウエハー上に滴下し、ミ
カサ製スピナー１Ｈ−３６０Ｓを用いて、２２００ｒｐ
ｍ×３０秒回転塗布した。大日本スクリーン製塗布・現
像装置を用い、真空吸着式ホットプレートで８０℃×６
分＋１２０℃×６分プリベークした。膜厚は１０μｍで
あった。この上に東京応化製ポジ型フォトレジストＯＦ
ＰＲ−８００を約５ｇ滴下し、上記スピナーを用い
て、、３０００ｒｐｍ×３０秒回転塗布した。上記ホッ
トプレートを用い、１１０℃×１．５分プリベークし
た。その後キャノン製ＰＬＡ５０１Ｆコンタクト露光機
を用いて１０秒露光した。次に上記塗布・現像装置を用
い、現像液として東京応化製専用現像液ＮＭＤ−３で３
分現像し、超純水で１分リンスした後、３０００ｒｐｍ
×３０秒スピンドライした。

【００４１】この後酢酸イソブチルの液に浸漬し、レジ
ストを剥離し、３０００ｒｐｍ×３０秒スピンドライし
た。その後、２００℃に設定した真空吸着式ホットプレ
ートを用い、４分熱処理した。その後タバイ製スーパー
テンプオーブンＳＴ−ＰＨ２００を用い、Ｎ₂ 雰囲気下
（８０℃＋１５０℃＋２５０℃＋３５０℃）×３０分キ
ュアした。キュア後のポリイミド被膜の膜厚は５μｍで
あった。

【００４２】このポリイミド被膜のビアホールのテーパ
ー形状について観察した結果、図２に示すような“角”
の発生はなく、図１に示す正のテーパーが形成されてい
ることが、確認できた。

【００４３】実施例２ 実施例１で現像後のホットプレートでの熱処理温度を１
８０℃に設定した以外は、実施例１と同様に行った。コ
ンタクトホールのテーパー形状を走査電顕で観察した結
果、“角”の発生もなく、正のテーパーが形成されてい
ることが、確認できた。

【００４４】実施例３ 実施例１で現像後のホットプレートでの熱処理温度を２
２０℃に設定した以外は、実施例１と同様に行った。ビ
アホールのテーパー形状を観察した結果、“角”の発生
もなく、正のテーパーが形成されていることが、確認で
きた。

【００４５】比較例１ 東レ製ポリイミドワニス“セミコファイン”ＳＰ−８４
１を約５ｇ、４インチシリコンウエハー上に滴下し、ミ
カサ製スピナー１Ｈ−３６０Ｓを用いて、２２００ｒｐ
ｍ×３０秒回転塗布した。大日本スクリーン製塗布・現
像装置を用い、真空吸着式ホットプレートで８０℃×６
分＋１２０℃×６分プリベークした。膜厚は１０μｍで
あった。この上に東京応化製ポジ型フォトレジストＯＦ
ＰＲ−８００を約５ｇ滴下し、上記スピナーを用いて、
３０００ｒｐｍ×３０秒回転塗布した。上記ホットプレ
ートを用い、１１０℃×１．５分プリベークした。その
後キャノン製ＰＬＡ５０１Ｆコンタクト露光機を用いて
１０秒露光した。次に上記塗布・現像装置を用い、現像
液として東京応化製専用現像液ＮＭＤ−３で３分現像
し、超純水で１分リンスした後、３０００ｒｐｍ×３０
秒スピンドライした。

【００４６】この後酢酸イソブチルの液に浸漬し、レジ
ストを剥離し、３０００ｒｐｍ×３０秒スピンドライし
た。その後タバイ製スーパーテンプオーブンＳＴ−ＰＨ
２００を用い、Ｎ₂ 雰囲気下（８０℃＋１５０℃＋２５
０℃＋３５０℃）×３０分キュアした。キュア後のポリ
イミド被膜の膜厚は５μｍであった。

【００４７】このポリイミド被膜のビアホールのテーパ
ー形状について観察した結果、図２に示すような“角”
の発生が見られ、図１に示す正のテーパーが形成されな
かった。

