JPS62264051A - 光吸収被覆材料 - Google Patents

光吸収被覆材料

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JPS62264051A
JPS62264051A JP62021945A JP2194587A JPS62264051A JP S62264051 A JPS62264051 A JP S62264051A JP 62021945 A JP62021945 A JP 62021945A JP 2194587 A JP2194587 A JP 2194587A JP S62264051 A JPS62264051 A JP S62264051A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、マイクロエレクトロニック写真平版技術等に
使用する広スペクトルの光吸収被覆材料に関するもので
ある。
本発明は、１９８４年８月６日に出願された米国特許出
願筒６３８，２５８号の一部継続出願であり且つ１９８
２年９月３０口に出願された米国特許出願筒４３１，７
９８号の一部継続出願である。これら２つの特許出願は
、参考としてここに取りしげる。
（従来技術） 最近、光を放出したり成る場合には光を変調したりする
電子装置が数多く開発されている。これらの開発に伴い
、マイクロエレクトロニツクスの分野で通常行なわれる
多数のプロセスによってパターン化することのできる黒
い被覆が必要となってきている。この黒い被覆は、装置
の感光領域を光線から保護したり或いは装置の光放出又
は光反射領域と黒く見えるべき領域とのコン１−ラスト
を増進したりするのに用いられる。ポリマ被覆は。
相当に光を吸収するものでなければならない。例えば、
黒色のペイントは使用することができない。
被覆は、好ましくは、この分野で既に使用されているプ
ロセスによってパターン化できなばならない。その１つ
のプロセスは、ポジのホトレジス１−を被覆し、これに
光を当て、ホトレジストとその下の層を水酸化物溶液中
で現像するという段階を含む。この基本的なプロセスは
、湿式プロセスもしくは湿式エツチングと称する。別の
プロセスは。
基体上にレジストを被覆し、レジストをパターン化し、
基体をエツチングし１次いで、プラズマ又は反応性イオ
ンエツチングを用いて基体の下の層をエツチングする段
階を含む。これは、この分野で乾式エツチングと称され
ている。被覆についての別の要求は、ポリマ被覆が絶縁
特性を有していなければならないことである。？ｔ！気
装置の一部分としては、高い絶縁強度と、高い抵抗率と
を有していなければならない。更に、第３の要求は、被
覆が均一でなければならないことである。又、酸化シリ
コンやアルミニウムのような通常の基体に充分に接着し
なければならない。更に、被覆は、当該波長の光を強力
に吸収すると共に、熱的な安定性が高く且つ耐久性に優
れていなければならない。又、フィルムの厚みが電気装
置の厚みに適合する一方、充分な光減衰性を発揮しなけ
ればならない。
（９！明が解決しようとする問題点） この分野において、米国テキサス州すチャードソンのポ
リトロニツクス社（Ｐｏｌｙｔｒｏｎｉｃｓ）から現在
販売されている１つの材料は、上記した要件の幾つかを
満たそうとするものであるが、その全部に合致するもの
ではない。この材料は、細かく挽かれた炭素が充填され
たポリマ溶液を含んでいる。使用するポリマは、熱的安
定性を与えるポリイミドであるが、この材料は湿式プロ
セスによってしかパターン化することができず、乾式エ
ツチングを行なうことはできない。この材料は抵抗率が
非常に低く、従って、多くの電子装置に適合しない。更
に、そのフィル１１は炭素粒子により均一性がなく、フ
ィルムの単位厚み当たりの光吸収性が非常に低い。この
分野では、装置に絶縁層を付着しそしてこの絶縁層の上
面に材料をパターン化することを含む他の色々な方法に