【００４８】比較例２ 実施例１で現像後のホットプレートでの熱処理温度を１
４０℃に設定した以外は、実施例１と同様に行った。

【００４９】このポリイミド被膜のビアホールのテーパ
ー形状について観察した結果、図２に示すような“角”
の発生が見られ、図１に示すようななめらかな正のテー
パーが形成されなかった。

【００５０】実施例４ 東レ製感光性ポリイミドワニス“フォトニース”ＵＲ−
３１４０を約５ｇ、４インチシリコンウエハー上に滴下
し、ミカサ製スピナー１Ｈ−３６０Ｓを用いて、２２０
０ｒｐｍ×３０秒回転塗布した。大日本スクリーン製塗
布・現像装置を用い、真空吸着式ホットプレートで８０
℃×６分＋９０℃×６分プリベークした。膜厚は１０μ
ｍであった。次にキャノン製ＰＬＡ５０１Ｆコンタクト
露光機（ｉ線以下の波長の光をカットするためのフィル
ターを備えている）を用いて１５秒露光した。次に上記
塗布・現像装置を用い、現像液として東レ製専用現像液
ＤＶ−６０５で５分現像し、イソプロピルアルコールで
１分リンスした後、３０００ｒｐｍ×３０秒スピンドラ
イした。その後、２００℃に設定した真空吸着式ホット
プレートを用い、４分熱処理した。その後タバイ製スー
パーテンプオーブンＳＴ−ＰＨ２００を用い、Ｎ₂ 雰囲
気下（８０℃＋１５０℃＋２５０℃＋３５０℃）×３０
分キュアした。キュア後のポリイミド被膜の膜厚は５μ
ｍであった。

【００５１】このポリイミド被膜のビアホールのテーパ
ー形状について観察した結果、図２に示すような“角”
の発生はなく、図１に示す正のテーパーが形成されてい
ることが、確認できた。

【００５２】実施例５ 実施例４で現像後のホットプレートでの熱処理温度を１
８０℃に設定した以外は、実施例４と同様に行った。コ
ンタクトホールのテーパー形状を走査電顕で観察した結
果、“角””の発生もなく、正のテーパーが形成されて
いることが、確認できた。

【００５３】実施例６ 実施例４で現像後のホットプレートでの熱処理温度を２
２０℃に設定した以外は、実施例４と同様に行った。ビ
アホールのテーパー形状を観察した結果、“角”の発生
もなく、正のテーパーが形成されていることが、確認で
きた。

【００５４】比較例３ 東レ製感光性ポリイミドワニス“フォトニース”ＵＲ−
３１４０を約５ｇ、４インチシリコンウエハー上に滴下
し、ミカサ製スピナー１Ｈ−３６０Ｓを用いて、２２０
０ｒｐｍ×３０秒回転塗布した。大日本スクリーン製塗
布・現像装置を用い、真空吸着式ホットプレートで８０
℃×６分＋９０℃×６分プリベークした。膜厚は１０μ
ｍであった。次にキャノン製ＰＬＡ５０１Ｆコンタクト
露光機を用いて１５秒露光した。次に上記塗布・現像装
置を用い、現像液として東レ製専用現像液ＤＶ−６０５
で５分現像し、イソプロピルアルコールで１分リンスし
た後、３０００ｒｐｍ×３０秒スピンドライした。その
後タバイ製スーパーテンプオーブンＳＴ−ＰＨ２００を
用い、Ｎ₂ 雰囲気下（８０℃＋１５０℃＋２５０℃＋３
５０℃）×３０分キュアした。キュア後のポリイミド被
膜の膜厚は５μｍであった。

【００５５】このポリイミド被膜のビアホールのテーパ
ー形状について観察した結果、図２に示すような“角”
の発生が見られ、図１に示す正のテーパーが形成されな
かった。

【００５６】比較例４ 実施例４で現像後のホットプレートでの熱処理温度を１
４０℃に設定した以外は、実施例４と同様に行った。

【００５７】このポリイミド被膜のビアホールのテーパ
ー形状について観察した結果、図２に示すような“角”
の発生が見られ、図１に示すようななめらかな正のテー
パーが形成されなかった。