より装置の感光領域の保護に関する問題を解消しようと
している。
更に、金属を用いて装置Ｎの一部分を光から遮蔽してい
る。しかしながら、このプロセスは、非常に時Ｉｌｌの
か＼る上に、不透明の有機フィルムを用いた場合よりも
経費がか−る。更に、多くのユーザは、周囲の光感釦装
置への影響や或いは装置の表面が光って見掛けが、°ム
くなることから光を反射させたくないためにこのような
システムを好まない。
この分野でコントラストを高める更に別の方法は、光学
的に暗く見えるにき装置の部分上にインジウム−スズ酸
化物のような非反射層を付着することである。これらの
層は、非常に狭い波長帯域でしか機能せず且つ非常に複
雑で然も長時間のプロセスを必要とし更に再処理するこ
とが回連であるという点で相当に制約がある。
これまでに利用されている１つの更に別の解決策は、装
置の上にフィルタを設けて使用することである。しかし
、このフィルタは、装置上に直接付着されるものではな
い。このフィルタのサイズ及び形状とフィルタパターン
のｌｉ雌さとにより。
フィルタをその下の装置と正確に整列させるという問題
が生じる点で、これらの装置には制約がある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、絶縁特性が非常に良好で、接着性が強く、ホ
トレジストにより湿式でも乾式でも現像することができ
且つ紫外線から可視光線を通して赤外線に至るまでの所
望の波長レンジにおいて光吸収性が非常に高いことを特
徴とする均一な被）寮を形成するようにポリマブレカー
ソル及び可溶性染料を用いることによって公知技術の問
題を解消するものである。本発明による被覆材料は、′
Ｉｔｃ気及び′、゛Ｕ子装置に匹敵するフィルム厚みを
有すると共に、このような電気及び電子装置に適合する
非常に高い形状精度を有している。この光吸収フィルム
は、非常に良好な熱的安定性、化学的安定性及びニージ
ンク安定性を示し、電気又は電子装置の完全性を確保す
る。
（実施例〉 本発明の被覆材料には、非常に広い用途がある。例えば
、この材料は、マイクロエレン１〜ロニツクスの写真平
版プロセスにおいて現在のマスク検査システムに代わる
ものとして使用できる。このマスク検査システムは、プ
ロセス技術者がプリン１〜装置をオフラインにすること
なくマスクの欠陥を検査できるようにする。典型的には
、薄いクロｌ一層とホトレジス１一層を有するガラスウ
ェハがプリント装置において露光される。このホトレジ
ス１〜は、クロムのエッチマスクを形成するように現像
され、次いで、クロムがエツチングされる。
ガラスウェハ上のクロムパターンは、マスク検査システ
ムでオリジナルマスクパターンと比較される。検査シス
テムは、典型的には、Ｋ　Ｌ　Ａの計器については４５
０−６５０　ｎ　ｒｎ、口本自動制御社の計）（ｔにつ
いては５１０ｎｍ又は５２５　ｎ　ｒｎという比ｌ咬的
狭い波長帯域を使用している。本発明の被覆は、これら
波長の光を吸収し、検査システムを作動させるのに充分
にγＳいコントラストを与える。被覆は、ポジのホトレ
ジストと８Ａ　（９４液とを用いてパターン化されるの
で、クロムメッキ及びエツチングの必要性がなくなる。
このようにして、本発明の被覆は、マスク検査時間を短
縮化する上に、付加的な処理装置なしに且つ環境汚染物
であるクロムを使用せずに検査を行えるようにする。
本発明の被覆は、光吸収フィルムをホトレジス１−上に
被覆しこれによって上面自体からの光を除く全ての反射
光の強度を減少させることにより、投影プリン；−装置
の自動収束系統の性能を向上するのに使用することもで
きる。収束動作は、半導体及び他のマイクロエレクトロ
ニック装置の製造において重要である。投影プリント装
置の自動収束機構は、典型的に、光源と、反射光を感知
する検出器とを用いている。光がフィルムの表面に当た
ると、光の一部が反射すると共に一部がフィルムを通過
して次の層の界面で反射する。これらの多重反射により
、自動収束機構が不適切に機能することがある。本発明
の被覆は、収束機構に典型的に用いられるレーザーダイ
オード及び発光ダイオードによって発せられる近赤外光
を吸収する。
従って、本発明の被覆は、多層システムの上面からの光
を除く全ての反射光の強度を減少させ、自動収束機構の
性能を改善する。典型的に、本発明の被覆は、ホトレジ
ストの上面にスピンキャストされる。本発明の被覆は、
自動収束機構に使用する場合は、ホトレジス１−を露光
するのに典型的に用いられる青及び近紫外領域の波長の
光を吸収する染料は含まない。被覆ビヒクルは、水に溶
けるものであっても溶媒に溶けるものであってもよく、
ホトレジストが３３．！像されるときには剥がされる。
このようにして１本発明の被覆は、ホトレジストの性能
には無視できる影響しか与えない。被１１１は。
これにホトレジストを加えた厚さが光学機器の焦点深度
の限界を越えないような薄い層として付着される。典型
的には、この被覆は、予め焼かれたホトレジストの上面
にスピンキャストされる。この被覆は、焼かれる必要は
ないが、必要があれば、例えば、溶媒を蒸発させるため
に対流オーブンにおいて９０°Ｃの温度で３０分間焼い
てもよい。被覆は、投影プリン１−装置における収束及
び露光処理中は、そのまＮとされ、露光したホトレジス
トが水性現像液に浸入されるか或いは水性現像液がスプ
レーされたときに直ちに剥がされる。他の全ての点につ
いては、自動収束処理及び装置は、通常のものである。
本発明の被覆材料は、ポリマ又はポリマプレカーソル及
び可溶性の染料を含み、これらは、絶縁特性が良好で、
接着性が強く且つホトレジストにより湿式及び／又は乾
式で現像できる特性を有した均一で薄くしっかりと接合
された連続的なフィルムを形成するのに有効であると共
に、紫外領域から可視領域を通じて赤外領域までのスペ
クトルの希望の波長範囲内で高い光吸収性を示すもので
ある。フィルｌ、の厚さは、電気装置及び電子装置に匹
敵するものであり、被覆は、マイクロエレクトロニック
装置等の電気装置及び電子′！Ａ置に必要な高い解像度
をイｊしている。この光吸収フィルｔ１は、電気システ
ムの完全性を確保するように。
良好な熱的安定性、化学的安定性及びエージングの安定
性を示す。被覆材料は、ポリアミド又はポリアミドプレ
カーソルと、溶媒に溶ける所要の染料とを含んでいる。
この材料には炭素又は顔料が充填されていないため、こ
の材料は、非常に高い抵抗率と非常に高い絶縁強度を有
しており、被Ｙａする′、を気″装置及び電子装置の性
能を妨げない。この材ｒトは、湿式処理及び乾式エツチ
ングの両方でパターン化することができろ。典型的に１
．：れにより形成されたものは、近紫外領域と可視領域
で高い吸収性を示し、この特性は、１　、　ＯＯＯｎ　
ｍの近赤外領域にも及ぶ。この材料は、溶液であるため
大きな粒子ではなく、被覆は非常に均一である。本発明
の材料は、シリコン、酸化シリコン及びアルミニラ１１
の基体に非常に良く付着する。この材料は、非常に高い
熱的安定性を示すと共に。
非常に耐久性がある。本発明の生成物は、通常の方？Ａ
で使用及び適用することができる。例えば、この材料は
２通常の電気基体又はマイクロニレクトロニック基体上
にスピン又はスプレーがけすることができる。例えば、
４．ＯＯＯｒｐｍでスピンさせると、典型的には、厚さ
５ミクロンのフィルムが生成する。この材料は、溶媒を
除去しポリマプリカーソルを交差結合するためにベーキ
ングすることができる。生成物を湿式エツチングすべき
場合は、ポジのホトレジストを上面にスピンすることが
できる。このホトレジストは１通常の方法でベーキング
され、＊光され、現像される。本発明の光吸収層は、ホ
トレジストが除去されたところで現像されるので、ホト
レジストと同時にパターン化することができる。材料を
乾式エツチングすべき場合は、アルミニウム又は他の適
当なエッチマスクの層が光吸収層の上面に付着され、パ