【００５８】

【発明の効果】本発明によると、熱処理後パターン部の
形状を正のテーパー形状にすることが可能となり、
“角”の発生を防止することができるので、断線のない
高信頼性の導体配線をポリイミド上に形成することがで
きる。したがって、高性能、高信頼性の多層基板やカラ
ーフィルタを高収率に製造することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる方法によってパターン形成され
たポリイミド被膜の熱処理後パターン部の形状を表す概
略断面図である。

【図２】従来の技術によってパターン形成されたポリイ
ミド被膜の熱処理後パターン部の形状を表す概略断面図
である。

【符号の説明】

１：基板 ２：ポリイミド被膜 ３：角（つの）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ 7352−4Ｍ 21/90 Ｓ 7514−4Ｍ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）ポリイミド前駆体ワニスを基板上に
   塗布、プリベークし、ポリイミド前駆体被膜を形成する
   工程、（Ｂ）該ポリイミド前駆体被膜上にフォトレジス
   トを塗布、プリベークする工程、（Ｃ）該フォトレジス
   トを選択的に露光する工程、（Ｄ）該フォトレジストと
   ポリイミド前駆体被膜を選択的に現像する工程、（Ｅ）
   該フォトレジストを剥離する工程、（Ｆ）該基板を熱源
   に接触させることにより、該ポリイミド前駆体被膜を１
   ６０℃以上に加熱する工程、の各工程を含むことを特徴
   とするポリイミドのパターン形成方法。
2. 【請求項２】 ポリイミド前駆体ワニスのプリベークの
   温度が６０〜１５０℃であることを特徴とする請求項１
   記載のポリイミドのパターン形成方法。
3. 【請求項３】 フォトレジストのプリベークの温度が８
   ０〜１５０℃であることを特徴とする請求項１記載のポ
   リイミドのパターン形成方法。
4. 【請求項４】（Ａ）感光性ポリイミド前駆体ワニスを基
   板上に塗布、プリベークし、感光性ポリイミド前駆体被
   膜を形成する工程、（Ｂ）該感光性ポリイミド前駆体被
   膜を選択的に露光、現像する工程、（Ｃ）該基板を熱源
   に接触させることにより、該感光性ポリイミド前駆体被
   膜を１６０℃以上に加熱する工程、の各工程を含むこと
   を特徴とする感光性ポリイミドのパターン形成方法。
5. 【請求項５】 プリベークの温度が６０〜２００℃であ
   ることを特徴とする請求項４記載の感光性ポリイミドの
   パターン形成方法。
6. 【請求項６】 露光方法が、高圧水銀灯を使用した露光
   機を使用するものであり、かつ３６５ｎｍ以下の波長の
   光をカットした露光方法であることを特徴とする請求項
   ４記載の感光性ポリイミドのパターン形成方法。
7. 【請求項７】 露光後現像前に、６０〜１２０℃のホッ
   トプレートで１５〜１２０秒ベークを行うことを特徴と
   する請求項４記載の感光性ポリイミドのパターン形成方
   法。
8. 【請求項８】 感光性ポリイミド前駆体ワニスが、塩結
   合タイプの感光性ポリイミド前駆体ワニスであることを
   特徴とする請求項４記載の感光性ポリイミドのパターン
   形成方法。
9. 【請求項９】 基板を接触させる熱源が、１６０℃以上
   のホットプレートであることを特徴とする請求項１また
   は４記載のポリイミドのパターン形成方法。
10. 【請求項１０】 加熱キュア後のポリイミド被膜の膜厚
    が０．５〜５０μｍであることを特徴とする請求項１ま
    たは４記載のポリイミドのパターン形成方法。
11. 【請求項１１】 基板が、絶縁層と金属配線が多層構造
    をとり、かつ上下の金属配線がビアホールを介して接続
    している多層配線基板であることを特徴とする請求項１
    または４記載のポリイミドのパターン形成方法。
12. 【請求項１２】 絶縁層がポリイミドで、金属配線がＣ
    ｕまたはＣｕとＣｒが層状に形成されたものであること
    を特徴とする請求項１１記載のポリイミドのパターン形
    成方法。