ターン化される。この基体は、次に、反応イオンエツチ
ング又はプラズマエツチングのためにチャンバ内に配置
され、エッチマスクで覆われていない領域で光吸収層が
エツチングされる。パターン化を行った後に、光吸収層
は、ポリマを硬化するためにｉコ温でベーキングされる
。
光吸収層の厚さは、製造方法と用途にもよるが、数ミク
ロンないし数十分の１ミクロンとすることができる。ス
ピン方式では、典型的に、１ミクロンないし１０ミクロ
ンの厚みのフィルムが生成される。通常のスプレーかけ
方式では、２５ミクロンという厚いフィルムが生成され
る。本発明の生成物は、近紫外領域、２００ないし７５
０ｎｍの可視スペク１−ル領域において高い吸収性を示
すと共に、染料の成分にもより、２００ないし１１００
０ｎの領域で強い吸収力を示す。例えば、本発明の厚さ
５ミクロンのフィルムは、２００ないし７５０ｎｍ或い
は２００ないし１０００　ｎ　ｍの全ての光をＬ％以下
しか透過させない。本発明の生成物は、非常に小さい形
状をパターン化できるという点で利点がある。例えば、
厚さ５ミクロンのフィル１１の湿式処理では、５ミクロ
ンの線を分析することができる。又、乾燥エツチング処
理では、更に小さい線を分析することができる。
光吸収層の抵抗率は３×１０１５００ｍ以上であり、絶
縁強度は７Ｘ１０’Ｖ／ｃ＋ｎを越える。
これらの数値は、有機フィルムにとっては顕著な電気的
特性であり、炭素又は顔料或いは通常の材料が充填され
たポリマフィルムで予想できるものよりも遥かに良いも
のである。
本発明の光吸収被覆の幾つかの特定の使用目的としては
、光感知回路を保護し、液晶ディスプレイ、電気−発光
ディスプレイ、プラズマディスプレイ及び像形成システ
１１、例えば遠隔通信及びビデオカメラ用の電荷結合装
置のコントラス１−を高めることが挙げられる。又、本
発明の光吸収被覆は、発光ダイオード、電子なだれホト
ダイオード及びソリッドステートレーザの光感知領域も
保護する。更に、本発明の被覆は、光波変調器及びその
地回様の装置に穴をパターン形成するのにも使用できる
。
本発明の光吸収層のビヒクルは、典型的に、使用中にポ
リイミド樹脂を形成するように反応するポリイミドプレ
カーソルを含んでいる。このプレカーソルは、典型的に
、オキシジアニリン（ＯＤＡ）とパイロメリテイックジ
アニドライト（ＰＭＤＡ）とを反応させるか、或いは、
ＯＤＡとＰＭ　Ｉ）　Ａ及びベンゾフェノン・テ１−ラ
カルボキシリンク・シアニトリニック（ＢＴＤＡ）とを
反応させることによって形成されたとによってポリアミ
ック酸を含む。これと同等の他のポリアミック酸及びポ
リアミックプレカーソルを使用することもできる。ポリ
イミドプレカーソルの反応剤は、典型的１こ、はり化学
量数で含まれる。成る組成には、ポリビニルピロリドン
のような水溶性のポリマ及　・び／又はノボラックのよ
うな他の一般の樹脂を含む。染料は、広い光スペクトル
にわたって効果的に吸収する可溶性の有機染料から選択
されるか。
或いは染料の効果的な組合せから選択さ！＋、る。染料
としては、例えば、クルクミン、ツルベン１−・ブルー
４５（サビニル・ブルーｒ＜　ｒ、　ｓサン１−ツクス
・ケミカル社）、ソルベント・レッド９２　（サビニル
・スカーレッｌ−ＲＬ　Ｓサンドックス・ケミカル社）
、ソルベント・ブルー４４　（サビニル・ブルーＧ［、
Ｓサンドックス・ケミカル社）、ソルベント・ブルー３
５（ハイサーｌドブルーＢ２００％モートンケミカル社
）、ソルベント・レッド１１１（モートン・レッドＡＡ
Ｐモートン・ケミカル社）、ソルベント・オレンジ１１
　（オラゾル・オレンジＧチバーガイギ社）、ピラクロ
ン・グリーン（ビラム・プロダクツ社）、ＩＲ−９９（
アメリカン・シアナミド社）、ＩＲ−１２５（エクシ１
−ン・ケミカル社）及びソルベント・レッド１２７（Ｔ
Ｍ、サントス・ケミカル社）が含まれる。染料及びビヒ
クル又はビヒクルプレカーソルには、系全体が共通に溶
けるように低い表面エネルギ溶媒を有する溶媒系統が含
まれる。典型的な溶媒は、サイクロヘキサノンを含む。
本発明は、以下の例によって更に理解されよう。
倒−よ：次の被覆成分を用いる。
５８．５％　ポリイミドプレカーソル （ＯＤＡ及びＰＭＤＡ） ７．３％　Ｎメチルピロリジノン ２１．９％　サイクロへフサノン ４．４％　ソルベントブルー４５ ３．４％　ソルベントレッド９２ ３．９％　ソルベントブルー４４ ０．５％　クルクミン 混合物を数時間攪拌することにより黒色の被覆を形成し
た。次いで、この混合物を濾過し、溶解しない材料を除
去する。この被覆は、黒い背景のコントラスト被覆とし
て用いて１発光ダイオード及び液晶ディスプレイのコン
トラストを高めることができる。又、こ、の被覆は、光
電セルやホトダイオードのような検出；１Ｋにおいて散
乱光や反射光を除去するための背景被覆として用いるこ
とができる。この被覆は、一般のスピン又はスプレー技
術によって基体上に付着され、９０℃で３０分間そして
’）０−４３０℃で３０分間硬化するようにベーキング
され、一般のプロセスによってホトレジストが被覆され
、硬化され、露光されそして現像される。この被覆は１
次いで、２００℃で３０分間硬化することができる。こ
の被覆は、２００ないし７５０ｎｍの実質的に全ての光
を吸収する。
倒」工：次の被覆組成を使用する。
５８．５％　ポリイミドプレカーソル （ＤＤＡ及びＰＭＤＡ） ７．３％　Ｎメチルピロリドン ２１．０％　サイクロヘクサノン ４．０％　ソルベントブルー４５ ３．４％　ソルベントレッド９２ ４．３％　ビラクロムグリーン ０．５％　クルクミン 例１で述へたように黒色の被覆を形成した。
史す：次の被覆組成を使用する。
５８．５％　ポリイミドプレカーソル （ｊ）ＤＡ及びＰＭＤＡ） ７．３％　Ｎメチルピロリドン ２１．９％　サイクロへフサノン ７１．４％　ソルベントブルー３５ ３．４％　ツルベントレンド９２ １３．９％　ソルベントブルー４４ ０．５％　クルクミン 例１で述へたように黒色の被覆を形成した。
例Ａ−二次の被覆組成を使用する。
５７．５％　ポリイミドプレカーソル （ＤＤＡ及びＰＭＤＡ） ７．３％　Ｎメチルピロリドン ２１．９％　サイクロへフサノン ４．４％　ソルベントブルー４５ ３．４％　ツルベン１〜レツド１１１ ３．９％　ソルベントブルー４４ １．５％　ソルベントオレンジ１１ 例１で述べたように黒色の被覆を形成した。
叢互：次の被覆組成を使用する。
５８．５％　ポリイミドプレカーソル （Ｌ）ＤＡ、ＢＴＩ）Ａ及びＰ　ＭＤ　Ａ　）７．３％
　Ｎメチルピロリドン ２１．９％　サイクロへフサノン ４．４％　ソルベントブルー４５ ３．４％　ソルベントレッド９２ １３．９％　ソルベントブルー４４ １．５％　クルクミン 例１で述へたように黒色の被αｌを形成した。
倒」−：次の被覆組成を使用する。
４３．９％　ポリイミドプレカーソル （ＤＤＡ及びＰ　Ｍ　Ｄ　Ａ　） １１．７％　Ｎメチルピロリドン ３５．２％　サイクロへフサノン ３．３％　ソルベントブルー４５ ２．６％　ソルベントレッド９２ ２．９％　ソルベントブルー４４ ０．４％　クルクミン 例１で述べたように黒色の被覆を形成した。
叢ユニ次の被覆組成を使用する。
５７．５％　ポリイミドプレカーソル （ＯＤＡ及びｒ’ＭＤＡ） ７．３％　Ｎメチルピロリドン ２１．９％　サイクロへフサノン ４．４％　ソルベントブルー４５ ３．４％　ソルベントレッド９２ ３．９％　ソルベントブルー４４ ０．５％　クルクミン １．０％　Ｉ　Ｒ−９９ 例１で述へたように黒色の被αｌを形成した。この被覆
は、２００ないし１１０００ｎの実質的に全ての光を吸
収する。この被覆は、近赤外線レンジで作動する発光ダ
イオード及びセンサのための背景及びコントラスト被覆
として特に有用である。
倒−β−：次の被１す組成を使用する。
４３．９％　ポリイミドプレカーソル （ＯＤＡ及びＰＭＤＡ） ７．３％　Ｎメチルピロリドン ２１．９％　サイクロへフサノン ４．４％　ソルベントブルー４５ ３．４％　ソルベントレッド９２ ３．９％　ソルベントブルー４４ ０．５％　クルクミン １．０％　ＩＲ−１２５ 例７で述べたように黒色の被覆を形成した。
−Ｌ：次の被覆組成を使用する。
５６．５％　ポリイミドプレカーソル （ＯＤＡ及びＰＭＤＡ） ７．３％　Ｎメチルピロリドン ２１．９％　サイクロへフサノン ４．４％　ソルベントブルー３５ ３．４％　ソルベントレッド１１１ ：３．９％　ソルベントブルー４４ １．５％　ソルベントオレンジ１１ １．０％　Ｉ　Ｒ−１２５ 例７で述べたように黒色の被覆を形成した。
」Ｊ：次の被覆組成を使用する。
４３．１％　ポリイミドプレカーソル （ＤＤＡ及びＰＭＤＡ） １１．７％　Ｎメチルピロリドン ３５．２％　サイクロへフサノン ２３．３％　ソルベントブルー４５ ２．６％　ソルベントレッド９２ ２．９％　ソルベントブルー４４ ０．４％　クルクミン ０．８％　ＩＲ−１２５ 例７で述べたように黒色の被覆を形成した。
例１１：次の被覆組成を使用する。
５７．５％　ポリイミドプレカーソル （ＤＤＡ、ＰＭＤＡ、［３ＴＤＡ） ７．３％　Ｎメチルピロリドン ２１．９％　サイクロへフサノン ４．４％　ソルベントブルー４５ ３．４％　ソルベントレッド９２ ３．９％　ソルベントブルー４４ ０．５％　クルクミン １．０％　ＩＲ−１２５ 例７で述べたように黒色の被覆を形成した。
ＩＩ＋　１２　：次の被覆組成を使用する。
２２５ｇ　　ポリイミドプレカーソル （ＯＤＡ及びＰＭＤＡ） ２７ｇ　　　　ノボラック ２１１ｍ１　　Ｎメチルピロリドン ６９２ｇ　　サイクロへフサノン ５６ｇ　　　　ソルベントレッド１２７５６ｇ　　　　
ソルベントレッド９２ 混合物を数時間攪拌することによりマスク検査被覆を形
成した。次いで、このＩａ合物を０．４５ミクロンに濾
過し、溶解しない材料を除去した。この被覆は、スピン
又は他の技術で付着した。例えば、ガラスのウェハ上に
０．３ミクロンの厚みまでスピン被覆して、マスク検査
システムにおいてクロム層の代わりに使用することがで
きる。０゜３ミクロンの被覆フィルムは、マスク検査シ
ステムによって使用される約５００ないし６００ｎｍの
光の少なくとも約９０％を吸収する。
（縛１ユニ次の被覆組成を使用する。
４．８ｇ　　　１５にポリビニルピロリドン９５．２ｇ
　　Ｈ２Ｏ １，０ｇ　　　ｒＲ−１２５（アンハイドロ−１，１−
ジメチル−２−４’Ｈ１，１−ジメチル−３−４（サル
フォブチル−２−（Ｉｌｌ）ベンズ（ｅ）インドリニリ
デネル−１，３，５−へブタトリエニル］−（４−サル
フォブチル）−１Ｈ−ベンズ（ｅ）インドリウム・ハイ
ドロザイド・ソジウム・ソルト室温の水の中でＰｖＰを
分解するまで約１時間攪拌することにより自動収束機構
を形成した。
ＩＲ−１２５を溶液に添加し、約３時間攪拌した。
次いで、溶液を濾過し、分解していない染料及びポリマ
を除去した。スピン被覆により７００人のフィルム厚み
まで被覆を付着した。この被覆は、自動収束機構によっ
て使用される６５０ないし１１０００ｎの範囲の光を吸
収する。
本発明は、その精神から逸脱することなく多数の変更が
なされ得ることが当業者に明らかであろう。本発明は、
上記の特定の実施−例に限定されろものではなく、特許
請求の範囲のみによって限定されるものとする。
特許出願人　　ブリューワー　サイエンスインコーホレ
イテッド

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）マイクロエレクトロニック写真平版技術等に用い
    る広スペクトルの光吸収被覆材料であって、この材料は
    、本質的に、ポリイミドビヒクルプレカーソル及び可溶
    性の光吸収染料を溶媒中に含むものであり、上記染料は
    、溶媒及びビヒクル系に実質的に完全に溶けると共に、
    上記被覆を基体上に被覆した時に広い光スペクトルにわ
    たって実質的に全ての光を吸収するように作用し、上記
    被覆は、基体上に付着した時に高い電気抵抗率と高い絶
    縁強度とを呈し且つ均一でぴったりと接着する被覆を形
    成し、この被覆は、像形成可能であって、細かい線解像
    度を有する像を形成するように作用し、且つ現像可能で
    、湿式及び乾式のエッチングプロセスによってエッチン
    グすることができ、更に、上記被覆は、広い光スペクト
    ルにわたって高い比吸収率を有していることを特徴とす
    る広スペクトルの光吸収被覆材料。
  2. （２）上記ビヒクルは、ポリイミド樹脂のポリアミック
    酸プレカーソルより成る群から選択される特許請求の範
    囲第１項に記載の広スペクトルの光吸収被覆材料。
  3. （３）上記ビヒクルは、ＯＤＡ及びＰＭＤＡか又はＯＤ
    Ａ、ＰＭＤＡ及びＢＴＤＡより成る群から選択され、ビ
    ヒクルの成分はほゞ化学量論的な量で存在する特許請求
    の範囲第２項に記載の広スペクトルの光吸収被覆材料。
  4. （４）上記被覆材料は、基体上に付着された時に、約２
    ００ないし１０００ｎｍの範囲の実質的に全ての光を吸
    収するように作用する特許請求の範囲第１項に記載の広
    スペクトルの光吸収被覆材料。
  5. （５）上記被覆材料は、基体上に付着された時に約２０
    ０ないし７５０ｎｍの範囲の実質的に全ての光を吸収す
    るように作用する特許請求の範囲第１項に記載の広スペ
    クトルの光吸収被覆材料。
  6. （６）上記染料は、クルクミン、ソルベント・ブルー４
    ５、ソルベント・レッド９２、ソルベント・ブルー４４
    、ソルベント・ブルー３５、ソルベント・レッド１１１
    、ソルベント・オレンジ１１、ピラクロム・グリーン、
    ＩＲ−９９、ＩＲ−１２５、ソルベント・レッド１２７
    及びその混合物より成る群から選択される特許請求の範
    囲第１項に記載の広スペクトルの光吸収被覆材料。
  7. （７）上記被覆は、基体上に付着された時に少なくとも
    約３×１０＾１＾５Ω−ｃｍの電気的な体積抵抗率を有
    している特許請求の範囲第１項に記載の広スペクトルの
    光吸収被覆材料。
  8. （８）上記被覆は、基体上に付着された時に少なくとも
    約７×１０＾５Ｖ／ｃｍの絶縁強度を有している特許請
    求の範囲第１項に記載の広スペクトルの光吸収被覆材料
    。
  9. （９）マイクロエレクトロニック写真平版技術等に用い
    る自動収束装置の性能を改善するための光吸収被覆材料
    であって、この材料は、本質的に、可溶性の光吸収染料
    をビヒクル及び溶媒中に含むものであり、上記染料は、
    基体上に塗布された時に自動収束プロセスに用いられる
    光のスペクトルにわたって実質的に全ての反射されない
    光を吸収するように作用すると共に、薄い均一な被覆を
    形成するように作用し、この被覆は、基体のその後の処
    理によって容易に除去できることを特徴とする光吸収被
    覆。
  10. （１０）マイクロエレクトロニック写真平版技術等に用
    いるマスク検査システムのための光吸収被覆材料であっ
    て、この材料は、本質的に、可溶性の光吸収染料をビヒ
    クル及び溶媒中に含むものであり、上記染料は、マスク
    検査システムに用いられる光のスペクトルにわたって実
    質的に全ての光を吸収するように作用すると共に、マス
    ク検査プロセスにおいて像形成及び現像可能であり、上
    記被覆は、均一な薄い被覆であると共に、細かい線解像
    度を有する像を形成するように作用することを特徴とす
    る光吸収被覆材料。
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